ROM-RAM-Flash等存储设备总结
什么是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH及区别
09-05-29 14:02
发表于：《南京安防工程》 分类：未分类
在门禁系统中，控制器的内存是一个很关键的参数，大家一体来了解一下各种内存的感念和区别吧，网上摘录，供大家参考：
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素：
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
B) 位交换
RAM,ROM,EEPROM,FLASH区别
ROM是只读内存（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。
其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。
通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，并且资料不会因为电源关闭而消失。
ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。
ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。
此类存储器多用来存放固件，比如计算机启动的引导程序，计算机启动用的BIOS芯片，手机、MP3、MP4、数码相机等一些电子产品的相应的自带程序代码，这种用户可以通过刷机方式读写RAM。
此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动如启动光盘，在系统装好的电脑上时，计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存，然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM 。
EPROM、EEPROM、Flash ROM(NOR Flash 和NAND Flash)，性能同ROM，但可改写。
一般读出比写入快，写入需要比读出更高的电压（读5V写12V）。
而Flash可以在相同电压下读写，且容量大、成本低，如今在U盘、MP3中使用广泛。
在计算机系统里，RAM一般用作内存，ROM用来存放一些硬件的驱动程序，也就是固件。
RAM（random access memory）随机存储器。
存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。
这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。
所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。
相对的，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系（如磁带）当电源关闭时RAM不能保留数据。
ROM、RAM、Flash memory的区别(表格版)
RAM
不同SRAM
特点
SRAM
DRAM
DDRAM（基于）
全称
Static RAM，静态随机存储器
DynamicRAM，动态随机存储器
Double Data Rate SDRAM，双倍速率随机存储器
PROM、EPROM、E2PROM
速度
较快
较慢
ROM
不同ROM
特点
Mask ROM
PROM
EPROM
E2PROM
Flash ROM
写入次数
一次性由厂家写入数据，用户无法修改
出厂并未写入数据，由用户编程一次性写入数据
通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。芯片可重复写入
通过加电擦出原数据，通过高压脉冲可以写入数据。使用方便但价格较高，而且写入时间较长，写入较慢
存储设备
存储器
特点
RAM
Flash Memory
ROM
中文名称
（Random Access Memory）的全名为随机存取器
FLASH存储器又称闪存
ROM（Read Only Memory）的全名为只读存储器
电源关闭数据是否保留
否
是
是
主要分类
SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）
NOR Flash和NAND Flash型
可靠性和耐用性
寿命(耐用性)
NAND Flash中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR Flash的读写次数是十万次。典型的NAND Flash块尺寸要比NOR型闪存小8倍。
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
另一种称为动态RAM（Dynamic RAM /DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和S DRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
这是目前电脑中用得最多的内存。
在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。
但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
单片机中的ROM,RAM和FLASH的作用
单⽚机中的ROM,RAM和FLASH的作⽤ROM,RAM和FLASH的区别，下⾯主要是具体到他们在单⽚机中的作⽤。
⼀、ROM,RAM和FLASH在单⽚中的作⽤ROM——存储固化程序的（存放指令代码和⼀些固定数值，程序运⾏后不可改动）c⽂件及h⽂件中所有代码、全局变量、局部变量、’const’限定符定义的常量数据、startup.asm⽂件中的代码（类似ARM中的bootloader或者X86中的BIOS，⼀些低端的单⽚机是没有这个的）通通都存储在ROM中。
RAM——程序运⾏中数据的随机存取（掉电后数据消失）整个程序中，所⽤到的需要被改写的量，都存储在RAM中，“被改变的量”包括全局变量、局部变量、堆栈段。
FLASH——存储⽤户程序和需要永久保存的数据。
例如：现在家⽤的电⼦式电度表，它的内核是⼀款单⽚机，该单⽚机的程序就是存放在ROM⾥的。
电度表在⼯作过程中，是要运算数据的，要采集电压和电流，并根据电压和电流计算出电度来。
电压和电流时⼀个适时的数据，⽤户不关⼼，它只是⽤来计算电度⽤，计算完后该次采集的数据就⽤完了，然后再采集下⼀次，因此这些值就没必要永久存储，就把它放在RAM⾥边。
然⽽计算完的电度，是需要永久保存的，单⽚机会定时或者在停电的瞬间将电度数存⼊到FLASH⾥。
⼆、ROM,RAM和FLASH在单⽚中的运作原理1、程序经过编译、汇编、链接后，⽣成hex⽂件；2、⽤专⽤的烧录软件，通过烧录器将hex⽂件烧录到ROM中注：这个时候的ROM中，包含所有的程序内容：⼀⾏⼀⾏的程序代码、函数中⽤到的局部变量、头⽂件中所声明的全局变量，const声明的只读常量等，都被⽣成了⼆进制数据。
疑问：既然所有的数据在ROM中，那RAM中的数据从哪⾥来？什么时候CPU将数据加载到RAM中？会不会是在烧录的时候，已经将需要放在RAM中数据烧录到了RAM中？答：（1）ROM是只读存储器，CPU只能从⾥⾯读数据，⽽不能往⾥⾯写数据，掉电后数据依然保存在存储器中；RAM是随机存储器，CPU既可以从⾥⾯读出数据，⼜可以往⾥⾯写⼊数据，掉电后数据不保存，这是条永恒的真理，始终记挂在⼼。
RAM或ROM_和FLASH存储的区别总结
储存器IC：RAM随机储存器ROM只读储存器一、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。
它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。
根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。
存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。
因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。
02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。
每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。
03.VRAM（Video RAM，视频内存）它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。
它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。
多用于高级显卡中的高档内存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。
传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。
而FRM DRAM 在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。
由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。
各类ROM.FLASH,RAM,内存芯片理解
接口ROM Real Only Memory，EEPROM .flash现在俗称都可以算ROMNAND FLASH 仅有IO口，地址和数据复用IO口，其他片选,时钟等类似，掉电保持。
可以将程序写在NAND中，ARM中有控制器会将NAND中的程序引导至片上RAM然后运行，读写是按扇区NOR FLASH 地址口，数据口分开，同时可以EIP,execute in place片上执行，听说是作为启动FLASH的好东西，读取方式和SDRAM是一样的EEPROM 在FLASH之前，统治ROM很久，目前使用的，最大区别是，读写简单，很多使用SPI或者I2C接口，存储用字节，很适合在程序运行过程中，存储一些运行数据，而FLASH更多用于存程序而不是运行数据，因为写入EEPROM写入要比FLASH简单RAM 各类SDRAM,SRAM,DRAM等都属于RAM。
RamdomAccessMemory，指能够在任意时刻在任意存储位置进行读写，读写速度与数据位置无关，区别于早期的顺序存储Sequential Access，如磁带等。
这里的随机，我个人觉得意思接近于随意，任意的意思，而不是随机的不定SRAM Static RAM，不需要刷新，既可以保持数据，掉电丢失。
贵，通常用于CPU内部的片上内存-Cache缓存DRAM dynamic RAM，区别于SRAM，需要刷新电路才可以保持数据，否则数据就会丢失。
掉电一样丢数据,一般以SDRAM形式出现。
SDRAM Synchronous Dynamic RAM，同步的DRAM，注意S是同步，不是静态！同步意思之前已经了解了，即通讯时双方需要建立时钟同步，CLK引脚实现。
时钟片选读写许可，地址口，数据口DDR SDRAM 有的时候会简称DDR，因为现在基础速度的SDRAM已经很落后，DDR-Dual Date Rate SDRAM,双倍速度，在CLK上升沿和下降沿均传输一次数据。
RAM、ROM和Flash的区别
一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Mxic，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba及Hynix。
ROM(Read Only Memory)的全名为唯读记忆体，它相当于PC机上的硬盘，用来存储和保存数据。ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。即使是断电，ROM也能够保留数据。但是资料一但写入后只能用特殊方法或根本无法更改，因此ROM常在嵌入式系统中担任存放作业系统的用途。现在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。
内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM)，动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于 1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。
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RAM
不同SRAM 特点
全称
存储速度 成本 技术
SRAM
DRAM
DDRAM（基于SDRAM）
Static RAM，静态随机存储器
Dynamic RAM，动态随机存 Double Data Rate SDRAM，
储器
双倍速率同步动态随机存储器
较快
较慢
较高
较低
双倍预取技术
DDRAM，也称DDR，采用差分方式技术，DDRAM比SDRAM多一倍的传输速率和内存宽度。
【SOC】存储设备
ROM、RAM、Flash_memory的区别
存储器 特点 中文名称 电源关闭数据是否保留 主要分类 速度
RAM
Random Access Memory： 随机存取器 否 SRAM（静态随机存储器）和 DRAM（动态随机存储器） 较快
Flash Memory
FLASH存储器又称 闪存 是 NOR Flash和NAN D Flash型
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的 一种DDR RAM。DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它 可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败 了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速 卡的像素渲染能力。
用于对存储容量要求较高的MP3、存储卡 、U盘等领域。正是如此，NAND Flash也 被称为数据闪存（Data Flash）
FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可 以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为 它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代 码或者直接当硬盘使用（U盘）。
一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLAห้องสมุดไป่ตู้H，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。
eMMC = NAND Flash+控制器+标准封装接口，大容量存储设备；MMC：multimedia card，一种SPI和MMC模式通讯的接口协 议。SD卡的技术是基于Multimedia Card（MMC）格式上发展而来，SD卡与MMC卡保持着向上兼容；SD卡接口除了保留MMC卡 的7针外，还在两边加多了2针，作为数据线。SD卡结合了SanDisk快闪记忆卡控制与MLC（Multilevel Cell）技术和Toshiba（东
上述设备从上而下，依次速度更慢、容量更大、访问频率更小，造价更便宜。
Flash ROM
NAND Flash
性能比较
1、NOR Flash的读速度比NAND Flash的读速度稍快一些； 2、NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多； 3、NAND Flash的4ms擦出速度远比NOR Flash的5s快。大多数写入操作需要先进行 擦除操作。 4、NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读写。
SDRAM，即同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂 贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留 数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就 是DRAM的。
接口差别 容量和成本
可靠性和耐用性
易用性 软件支持 市场定位
1、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内 部的每一个字节。NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线(Samsung公司某些新 的NAND Flash有16位总线)，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存储数据，8 个引脚用来传送控制、地址和资料信息。
寿命(耐用性)
NAND Flash中每个块最大擦写次数是一百万次，而NOR Flash的 读写次数是十万次。典型的NAND Flash块尺寸要比NOR型闪存 小8倍。
位交换
NAND Flash发生的次数要比NOR Flash多 Flash Memory器件都 受位交换现象的困扰。
块坏处理
NAND Flash中坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力 ，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND Flash需要 对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在 已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导 致高故障率。
2、NAND Flash读和写操作采用512B的块，有点像硬盘管理操作。因此基于NAND Flash结构可以取代硬盘或其他设备。
1、NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR Flash的一半，由于生产过程更为简单，NA ND Flash结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也相应地降低了价格。
2、NOR Flash容量一般较小，通常在1MB~8MB之间。而NAND Flash只是用在8M B以上的产品当中，这也说明了NOR Flash主要应用在代码存储介质中，NAND Flas h适用于资料存储。NAND Flash在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和M MC存储卡市场所占份额最大。
可以非常直接地使用NOR Flash，可以 像其他内存那样连接，并可以在上面 直接运行代码。
由于需要I/O接口，NAND Flash要复 杂得多。各种NAND的存储方法因厂 家而异。
不需要任何的软件支持
需要驱动程序，也包括内存技术驱动程序 （MTD）
用于数据可靠性要求较高的代码存储 、通信产品、网络处理等领域，NOR Flash也被称为代码闪存（Code Flash ）
DDRAM：一种更为快速的SDRAM；
ROM
不同ROM 特点 写入次数
产品实例
Mask ROM
一次性由厂 家写入数据 ，用户无法 修改
PROM
出厂并 未写入 数据， 由用户 编程一 次性写 入数据
EPROM
通过紫外 光的照射 ，擦掉原 先的程序 。芯片可 重复写入
E2PROM
Flash ROM
通过加电擦出原数 据，通过高压脉冲 可以写入数据。使 用方便但价格较高 ，而且写入时间较 长，写入较慢
ROM
Read Only Memory：只读存储器 是 PROM、EPROM、E2PROM 较慢
ROM：READ ONLY MEMORY，常用的硬盘存储器件，系统停电后依然保持数据；
FLASH：从EEPROM进化而来，属于非易失存储器，早期的EEPROM可以电子可擦除编程，但速度慢，而FLASH对此进行了改进，可以 快速地擦写，也正因为快速擦写的操作非常类似于照相中的按快门操作，所以命名为”FLASH“。
SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是:第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.(显卡上的DDR已经发展到DDR5)。
计算机系统的存储器被组织城一个金字塔的层次结构。
自上而下为：CPU内部寄存器、芯片内部高速缓存(cache)、芯片外部高速缓存(SRAM、SDRAM、DRAM)、主存储 器(FLASH、EEPROM)、外部存储器(磁盘、光盘、CF卡、SD卡)和远程二级存储器(分布式文件系统、WEB服务器)，6个层次的结构。
NOR FLASH：NOR一般只用来存储少量的代码；NOR主要应用在代码存储介质中。NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传 输效率高，它是属于芯片内执行 (XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在（NOR型）flash闪存内运行，不必再把代码读到系 统RAM中。
NAND FLASH：NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代 硬盘或其他块设备。
RAM：RANDOM ACCESS MEMORY，常用作内存器件，读写速度快于ROM，系统停电后，数据消失；
SRAM：静态RAM，常用作高速缓存器件，读写速度快于DRAM，供电状态，不需要刷新，因为SRAM使用了场效应管；
DRAM：动态RAM，所谓“动态”，即当DRAM在供电状态，也需要不断刷新DRAM，对电容重新充电，才可以保持数据；
NOR Flash的读取和常见的SDRAM读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节 约了成本。
NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术 的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一 块小的NOR Flash来运行启动代码。
芝）NAND技术，通过9针的接口界面与专门的驱动器相连接，不需要额外的电源来保持其上记忆的信息。microSD（在被安全数字卡协 会认可以前称为Trans-Flash）。