IGBT门极驱动设计规范要求
IGBT 的驱动与保护技术
IGBT 的驱动与保护技术1．IGBT的驱动条件驱动条件与IGBT的特性密切相关。
设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、负载短路能力和 dUds／dt引起的误触发等问题。
正偏置电压Uge增加，通态电压下降，开通能耗Eon也下降，分别如图2－62 a 和b所示。
由图中还可看出，若十Uge固定不变时，导通电压将随漏极电流增大而增高，开通损耗将随结温升高而升高。
负偏电压一Uge直接影响IGBT的可靠运行，负偏电压增高时漏极浪涌电流明显下降，对关断能耗无显著影响，－Uge与集电极浪涌电流和关断能耗Eoff 的关系分别如图 2－63 a 和 b所示。
门极电阻Rg 增加，将使IGBT的开通与关断时间增加；因而使开通与关断能耗均增加。
而门极电阻减少，则又使di/dt增大，可能引发IGBT误导通，同时Rg上的损耗也有所增加。
具体关系如图2-64。
由上述不难得知：IGBT的特性随门板驱动条件的变化而变化,就象双极型晶体管的开关特性和安全工作区随基极驱动而变化一样。
但是IGBT所有特性不能同时最佳化。
双极型晶体管的开关特性随基极驱动条件（Ib1，Ib2）而变化。
然而，对于 IGBT来说，正如图 2－63和图 2－64所示，门极驱动条件仅对其关断特性略有影响。
因此，我们应将更多的注意力放在IGBT 的开通、短路负载容量上。
对驱动电路的要求可归纳如下：l） IGBT与 MOSFET都是电压驱动，都具有一个 2． 5～5V 的阈值电压，有一个容性输入阻抗，因此IGBT对栅极电荷非常敏感故驱动电路必须很可靠，要保证有一条低阻抗值的放电回路，即驱动电路与IGBT的连线要尽量短。
2）用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压Uge,有足够陡的前后沿，使IGBT的开关损耗尽量小。
另外，IGBT开通后，栅极驱动源应能提供足够的功率，使IGBT不退出饱和而损坏。
3）驱动电路要能传递几十 kHz的脉冲信号。
4）驱动电平十Uge也必须综合考虑。
IGBT 系统设计全攻略【详细】
IGBT 系统设计全攻略【详细】----摘自中华电源网详解IGBT系统[图文]IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内。
理想等效电路与实际等效电路如图所示：IGBT 的静态特性一般用不到，暂时不用考虑，重点考虑动态特性（开关特性）。
动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取：IGBT的开通过程IGBT 在开通过程中，分为几段时间1.与MOSFET类似的开通过程，也是分为三段的充电时间2.只是在漏源DS电压下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和过程中增加了一段延迟时间。
在上面的表格中，定义了了：开通时间Ton，上升时间Tr和Tr.i除了这两个时间以外，还有一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.iIGBT在关断过程IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。
功率器件在绿色节能设计中的应用【IGBT、MOSFET】功率器件是功率电子技术的核心器件，特别是IGBT模块和MOSFET器件被广泛应用于工业设备、汽车电子、家电等领域，为这些领域的节能提供了帮助。
在世界都需要节能的情况下，功率器件的重要性将日益提高，发展前景将更加光明。
本专题为你呈现功率器件的最新资讯及其主要应用领域中的节能设计方案。
关于IGBT保护电路设计必知问题摘要：全面论述了IGBT的过流保护、过压保护与过热保护的有关问题，并从实际应用中总结出各种保护方法，这些方法实用性强，保护效果好。
1 引言IGBT（绝缘栅双极性晶体管）是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，因而广泛应用在变频器的逆变电路中。
IGBT驱动电路设计与保护
IGBT驱动电路设计与保护IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种高性能和高压能力的功率开关器件，用于大功率电力电子应用中。
IGBT驱动电路的设计和保护是确保IGBT正常工作和延长其寿命的重要环节。
1.电源设计：稳定和干净的电源是驱动电路的基础。
通常使用稳压电源或者电容滤波器来给驱动电路和IGBT供电，以避免干扰和噪声的影响。
2.信号隔离：为了保护驱动电路和IGBT，通常需要使用光耦隔离器或者磁隔离器来实现输入和输出电路的电气隔离。
这样可以防止高压和高电流反馈到驱动电路中，从而保护驱动电路的安全。
3.输入信号处理：驱动电路通常需要接收和处理外部的控制信号，例如PWM信号和开关信号。
可以使用电平转换电路、滤波器和放大器等电路来进行信号处理，以确保信号的正确控制和稳定性。
4.输出信号驱动：驱动电路需要能够提供足够的电流和电压来驱动IGBT控制端的输入电容，以确保IGBT在开关过程中快速和稳定地工作。
这通常需要使用功率放大器和驱动电流放大器来提供所需的输出能力。
5.过温保护：IGBT在高功率运行时会产生热量，超过一定温度会导致器件变性或烧毁。
因此，驱动电路中需要设计过温保护电路，用于监测和控制IGBT的温度。
当温度过高时，过温保护电路会触发警报或者切断电源，以保护IGBT的安全。
6.过电流保护：IGBT在工作过程中可能会遭受过电流冲击，例如短路故障。
为了保护IGBT不受损坏，驱动电路需要设计过电流保护电路，可以监测和控制IGBT的电流。
当电流超过设定值时，过电流保护电路会触发警报或者切断电源，以保护IGBT的安全。
7.过压保护：在一些情况下，如电源故障、反馈开关失效等，IGBT 可能会受到过高的电压冲击。
为了保护IGBT不受损坏，驱动电路需要设计过压保护电路，可以监测和控制IGBT的电压。
当电压超过设定值时，过压保护电路会触发警报或者切断电源，以保护IGBT的安全。
IGBT门极驱动设计规范
IGBT门极驱动设计规范IGBT门极驱动设计规范是针对IGBT（绝缘栅双极型晶体管）门极驱动电路设计的一系列准则和规范。
IGBT门极驱动电路的设计对于系统的稳定性、可靠性和性能表现起着至关重要的作用。
本文将介绍IGBT门极驱动设计的一些基本规范。
首先，IGBT门极驱动设计应遵循电气安全规范。
设计师应根据相关标准和市场要求，确保IGBT门极驱动电路的安全性，包括采用合适的绝缘方式、阻隔和耐压设计等。
其次，IGBT门极驱动设计应遵循电磁兼容规范。
设计中应考虑电磁干扰和抗干扰性能，采用合适的滤波和屏蔽措施，以防止电磁辐射和电磁感应对其他电子设备造成干扰。
接下来，IGBT门极驱动设计应考虑系统的温度特性。
设计师应合理选择IGBT门极驱动电路的散热方案，并根据实际应用环境和工作条件，确定合适的工作温度范围和温度保护机制。
此外，IGBT门极驱动设计应考虑系统的响应速度和稳定性。
设计师应根据IGBT的特性，选取合适的驱动电路和元件，以确保系统的响应速度和稳定性都能满足要求。
此外，还应考虑到IGBT的过渡特性，以便在切换过程中防止开关损耗和电磁噪声。
此外，IGBT门极驱动设计应充分考虑系统的可靠性。
设计师应遵循可靠性设计原则，包括采用适当的元件和材料、合理布局和连接、考虑温度和湿度等因素，并进行必要的寿命和可靠性验证测试。
最后，IGBT门极驱动设计应兼顾成本和性能。
设计师应在满足性能要求的前提下，合理选择元件和材料，并进行成本效益分析，确保设计的经济性和可行性。
总之，IGBT门极驱动设计规范是根据电气安全、电磁兼容、温度特性、响应速度、稳定性、可靠性等方面的要求，对IGBT门极驱动电路的设计进行规范化的准则。
遵循这些规范，可以确保IGBT门极驱动电路的可靠性、稳定性和性能表现，提高系统的工作效率和寿命。
IGBT门极驱动的要求及电路设计
IGBT门极驱动的要求及电路设计IGBT门极驱动的要求及电路设计绝缘栅双极晶体管IGBT是第三代电力电子器件，安全工作，它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一身，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高(10-40 kHz)的特点，是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。
广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS及逆变焊机当中。
IGBT的驱动和保护是其应用中的关键技术。
在此根据长期使用IGBT的经验并参考有关文献对IGBT的门极驱动问题做了一些总结，希望对广大IGBT应用人员有一定的帮助。
1 IGBT门极驱动要求1.1 栅极驱动电压因IGBT栅极-发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行驱动，但IGBT的输入电容较MOSFET大，所以IGBT的驱动偏压应比MOSFET驱动所需偏压强。
图1是一个典型的例子。
在+20℃情况下，实测60 A，1200 V以下的IGBT开通电压阀值为5～6 V，在实际使用时，为获得最小导通压降，应选取Ugc≥(1.5～3)Uge(th)，当Uge 增加时，导通时集射电压Uce将减小，开通损耗随之减小，但在负载短路过程中Uge增加，集电极电流Ic也将随之增加，使得IGBT能承受短路损坏的脉宽变窄，因此Ugc的选择不应太大，这足以使IGBT完全饱和，同时也限制了短路电流及其所带来的应力(在具有短路工作过程的设备中，如在电机中使用IGBT时，+Uge在满足要求的情况下尽量选取最小值，以提高其耐短路能力)。
1.2 对电源的要求对于全桥或半桥电路来说，上下管的驱动电源要相互隔离，由于IGBT是电压控制器件，所需要的驱动功率很小，主要是对其内部几百至几千皮法的输入电容的充放电，要求能提供较大的瞬时电流，要使IGBT迅速关断，应尽量减小电源的内阻，并且为防止IGBT关断时产生的du/dt误使IGBT导通，应加上一个-5 V的关栅电压，以确保其完全可靠的关断(过大的反向电压会造成IGBT栅射反向击穿，一般为-2～10 V之间)。
IGBT驱动电路原理及设计方案方法
IGBT驱动电路原理及设计方法本文着重介绍三个IGBT驱动电路。
驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，对IGBT驱动电路的基本要求如下：（1）提供适当的正向和反向输出电压，使IGBT可靠的开通和关断。
（2）提供足够大的瞬态功率或瞬时电流，使IGBT能迅速建立栅控电场而导通。
（3）尽可能小的输入输出延迟时间，以提高工作效率。
（4）足够高的输入输出电气隔离性能，使信号电路与栅极驱动电路绝缘。
（5）具有灵敏的过流保护能力驱动电路EXB841/840EXB841工作原理如图1,当EXB841的14脚和15脚有10mA 的电流流过1us以后IGBT正常开通，VCE下降至3V左右，6脚电压被钳制在8V左右，由于VS1稳压值是13V，所以不会被击穿，V3不导通，E点的电位约为20V，二极管VD截止，不影响V4和V5正常工作。
■- ■ ―- ■ —«■www.d i angon. com当14脚和15脚无电流流过，则V1和V2导通，V2的导通使V4截止、V5导通，IGBT栅极电荷通过V5迅速放电，引脚3电位下降至0V,是IGBT栅一射间承受5V左右的负偏压，IGBT可靠关断, 同时VCE的迅速上升使引脚6 “悬空”。
C2的放电使得B点电位为0V,则V S1仍然不导通，后续电路不动作，IGBT正常关断如有过流发生，IGBT的V CE过大使得VD2截止，使得VS1击穿，V3导通，C4通过R7放电，D点电位下降，从而使IGBT的栅一射间的电压UGE降低，完成慢关断，实现对IGBT的保护。
由EXB841 实现过流保护的过程可知，EXB841判定过电流的主要依据是6脚的电压，6脚的电压不仅与VCE有关，还和二极管VD2的导通电压Vd 有关。
典型接线方法如图2,使用时注意如下几点：a、I GBT栅-射极驱动回路往返接线不能太长（一般应该小于1m），并且应该采用双绞线接法，防止干扰。
IGBT驱动条件
IGBT驱动条件2011.7.21由于IGBT的主要特性是随V GE和R G变化的。
门极电路的正偏压V GE、负偏压-V GE和门极电阻R G的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及d V/dt电流等参数有不同程度的影响。
下表主要是IGBT的驱动条件和主要特性的关系。
1.1 门极正偏压电压：+V GE（导通期间）门极正偏压电压+V GE的推荐值为+15V，下面说明+V GE设计时应注意的事项。
(1) 请将+V GE设计在G-E 间最大额定电压V GES=±20V max. 的范围内。
(2) 电源电压的变动推荐在±10% 范围内。
(3) 导通期间的C-E 间饱和电压（V CE (sat)）随+V GE变化，+V GE越高饱和电压越低。
(4) +V GE越高，开通交换时的时间和损耗越小。
(5) +V GE越高，开通时（FWD 反向恢复时）对支路越容易产生浪涌电压。
(6) 即使是在IGBT断开的时间段内，由于FWD 的反向恢复时的dv/dt 会发生误动作，形成脉冲状的集电极电流，从而产生不必要的发热。
这种现象被称为dv/dt 误触发，+V GE越高越容易发生。
(7) +V GE越高，短路电流值越高。
(8) +V GE越高，短路最大耐受量越小。
1.2门极反偏压电压：-V GE（阻断期间）门极反偏压电压-V GE的推荐值为-5V到-15V。
下面说明-V GE设计时应注意的事项。
(1) 请将V GE设计在G-E 间最大额定电压V GES=±20V max. 的范围内。
(2) 电源电压的变动推荐在±10% 范围内。
(3) IGB的关断特性依存于-V GE，特别是集电极电流开始关断部分的特性在很大程度上依存于–V GE。
因此，-V GE越大，关断交换时的时间和损耗越小。
(4) dv/dt 误触发在-V GE小的情况下也有发生，所以至少要设定在-5V 以上。
IGBT的驱动技术
IGBT的驱动技术1. IGBT 的驱动条件驱动条件与 IGBT 的特性密切相关。
设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、负载短路能力和du／dt 引起的误触发等问题。
正偏置电压 Uge 增加，通态电压下降，开通能耗 Eon 也下降，分别如图 2-62 a 和 b 所示。
由图中还可看出，若+Uge 固定不变时，导通电压将随漏极电流增大而增高，开通损耗将随结温升高而升高。
负偏电压-Uge 直接影响 IGBT 的可靠运行，负偏电压增高时漏极浪涌电流明显下降，对关断能耗无显著影响，-Uge 与集电极浪涌电流和关断能耗Eoff的关系分别如图2-63 a 和b所示。
门极电阻Rg 增加，将使 IGBT 的开通与关断时间增加；因而使开通与关断能耗均增加。
而门极电阻减少，则又使 di/dt 增大，可能引发 IGBT 误导通，同时 Rg 上的损耗也有所增加。
具体关系如图 2-64 。
由上述不难得知： IGBT 的特性随门极驱动条件的变化而变化 , 就象双极型晶体管的开关特性和安全工作区随基极驱动而变化一样。
但是IGBT所有特性不能同时最佳化。
双极型晶体管的开关特性随基极驱动条件（Ib1，Ib2）而变化。
然而，对于IGBT来说，正如图 2-63 和图2-64 所示，门极驱动条件仅对其关断特性略有影响。
因此，我们应将更多的注意力放在 IGBT 的开通、短路负载容量上。
对驱动电路的要求可归纳如下：l ） IGBT 与 MOSFET 都是电压驱动，都具有一个 2.5 ～ 5V 的阈值电压，有一个容性输入阻抗，因此 IGBT 对栅极电荷非常敏感故驱动电路必须很可靠，要保证有一条低阻抗值的放电回路，即驱动电路与 IGBT 的连线要尽量短。
2 ）用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压 Uge, 有足够陡的前后沿，使 IGBT 的开关损耗尽量小。
另外， IGBT 开通后，栅极驱动源应能提供足够的功率，使IGBT不退出饱和而损坏。
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大功率IGBT驱动
采用隔离变压器的IGBT驱动 采用Vce饱和压降进行过流检测和管理的IGBT驱动系统，包括软关断动作， 以及分别采用不同的门极电阻进行开通和关断。
Norbert Pluschke1001
5
如何安全地使用IGBT 如何安全地使用
哪个门极驱动电路会适用于模块SKM 400 GB 126 D ?
GND
Norbert Pluschke1001
22
HCPL-316J – 采用光藕的 采用光藕的IGBT驱动器 驱动器
隔离
Norbert Pluschke1001
23
低成本IGBT驱动电路 驱动电路 低成本
Norbert Pluschke1001
24
TD350 – 采用外部光藕的 采用外部光藕的IGBT驱动电路 驱动电路
Norbert Pluschke1001
10
计算峰值门极电流
计算在最小的门极电阻情况下的峰值驱动电流 E.g. RG.on = RG.off = 2Ω Ig.puls ≈ ∆V / RG + Rint = 23V / (2Ω + 2Ω) = 5.75 A
Chip resistance (data sheet)
26
无变压器的由贴片元件组成的IGBT驱动电路 驱动电路(page 24) 无变压器的由贴片元件组成的 驱动电路
Vce 压降检测的二极管在主功率板上 变压器和电源都在主板上 一个逆变器需要6个驱动电路
Norbert Pluschke1001
27
在IGBT进行关断动作时是否有过压 进行关断动作时是否有过压
15
⇒ QG = 2230 nC
-8
2230 nC
Norbert Pluschke1001
9
计算平均电流
计算平均电流: IoutAV = P / ∆U ∆V = +Vg + [= QG * ∆V * fsw
绝对值
⇒ IoutAV = QG * fsw = 2230 nC * 10kHz = 22.3 mA
Norbert Pluschke1001
13
开通死区时间计算
Norbert Pluschke1001
14
关断死区时间计算
Norbert Pluschke1001
15
门极电阻对延迟的影响
Norbert Pluschke1001
16
门极电阻对延迟的影响
Norbert Pluschke1001
17
考虑过压和反向恢复电流
IGBT门极和发射极的保护措施
必须进行防静电处理 电路的保护措施
门极和发射极间的电阻– 4.7kOhm to 10kOhm 双向稳压二极管(16.8V – 17.5V) GE间加入小电容去掉振荡
必须考虑上下管同时导通的情况因为
dv/dt太高 (米勒电容会产生一个电流，而且还改变集射极的电压（考虑到门 限电压值），在门极和发射极中加入负电压进行关断可以避免这个问题。 上下桥臂ＩＧＢＴ的开通和关断延迟
Norbert Pluschke1001
25
采用脉冲变压器的IGBT驱动电路 驱动电路 采用脉冲变压器的
+15V
+15V/-8V管理
脉冲变压器 Gate
- 8V
G 在短路以及IGBT开通时， 通过该电路降低门极和 发射极间的电压 -两级开通策略
Collector
Vce管理
Norbert Pluschke1001
Norbert Pluschke1001
30
Focus February 2010
Release 27th February 2010
“Water Cooling Technology”
- why water cooling? - advantage of devices without base plate for water cooling concepts - How to improve the thermal resistance ? - construction advice (air bubble) - high power density concept with water cooled heat sink and SKiM
Norbert Pluschke1001
31
Norbert Pluschke1001
18
IGBT门极和发射极的保护措施 所有的 门极和发射极的保护措施— 所有的IGBT驱动 门极和发射极的保护措施 驱动
Cge = Ciss
Rg1
必须离IGBT很近 很近 必须离
Norbert Pluschke1001
19
Norbert Pluschke1001
门极电阻的阻值不能小于 “测试过的门极驱动电阻 测试过的门极驱动电阻” 测试过的门极驱动电阻 这个 模块为 2 Ohm
Norbert Pluschke1001
7
如何选择正确的门极驱动电阻? 如何选择正确的门极驱动电阻
195A – max reverse recovery current
Rg = 2 Ohm
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自举驱动电路 – 非隔离 - L6386D
Norbert Pluschke1001
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电气隔离的要求
为了保护弱电控制系统 远离高压，电气隔离是 必须的。 Signal processing TOP + VDC
隔离可以通过以下方式 实现 -光藕 -脉冲变压器 小功率逆变器采用自举 驱动电路时，必须把控 制板的地和功率地隔离 开。 BOT
Norbert Pluschke1001
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选择合适的门极驱动电路
驱动电路的最大参数必须不小于实际使用的和计算 出来的值。
门极电荷 QG = 2230 nC
平均电流 IoutAV = 22.3mA 最大门极电流 Ig.pulse = 5.75 A 最大开关频率 fsw = 10kHz 集射极最大电压VCE = 1200V 驱动的通道数量: 2 (GB模块) 双驱动电路
设计参数：
反向恢复二极管的电流为-
1.5 x I diode by 80 degree case
270 A x 1.5 = 405 A
fsw = 10 kHz Rg = ?
Norbert Pluschke1001
6
如何安全地使用IGBT 如何安全地使用
哪个门极驱动电路会适用于模块SKM 400 GB 126 D ?
Norbert Pluschke1001
12
考虑门极的开通和关断延迟
门极电阻会影响以下参数
开通时间(影响di/dt) 开通延迟 关断时间 (影响dv/dt) 关断延迟
由于开通和关断时间的不同，选用了不合适的门极电阻可能会导 致模块的上半桥臂和下半桥臂同时导通。 门极电阻会影响上下两个半桥IGBT之间的真正死区时间。
过压会根据电流的不同而变化
短路， 过载
在 过压的同时会因为吸收电容的存在而产生振荡。检查吸收电容 的漏感。 漏感和吸收电容的振荡会在IGBT 产生一个高压。 分析IGBT内部的压降
模块内部的漏感 （会降低端子上的电压)
vCE(t), iC(t) VCC IO
漏感造成的过压
0
t
=−
×
Norbert Pluschke1001
January 2010
Norbert Pluschke1001
1
Norbert Pluschke1001
2
目录
定义和分类 IGBT的使用和门极电路设计 各类型的驱动电路介绍 IGBT过压的产生和抑制机理
Norbert Pluschke1001
3
IGBT驱动的作用 驱动的作用 在电力电子装置中的一个重要组成部分,输入连接到控制电路 的PWM信号输出端，输出连接到装置各IGBT的门极和发射极 ，将装置中的控制电路产生的数字PWM信号进行 隔离传输和 电平转换和功率放大,实现控制电路对IGBT进行开通和关断动 作的控制，从而实现装置的功率变换功能。 如果电力电子装置比作是一个人，控制电路可以看作是大 脑，功率电路看作是手和脚，驱动电路就是连接大脑和手脚 之间的脊椎和神经。 驱动电路设计的好坏可以影响整个装置的稳定和可靠性。
Norbert Pluschke1001
4
我们应该使用什么样的驱动
小功率的IGBT驱动
220V AC - - - -自举IGBT驱动, 高频脉冲变压器, 直流电压驱动 400V AC - - - - 采用简单光藕的新型自举IGBT驱动器
中等功率的IGBT驱动
400V AC - - - - 采用自举供电的光藕 690V AC - - - - 隔离的脉冲变压器以及复杂的IGBT驱动系统
两个分别用于开通和关断的门极驱动电阻 Ron = 2 Ohm Roff = 5 Ohm (降低过压尖峰)
Norbert Pluschke1001
开通电阻太小 避免出现振荡
8
确定IGBT的门极充电参数 的门极充电参数 确定
门极电荷由SEMITRANS的datasheet 中的图表6 可以看到
门极驱动电路中典型 的开通和关断电压分 别是 VGG+ = +15V VGG- = -8V
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软关断
当软关断时,必须外接一个短路电阻去和门极关断电阻串联
RG on
软关断 RG off 软关断策略可以降低电压尖峰
RG off,
SC
vCE(t), iC(t) VCC IO 0
VGG-
t
Norbert Pluschke1001
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IGBT Driver Design Rules
采用合适的开通和关断电阻