电子技术答案第2章单级交流放大电路
电子技术基础 第2版 习题答案作者 陈振源 褚丽歆 褚老师习题答案.docx
思考与练习答案第1章半导体器件一、填空题1.过热烧毁击穿2.单向导电性3.放大区截止区饱和区放大区4.发射结集电结放大区截止区饱和区5.100 2.5mA6.正偏反偏7.几~几十1.5〜3V8.光电反偏9.放大10.100 4mA11.集电极发射极12.⑴集电基发射(2)50 ⑶PNP13.电压电场效应14.结绝缘栅15.源极漏极16.控制极触发P N栅极反向维持二、选择题1. B2.B3.B A4.B5.C6.C7.A8. B9. B 10. B 11.B 12.C A B三、综合题1.图(a)“Ao = 6V；图(b)”Ao = 0V;图(C)U A0=12V；图(d)U A0=-6V2,两只稳压值不等的稳压管串联使用，有4种接法，结果分别为13. 5V、6. 7V、8. 2V、1.4V；两只稳压值不等的稳压管并联使用，有4种接法，只是得到的稳压值只有两种，结果为6V 和0. 7V；四、实训题1.答：⑴黑笔接的是万用表内部电源的正极，红笔接的是万用表内部电源的负极。
在万用表测得的阻值小的情况下，说明此时二极管外加的电压是正向电压(正向偏置)，所以黑笔(电源正极)接的是二极管的正极，红笔接的是二极管的负极。
⑵若将红、黑笔对调后，万用表指示的方向与⑴相反，即阻值很大，近似为无穷大。
(3)如正向、反向电阻值均为无穷大，二极管内部为断路。
(4)如正向、反向电阻值均为零，二极管内部短路。
(5)如正向和反向电阻值接近，说明此时二极管已不具有单向导电的性能。
2.答：⑴基极 (2)基极NPN 型PNP 型第2章 三极管放大电路一、填空题1.静态 Q /BQ /CQ U BEQ U CEQ2.动态 输入信号 电源直流交流3.不失真地放大输入信号4.开路 短路 短路5.基极 射极 集电极6.相反7,同 减小 低提高8.截止失真减小饱和失真增大输入信号过大 9.截止饱和R B10.集电 共集电极11. 1电压 电流和功率 相同 12.共射组态 共集组态 共射组态 13.阻容耦合 变压器耦合直接耦合14.减小增大 15. 30 P A 3mA16. (1) 48u A,2.4mA, 5.2V,放大(2) 1000uA,50mA, 0V,饱和 (3) 10 V, 截止二、选择题1. C2. B3.B4. B5. A C6. C四、实训题 1.答：用万用表测量静态工作点/CQ 时，应选择万用表的电流挡位(具体挡位应根据被测电 路的参数来选择)，将万用表串联接在电路中。
模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本
（2） A um
( Rc // Rc )
rbe
30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开， Re 有电流串联负反馈，（ Aum 下降）， Ri 增加， R0 不变；
（1） 画出直流通路和微变等效电路 （6 分）。 （2）设 U BEQ 0.7V ，求静态工作点
I CQ 、 U CEQ （4 分）
（3）求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
，设 =30，
rbb' =19 4 （6 分）
（4） I CEO 、U CES 忽略不计，估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
（3） Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图， C1 ~ C4 足够大，
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
（3） R R 10 K 0 4
U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B；A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A（2）B；A；C（3)B；C；C (4) C，B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C
电力电子技术第2章 习题 - 答案
班级姓名学号第2/9章电力电子器件课后复习题第1部分：填空题1. 电力电子器件是直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
2. 主电路是在电气设备或电力系统中，直接承担电能变换或控制任务的电路。
3. 电力电子器件一般工作在开关状态。
4. 电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。
5. 按照器件能够被控制的程度，电力电子器件可分为以下三类：不可控器件、半控型器件和全控型器件。
6．按照驱动电路信号的性质，电力电子器件可分为以下分为两类：电流驱动型和电压驱动型。
7. 电力二极管的工作特性可概括为单向导电性。
8. 电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
9. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为1K Hz以下的整流电路。
其反向恢复时间较长，一般在5ms以上。
10.快恢复二极管简称快速二极管，其反向恢复时间较短，一般在5ms以下。
11.肖特基二极管的反向恢复时间很短,其范围一般在10～40ns之间。
12.晶闸管的基本工作特性可概括为：承受反向电压时，不论是否触发，晶闸管都不会导通；承受正向电压时，仅在门极正确触发情况下，晶闸管才能导通；晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。
要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降至维持电流以下。
13.通常取晶闸管的U DRM和U RRM中较小的标值作为该器件的额定电压。
选用时，一般取为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3 倍。
14.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为维持电流。
晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流称为擎住电流。
对同一晶闸管来说，通常I L约为I H的称为2~4 倍。
15.晶闸管的派生器件有：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管。
16. 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10微秒左右。
新版模拟电子技术 部分参考答案(二)
习 题 55.1 阻容耦合放大电路如图5.1所示，已知1250ββ==，BEQ 0.7V U =，指出每级各是什么组态的电路，并计算电路的输入电阻i R 。
u S图5.1 习题5.1电路图解： 第一级为共集放大电路，第二级为共射放大电路 (1) )μA (1.51551257.015BQ1=⨯+-=I )m (56.2BQ1CQ1A I I =⋅=β)V (2.2556.215e1CQ1CC CEQ1=⨯-=⋅-=R I V U)(81856.22651300be1Ω=⨯+=r (2) )V (5.215501010BQ2=⨯+=V )mA (64.111.07.05.2EQ CQ2=+-=≈I I)V (5)11.05(64.115CEQ2=++⨯-=U)k (1.164.12651300be2Ω=⨯+=r (3) )k (56.3])1(//['//'e222be b2b12i Ω=++=R r R R R β )k (26.20]//)1(//[2i e111be b1i Ω=++=R R r R R β5.2 电路如图5.2所示，设两管的β=100，U BEQ =0.7V ，求：（1）I CQ1、U CEQ1、I CQ2、U CEQ2；（2）A u1、A u2、A u 、R i 和R o 。
u s-+u o图5.2 习题5.2电路图 图5.3 习题5.3电路图解： (1) CQ1EQ1CQ2010.2mA I I I I ====CQ1BB BEQ EQ160.7 5.3V,0.7V U V U U =-=-==-CEQ1CQ1EQ1 5.3(0.7)6V U U U =-=--=CEQ2CQ2EQ2CC CQ2C2EQ21510.20.47 5.3 4.91(V)U U U V I R U =-=-⋅-=-⨯-=(2) be2i25505.511100r R β===Ω++,i2u1be1100 5.51550R A r β⨯=-=-=- C2u2be210047085.4550R A r β⨯===，u u1u2(1)85.485.4A A A =⨯=-⨯=-i be1550R r ≈=Ω,o o2c2470R R R ≈==Ω5.3 电路如图5.3所示，设VT 1与VT 2的小信号参数分别为β1、r be1和β2、r be2。
模拟电子技术题库-答案分解
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。
2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。
3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。
6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。
7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。
9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。
10、硅二极管的死区电压约为，锗二极管的死区电压约为。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_mg ______。
13、PN 结具有__单向导电_______特性。
14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。
16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。
电子技术基础(第二版)前三章习题答案
第一章1.1 能否将1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V 时，管子会因电流过大而烧坏。
1.2已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA 。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V ，U O2＝5V 。
1.3写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。
（该题与书上略有不同）解：U O1≈1.3V ，U O2＝0，U O3≈－1.3V ，U O4≈2V ，U O5≈1.3V ，U O6≈－2V 。
1.5 电路如图P1.5（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，二极管导通电压U D ＝0.7V 。
试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值（该题与书上数据不同）解：u O 的波形如解图P1.5所示。
解图P1.51.9电路如图T1.9所示，V CC ＝15V ，β＝100，U BE ＝0.7V 。
试问： （1）R b ＝50k Ω时，u O ＝？ （2）若T 临界饱和，则R b ≈？ 解：（1）R b ＝50k Ω时，基极电流、集电极电流和管压降分别为26bBEBB B =-=R U V I μAV2mA 6.2 C C CC CE B C =-===R I V U I I β所以输出电压U O ＝U CE ＝2V 。
1.11电路如图P1.11所示，试问β大于多少时晶体管饱和？ 解：取U CES ＝U BE ，若管子饱和，则Cb C BECC b BE CC R R R U V R U V ββ=-=-⋅所以，100Cb=≥R R β时，管子饱和。
图1.11 1.12 分别判断图P1.12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态第二章2.1试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路
在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在基本共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A 共射电路B 共基电路C 共集电路D 共射-共基电路在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ] A．差分放大电路 B．共基电路C．共射电路 D．共集电路晶体三极管的关系式iE =f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性对于图所示的复合管，穿透电流为（设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流）A.ICEO = ICEO2ICEOB.ICEO =ICEO1+ICEO2C.ICEO =（1+2）ICEO1+ICEO2D.ICEO =ICEO1图 [ ]在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ ] B.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真对于基本共射放大电路， Rb 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在基本共射放大电路中，信号源内阻RS 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。
电工学下册(秦曾煌)电子技术课后答案
第14章本书包括电路的基本概念与基本定律、电路的分析方法、电路的暂态分析、正弦交流电路、三相电路、磁路与铁心线圈电路、交流电动机、直流电动机、控制电机、继电接触器控制系统、可编程控制器及其应用等内容。
晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。
2．晶体管的电流分配关系晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：C B I I β≈(1)E B C B I I I I β=+=+C C BB I I I I ββ∆==∆3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线：晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时，B I 和BE U 之间的关系。
晶体管的输入特性也存在一个死区电压。
当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现B I ，且B I 随BE U 线性变化。
（2）晶体管的输出特性曲线：晶体管的输出特性曲线反映当B I 为某个值时，C I 随CE U 变化的关系曲线。
在不同的B I 下，输出特性曲线是一组曲线。
B I =0以下区域为截止区，当CE U 比较小的区域为饱和区。
输出特性曲线近于水平部分为放大区。
（3）晶体管的三个区域：晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。
此时，C I =b I β，C I 与b I 成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲线的截止区。
此时，B I =0，C I =CEO I 。
晶体管发射结和集电结都处于正向偏置，即CE U 很小时，晶体管工作在饱和区。
此时，C I 虽然很大，但C I ≠b I β。
即晶体管处于失控状态，集电极电流C I 不受输入基极电流B I 的控制。
14．3 典型例题例14．1 二极管电路如例14．1图所示，试判断二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。
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第2章单级交流放大电路2.1 学习要求（1）理解共发射极单管放大电路的基本结构和工作原理。
（2）掌握放大电路的静态工作点估算和微变等效电路分析方法。
（3）了解放大电路输入电阻和输出电阻的概念。
（4）理解射极输出器的电路结构、性能特点及应用。
（5）了解场效应管共源极放大电路的结构和性能特点。
2.2 学习指导本章重点：（1）共发射极单管放大电路的工作原理。
（2）放大电路静态工作点的估算。
（3）放大电路的微变等效电路分析方法。
（4）射极输出器的性能特点及应用。
本章难点：（1）放大电路的微变等效电路分析方法。
（2）放大电路静态工作点的稳定。
（3）放大电路的非线性失真及其抑制措施。
本章考点：（1）共发射极固定偏置放大电路的静态、动态分析计算。
（2）共发射极分压式偏置放大电路的静态、动态分析计算。
（3）射极输出器的静态、动态分析计算及应用。
（4）电路参数（R B、R C及U C C）与静态工作点的关系。
（5）静态工作点与非线性失真的关系。
2.2.1 放大电路的组成和工作原理不管放大电路的结构形式如何，组成放大电路时只要遵循以下几个原则就能实现放大作用：（1）外加直流电源的极性必须使晶体管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，电子技术学习指导与习题解答20 以保证晶体管工作在放大区。
此时，若基极电流i B 有一个微小的变化量Δi B ，将控制集电极电流i C 产生一个较大的变化量Δi C ，二者之间的关系为：B C i i ∆=∆β （2）输入回路的接法，应该使输入电压的变化量能够传送到晶体管的基极回路，并使基极电流产生相应的变化量Δi B 。
（3）输出回路的接法，应该使集电极电流的变化量Δi C 能够转化为集电极电压的变化量Δu C E ，并传送到放大电路的输出端。
（4）为了保证放大电路能够正常工作，在电路没有外加信号时，不仅必须要使晶体管处于放大状态，而且要有一个合适的静态工作电压和静态工作电流，即要合理地设置放大电路的静态工作点。
2.2.2 放大电路的主要分析方法放大电路的分析方法主要有以下几种： （1）放大电路的特点是直流和交流共存。
静态分析：以直流通路为依据，主要分析放大电路的各直流电流、电压值。
动态分析：以交流通路和微变等效电路为依据，主要分析放大电路的电压放大倍数u A 、输入电阻r i 和输出电阻r o 等。
（2）放大电路的静态分析有估算法和图解法两种。
估算法：固定偏置放大电路的求解顺序为：I B →I C →U C E ；分压式偏置放大电路的求解顺序为：U B →I C →U C E （I B ）。
图解法：其步骤为：用估算法求出基极电流I B →根据I B 在输出特性曲线中找到对应的曲线→作直流负载线→确定静态工作点Q 及其相应的I C 和U C E 值。
（3）放大电路的动态分析有图解法和微变等效电路法两种。
图解法：其步骤为：根据静态分析方法求静态工作点Q （I B 、I C 和U CE ）→根据u i在输入特性上求u BE 和i B →作交流负载线→由输出特性曲线和交流负载线求i C 和u CE 。
微变等效电路法：用于分析小信号情况下放大电路的动态性能，关键在于正确作出放大电路的微变等效电路。
晶体管的微变等效电路如图2.1所示。
B CceC（a ）晶体管 （b ）微变等效电路图2.1 晶体管的微变等效电路第2章 单级交流放大电路 21晶体管的输入电阻r be 常用下式估算：Ebe 26)1(300I r β++=（Ω） 2.2.3 几种常见基本放大电路的静态与动态分析 1．共发射极固定偏置放大电路共发射极固定偏置放大电路及其直流通路、交流通路和微变等效电路如图2.2所示。
u so CC+U CCR（a ）放大电路 （b ）直流通路u s +u o -i c+o- R U（c ）交流通路 （d ）微变等效电路图2.2 共发射极固定偏置放大电路（1）静态分析：BBECC B R U U I -=B C I I β=C C CC CE R I U U -=（2）动态分析：beL ur R A '-=β电子技术学习指导与习题解答22 式中L C L//R R R ='。
be B i //r R r = C o R r =2．共发射极分压式偏置放大电路共发射极分压式偏置放大电路及其直流通路、交流通路和微变等效电路如图 2.3所示。
u s +u o -CCU +U CCII 2（a ）放大电路 （b ）直流通路u s +u o -ic+o- R U（c ）交流通路 （d ）微变等效电路图2.3 共发射极分压式偏置放大电路（1）静态分析：CC B2B1B2B U R R R U +=EBEB EC R U U I I -=≈)(E C C CC CE R R I U U +-=βCB I I =（2）动态分析：第2章 单级交流放大电路 23beL ur R A '-=β 式中L C L//R R R ='。
be B2B1i ////r R R r =C o R r =3．带直流负反馈的共发射极分压式偏置放大电路带直流负反馈的共发射极分压式偏置放大电路及其直流通路、交流通路和微变等效电路如图2.4所示。
u s +u o -CC+U CCI I 2U（a ）放大电路 （b ）直流通路u s o i coR U（c ）交流通路 （d ）微变等效电路 图2.4 带直流负反馈的共发射极分压式偏置放大电路（1）静态分析：CC B2B1B2B U R R R U +=E2E1BEB EC R R U U I I +-=≈)(E2E1C C CCCE R R R I U U ++-=电子技术学习指导与习题解答24 βCB I I =（2）动态分析：E1be Lu)1(R r R A ββ++'-=式中L C L//R R R ='。
])1(//[//E1be B2B1i R r R R r β++=C o R r =4．射极输出器（共集电极放大电路）射极输出器及其直流通路、交流通路和微变等效电路如图2.5所示。
u s+u o -CC+U CCR B（a ）射极输出器（b ）直流通路u sR U （c ）交流通路 （d ）微变等效电路图2.5 射极输出器（1）静态分析：E B BECC B )1(R R U U I β++-=B C I I β=第2章 单级交流放大电路 25E C CC CE R I U U -=（2）动态分析：Lbe Lu)1()1(R r R A '++'+=ββ 式中L E L//R R R ='。
])1(//[Lbe B i R r R r '++=β βS R r r '+≈beo 式中B S S//R R R ='。
5．共源极分压式偏置放大电路共源极分压式偏置放大电路及其直流通路、交流通路和微变等效电路如图2.6所示。
U DD+u o -+U DD（a ）放大电路 （b ）直流通路+u o -oU（c ）交流通路 （d ）微变等效电路图2.6 共源极分压式偏置放大电路（1）静态分析：DD G2G1G2G U R R R U +=SG S S D R U R U I ==电子技术学习指导与习题解答26 )(S D D DD DS R R I U U +-=（2）动态分析：Lm u R g A '-= 式中L D L//R R R ='。
G2G1G i //R R R r +=D o R r =5．几点说明（1）电压放大倍数与R C 、R L 、β及I E 等因数有关。
R C 或R L 增大，电压放大倍数也增大。
β的增大对提高电压放大倍数效果不明显，反而是I E 稍微增大一些，就能使电压放大倍数在一定范围内有明显的提高，但I E 的增大是有限制的。
此外，电压放大倍数式子中的负号表示电路的输出电压u o 与输入电压u i 反相，正号表示输出电压u o 与输入电压u i 同相。
（2）输入电阻r i 是从放大电路输入端求得的等效交流电阻，其中不包括信号源内阻R s 。
输出电阻r o 是从放大电路输出端求得的等效交流电阻，其中不包括放大电路的负载电阻R L 。
（3）射极输出器的主要特点是电压放大倍数接近于1，输入电阻高，输出电阻低。
由于输入电阻高，常被用作多级放大电路的输入级，以减少信号源的负担；由于输出电阻低，常被用作多级放大电路的输出级，以提高带负载能力；由于它的阻抗变换作用，可作为两个共发射极放大电路之间的中间缓冲级，以改善工作性能。
2.2.4 影响放大质量的几个因素（1）静态工作点设置不合理。
影响静态工作点的电路参数是R B 、R C 及U C C 。
如R B 过小，则I B 过大，使静态工作点过高，会产生饱和失真；R B 过大，则I B 过小，使静态工作点过低，会产生截止失真。
这些都是晶体管的非线性特性引起的，统称非线性失真。
一般是改变R B 的阻值来调节静态工作点。
（2）静态工作点不稳定。
静态工作点不稳定主要是由于受温度变化的影响。
温度变化要影响晶体管的参数I C B O 、β和U B E 。
这些参数随温度升高的变化，都使集电极电流的静态值I C 增大。
稳定静态工作点的方法之一是采用分压式偏置放大电路。
2.3 习题解答2.1 根据组成放大电路时必须遵循的几个原则，分析如图 2.7所示各电路能否正常放大交流信号？为什么？若不能，应如何改正？分析 判断电路能否正常放大交流信号，只要判断是否满足组成放大电路时必须第2章 单级交流放大电路 27遵循的几个原则。
对于定性分析，只要判断晶体管是否满足发射结正偏、集电结反偏的条件，以及有无完善的直流通路和交流通路即可。
解 如图2.7所示各电路均不能正常放大交流信号。
原因和改进措施如下：图 2.7（a ）中没有完善的交流通路。
这是因为0B =R ，BB BE U U =恒定，所以输入端对交流信号短路，输入信号不能送入。
应在电源U B B 支路中串联电阻R B 。
图 2.7（b ）中没有完善的直流通路。
这是因为电容C 1的隔直作用，晶体管无法获得偏流，0B =I 。
应将C 1改接在交流信号源与R B 之间。
+U CC(a) (b) (c)+U CC+U CC+U CC(d) (e) (f)-U CC+U CC图2.7 习题2.1的图图 2.7（c ）中发射结零偏，0BE =U ，晶体管无法获得偏流，0B =I 。
应将R B 接电源U C C 与晶体管基极之间。
图2.7（d ）中电容C 1接在电源U C C 与晶体管基极之间带来两个问题：一是由于C 1的隔直作用，晶体管无法获得偏流，0B =I ；二是由于C 1对交流信号短路，输入信号不能送入。