智慧树知道网课《模拟电子技术基础(山东理工大学)》课后章节测试满分答案
模拟电子技术基础课后答案
第三局部 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度那么与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
〔 × 〕2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
〔 √ 〕3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
〔× 〕4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
〔 × 〕5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
〔 √ 〕6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
〔 × 〕7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
〔× 〕三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量〔其单位与V 的单位一致〕，其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，那么)V (2.11594TV T =，在常温〔T=300K 〕下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上根本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
《模拟电子技术基础》习题答案
( RC // RL ) u i 0.76V rbe (1 ) RE
(1 )( RE // RL ) ui 0.994V rbe (1 ) RE
u o 2 Auo 2 u i
2. 6 如图题 2.6 所示的偏置电路中，热敏电阻 Rt 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？
第 1 章习题及答案 1.1．在图题 1.1 所示的各电路图中 E＝5V，ui 10 sin t V，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电 压 u o 的波形。
+
R
+ D E + -
+
Байду номын сангаас
D
+ R E + -
ui
(a) + R
uo
-
ui
(b)
uo
-
+ D E + -
+
ui
(c)
uo
-
D
+ R E + -
I B IC /
U CB U CC I C RC U CC Rb 2 U CC ( Rb1 Rb 2 )
Rb 2 RC Rb 2 U CC U CC ( Rb1 Rb 2 ) Re ( Rb1 Rb 2 )
7
第 3 章习题及答案 3.1 电路如图题 3.1 所示。 T1 和 T2 参数一致且 足够大。 （1） T1 、 T2 和电阻 R1 组成什么电路，起什么作用？ （2） 写出 I c 2 的表达式。
Re
uo
-
(a)
(b)
图解 2.7 2. 8 如图题 2.8 所示 RS、Re、Rb1、Rb2、Rc、RL、UCC 均已知；求静态工作点 IC、IB、UCB。
2020智慧树,知到模拟电子技术基础章节测试[完整答案]
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2020智慧树，知到模拟电子技术基础章节测试[完整答案]绪论单元测试1、判断题：线性元器件，指的就是元件的参数与通过它的电压和电流是无关的。
选项：A:错B:对答案: 【对】2、判断题：非线性元件，指的就是元件的参数会随着它两端的电压电流而变化。
选项：A:对B:错答案: 【对】3、判断题：这门课强调的是定性分析，手动的定量分析为估算。
选项：A:对B:错答案: 【对】4、判断题：在模拟电子系统里，一般而言，传感器的作用是把非电的物理量转换为电信号，传输给后面电子系统进行处理。
选项：A:错B:对答案: 【对】5、判断题：一般而言，放大器的质量和价格与它的衡量参数和主要指标紧密相关。
选项：A:对B:错答案: 【对】第一章单元测试1、单选题：某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3KΩ的负载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为()选项：A:2KΩB:5KΩC:4KΩD:3KΩ答案: 【2KΩ】2、单选题：某放大电路在接有2KΩ负载电阻时，测得输出电压为3V，在输入电压不变的情况下断开负载电阻，输出电压上升到7.5V，说明该放大电路的输出电阻为()选项：A:6KΩB:12KΩC:9KΩD:3KΩ答案: 【3KΩ】3、单选题：已知某放大电路的输出电阻为3KΩ，在接有4KΩ负载电阻时，测得输出电压为2V。
在输入电压不变的条件，断开负载电阻，输出电压将上升到()选项：A:3.5VB:2.5VC:4.5VD:1V答案: 【3.5V】4、单选题：放大电路对不同频率的正弦信号的稳态响应特性简称为()选项：A:频率响应B:放大倍数C:相移答案: 【频率响应】5、单选题：由于放大电路对含有多种频率信号的()不同而产生的波形失真，称为幅度失真选项：A:频率响应B:放大倍数C:相移答案: 【放大倍数】6、单选题：由于放大电路对信号中不同频率产生的()不同而产生的波形失真，称为相位失真选项：B:放大倍数C:频率响应答案: 【相移】7、单选题：测得某放大电路的输入正弦电压和电流的峰值分别为10mV和10μA，在负载电阻为2KΩ时，测得输出正弦电压信号的峰值为2V。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
山东理工大学模拟电子技术A答案
《模拟电子技术A 》（A ）卷答案及评分标准一、选择题(12分)1 B C 2. D B 3 B A 4. D C B A 5. B C二．是非题(8分)1.( 1分) √2. (1分) √3. (1分) √4.( 1分) × 5．( 1分) ×6．( 1分) × 7.( 1分) √ 8. ( 1分) √三. (10分)11O1250100i i u u u -=-= (5分) 2121O 5.1)100501(10050i i i o u u u u u +=++-= (5分)四．(10分)1.ri= R b1‖[rbe1+(1+β)Re1]‖ri2ri2= R b1‖R b1‖[rbe2] （2分）ro= Rc2=2k （2分）2.电压放大倍数Au1=1 （2分）Au2=-β(R c2‖R L )/ [rbe2] （2分）Au= Au1 Au2 （2分）五．(10分)be r =b b 'r +(1+β)EQT I U =2.8k Ω (2分) （a ）i R =be r =2.8k Ω (2分)（b ）i R =be r +b R =3.8k Ω (2分)（c ）i R =be r +(1+β)e R ≈104k Ω (2分)（d ）i R =be r =2.8k Ω (2分)六．（10分）图（a ）：112i o f -=-==R R u u A uu (5分) 图（b ）：11165i o f =+==R R u u A uu (5分) 七（10分）1. (1)示波器荧光屏上出现一条水平线（无正弦波输出），因为在R p ＝0时，321e1f1<=+≈R R A u ，不满足起振条件，电路不振荡。
（3分） (2)R p ＝10k Ω时，312111.>>=++=e pf u R R R A ，振荡波形将有严重失真，正弦波的上、下两边均被削平。
智慧树知到模拟电子技术基础章测试第十章单元测试参考答案
智慧树知到模拟电子技术基础章测试第十章单元测试参考答案•总题数: 101【单选题】 (10分)在单相桥式整流、电容滤波电路中，变压器二次侧电压的有效值U2 = 10V，且满足，则输出电压的平均值为A.14VB.9VC.12VD.4.5V正确本题总得分10分2【单选题】 (10分)在单相桥式整流、电容滤波电路中，变压器二次侧电压的有效值U2 = 10V，且满足，若电容虚焊，则输出电压的平均值为A.9VB.4.5VC.12VD.10V正确本题总得分10分3【单选题】 (10分)在单相桥式整流电路中，负载上的平均电流值为10A，则二极管的平均电流值为A.5AB.10AC.20AD.9A正确本题总得分10分4【单选题】 (10分)串联型稳压电路如图所示，已知稳压管VDZ的稳压值UZ＝6V，R1＝200Ω，Rp=100Ω，R2＝200Ω，负载RL=20Ω，则输出电压Uo的调整范围是A.10 ～15VB.－10 ～－15VC.－15 ～－20VD.15 ～20V正确本题总得分10分5【单选题】 (10分)已知R1 = R2 = R3 = 200Ω，并且R2的抽头处于中点，则Uo =A.-20VB.20VC.-10VD.10V正确本题总得分10分6【判断题】 (10分)稳压电路如题图所示，稳压管VD Z的稳压值U Z=6V。
该电路能稳压。
A.错B.对正确本题总得分10分7【单选题】 (10分)在如图所示串联型稳压电源中，已知稳压管VD Z的稳定电压U Z＝5.3V，晶体管的U BE= 0.7V。
当R p的滑动端在最下端时U O＝15V，求解R p为（）欧姆；A.56B.100C.102D.80正确本题总得分10分8【单选题】 (10分)在如图所示串联型稳压电源中，已知稳压管VD Z的稳定电压U Z＝5.3V，晶体管的U BE=0.7 V。
当R p的滑动端在最上端时求解U O等于（）V。
A.10B.20C.5D.15正确本题总得分10分9【判断题】 (10分)串联型稳压电路如图所示,已知稳压管VD Z的稳压值U Z＝6V，R1＝200Ω，R p=100Ω，R2＝2 00Ω，负载R L=20Ω标出运算放大器A的同相输入端和反相输入端，运算放大器A的上端为反相输入端。
智慧树知道网课《模拟电子技术(山东联盟-山东建筑大学)》课后章节测试满分答案
第一章测试1【判断题】(10分)电子线路是由电子器件和电子元件组成的具有一定功能的电路。
A.对B.错2【判断题】(10分)电子器件又称无源器件，如电阻、电容、电感等.A.错B.对3【判断题】(10分)第一代电子器件为晶体管，晶体管出现后，拉开了人类社会步入信息时代的序幕。
A.错B.对4【判断题】(10分)电子器件是电子线路的核心，电子技术的发展很大程度上反映在电子器件的发展上。
A.对B.错5【判断题】(10分)电子器件发展的第三代是集成电路，具有外接元件少、可靠性高、性能稳定的特点A.错B.对6【判断题】(10分)模拟电路和数字电路处理的信号特性是相同的，只是处理信号的幅度有差别。
A.对B.错7【判断题】(10分)计算机能够直接接收和处理的信号一般为模拟信号A.错B.对8【判断题】(10分)数字信号一般指时间和数值上都连续的信号A.错B.对9【判断题】(10分)含有计算机的电子信息系统一般属于模拟和数字的混合系统A.错B.对10【单选题】(10分)下列信号不属于模拟信号的是()A.4~20mA的电流信号B.20Hz~20kHz的音频信号C.灯的亮灭状态D.0~5V的电压信号第二章测试1【判断题】(10分)在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地A.对B.错2【判断题】(10分)凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系A.错B.对3【判断题】(10分)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区A.错B.对4【单选题】(10分)理想运算放大器的两个重要结论是A.虚短与虚地B.虚地与反相C.短路和断路D.虚短与虚断5【单选题】(10分)集成运放的线性和非线性应用电路都存在A.虚短与虚断B.虚短C.虚断D.虚地6【多选题】(10分)如图所示电路中，若电阻Rf虚焊，则电路的输出电压为A.B.＋UOMC.无穷大D.-UOM7【单选题】(10分)反相输入积分电路中的电容接在电路的A.同相输入端B.同相端与输出端之间C.反相输入端D.反相端与输出端之间8【单选题】(10分)电路如图所示，若R1=5KΩ,R2=R3=10KΩ，Vi=1V，则V O=A.-1VB.-2VC.1VD.2V9【单选题】(10分)集成运放能处理A.正弦信号B.交流和直流信号C.直流信号D.交流信号10【单选题】(10分)理想运算放大器的输出电阻Ro为A.零B.有限值C.无穷大D.不确定第三章测试1【单选题】(10分)设稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和9V，正向压降为0.7V，则图3.2电路中的输出电压VO为A.3VB.6.7VC.15VD.9.7V2【单选题】(10分)用万用表的电阻档测量二极管，当时说明二极管的单向导电性好A.正向电阻反向电阻都小B.正向电阻反向电阻都大C.正向电阻大反向电阻小D.正向电阻小反向电阻大3【单选题】(10分)如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管A.击穿B.电流过大而使管子烧坏C.电流为0D.正常导通4【判断题】(10分)二极管稳压电路一般是由稳压二极管（反向接法）和负载并联而得到。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
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第一章测试
1
【判断题】(10分)
电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于3V
A.
对
B.
错
2
【判断题】(10分)
电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于0V
A.
对
B.
错
3
【单选题】(10分)
电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于（）V
A.
3
B.
C.
1
D.
2
4
【单选题】(10分)
电路如图所示，二极管VD1、VD2用恒压降模型，正向导通电压均为0.7V，假如输入端uA=3V，uB=0V,求uy=（）V
A.
2.4
B.
2.3
C.
2.2
D.
2.1
5
【判断题】(10分)
稳压管的动态电阻愈大，稳压性能也就愈好•
A.
对
B.
错
6
【判断题】(10分)
稳压管的正常工作区是反向区
A.
错
B.
对
7
【判断题】(10分)
二极管恒压降模型，是指二极管承受正向电压导通时，其管压降为恒定值，且不随电流而变化
A.
对
B.
错
8
【判断题】(10分)
扩散电容是PN结加正向电压时，多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的
A.
对
B.
错。