模拟电子技术习题集(二)
电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案
七、
1.电容C的位置错，可去掉或改动 的位置
2.去掉电容C2
3. 的极性错
八、画出下面电路的直流通路和微变等效电路。
直流通路：
微变等效电路：
九、解：
1. 、 、
2.交流负载线：过Q点，与横轴的焦点是
3.到饱和区的最大 ；到截止区的最大 。因此这道题要出现失真，应该是饱和失真，答同时出现也可以。
二、选择题
1.B，A，A2.B，A3.A，B，C
三、填空题
1.放大区、截止区、饱和区、放大区
2.电源、直流信号、交流信号源、交流信号、电容、交流信号源、电容、电源
3.电压放大倍数、输入电阻、带宽
4.静态工作点、交流负载线、交流负载线的中间、基极电阻、增大
四、
1. X——发射极、Y——集电极、Z——基极、
负反馈自激振荡的条件是：
观察放大电路的波特图。当 时，若幅频响应曲线在零点以下，则电路稳定；否则可能产生自激振荡。
2.选择正确答案填空
A电压串联负反馈B电压并联负反馈
C电流串联负反馈D电流并联负反馈
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入C
(2)为了实现电流-电压转换，应引入B
(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载能力，应引入A
(4)为了实现电流放大，应引入D。
三、判断图示电路引入了何种反馈？
模2第五章练习题答案
一、判断题
1 .√ 2. √ 3.X4. X 5. X
二、填空题
1. F D C A B E A C
2. C B A D
三、判断图示电路引入了何种反馈？
电流并联负反馈电压串联负反馈
电压并联正反馈电流并联负反馈
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1
习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。
若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。
解：当K 250=T 时，有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ，同理，当K 300=T 时，有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ，当K 350=T 时，有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n ， 当掺入施主杂质后，电子浓度：d N n =，空穴浓度：n n p 2i =，当K 250=T 时，317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p ， 当K 300=T 时，317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p ， 当K 350=T 时，317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。
题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ，316d cm 10=N ，求K 300=T 时PN 结的内建电位差。
解：)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ， 当K 300=T 时，mV 26T =U ，310i cm 1043.1⨯=n ,代入得：76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。
题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ，当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少？由计算结果说明伏安特性的特点。
解：根据PN 结方程，流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ，6S 10−=I A ，26T =U mV ，2.01=U V 时，3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ，36.02=U V 时，03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ，4.03=U V 时，8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ，2.04−=U V 时，04=I ，反向截止， 36.05−=U V 时，05=I ，反向截止， 4.06−=U V 时，06=I ，反向截止，由此可见，PN 结外加正向电压时，斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第二章 半导体二极管及其基本电路
第二章半导体二极管及其基本电路2-1．填空（1）N型半导体是在本征半导体中掺入；P型半导体是在本征半导体中掺入。
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会。
（3）PN结的结电容包括和。
（4）晶体管的三个工作区分别是、和。
在放大电路中，晶体管通常工作在区。
（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该。
（正偏、反偏）答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。
2-2．判断下列说法正确与否。
（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
（）（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（）（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
（）（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。
（）（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。
（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。
（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。
（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
模拟电子技术应用(二)复习题及答案
模拟电子技术应用（二）复习题与答案1.设图中VD 为普通硅二极管，正向压降为 0.7V ，试判断VD 是否导通，并计算U O 的值。
5V5V( a )( b )（a ）设VD 断开，求得U O ≈－0.45V ，小于硅二极管的死区电压，所以VD 截止，U O ≈－0.45V（b ）VD 导通，U O ＝2.3V2.计算下图电路中二极管上流过的电流I D 。
设二极管的正向导通压降为0.7V ，反向电流等于零。
( a )V ( b )（a ）V 1D -=U ，VD 截止，0D =I （b ） 2.75mA m A 37.0527.010D=⎪⎭⎫⎝⎛--+-=I3.电路如图所示，VD 为理想二极管，画出各电路的电压传输特性()(I O u f u =曲线），并标明转折点坐标值。
( a )( b )( a )( b )4.已知电路中，)V ( Sin 5i t u ω=，二极管正向压降为0.7V ，画出各电路中u O1、u O2波形，并注明其电压幅值。
uu ( a )( b )－－5.在如图所示电路中，已知稳压管VD Z1的稳定电压U Z1＝6.3V ， VD Z2的稳定电压U Z2＝7.7V ，它们的正向导通电压U D 均为0.7V ，U I 和R 的取值合理，U I 的实际极性和U O1～U O4的假设极性如图中所标注。
填空： U O1＝V ，U O2＝V ，U O3＝V ，U O4＝V 。
U IU IU U O1U O2U O3U O414 ， 7，－0.7，－6.36.从括号中选择正确的答案，用A 、B 、C 、D 填空。
用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。
（A ．放大， B ．饱和， C ．截止， D ．损坏） ⑴；⑵；⑶；⑷；⑸。
( 1 )( 3 )( 2 )( 5 )+9V +12V－－12V0V+2.3V( 4 )（1）C （2）A （3）C （4）B （5）D7. 从括号中选择正确的答案，用A 、B 、C 、D 填空。
《模拟电子技术基础》习题课1-2章-概念
三种组态为：BJT的共射、共基、共集 FET的共源、共栅、共漏
BJT
FET
差放
共射 共射 共集 共基 共源 共漏 共栅 差模 共模 （带反馈Re）
微变等效电路
p74
Ri
Ro
Av
15
模拟电路习题课（一）
共射小信号（微变）等效分析 输入电阻、输出电阻和增益
Ri
vi ii
rbe // Rb
Av
vo vi
(1 1)R'L rbe (1 1)R'L
1
R'o
rbe
1 1
//
rce1
rbe
1 1
Ro R'o // ro2 R'o
共集放大器的Ri比共射大很多
电压放大倍数接近于1（小于1）因此称为射随器
共集放大器的Ro比共射的小很多
17
模拟电路习题课（一）
共基小信号（微变）等效分析
R'i
U
反向击穿 电压VBR
2
二极管的电阻
模拟电路习题课（一）
直流等效电阻 RD：
RD
VD ID
交流（动态）电阻 rd：
rd
(
diD dvD
)Q1
2vd 2id
rd
(
diD dvD
)Q1
VT ID
3
模拟电路习题课（一）
共射（共E）BJT工作原理
以发射极（E极）作为公共端，EB结正偏，CB结反偏。
iC
参见 P12 图1.3.4
7
3. 饱和区
vCE<vBE vCB<0
4
集电结正偏
电子技术基础(模拟部分)习题答案
一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。
2.在下述电路中，能使二极管导通的电路是a。
3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V，则该三极管处于放大工作状态。
4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β，衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。
5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds＞U GS（OFF）__，它的截止条件为__ u Gs≤U GS（OFF）__。
6.在基本OCL功放电路中，设电源电压为±15V，负载电阻R L=8Ω，则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W，理想效率为78.5%_。
7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。
8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路，其主要目的是抑制0点漂移。
９.为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入直流负反馈_，为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。
10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。
要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_，相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。
11.在放大电路的设计中，主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。
此外，利用这种反馈，还可增加增益的恒定性，减少非线性失真，抑制噪声，扩展频带以及控制输入和输出阻抗，所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。
11.Ｎ型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的，多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
12.半导体PN结具有单相导电性特性。
13.在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V，14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。
15.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_；共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。
16.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入电压负反馈；若要稳定输出电流，应引入电流负反馈；若要增加输入电阻，应引入串联负反馈。
新版模拟电子技术 部分参考答案(二)
习 题 55.1 阻容耦合放大电路如图5.1所示，已知1250ββ==，BEQ 0.7V U =，指出每级各是什么组态的电路，并计算电路的输入电阻i R 。
u S图5.1 习题5.1电路图解： 第一级为共集放大电路，第二级为共射放大电路 (1) )μA (1.51551257.015BQ1=⨯+-=I )m (56.2BQ1CQ1A I I =⋅=β)V (2.2556.215e1CQ1CC CEQ1=⨯-=⋅-=R I V U)(81856.22651300be1Ω=⨯+=r (2) )V (5.215501010BQ2=⨯+=V )mA (64.111.07.05.2EQ CQ2=+-=≈I I)V (5)11.05(64.115CEQ2=++⨯-=U)k (1.164.12651300be2Ω=⨯+=r (3) )k (56.3])1(//['//'e222be b2b12i Ω=++=R r R R R β )k (26.20]//)1(//[2i e111be b1i Ω=++=R R r R R β5.2 电路如图5.2所示，设两管的β=100，U BEQ =0.7V ，求：（1）I CQ1、U CEQ1、I CQ2、U CEQ2；（2）A u1、A u2、A u 、R i 和R o 。
u s-+u o图5.2 习题5.2电路图 图5.3 习题5.3电路图解： (1) CQ1EQ1CQ2010.2mA I I I I ====CQ1BB BEQ EQ160.7 5.3V,0.7V U V U U =-=-==-CEQ1CQ1EQ1 5.3(0.7)6V U U U =-=--=CEQ2CQ2EQ2CC CQ2C2EQ21510.20.47 5.3 4.91(V)U U U V I R U =-=-⋅-=-⨯-=(2) be2i25505.511100r R β===Ω++,i2u1be1100 5.51550R A r β⨯=-=-=- C2u2be210047085.4550R A r β⨯===，u u1u2(1)85.485.4A A A =⨯=-⨯=-i be1550R r ≈=Ω,o o2c2470R R R ≈==Ω5.3 电路如图5.3所示，设VT 1与VT 2的小信号参数分别为β1、r be1和β2、r be2。
模拟电路习题及参考答案2
模拟电路习题及参考答案2单项选择题1.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是___。
A、便于设计B、放大交流信号C、不易制作大容量电容D、以上三点综合决定答案：C2.差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的___，共模信号是两个输入端信号的___。
A、差，和B、和，差C、和，平均值D、差，平均值答案：D3.当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为___。
A．20倍B．-20倍C．-10倍D．0.1倍答案：D4.不属于放大电路的极间偶合方式有___。
A、无失真耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合答案：A5.对通用型集成运放输出级的要求叙述不正确的是___。
A、带负载能力强B、最大不失真输出电压尽可能大C、输出级一般为互补电路D、输出级一般为差分放大电路答案：D6.三极管工作于放大状态的条件是___。
A．发射结正偏，集电结反偏B．发射结正偏，集电结正偏C．发射结反偏，集电结正偏D．发射结反偏，集电结反偏答案：A7.场效应管的工作原理是___。
A．输入电流控制输出电流B．输入电流控制输出电压C．输入电压控制输出电压D．输入电压控制输出电流答案：D8.集成运放制造工艺使得同类半导体管的___。
A、指标参数准确B、参数不受温度影响C、参数一致性好D、电路受到保护答案：C9.半导体二极管加正向电压时，有___。
A．电流大电阻小B．电流大电阻大C．电流小电阻小D．电流小电阻大答案：A10.当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的___。
A、0.5倍B、0.7倍C、0.9倍D、1.4倍答案：B判断题1.互补输出级应采用共集或共漏接法。
答案：正确2.若要求一个两级交流放大电路要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，则第一级采用共源电路，第二级采用共集电路。
答案：正确3.温度升高，半导体三极管的共射输出特性曲线下移。
答案：错误4.场效应管放大电路的动态分析和晶体管放大电路一样也是经常采用微变等效电路法。
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第三章 多级放大电路自 测 题一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( )它只能放大交流信号。
( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( )它只能放大直流信号。
( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( )（5）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解：（1）× （2）√ √ （3）√ × （4）× （5）√二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui ，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B（5）C ，B三、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是。
A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是。
A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放入倍数（4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的，共模信号是两个输入端信号的。
A.差B.和C.平均值（5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大（6）互补输出级采用共集形式是为了使。
A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强解：（1）C，D （2）C （3）A （4）A，C （5）B（6）Cr=100四、电路如图PT3.4所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，'bbΩ，静态时｜U B E Q｜≈0.7V。
试求：（1）静态时T1管和T2管的发射极电流。
（2）若静态时u O＞0，则应如何调节R c2的值才能使u O＝0V？若静态u O＝0V，则R c2＝？电压放大倍数为多少？图T3.4解：（1）T3管的集电极电流I C3＝（U Z－U B E Q3）/ R e3＝0.3mA静态时T1管和T2管的发射极电流I E1＝I E2＝0.15mA（2）若静态时u O＞0，则应减小R c2。
当u I＝0时u O＝0，T4管的集电极电流I C Q4＝V E E/ R c4＝0.6mA。
R c2的电流及其阻值分别为电压放大倍数求解过程如下：习题3.1判断图P3.1所示各两级放大电路中，T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。
设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。
图P3.1解：（a ）共射，共基 （b ）共射，共射 （c ）共射，共射（d ）共集，共基 （e ）共源，共集 （f ）共基，共集3.2 设图P3.2所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出uA 、R i 和R o 的表达式。
图P 3.2解：（1）图示各电路的交流等效电路如解图P3.2所示。
（2）各电路uA 、R i 和R o 的表达式分别为 图（a ）图（b ）图（c ）图（d ）解图P 3.23.3 基本放大电路如图P3.3（a ）（b ）所示，图（a ）虚线框内为电路Ⅰ，图（b ）虚线框内为电路Ⅱ。
由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图（c ）、（d ）、（e ）所示，它们均正常工作。
试说明图（c ）、（d ）、（e ）所示电路中（1）哪些电路的输入电阻比较大；（2）哪些电路的输出电阻比较小；（3）哪个电路的s u A =so U U 最大。
图P 3.3解: （1）图（d ）、（e ）所示电路的输入电阻较大。
（2）图（c ）、（e ）所示电路的输出电阻较小。
（3）图（e ）所示电路的su A 最大。
3.4 电路如图P3.1（a ）（b ）所示，晶体管的β均为50，r b e 均为1.2k Ω，Q 点合适。
求解uA 、R i 和R o 。
解：在图（a ）所示电路中在图（b ）所示电路中3.5 电路如图P3.1（c ）（e ）所示，晶体管的β均为80，r b e 均为1.5k Ω，场效应管的g m 为3mA/V ；Q 点合适。
求解uA 、R i 和R o 。
解：在图（c ）所示电路中在图（e ）所示电路中3.6 图P3.6所示电路参数理想对称，β1＝β2＝β，r b e 1＝r b e 2＝r b e 。
（1）写出R W 的滑动端在中点时A d 的表达式；（2）写出R W 的滑动端在最右端时A d 的表达式，比较两个结果有什么不同。
图P 3.6解：（1）R W 的滑动端在中点时A d 的表达式为（2）R W 的滑动端在最右端时所以A d 的表达式为比较结果可知，两种情况下的A d 完全相等；但第二种情况下的C21C u u ∆∆＞。
3.7 图P3.7所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，'bb r =100Ω，U B E Q ≈0.7。
试计算R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I E Q ，以及动态参数A d 和R i 。
图P 3.7解：R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流分析如下： A d 和R i 分析如下：3.8 电路如图P3.8所示，T 1管和T 2管的β均为40，r b e 均为3k Ω。
试问：若输入直流信号u I 1=20mv ，u I 2=10mv ，则电路的共模输入电压u I C =？差模输入电压u I d =？输出动态电压△u O =?图P 3.8解：电路的共模输入电压u I C 、差模输入电压u I d 、差模放大倍数A d 和动态电压△u O 分别为由于电路的共模放大倍数为零，故△u O 仅由差模输入电压和差模放大倍数决定。
r=100Ω。
3.9电路如图P3.9所示，晶体管的β=50，'bb（1）计算静态时T1管和T2管的集电极电流和集电极电位；（2）用直流表测得u O=2V，u I=？若u I=10mv，则u O=？图P3.9解：（1）用戴维宁定理计算出左边电路的等效电阻和电源为静态时T1管和T2管的集电极电流和集电极电位分别为（2）先求出输出电压变化量，再求解差模放大倍数，最后求出输入电压，如下：△u O＝u O－U C Q1≈－1.23V若u I=10mv，则3.10试写出图P3.10所示电路A d和R i的近似表达式。
设T1和T2的电流放大系数分别为β1和β2，b-e间动态电阻分别为r b e1和r b e2。
图P3.10解：A d和R i的近似表达式分别为3.11电路如图P3.11所示，T1和T2的低频跨导g m均为2mA/V。
试求解差模放大倍数和输入电阻。
图P 3.11解：差模放大倍数和输入电阻分别为A d ＝－g m R D ＝－40R i ＝∞3.12 试求出图P3.12所示电路的A d 。
设T 1与T 3的低频跨导g m 均为2mA/V ，T 2和T 4的电流放大系数β均为80。
图P 3.12解：首先求出输出电压和输入电压的变化量，然后求解差模放大倍数。
bem D m d 1)1(21r g R g A ++⋅-=β，若r b e =1k Ω，则A d ＝－540。
3.13 电路如图P3.13所示，T 1～T 5的电流放大系数分别为β1～β5，b-e 间动态电阻分别为r b e 1～r b e 5，写出u A 、R i 和R o 的表达式。
图P 3.13解: u A 、R i 和R o 的表达式分析如下：3.14电路如图3.14所示。
已知电压放大倍数为－100，输入电压u I 为正弦波，T 2和T 3管的饱和压降｜U C E S ｜=1V 。
试问：（1）在不失真的情况下，输入电压最大有效值U i ma x 为多少伏？（2）若U i ＝10mv(有效值)，则U o ＝？若此时R 3开路，则U o =？若R 3短路，则U o =？P 3.14解：（1）最大不失真输出电压有效值为故在不失真的情况下，输入电压最大有效值U i ma x（2） 若U i ＝10mV ，则U o ＝1V （有效值）。
若R 3开路，则T 1和T 3组成复合管，等效β≈β1β3，T 3可能饱和，使得u O ≈－11V （直流）。
若R 3短路，则u O ≈11.3V （直流）。
第四章 集成运算放大电路自 测 题一、选择合适答案填入空内。
（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。
A ．可获得很大的放大倍数B . 可使温漂小C ．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大 。
A ．高频信号B . 低频信号C . 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。
A . 指标参数准确B . 参数不受温度影响C ．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 。
A ．减小温漂B . 增大放大倍数C . 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 。
A ．共射放大电路B . 共集放大电路C ．共基放大电路解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
（1）运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。
( )（2）运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。
( )（3）运放的共模抑制比cd CMR A A K = ( ) （4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。
( )（5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( ) 解：（1）× （2）√ （3）√ （4）√ （5）×三、电路如图T4.3所示，已知β1=β2=β3=100。
各管的U B E 均为0.7V ，试求I C 2的值。
图T4.3解：分析估算如下：100BE1BE2CC =--=RU U V I R μA1001C =≈⋅+=R R I I I ββμA四、电路如图T4.4所示。