2.3 双极型晶体管
PNP与NPN两种三极管使用方法
PNP与NPN两种三极管使用方法PNP（正-负-正）与NPN（负-正-负）是两种常见的三极管类型。
它们在电路中的使用方法有所区别，以下是关于这两种三极管的详细说明。
PNP三极管是一种双极性晶体管，由两个P型半导体材料夹着一个N 型半导体材料构成。
NPN三极管则是由两个N型半导体材料夹着一个P型半导体材料构成。
1.工作原理：在PNP三极管中，基极与发射极之间的电流方向是由基极到发射极，而NPN三极管中，电流方向是由基极流向发射极。
2.构成方式：PNP三极管由一个N型材料包围着两个P型材料形成，而NPN三极管则是由两个N型材料夹着一个P型材料形成。
3.极性：PNP三极管的极性是正负正，而NPN三极管的极性是负正负。
4.流程图表示：在电路图中，PNP三极管的符号是一个向内的三角形，而NPN三极管的符号是一个向外的三角形。
5.管脚标记：PNP三极管的管脚分别标记为：发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。
NPN三极管的管脚也是类似的，分别标记为：发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。
下面是PNP和NPN三极管在电路中的应用方法：PNP三极管的应用：1.开关应用：PNP三极管可以用作开关，当输入信号为高电平时，基极-发射极间会有电流，此时电流无法通过集电极-发射极间，所以负载被断开。
当输入信号为低电平时，基极-发射极间无电流，电流可以通过集电极-发射极间，负载闭合。
PNP三极管的开关应用主要用于高电平控制的逻辑开关电路。
2.放大应用：PNP三极管可以用作放大器，将弱电流放大为强电流。
在放大电路中，输入信号被加载在基极-发射极间，当输入信号为低电平时，基极-发射极间无电流，输出电流小；当输入信号为高电平时，基极-发射极间有电流，输出电流增大。
因此，PNP三极管广泛用于音频放大、功率放大等电子设备中。
NPN三极管的应用：1.开关应用：NPN三极管也可以用作开关。
当输入信号为低电平时，基极-发射极间会有电流，此时电流无法通过集电极-发射极间，负载被断开。
双极性晶体管的发展趋势
双极性晶体管的发展趋势双极性晶体管（BJT）作为一种重要的电子器件，在电子技术领域得到了广泛的应用。
随着科技的不断发展，人们对BJT的要求也在不断提高，因此BJT的发展趋势也在不断变化。
首先，BJT的尺寸越来越小。
自从1960年发现集成电路以来，电子器件的尺寸就一直在不断减小。
BJT作为集成电路中重要的组成部分之一，其尺寸的缩小是必然趋势。
随着微纳技术的不断发展，如今已经实现了纳米级的BJT器件，这不仅提高了器件的集成度，还降低了功耗和成本。
其次，BJT的性能不断提升。
随着对电子器件性能要求的提高，BJT的速度、功率和可靠性等方面也在不断改善。
速度方面，BJT的开关速度越来越快，可以达到GHz级别，适用于高频率应用；功率方面，BJT的功率密度也在不断提高，可以承受更高的功率；可靠性方面，BJT的寿命和可靠性得到了极大的提高，可以满足更严苛的工作环境。
第三，BJT的制造工艺不断改进。
随着制造工艺的进步，如今已经发展出了多种不同的BJT工艺，如高压工艺、低温工艺和SiGe工艺等。
这些工艺的出现使得BJT在不同应用中具备了更广泛的适应性，能够满足不同领域的需求。
第四，BJT的材料研究不断深入。
传统的BJT采用的是硅材料，但是近年来人们对其他材料的研究也取得了一定的进展。
如今已经发展出了SiC（碳化硅）和GaAs（砷化镓）等新材料的BJT，这些材料具有更好的导电和导热性能，能够在高温、高压等恶劣环境下工作。
最后，BJT与其他器件的集成程度越来越高。
随着集成电路技术的不断发展，人们将BJT与其他器件进行集成，形成了更复杂的电路结构。
例如，将BJT与MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）等器件集成在一起，形成了BiCMOS （双极性CMOS）器件，具备了BJT和MOSFET的优点，适用于更广泛的应用领域。
综上所述，双极性晶体管的发展趋势主要包括尺寸的缩小、性能的提升、制造工艺的改进、材料的研究和与其他器件的集成。
晶体管类型和三个极的判断
晶体管类型和三个极的判断一、引言晶体管，作为现代电子工业的核心元件，其类型和极性的判断是电子工程师必须掌握的基本技能。
本篇文章将详细介绍晶体管的类型及如何判断其三个极。
二、晶体管类型晶体管主要有两大类型：双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）。
1.双极型晶体管（BJT）：由三个半导体区域构成，包括两个PN结。
根据结构差异，双极型晶体管又可以分为PNP和NPN两种类型。
在BJT中，电流控制是通过电荷载流子的变化来实现的。
2.场效应晶体管（FET）：由源、栅和漏三个电极构成，主要分为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等类型。
在FET中，电流的控制是通过改变半导体区域的电导率来实现的。
三、晶体管三个极的判断在判断晶体管的三个极时，我们通常基于其工作原理和结构特性进行识别。
以下是具体的判断方法：1.NPN型晶体管：a. 将晶体管放于手掌中，使得基极（B）朝向自己；b. 从基极开始，逆时针方向分别是基极（B）、集电极（C）和发射极（E）；c. 对于PNP型晶体管，则相反，即从基极开始，顺时针方向分别是基极（B）、集电极（C）和发射极（E）。
2.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）：a. 有源区：由于MOSFET 的源极和漏极通常由同一种类型的半导体构成，因此可以通过测量其电阻值进行判断。
源极与漏极之间的电阻值较小；b. 栅极：栅极与源极或漏极之间的电阻值较大；c. 漏极：漏极与源极之间的电阻值较小。
3.绝缘栅双极晶体管（IGBT）：a. 发射极：通常标识有标记的一极为发射极；b. 集电极：将万用表置于测量电阻的适当量程，使万用表的黑表笔接IGBT的任意一脚，红表笔先后分别接其余两脚。
比较两次测量结果，阻值较小的一次测量中，红表笔接的就是集电极；c. 栅极：栅极通常与其它电极相连，如果需要判断，可以通过测量电阻的方法来辨别。
13级《计算机电路基础》§2.3双极性晶体三极管习题二-1-参考答案2015-10-7
113级《计算机电路基础》习题二-1答案§2.3 双极性晶体三极管一、 填空题1、晶体三极管是晶体管电子电路的核心器件，具有电流放大和开关作用。
在模拟电子电路中，它起放大作用；在脉3.、PN 结是许多半导体元器件的最重要和最基本的单元。
如果我们把两个PN 结做得相距很近，结合在一起就构成一个新的器件，即半导体三极管，又称为晶体三极管。
双极型晶体管外形如图：4、晶体三极管两个PN 结将整个半导体基片分成三个区域：发射区、基区和集电区，其中基区较薄。
由这三个区各引出一个电极，分别称为发射极、基极和集电极，分别用字母E、B 、C 表示。
将发射极与基极之间的PN 结称为发射结；集电极与基极之间的PN 结称为集电结。
如下图所示：在图中填出三个区域，两个结，画出三极管符号。
5、晶体三极管按导电类型的不同，三极管可分为PNP 型和NPN 型两大类。
由图可见，有箭头的电极是发射极，箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向，箭头方向向外是 NPN 型，箭头方向向内是 PNP 型，两种符号的区别在于发射极的箭头方向不同，实际上发射极箭头方向就是发射极正向电流 的真实方向。
6、三极管种类很多：按功率分有小功率管、中功率管和大功率管 ；按工作频率分有低频管、高频管 ； 按管芯所用半导体制造材料分有硅管与锗管。
7、本标准适用于无线电电子设备所用半导体器件的型号命名。
【了解】 示例要求：查2.2表写出型号硅整流二极管 硅NPN 型高频小功率管8、型号组成部分的符号及意义表7.5.1给出了各种型号的半导体二极管、三极管的符号、构成材料、名称性能以及表达这些意义的符号。
表2.2 型号组成部分的符号及意义8. 三极管各电极上的电流分配NPN 型三极管为例搭成的实验电路如图7.3.2所示，图中V BB 为基极电源，V cc 为集电极电源，V cc 电压应高于V BB 电压。
即发射结正偏，集电结反偏。
电路接通后，在电路中就有三支电流通过三极管，即基极电流I B 、集电极电流I C 和发射极电流I E ，这三路电流方向如图中所示。
§2.3 双极性晶体三极管综合习题1与参考答案-2018-6-10
§2.3 双极性晶体三极管综合习题1与答案考核内容1．掌握三极管的图形符号、文字符号、输入和输出特性。
2．掌握三极管的电流分配关系及放大原理。
双极性晶体三极管综合习题1一、填空题1、晶体三极管（Transistor）是晶体管电子电路的核心器件，具有电流放大和开关作用。
在模拟电子电路中，它起放大作用；在脉冲和数字电路中，它起开关作用，逻辑门电路中的三极管则工作在截止状态和饱和状态。
2、晶体三极管是一个三端器件，根据其构造的不同，大体上可分双极型晶体管BJT（Bipolar Junction Transistor）和场效应管FET（Field Effect Transistor）。
3、双极晶体管（BJT）是一种电流控制器件，“双极”的含义是指其工作时电子和空穴这两种载流子都同时参与导电。
双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管。
4、场效应管（FET）是电压控制型元件，利用场效应原理工作的晶体管，具有输入阻抗高，热稳定性好，抗辐射能力较强，集成度较高特点。
5、场效应晶体管又包含两种主要类型：结型场效应管（Junction FET，缩写为JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide Semiconductor FET，缩写为MOS-FET）。
其中，MOS管还分为增强型和耗尽型两种。
与BJT不同的是，FET只由一种载流子（多数载流子）参与导电，因此场效应管也称为单极型晶体管。
*6、场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
7、双极晶体管（BJT）是由两个相距很近的PN结，通过一定的工艺制作成的一种半导体器件，即半导体三极管，又称为晶体三极管。
8、晶体三极管两个PN结两个PN结，一个PN结为发射结，另一个PN结为集电结。
将发射极与基极之间的PN 结称为发射结；集电极与基极之间的PN结称为集电结。
双极性晶体管的基本放大电路
双极性晶体管的基本放大电路在现代电子技术的发展中，晶体管是一种常见且重要的电子器件。
作为一种用于放大信号和控制电流的半导体器件，晶体管在各类电子设备中起着至关重要的作用。
而双极性晶体管就是其中一种常见的晶体管。
本文将介绍双极性晶体管的基本放大电路原理，以及其在实际应用中的重要性。
首先，让我们来了解一下双极性晶体管的基本结构。
双极性晶体管通常由三层半导体材料构成，其中两个外层为P型半导体，中间一层为N型半导体。
这三层分别被称为发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
通过外接电路的作用，可以控制基极和发射极之间的电流，进而调节集电极和发射极之间的电流。
在基本放大电路中，双极性晶体管起到了信号放大的关键作用。
下面我们以共射极放大电路为例来介绍双极性晶体管的放大原理。
在共射极放大电路中，双极性晶体管的基极通过一个输入源与负载电阻相连，而发射极与地连接。
集电极则接在一个电源上。
当输入信号施加到基极时，双极性晶体管的发射极电流将受到控制，从而产生集电极电流的变化。
这种变化使得输出信号经过负载电阻时产生相应的增益，从而实现信号的放大作用。
在共射极放大电路中，双极性晶体管的工作状态可以通过其静态工作点来描述。
静态工作点是指在无输入信号时，双极性晶体管的集电极电流和基极电流的大小。
通过适当选择电阻和电源电压，可以使双极性晶体管处于饱和区或截止区工作。
当输入信号施加到基极时，双极性晶体管的工作状态将发生变化，进而产生不同程度的集电极电流变化，实现信号的放大。
双极性晶体管的基本放大电路广泛应用于各类电子设备中。
在广播电视接收机中，它被用来放大无线电频率信号，使其能够被扬声器播放出来。
在音响设备中，它被用来放大音频信号，使得音乐声能够有足够的音量。
在计算机的中央处理器中，它被用来放大控制信号，使得处理器能够按照指令正确运行。
总结而言，双极性晶体管的基本放大电路是一种重要的电子技术应用。
三联管结构名词解释
三联管结构名词解释1. 三联管的定义三联管是一种电子元件，也被称为双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT）。
它由两个PN结组成，其中一个为基极（Base），另外两个则为发射极（Emitter）和集电极（Collector）。
三联管是一种被广泛应用于电子电路中的半导体器件，具有放大、开关和稳压等功能。
2. 三联管的结构2.1 PN结PN结由P型半导体和N型半导体的接触形成。
P型半导体中的掺杂物含有正电荷的杂质离子，而N型半导体中的掺杂物含有负电荷的杂质离子。
当P区域与N区域相接触时，形成了一个PN结。
在PN结上存在一个势垒，使得P区域中自由电子向N区域扩散，而P区域中空穴向N区域扩散。
这种扩散过程会产生一个内建电场，并在势垒两侧形成空间电荷区。
2.2 发射极、基极和集电极三联管有三个引线，分别是发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。
发射极与N型区域相连，基极与P型区域相连，而集电极则连接在P型区域的另一侧。
2.3 NPN和PNP三联管根据三联管的结构，可以将其分为NPN和PNP两种类型。
NPN三联管中，N型半导体为发射极和集电极之间的P型半导体。
而在PNP三联管中，P型半导体则位于发射极和集电极之间的N型半导体。
3. 三联管的工作原理3.1 放大功能三联管有一个重要的特性是放大功能。
当输入信号施加在基极上时，由于基区很薄，只需很小的输入信号即可控制大电流的通过。
当输入信号增加时，三联管会放大这个信号，并将放大后的信号输出到集电极上。
3.2 开关功能除了放大功能外，三联管还具有开关功能。
当输入信号施加在基极上时，若该信号足够大以使得基区被注入足够多的载流子，则会形成一个低阻抗通路从发射极到集电极，使得集电极上的电压接近于零。
这时三联管处于导通状态。
相反，若输入信号较小，则三联管处于截止状态，集电极上的电压接近于供电电源的电压。
3.3 稳压功能三联管还可以用作稳压器。
晶体管类型
晶体管类型晶体管是一种半导体器件，它是现代电子技术中最重要的基础元件之一。
晶体管有多种类型，每种类型都有其独特的特点和应用场景。
本文将介绍几种常见的晶体管类型。
一、晶体管的基本原理晶体管是由半导体材料制成的。
半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料，它具有一定的导电性。
晶体管的基本结构是由三个区域组成的：N型区、P型区和N型区，这三个区域被称为晶体管的结。
当一个电压被施加到晶体管的结上时，就会产生电流。
当电压为零时，晶体管是关闭的，当电压为正时，晶体管是开启的。
晶体管的开关状态由电压来控制，因此可以用来控制电流。
二、NPN型晶体管NPN型晶体管是一种常见的晶体管类型。
它的结构是由两个N型区和一个P型区组成的。
当电压被施加到晶体管的基极上时，就会控制晶体管的电流流动。
当基极电压为零时，晶体管是关闭的；当基极电压为正时，晶体管是开启的。
NPN型晶体管的应用场景非常广泛。
它可以用来放大电流、开关电路、振荡电路等。
在放大电路中，NPN型晶体管可以放大微弱的信号，使其变得更大，从而实现信号放大的目的。
三、PNP型晶体管PNP型晶体管是另一种常见的晶体管类型。
它的结构是由两个P型区和一个N型区组成的。
当电压被施加到晶体管的基极上时，就会控制晶体管的电流流动。
当基极电压为零时，晶体管是关闭的；当基极电压为负时，晶体管是开启的。
PNP型晶体管与NPN型晶体管的应用场景类似。
它也可以用来放大电流、开关电路、振荡电路等。
在实际应用中，PNP型晶体管常常与NPN型晶体管组合使用，以实现更复杂的电路功能。
四、场效应晶体管场效应晶体管是一种特殊的晶体管类型。
它是由一块半导体材料制成的，具有一个源极、一个漏极和一个栅极。
当电压被施加到栅极上时，就会控制晶体管的电流流动。
当栅极电压为零时，晶体管是关闭的；当栅极电压为正时，晶体管是开启的。
场效应晶体管的应用场景也非常广泛。
它可以用来放大信号、开关电路、振荡电路等。
与传统的晶体管相比，场效应晶体管具有更高的输入阻抗和更低的噪声系数，因此在一些特殊的应用场景中具有更好的性能。
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微电子技术 表面看 集电区： 面积最大
集电极 C N
基区：最薄， 掺杂浓度最低
c
基极 B
P
N
b
E
发射极
发射区：掺 杂浓度最高
e
微电子技术
1. 双极型晶体管的工作原理 双极型晶体管的放大原理归结为：
外部条件： 发射结正偏； 集电结反偏 内部条件： 发射区掺杂浓度高； 基区薄且掺杂浓度低； 集电结面积大
到达集电结边界。只有少量空穴在基区中与电子复合。
微电子技术 ③ 集电极收集扩散电子 电子到达集电结边界时，遇到集电结强大的电场，此电
场的方向是电子产生漂移运动，而被“拉”入集电区，
构成集电极电流InC。此过程称为收集。 N+ IE
-InE
P区 空间电荷区 N区
P
InB
N
-InC
ICBO
-
＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋
InB
集电结N区边界
IE
InE IpE
空穴复合少数电子 N
E
发射结
+
集电结
N
P
N
C
集电区
IB VBE VBC
发射区
B 基区
IE E
N+
-InE
P
InB
N
微电子技术
IpE
C
IB B 电子在基区的扩散过程中，空穴会与那里的多数载流子电子 相遇而被复合。但如果：
a. 基区很薄
b. 基区空穴浓度很低（要求基区施主杂质浓度很低） 则这种复合机会将大大减少，以致绝大多数电子均能经扩散
共发射极直流电流放大系数：
o InC IB
IC o IB
只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压 无关。一般 >> 1, 值在20 ~ 200之间。
微电子技术
IC o IB
管子做成后IC，与 IE 的比例关系基本固定，因此 能够通过改变 IB 的大小控制，这就是所谓三极管的电 流放大作用。 对于发射极电路，同样可定义交流电流放大系数 ，
微电子技术
2.3 双极型晶体管（三极管）
半导体双极型晶体管是电子电路重要器件， 它通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起，由于 两个PN结的相互影响，使晶体管具有电流放大作用。 从二极管发展到三极管，这是一个质得飞跃。
按材料：①硅管；②锗管 按功率：①小功率管；②中功率管；③大功率管 按结构：①NPN；②PNP
微电子技术
半导体双极型晶体管在工作过程中，管 内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导 电，双极型晶体管，简称晶体管或三极 管。 或BJT (Bipolar Junction Transistor)。
微电子技术
两种类型的三极管基本结构:
NPN 型
集电极collector
符号：
C
N
PN结
集电区 集电结 基区
改变。三极管的控制过程表示如下：
VBE
IE
IC
微电子技术 ④.电流传输过程能够得以实现的内部原因，完全是由于： ⓐ基区很薄 ⓑ基区掺杂浓度较低。 很薄的基区将两个偏置相反的PN结联成一个统一的 整体，使该整体具有放大信号的能力，而非两个孤立的 二极管。 因此ⓐ ⓑ两点是三极管具有放大作用的内部条件。
＋ ＋ ＋
+
内电场方向
IpE
IB
集电区和基区的少子在外电 场的作用下将进行漂移运动 而 形 成 反向饱 和 电流 ICBO 。
VBE
VBC
ICBO 在三极管内部的传输过程不 参与导电，可忽略。
N+ IE
-InE
P
InB
N
-InC
ICBO
微电子技术 Ic
IpE
IB
结论： ①.
VBE
VBC
在N+PN管内，空穴的传输过程包含三个基本环节： 注入→ 扩散（少量被复合） → 收集
4
VCE
100A 80A 60A 40A 20A IB=0 12 VCE(V)
P
N
3 2
VBE
IE
1 3
6 9
条件：发射结正偏，集电结正偏。VBE>0, VBC>0 特点：失去放大能力，即IC＝βIB不成立,即IB不能控制IC 的变化。
截止区
IC
IC(mA ) 4
VCE
微电子技术
100A
微电子技术
一般，基区电子浓度远大于发
射区空穴浓度， InE >> IpE ， IpE 数值很小，一般可以忽略。
C
N
B P N
基区：最薄， 掺杂浓度最低
N+
IE
-InE
P
N
IpE
E
IB
发射区：掺 杂浓度最高
VBE
VBC
微电子技术 ② 基区载流子的扩散与复合
浓度差 向前扩散
N+发射区电子
基区电子 N+ P
微电子技术
3 三极管的输入特性与输出特性
N
IC IB
(1). 输入特性曲线（以共发射极放大电路为例） IB=f(vBE) VCE=const
当VCE=0V时 相当于发射结的正向伏安特性曲线。 当VCE≥1V时 VCB= VCE -VBE>0，集电结已 进入反偏状态，开始收 集电子， 基区复合减少。
4
100A
饱和区
3 放大区
80A
60A
40A
2
1 截止区 0 0 5 10 15
20A
击穿区
I B 0A
20
VCE / V
放大区
IC(MA)
IC
微电子技术 当VCE大于一定的 数值时，IC只与IB 有关：IC=IB。
N
IB
4
VCE
100A 80A 60A 40A
P
N
3 2 1
微电子技术
传输到集电极的电流 发射极注入电流
I nC 即 : o IE
IC o IE
为共基极直流电流放大系数，它只与管子的结构尺寸 和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 = 0.90.99。不
能有电流放大的作用，但因为在收集极允许介入阻抗很大的 负载，因此可获得电压放大和功率放大。
P
B
N E VBE B C VBC
VBE
VBC
Exit
微电子技术 载流子的NPN管传输经历三个阶段： ①多数载流子注入 BE结加有正向偏压： 基区空穴在正向偏压下扩散到发射区，IpE
发射区电子扩散到基区，InE N+
IE
-InE IpE; IpE
E C
IB
VBE
B
VBC
VBE
VBC
80A 60A 40A 20A IB=0 12 VCE(V)
N
IB
P N
3
VBE
2
1
IE
IB=0,IC=ICBO,VBE< 死区电压，称为 截止区。
3
6
9
条件：发射结、集电结均反偏 VBE<0, VBC<0 。 特点：IB = 0时，IC ≈IE=ICBO=0，三极管CE间为开路。
半导体三极管的型号
微电子技术
满足放大条件的三种电路：
E B 共基极 C B E 共发射极
C
E B C 共集电极
共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;
微电子技术 （以NPN为例） 共基极内部载流子传输过程：
E C
N+
微电子技术
国家标准对半导体三极管的命名如下: 用字母表示同一型号中的不同规格 3 D G 110 B 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示器件的种类 用字母表示材料 三极管 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 例如： 3AX31D、 3DG123C、3DK100B
VBE
IE
3
6
9
20A IB=0 12 VCE(V)
条件：发射结正偏， VBE>0, 集电结反偏 ， VBC<0 特点：(A)有放大特性： (B)有恒流特性： IC与VCE无关。
饱和区
IC
N
IB
IC(MA)
此区域中VCEVBE微电子技术 ,集电结 正偏，集电极电流不再受 基极电流的控制. VCE0.3V
B E 箭头方向表示 发射结加正向 电压时的电流 方向
基极base
P
PN结
发射结
发射区
N
发射极emitter
微电子技术
PNP 型
集电极collector 集电区 集电结 基区
符号：
C B E 箭头方向表示 发射结加正向 电压时的电流 方向
P
PN结
基极base
N
PN结
发射结
发射区
P
发射极emitter
P
N
VCE
VBE
IE IC
IB
b IE
c e
VCE
VBE
共射极放大电路
微电子技术 IB/A 0.5V 0V
80
60 40
死区电压， 硅管0.5V， 20 锗管0.1V。
VCE 1V
0.4
0.8
VBE/V
输入特性曲线
微电子技术 (2)输出特性曲线
IC=f(VCE) IB=const
Ic / mA
微电子技术
对于共基电路，同样可定义交流电流放大系数 ，