晶体电光调制实验
电光调制实验实验报告
电光调制实验实验报告【实验目的】1、掌握晶体电光调制的原理和实验方法2、学会利用实验装置测量晶体的半波电压，计算晶体的电光系数3、观察晶体电光效应引起的晶体会聚偏振光的干涉现象【实验仪器】铌酸锂晶体，电光调制电源，半导体激光器，偏振器，四分之一波片，接收放大器，双踪示波器【实验内容及步骤】一、调整光路系统1、调节三角导轨底角螺丝，使其稳定于调节台上。
在导轨上放置好半导体光源部分滑块，将小孔光栏置于导轨上，在整个导轨上拉动滑块，近场远场都保证整个光路基本处于一条直线，即使光束通过小孔。
放上起偏振器，使其表面与激光束垂直，且使光束在元件中心穿过。
再放上检偏器，使其表面也与激光束垂直，转动检偏器，使其与起偏器正交，即，使检偏器的主截面与起偏器的主截面垂直，这时光点消失，即所谓的消光状态。
2、将铌酸锂晶体置于导轨上，调节晶体使其x轴在铅直方向，使其通光表面垂直于激光束（这时晶体的光轴与入射方向平行，呈正入射），这时观察晶体前后表面查看光束是否在晶体中心，若没有，则精细调节晶体的二维调整架，保证使光束都通过晶体，且从晶体出来的反射像与半导体的出射光束重合。
3、拿掉四分之一波片，在晶体盒前端插入毛玻璃片，检偏器后放上像屏。
光强调到最大，此时晶体偏压为零。
这时可观察到晶体的单轴锥光干涉图，即一个清楚的暗字线，它将整个光场分成均匀的四瓣，如果不均匀可调节晶体上的调整架。
如图四所示4、旋转起偏器和检偏器，使其两个相互平行，此时所出现的单轴锥光图与偏振片垂直时是互补的。
如图五所示图四图五6、晶体加上偏压时呈现双轴锥光干涉图，说明单轴晶体在电场作用下变成双轴晶体，即电致双折射。
如图六所示7、改变晶体所加偏压极性，锥光图旋转90度。
如图七所示图六图七8 只改变偏压大小时，干涉图形不旋转，只是双曲线分开的距离发生变化。
这一现象说明，外加电场只改变感应主轴方向的主折射率的大小、折射率椭球旋转的角度和电场大小无关。
二、依据晶体的透过率曲线(即T-V曲线)，选择工作点。
实验21 电光调制
示波器
图 4 系统连接方法
-4-
图 5 信号源面板 其中，信号源面板如图 5 。在信号源面板上， “波形切换”开关用于选择输出正弦波或是方波， “信 号 输 出 ”口 用 于输 出 晶体 调 制 电压 ， 若“ 高 压输 出 开 关” 拨 向上 为 打开 ， 拨 向下 为 关闭 。 如果 拨 向 上 那么输出的调制电压上就会叠加一个直流偏压，用于改变晶体的调制曲线， “音频选择”开关用于选 择 调制信号为正弦波还是外接音频信号， “探测信号”口接光电探测器的输出，对探测器输入的微弱信 号 进行处理后通过“解调信号”口输出，连接至有源扬声器上。 在具体的连接中， “信号输出”的 CH1 与 CH2 输出的信号完全一样，将一个输出连接示波器，另一 个 输 出 连接 电 光调 制 器。 在 观 察电 光 调制 现 象时 ， 需 要使 用 一个 带 衰减 的 探 头， 连 接时 ， 探头 的 黑 色 鳄鱼夹连接至前面两根线的黑色鳄鱼夹，探针接红色鳄鱼夹（在测量时，探头应 10 倍衰减） 。硅光 电 探测器通过一根两端都是 BNC 头的连接线连接至示波器上。在进行音频实验时，则不需要示波器， 且 硅 光 电 探测 器 连接 至 信号 源 “ 探测 信 号” 口 ， “解 调 信 号” 接 至有 源 音箱 。 “ 音频 输 入” 接 外加音 频 信 号。 2. 光路 准直 打 开 激 光 器电 源 ，调 节光 路 ， 保 证光 线 沿光 轴通 过 。 在 光路 调 节过 程中 ， 先 将 波片 ， 起偏 器和 检 偏 器 移 走， 调 整激 光 管， 电 光 晶体 和 探测 器 三者 的 相 对位 置 ，使 激 光能 够 从 晶体 光 轴通 过 ；调 整 好 之 后 ， 再 将波 片 ，起 偏 器和 检 偏 器放 回 原位 ， 再调 节 它 们的 高 度， 因 为它 们 的 通光 孔 很大 ， 调节 相 对 容 易。调节完毕后，锁紧滑动座和固定各部件。 3. 1/4 波片对调 制的影响 将 信 号 源 输出 的 正弦 波信 号 加 在 晶体 上 ，并 将探 测 器 输 出的 信 号接 到示 波 器 上 ，调 节 波片 ，观 察 输 出 信 号的 变 化， 记 下调 节 最 佳时 输 出信 号 的幅 值 ； 改变 信 号源 输 出信 号 的 幅值 与 频率 ， 观察 探 测 器 输出信号的变化；去掉 1/4 波片，加上直流偏压，改变其大小，观察输出信号的变化，并与加波片 的 情况进行比较。 4. 静态 特性曲线测量 测量晶体的半波电压采用极值法，即晶体上只加直流电压，不加交流信号，把直流电压从小到大逐
晶体电光调制实验报告数据处理
实验一电光调制一、实验目的：1.了解电光调制的工作原理及相关特性；2.掌握电光晶体性能参数的测量方法；二、实验原理简介：某些光学介质受到外电场作用时，它的折射率将随着外电场变化，介电系数和折射率都与方向有关，在光学性质上变为各向异性，这就是电光效应。
电光效应有两种，一种是折射率的变化量与外电场强度的一次方成比例，称为泡克耳斯（Pockels）效应；另一种是折射率的变化量与外电场强度的二次方成比例，称为克尔（Kerr）效应。
利用克尔效应制成的调制器，称为克尔盒，其中的光学介质为具有电光效应的液体有机化合物。
利用泡克耳斯效应制成的调制器，称为泡克耳斯盒，其中的光学介质为非中心对称的压电晶体。
泡克耳斯盒又有纵向调制器和横向调制器两种，图1是几种电光调制器的基本结构形式。
图1：几种电光调制器的基本结构形式a) 克尔盒 b) 纵调的泡克耳斯盒 c) 横调的泡克耳斯盒当不给克尔盒加电压时，盒中的介质是透明的，各向同性的非偏振光经过P后变为振动方向平行P光轴的平面偏振光。
通过克尔盒时不改变振动方向。
到达Q时，因光的振动方向垂直于Q光轴而被阻挡（P、Q分别为起偏器和检偏器，安装时，它们的光轴彼此垂直。
），所以Q没有光输出；给克尔盒加以电压时，盒中的介质则因有外电场的作用而具有单轴晶体的光学性质，光轴的方向平行于电场。
这时，通过它的平面偏振光则改变其振动方向。
所以，经过起偏器P产生的平面偏振光，通过克尔盒后，振动方向就不再与Q光轴垂直，而是在Q光轴方向上有光振动的分量，所以，此时Q就有光输出了。
Q的光输出强弱，与盒中的介质性质、几何尺寸、外加电压大小等因素有关。
对于结构已确定的克尔盒来说，如果外加电压是周期性变化的，则Q的光输出必然也是周期性变化的。
由此即实现了对光的调制。
泡克耳斯盒里所装的是具有泡克耳斯效应的电光晶体，它的自然状态就有单轴晶体的光学性质，安装时，使晶体的光轴平行于入射光线。
因此，纵向调制的泡克耳斯盒，电场平行于光轴，横向调制的泡克耳斯盒，电场垂直于光轴。
晶体电光调制实验
晶体电光调制实验【实验目的】1. 掌握晶体电光调制的原理和实验方法。
2. 学会用简单的实验装置测量晶体半波电压、电光常数的实验方法。
3. 观察电光效应所引起的晶体光学特性的变化和会聚偏振光的干涉现象。
【实验仪器】晶体电光调制电源、铌酸锂(LiNbO 3)电光晶体、He-Ne 激光器及可调电源、可旋转偏振片、格兰棱镜、光电接收器、有源音响【实验原理】1．一次电光效应和晶体的折射率椭球当给晶体或液体加上电场后，该晶体或液体的折射率发生变化，这种现象成为电光效应。
电光效应在工程技术和科学研究中有许多重要应用，它有很短的响应时间（可以跟上频率为1010Hz 的电场变化），可以在高速摄影中作快门或在光速测量中作光束斩波器等。
在激光出现以后，电光效应的研究和应用得到迅速的发展，电光器件被广泛应用在激光通讯、激光测距、激光显示和光学数据处理等方面。
光在各向异性晶体中传播时，因光的传播方向不同或者是电矢量的振动方向不同，光的折射率也不同。
在主轴坐标中，折射率椭球及其方程为1232222212=++n z n y n x （1）式中n1、n2、n3为椭球三个主轴方向上的折射率，称为主折射率。
当晶体加上电场后，折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化，椭球方程变成1222212213223233222222112=+++++n xy n xz n yz n z n y n x（2）晶体的一次电光效应分为纵向电光效应和横向电光效应两种。
纵向电光效应是加在晶体上的电场方向与光在晶体里传播的方向平行时产生的电光效应；横向电光效应是加在晶体上的电场方向与光在晶体里传播方向垂直时产生的电光效应，本实验研究铌酸锂晶体的一次电光效应。
铌酸锂晶体属于三角晶系，3m 晶类，主轴z 方向有一个三次旋转轴，光轴与z 轴重合，是单轴晶体，折射率椭球是旋转椭球，其表达式为1222022=++e n z n y x （3）式中n0和ne 分别为晶体的寻常光和非常光的折射率。
电光调制实实验讲义
电光调制实验实验讲义一、实验背景电光效应在工程技术和科学研究中有许多重要应用。
尤其是激光出现以后，电光效应的研究和应用得到了迅速发展，电光器件被广泛应用在激光通信、激光测距、激光显示和光学数据处理等方面。
晶体电光调制实验可以模拟电光效应在激光通信中的应用，验证激光通信传输速度快，抗干扰能力强，保密性好等优点。
通过该实验可以加深对偏振光干涉、双折射、非线性光学等知识的理解，培养学生的动手能力，提高学生的工程意识。
实验系统结构简单，易于操作，实验效果理想。
二、实验目的1. 观察电光效应引起的晶体光学性质的变化（单轴晶体、双轴晶体的偏振干涉图）。
2. 观察直流偏压对输出特性的影响，记录数据并绘制输出特性曲线。
3 观察铌酸锂晶体交流调制输出特性。
4. 模拟光通信。
三、实验仪器图1 实验仪器实物图（双踪示波器自备） 1.半导体激光器及四维可调支架 2.起偏器 3.铌酸锂晶体 4.检偏器（及1/4波片) 5.光屏 6.导轨 7.电光调制电源箱 8.接受放大器四、实验原理晶体分各向同性晶体与各向异性晶体。
其中各向异性晶体会发生双折射，而各向同性晶体只会发生普通折射。
光束入射到各向异性的晶体，分解为o 光和e 光。
如果光束沿着光轴的方向传播不会发生双折射现象。
这里光轴并非指一条直线，而是一个特殊的方向。
晶体中o 光与光轴构成的平面叫o 光主平面，e 光与光轴构成的平面叫e 光主平面。
o 光振动方向垂直于o 光主平面，e 光的振动方向平行于e 光主截面。
一般情况下，o 光主平面与e 光主平面不重合，但是理论与实践均表明，当入射线在晶体主平面时o 光主平面与e 光主平面重合。
实用中一般均取入射线在晶体主截面内的情况。
各向异性晶体中o 光与e 光的传播速度一般不同。
速度e o v v >的晶体称为正晶体，e o v v <的晶体称为负晶体。
铌酸锂晶体是各向异性负晶体。
由于双折射现象，当入射光不沿光轴方向入射时，产生的o 光与e 光对应不同的折射率o n 与e n 。
电光调制实实验讲义
电光调制实验实验讲义一、实验背景电光效应在工程技术和科学研究中有许多重要应用。
尤其是激光出现以后，电光效应的研究和应用得到了迅速发展，电光器件被广泛应用在激光通信、激光测距、激光显示和光学数据处理等方面。
晶体电光调制实验可以模拟电光效应在激光通信中的应用，验证激光通信传输速度快，抗干扰能力强，保密性好等优点。
通过该实验可以加深对偏振光干涉、双折射、非线性光学等知识的理解，培养学生的动手能力，提高学生的工程意识。
实验系统结构简单，易于操作，实验效果理想。
二、实验目的1. 观察电光效应引起的晶体光学性质的变化（单轴晶体、双轴晶体的偏振干涉图）。
2. 观察直流偏压对输出特性的影响，记录数据并绘制输出特性曲线。
3 观察铌酸锂晶体交流调制输出特性。
4. 模拟光通信。
三、实验仪器图1 实验仪器实物图（双踪示波器自备） 1.半导体激光器及四维可调支架 2.起偏器 3.铌酸锂晶体 4.检偏器（及1/4波片) 5.光屏 6.导轨 7.电光调制电源箱 8.接受放大器四、实验原理晶体分各向同性晶体与各向异性晶体。
其中各向异性晶体会发生双折射，而各向同性晶体只会发生普通折射。
光束入射到各向异性的晶体，分解为o 光和e 光。
如果光束沿着光轴的方向传播不会发生双折射现象。
这里光轴并非指一条直线，而是一个特殊的方向。
晶体中o 光与光轴构成的平面叫o 光主平面，e 光与光轴构成的平面叫e 光主平面。
o 光振动方向垂直于o 光主平面，e 光的振动方向平行于e 光主截面。
一般情况下，o 光主平面与e 光主平面不重合，但是理论与实践均表明，当入射线在晶体主平面时o 光主平面与e 光主平面重合。
实用中一般均取入射线在晶体主截面内的情况。
各向异性晶体中o 光与e 光的传播速度一般不同。
速度e o v v >的晶体称为正晶体，e o v v <的晶体称为负晶体。
铌酸锂晶体是各向异性负晶体。
由于双折射现象，当入射光不沿光轴方向入射时，产生的o 光与e 光对应不同的折射率o n 与e n 。
晶体电光调制实验-实验讲义
晶体电光调制实验仪1．实验仪器1．晶体电光调制电源输出正弦波调制幅度：0～300V连续可调，频率1K输出直流偏置电压：0～600V ,连续可调2．铌酸锂(LiNbO3)电光晶体尺寸5×1.7×50mm 镀银电极3．He-Ne激光器及可调电源波长632.8nm，＜1.5mW，电流连续可调4．可旋转偏振片最小刻度值1°5．光电接收器PIN光电池6．有源音响漫步者2．实验目的1．掌握晶体电光调制的原理和实验方法。
2．学会用简单的实验装置测量晶体半波电压、电光常数的实验方法。
3．观察电光效应所引起的晶体光学特性的变化和会聚偏振光的干涉现象。
3．实验原理当给晶体或液体加上电场后，该晶体或液体的折射率发生变化，这种现象称为电光效应。
电光效应在工程技术和科学研究中有许多重要应用，它有很短的响应时间（可以跟上频率为1010Hz的电场变化），可以在高速摄影中作快门或在光速测量中作光束斩波器等。
在激光出现以后，电光效应的研究和应用得到迅速的发展，电光器件被广泛应用在激光通讯、激光测距、激光显示和光学数据处理等方面。
4.1 一次电光效应和晶体的折射率椭球由电场所引起的晶体折射率的变化，称为电光效应。
通常可将电场引起的折射率的变化用下式表示：n = n0 + aE0 +bE0^2+ (1)式中a和b为常数，n0为不加电场时晶体的折射率。
由一次项aE0引起折射率变化的效应，称为一次电光效应，也称线性电光效应或普克尔（Pokells）效应；由二次项引起折射率变化的效应，称为二次电光效应，也称平方电光效应或克尔（Kerr）效应。
一次电光效应只存在于不具有对称中心的晶体中，二次电光效应则可能存在于任何物质中，一次效应要比二次效应显著。
光在各向异性晶体中传播时，因光的传播方向不同或者是电矢量的振动方向不同，光的折射率也不同。
如图1，通常用折射率球来描述折射率与光的传播方向、振动方向的关系。
在主轴坐标中，折射率椭球及其方程为1232222212=++n zn yn x（2）式中n 1、n 2、n 3为椭球三个主轴方向上的折射率，称为主折射率。
光电调制实验报告
佛山科学技术学院实验报告课程名称实验项目专业班级姓名学号指导教师成绩日期年月日图 1 折射率椭球为椭球三个主轴方向上的折射率，称为主折射率。
当晶体加上电场后，折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化，椭球方程变成图2xy坐标系内琼斯矩阵的表达式：图4 线性电光效应振幅调制器的特性曲线(a ) (b )图 6 晶体调制曲线③直流偏压U 0在0伏附近或在πU 附近变化时，由于工作点不在线性工作区，输出波形将失真。
图7 晶体的电光调制实验装配图1/4波片和电光晶体，利用单轴晶体锥光干涉图来调节激光沿晶体光轴入射。
采用光学调节方法使激光与每一个光学元件及晶体同轴等高，让激光束通过各光学元件的中心和晶体的轴心。
固定起偏器于某个位置（如0°），旋转检偏器使其输出消光（起偏器与检偏器的偏振轴方向垂直）信号的两倍时，记下直流电压V1，拍摄调制信号与解调信号波形。
② 保持光路不变，打开高压开光，从零开始逐步增大直流电压，当调信号频率第二次出现倍频失真时，拍摄调制信号与解调信号波形，记下直流电压V2。
由V2V1得到半波电压V ，并与式（29-8）计算的V 理论值比较，计算相对误差。
将光路上的探测器换成功率计，打开电光调制开关（正弦调制开关一定要处于关闭状态），加在晶体上的电压从零开始，逐渐增大，加在晶体上的电压有电源面板上的数字表读出，每隔20V 记录一次功率计上面的读数，将数据填入表，作出调制曲线。
求出半波电压πU 。
（输出的光强将会出现极小值和极大值，相邻的极小值和极大值对应的直流电压之差即使半波电压πU ）（2）用4λ波片改变工作点，观察输出特性关闭晶体的直流电压，在晶体和偏振片之间放入1/4波片。
绕光轴缓慢旋转1/4波片，当波片的快慢轴平行于晶体的感应轴x '、y '方向时，输出光线性调制；当波片的快慢轴分别平行于晶体的x 、y 轴时，输出光出现“倍频”失真。
1/4波片旋转一周，将出现四次线性调制和四次倍频失真，拍摄线性调制和倍频失真时调制信号与解调信号波形。
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2
•
l cos
2
(n"n' )
2
•
1 2
n03
s
in
2
2
(
1 ne2
1 )l
no2
其中，由于 o 光和 e 光的折射角相差很小，取2 为两束光的折射角的平均值。
干涉合成光强为：
Is I0 sin2 2(1 cos ) 2
I p I0[1 1 sin2 2(1 cos )] 2
图 3.晶体的锥光干涉图像
晶体加上偏压时呈现双轴锥光干涉图，如图 3 所示。由此可说明，单轴晶体在电场作用 下变成双轴晶体，即电致双折射现象。
3.测定铌酸锂的透过率曲线（T-U 曲线），求出半波电压和电光系数 22 。
取出镜头纸，光电三极管接收器对准激光光点，在起偏器前加减光片，加在晶体上的直 流电压从 0 开始，逐渐增大。晶体上只加直流电压，不加交流信号，把直流电压从小到大逐 渐改变，输出电流将出现极小值和极大值，两者分别对应的直流电压只差即为半波电压。整 个过程中，光强始终不超过 3.2。
记录晶体所加直流电压 u0 和光强 I，得到下表：
表1
u0 (V) I（cd) u0 (V) I（cd) u0 (V) I（cd) u0 (V) I（cd) u0 (V) I（cd) u0 (V) I（cd)
5
0.08 55 0.86 105 2.36 155 2.5 205 1.26 255 0.15
（四）测量电光调制后输出信号的带宽 调节直流电压，使经电光调制后的输出电压不失真，此时 u=40V，函数发生器输入信号
频率为 1kHz。调节函数发生器输入信号的频率，使得输出信号的幅度降为初始时的一半， 记下此时的频率。
得到实验结果为： fH =6kHz ， f L =3Hz ，因此 f3dB 6kHz 。
五．实验总结
1.极值法测量的半波电压约为 135V，调制法和动态法测得的半波电压约为 129V，后两种方 法测得的半波电压偏小。但调制法和动态法更准确，因为极值法时极大值、极小值的直流电 压难以准确测量，误差较大。
2.试验时很难调出晶体锥光干涉的黑十字图样，可能原因有：晶体切割不好，主折射率与
x、y、z 轴没有重合，入射光与 ne 轴有夹角；起偏器前有偏振片作为减光片，使入射光的倾
通过长为 l 的电光晶体后，x’和 y’分量间产生相位差δ，即
E'x A
E'（ y l） Aei
通过偏振片出射的光为 (Ey )0 A (ei 1) 2
光强为
I 2 A2 sin2 2
相位差
2
(nx'
ny')
2
n03 22u
l d
当电压某一值时，x’、y’方向上的偏振光经过晶体后可产生λ/2 的光程差，相应的相位
角改变，干涉图样不再关于 x 轴对称。
3.由于电光调制电源的直流电压不能调为 0，不能测到 0V 时的光强，因此不能判断最低值
是否在 u=0，但根据拟合曲线看，0V 时是光强的最低值，也是极小值。
4.转动 1/4λ玻片观察转动角度时，由于直流电压不为零，对实验结果会有影响。观察到两
次倍频失真转动的角度为 60 度，根据理论，第一次倍频失真后，转动 90 度才会出现第二次 倍频失真，难以理解。
图 1 为典型的利用 LiNbO3 晶体横向电光效应原理的激光振幅调制器。其中起偏振片的 偏振方向平行于电光晶体的 x 轴，检偏振片的偏振方向平行于 y 轴。
图1 在晶体的感应轴 x’和 y’上投影的振幅和相位相等，设
E'x A0 cost
E' y A0 cost
因此入射光强 I E • E 2A2 。
差δ=π，此时的电压称为半波电压。
u
Байду номын сангаас 2n03 22
(d ) l
u u
因此透射率为
T sin2 u sin2 (u0 um sint)
2u
2u
其中，u0 是加在晶体上的直流电压，um sint 是加在晶体上的交流调制信号。改变 u0 或 um ，
输出特性将相应改变。 3.改变直流电压对输出特性的影响
晶体电光调制与光通信实验
实验人： 合作人: （物理科学与工程技术学院，光信息科学与技术 2011 级 1 班，学号 11343026）
一．实验目的
1.掌握晶体电光调制的原理和实验方法。 2.学会用简单的实验装置测量晶体半波电压、电光常数的实验方法。 3.观察电光效应所引起的晶体光学特性的变化和会聚偏振光的干涉现象。
30
0.29 80 1.55 130 2.64 180 1.99 230 0.57 280 0.15
35
0.39 85 1.78 135 2.65 185 1.86 235 0.45 285 0.19
40
0.47 90 1.92 140 2.64 190 1.69 240 0.34 290 0.2
45
x2 y2 z2 1 n12 n22 n32
式中 n1 、n2 、n3 为椭球三个主轴方向上的折射率，称为主折射率。当晶体加上电场后，
折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化，椭球方程变成：
x2 y2 z2 2yz 2xz 2xy 1 n121 n222 n323 n223 n123 n122
示波器的 CH2 上。调节直流电压，记录相邻两次出现倍频失真时的电压 u1 和 u2 。分别用正
弦波、三角波和方波作为输入信号。
记录结果如下表 2：
表2
正弦波
u1 （V）
102
u2 （V）
231
u （V）
129
方波
103
231
128
三角波
102
231
129
图 6.正弦波两次倍频失真图像 图 7.方波两次倍频失真图像
（1）当 u0 u ,um u 时， 2
T
1 2
1
s
in(
u
um sint)
1 2
1
(
u
um
)
s
in
t
调制器输出的信号和调制信号振幅不同，频率相同，输出信号不失真，故为线性调制。
（2）当 u0 0,um u 时，
T
1 2
1
-
cos(
u
um sint)
1 (um 8 u
)2 (1 cos2t)
输出信号的频率是调制信号频率的两倍，即产生倍频失真。
若 u0 u ,um u ，则 T 1- 1 (um )2(1 cos2t) 8 u
输出仍然是倍频失真。
（3)直流偏压 u0 在 0V 附近或 u 附近变化时，工作点不在线性工作区，输出波形将失真。 （4)当 u0 u ,um u 时，调制器的工作点虽在线性工作区的中心，但不满足小信号调制
图 8.三角波两次倍频失真图像
2.把调制信号的直流电压调为 0，在起偏器和晶体之间加入 1/4λ玻片，转动 1/4λ玻片， 观察输出信号，记录出现倍频失真时转动的角度。
转动 1/4λ玻片，可以观察到四次倍频失真现象，其角度依次为 311º、10º、130º和 190º. 晶体所加直流电压为 0 时，改变 1/4λ玻片的方位，可以改变玻片输出的 O 光和 e 光在起偏 器偏振方向相干叠加的合振幅大小，使调制器的工作点和透光率随 1/4λ玻片的方位周期性 变化。当玻片的主轴正向平行晶体的 x（或 y)轴时，输出光倍频失真，因此会有两次倍频失 真；反向平行时，也有两次倍频失真。玻片旋转一周会出现 4 次倍频失真。
晶体的一次电光效应分为纵向电光效应和横向电光效应两种。纵向电光效应是加在晶体 上的电场方向与光在晶体里传播的方向平行时产生的电光效应；横向电光效应是加在晶体上 的电场方向与光在晶体里传播方向垂直时产生的电光效应，本实验研究铌酸锂晶体的一次电 光效应。铌酸锂晶体属于三角晶系，3m 晶类，主轴 z 方向有一个三次旋转轴，光轴与 z 轴 重合，是单轴晶体，折射率椭球是旋转椭球，其表达式为
根据
u
2n03 22
(d ) l
求得晶体电光系数 22 6.65 10-12 m /V 。
（二）调制法 晶体上同时加上直流电压和交流信号，调节直流电压，观测输出信号。把电源前面板上
调制信号“输出”接到 二踪示波器的 CH2 上，放大器的“调制信号”接到示波器的 CH1
上。调节直流电压，当晶体上的直流电压加到某一值 u1 时，输出信号出现倍频失真；再调 直流电压到 u2 ，输出信号又出现倍频失真，记下 u1 和 u2 。
4.可旋转偏振片
最小刻度值 1º
5.格兰棱镜
通光口径Ф10
6.光电接收器
WGL-8 型晶体电光调制试验仪，接受放大器，二踪示波器，信号发生器。
实验装置图如下：
图 2.晶体电光调制实验装置图
四．实验内容和步骤
（一）静态法测量半波电压 1.调节起偏器、检偏器，测量消光点和两个偏振器的最大透过率。 2.搭建光调制器装置，测量消光比，调出晶体的锥光干涉图样。
10
0.09 60 1.01 110 2.41 160 2.44 210 1.11 260 0.1
15
0.12 65 1.15 115 2.5 165 2.36 215 0.97 265 0.09
20
0.17 70 1.3 120 2.56 170 2.26 220 0.83 270 0.09
25
0.21 75 1.4 125 2.61 175 2.14 225 0.7 275 0.11
0.6 95 2.06 145 2.61 195 1.57 245 0.27 295 0.33
50
0.72 100 2.18 150 2.57 200 1.42 250 0.2 300 0.41