如何看懂MOSFET规格书
彻底读懂并理解MOSFET的Datasheet(规格书)
a
标准化 RDS(ON) = f(Tj)
1000 Ciss
100
Coss Crss
10 0 20 VDS / V 40
图.10典型电容, Ciss, Coss, Crss. C = f(VDS); 状 态: VGS = 0 V; f = 1 MHz
-60 -20 20 60 Tj / C 100 140 180
10 9 8 0.5 RDS(ON) / Ohm VGS / V = 3 3.5 4 4.5 5 0.3 10 0.2 7 6 5 4 3 2 1 0
gfs / S
0.4
2.5
0 0.1
2
4
6
8
10 12 ID / A
14
16
18
20
0 0 4 8 12 16 ID / A 20 24 28 10000
ID / A 24 20 16 12 8 3 10 7 VGS / V = 4 5
VGS(TO) / V max.
4 0 2 0 2 4 VDS / V 6 8 10
2
图.6 典型的输出特性Tj = 25 ˚C. ID = f(VGS); 参数VGS
typ.
1
min.
0 -60 -20 20 60 Tj / C 100 140 180
图.5 次开启漏极电流 ID = f(VGS); 状态 : Tj = 25 ˚C; VDS = VGS
(图.3)的表示漏极电流为 VGS 的函数说明典型的传 输特性。(图.4)表示栅极开启电压随着结温而变化。 在次开启传导时，（图5）表示在VGS电平低于门槛时 漏极电流怎样随着栅源电压变化。 断电状态时泄漏电流是漏源和栅源在各自所能承受最 大电压情况下所规定的。注意到尽管栅源泄漏电流以 十 亿分之一安培为单位表示，它们的值遵循兆分之一 安培 而变化。
MOSFET参数解读
MOSFET参数解读首先介绍漏源击穿电压（BVDS）这个参数。
漏源击穿电压是指在MOSFET正常工作条件下，漏极与源极之间可以承受的最大电压。
当电压超过这个值时，会导致器件击穿，造成电流异常增大。
因此，选择具有较高BVDS值的MOSFET可以提高设备的稳定性和可靠性。
第二个参数是漏源电流（ID）。
漏源电流是指MOSFET的漏极到源极之间的电流。
这个参数决定了MOSFET的放大能力和驱动能力。
ID值越大，说明器件的放大能力越强，可以驱动更大的负载。
接下来是增益（gm）。
增益是指MOSFET的输出电流和输入电压之间的比例关系。
增益值越大，说明MOSFET具有更好的放大效果。
增益值可以通过gm公式计算得到，即gm = ID/VT，其中ID为漏源电流，VT为热压降，与温度相关。
导通电阻（RDSon）是指MOSFET导通状态下漏源之间的电阻。
导通电阻是MOSFET的一个重要参数，对于其在开关电路中的应用影响很大。
导通电阻越小，代表着MOSFET具有更好的导通性能，可以减小功耗和电压降。
最后是功耗。
功耗是指MOSFET在工作时消耗的电功率。
功耗与漏源电流以及导通电阻有关。
一般来说，功耗会随着漏源电流的增加而增加，以及随着导通电阻的增加而减小。
对于需要高效能耗的电子设备来说，低功耗的MOSFET是非常重要的。
除了上述参数外，还有一些其他的参数也是非常重要的。
例如，最大工作温度、漏源间电感、输入电容和输出电容等。
这些参数对于特定应用的选择和设计至关重要。
综上所述，MOSFET的这些参数对于电子设备的性能起着重要作用。
在选型和设计时，我们需要综合考虑这些参数，并结合具体的应用要求进行选择。
功率MOSFET关键参数解读
功率MOSFET关键参数解读1. 最大漏极电流（IDmax）：最大漏极电流是MOSFET能够连续承受的最大电流。
它取决于MOSFET的物理结构和材料，特别是漏极-源极结区的尺寸和电流密度。
IDmax越大，MOSFET能够承受的负载电流就越大。
2. 最大漏极-源极电压（VDSmax）：最大漏极-源极电压是MOSFET能够承受的最大电压。
它表示了MOSFET两个终端之间的最大电势差。
VDSmax决定了MOSFET可以驱动的电压范围。
3. 漏极电阻（RDSon）：漏极电阻是MOSFET导通状态时的电阻。
它是导通MOSFET时漏极-源极电压和漏极电流之比。
RDSon越小，MOSFET在导通状态时的功率损耗越低。
4.门-源极电压（VGS）：门-源极电压是MOSFET的控制电压。
它决定了MOSFET是导通还是截止状态。
通常，VGS低于特定电压（截止阀值电压）时，MOSFET处于截止状态；当VGS高于该电压时，MOSFET处于导通状态。
5.门极电荷（Qg）：门极电荷是MOSFET的栅极或门极上的电荷。
它在MOSFET的开关过程中需要传输和移除，因此影响着开关速度和功耗。
较小的门极电荷表示MOSFET具有更好的开关速度。
6. 导通电阻（Rdson）：导通电阻是指MOSFET在导通状态时的电阻。
它影响MOSFET的导通损耗，Rdson越小，导通状态下的功耗越低。
7.开关时间（tr/tf）：开关时间是指MOSFET从导通到截止或从截止到导通的时间。
它受到MOSFET内部电荷和结构的影响。
较小的开关时间表示MOSFET可以更快地切换，适合于高速开关应用。
8. 热阻（θja / θjc）：热阻是指MOSFET在工作时从芯片到环境或芯片到外壳之间的热传导阻力。
它决定了MOSFET的散热效果。
较小的热阻表示MOSFET可以更高效地散热。
这些关键参数提供了评估功率MOSFET性能的指标。
根据应用的需求，选择合适的功率MOSFET时，需要综合考虑这些参数，并确保其满足电路要求和可靠性要求。
mosfet数据手册
mosfet数据手册1. 引言MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常见的半导体器件，广泛应用于电子电路中。
本文将详细介绍MOSFET数据手册中的内容，帮助读者了解如何正确使用该器件。
2. MOSFET基本参数MOSFET数据手册提供了一系列基本参数，包括：工作电压、电流容限、导通电阻等。
这些参数对于电路设计和性能评估非常重要。
读者可以根据具体应用需求，选取合适的器件参数。
3. MOSFET特性曲线数据手册中通常会给出MOSFET的静态和动态特性曲线。
静态特性曲线描述了器件在稳态工作时的电压-电流关系，动态特性曲线则描述了其在开关过程中的响应速度等动态性能。
通过分析这些曲线，可以评估器件的性能和适用范围。
4. MOSFET主要参数说明MOSFET数据手册通常会给出各项主要参数的解释和说明。
例如，输入电容和输出电容描述了器件的电荷存储能力，漏极电流和栅极电流则表示了器件的漏失电流和控制电流等。
读者可以通过这些参数的说明，了解器件的内部结构和工作原理。
5. MOSFET应用示例数据手册会提供一些典型的MOSFET应用示例，方便读者理解如何在实际电路中应用该器件。
这些示例包括功率放大、开关电路、电源管理等。
对于初学者而言，这些示例可以帮助他们更好地理解MOSFET的实际应用。
6. 温度特性和可靠性MOSFET的性能会受到温度的影响，因此数据手册中会提供温度特性曲线和参数。
此外，可靠性参数也是关键信息之一，如MTBF（平均无故障时间）和损耗功率等。
这些参数对于电路设计者选择合适的器件和保证系统的可靠性至关重要。
7. 器件封装和引脚定义数据手册还包含了器件的封装类型和引脚定义，例如TO-220、SOT-23等。
这些信息对于PCB布局和焊接非常重要，确保器件与其他元器件正确连接。
8. 其他附加信息数据手册通常还会提供一些其他附加信息，如器件的尺寸、重量、包装方式等。
这些信息对于系统集成和安装有一定的参考价值。
MOSFET参数详解
MOSFET参数详解1. 导通电阻（Rds(on)）：是指当MOSFET处于导通状态时，从源极到漏极的导通电阻。
导通电阻越小，表示MOSFET在导通状态下有更好的导电能力，能够传输更大的电流，也能提供更低的功耗。
2. 泄漏电流（Igss）：是指MOSFET在关闭状态下的漏电流。
泄漏电流应尽可能小，以确保在关闭状态下无功率损失。
3. 阈值电压（Vth）：是指MOSFET开始导通的电压。
当控制电压超过阈值电压时，MOSFET开始导通。
阈值电压的选择取决于应用场景，一般情况下越低越好。
4. 最大漏源电压（Vdss）：是指MOSFET能够承受的最大漏源电压。
超过这个电压，MOSFET可能会烧毁。
因此，在实际应用中，要确保工作电压在MOSFET的最大承受范围内。
5.最大漏源电流（Id）：是指MOSFET能够承受的最大漏源电流。
超过这个电流，MOSFET可能会受损。
因此，在实际应用中，要确保工作电流在MOSFET的承受范围内。
6.开关速度：MOSFET的开关速度取决于导通和关断过程所需的时间。
开关速度的快慢直接关系到MOSFET的响应时间和效率。
较快的开关速度可以提高系统的性能。
7. 容量参数：包括输入电容（Ciss），输出电容（Coss）和反馈电容（Crss）。
这些参数影响MOSFET的高频响应和开关速度。
一般来说，输入电容越小越好，输出电容尽可能小，反馈电容尽可能大，以减少功耗和提高系统性能。
除了上述参数，还有一些其他参数也会对MOSFET的性能和应用产生影响，如温度系数、热阻、噪声系数等。
总的来说，了解和理解MOSFET的各个参数，可以帮助选取适合特定应用需求的器件，并设计出高性能的电路。
在应用过程中需根据实际需求权衡各个参数的优劣，并合理选择。
正确的理解和使用MOSFET参数，可以提高电路设计的效率和可靠性。
如何彻底读懂MOS的数据手册
图.5 次开启漏极电流 ID = f(VGS); 状态 : Tj = 25 ˚C; VDS = VGS
(图.3)的表示漏极电流为 VGS 的函数说明典型的传 输特性。(图.4)表示栅极开启电压随着结温而变化。 在次开启传导时，（图5）表示在VGS电平低于门槛时 漏极电流怎样随着栅源电压变化。 断电状态时泄漏电流是漏源和栅源在各自所能承受最 大电压情况下所规定的。注意到尽管栅源泄漏电流以 十 亿分之一安培为单位表示，它们的值遵循兆分之一 安培 而变化。
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介绍
功率半导体应用 Philips 半导体
理解数据说明书：功率MOS
所有功率MOS制造厂商都会提供每种型号产品的详细 说明书。 说明书用来说明各种产品的性能。这对于 在不同厂商之间选择相同规格的器件很有用。在一些 情况下， 不同厂商所提供的参数所依据的条件可能有 微妙的区别，尤其在一些非重要参数例如切换时间。 另外，数据说明书所包含的信息不一定和应用相关 联。 因此在使用说明书和选择相同规格的器件时需要 特别当心以及要对数据的解释有确切的了解。 本文以 BUK553-100A为例, 这是一种100 V逻辑电平 MOS管。 漏极电流值 (ID) 和总耗散功率都在这部分给出 。这 些数据必须认真对待因为在实际应用中数据说明书 的给定的条件很难达到（见极限值部分）。在大多数 应用中， 可用的dc电流要比快速参考说明中提供的值 要低。限于所用的散热装置，大多数工程师所能接受 的典型功率消耗要小于20W(对于单独器件)。 结温 (TJ) 通常给出的是150 ˚ C或者175 ˚ C。器件内部温度不 建议超过这个值。
标准 的功率降额
绝缘封装时，背板(硅芯片安装在上面的金属层)完全 压缩在塑料中。因此无法给出结点到背板的热阻值， 取代之是结点到散热片的Rthj-hs,它表现出散热片复 合的作用。 当比较绝缘封装和非绝缘封装型号的热阻时必 须特别小心。例：非绝缘BUK553-100A 的 Rthj-mb 为 2 K/W。绝缘BUK543-100A的Rthj-hs为5 K/W。它们有 同样的晶体但是所封装不同。初比较时，非绝缘的型 号似乎可以承受更大功率( 即电流 )。然而 BUK553-100A 在结点到散热片的热阻测量中,这还包 括背板和散热片之间的额外热阻。 一些绝缘措施用在 大多数情况中,例如云母垫圈.其背板到散热片的热 阻为2 K/W。因此结点到散热片的总热阻为 Rthj-hs(非绝缘型) = Rthj-mb + Rthmb-hs =4 K/W. 可以看出实际中绝缘和非绝缘型的型号区别并不大。
MOSFET参数解读
MOSFET参数解读Symbol Parameter中文描述应用系统关联参数解读R thjc Thermal resistance, Junction to case 结到封装的热阻该系列参数均表明在发热相同条件下器件散热能力的强弱，热阻越小散热越快。
R thcs Thermal resistance, Case to Sink封装到散热片的热阻R thja Thermal resistance, Junction to ambient结到空气热阻Symbol Parameter中文描述对电源系统的影响V DSS Drain to Source Voltage漏源电压标称值参考BV DSSI DContinuous Drain Current (@T C =25o C)漏源标称电流漏源间可承受的电流值，该值如果偏小，在设计降额不充裕的系统中或在测试OCP 、OLP 的过程中会引起电流击穿的风险。
Continuous Drain Current (@T C =100o C)I DMDrain current pulsed漏源最大单脉冲电流反应的是MOSFET 漏源极可承受的单次脉冲电流强度，该参数过小，电源系统在做OCP 或OLP 测试时，有电流击穿的风险。
V GS Gate to Source Voltage栅漏电压栅极可承受的最大电压范围，在任何条件下，必须保证其接入的电压必须在规格范围内。
M OSFET 的栅极也是MOSFET 最薄弱的地方。
E AS Single pulsed Avalanche Energy 单脉冲雪崩能量MOSFET漏源极可承受的最大单次或多次脉冲能量，该能量如果过小在做OCP 、OLP 、SU RGER 、耐压等测试项目时有失效的风险。
E ARRepetitive Avalanche Energy 重复雪崩能量dv/dt Peak diode Recovery dv/dt漏源寄生二极管恢复电压上升速率（1）dv/dt 反应的是器件承受电压变化速率的能力，越大越好。
MOSFET规格书参数详解
MOSFET规格书参数详解 MOSFET规格书参数详解（参考AOD444）*说明：MOS管漏极和源极最⼤耐压值。
测试条件：在Vgs=0V，栅极和源极不给电压。
影响：超过的话会让MOSFET损坏。
说明：ID的漏电流。
测试条件：在Vgs=0V，在漏极和源极两端给48V的电压。
影响：漏电流越⼤功耗越⼤。
说明：栅极漏电流测试条件：在Vgs=+-20V，在漏极和源极两端不给电压。
影响：*说明：开启电压测试条件：在Vgs=Vds，在漏极和源极两端电流控制在250uA。
影响：低于参考值可能出现不导通现象，设计时需要考虑范围值。
*说明：完全开启，漏极和源极两端最⼤过电流30A，测试条件：在Vgs=Vds，在漏极和源极两端电流控制在250uA。
影响：低于参考值可能出现不导通现象，设计时需要考虑范围值。
*说明：导通时，Vds的内阻测试条件：在Vgs=10V，通过12A的电流；Vgs=4.5V，通过6A的电流，在漏极和源极两端的内阻。
影响：内阻越⼩，MOS过的电流越⼤，相同电流下，功耗越⼩。
说明：跨导的单位是A/V。
是源极电流Id⽐上栅极电压Vgs，是栅极电压对源极电流的控制作⽤⼤⼩，跨导：线性压控电流源的性质可表⽰为⽅程 I=gV ，其中g是常数系数。
系数g称作跨导（或转移电导），具有与电导相同的单位。
这个电路单元通常指放⼤器。
在MOS管中，跨导的⼤⼩反映了栅源电压对漏极电流的控制作⽤。
在转移特性曲线上，跨导为曲线的斜率。
单位是 S （西门⼦），SI基本单位量纲 m^-2˙kg^-1˙s^3˙A^2 ，⼀般⽤mS测试条件：影响：说明：MOS管体⼆极管的正向导通压降测试条件：在VGS=0V，体⼆极管正向通过1A的电流。
影响：说明：体⼆极管可承受最⼤连续续电流测试条件：影响：如果偏⼩，在设计降额不充裕的系统中或在测试OCP，OLP（逐周期电流限制保护（OCP)，限制最⼤输出电流；过载保护(OLP)，限制最⼤输出功率；）的过程中会引起电流击穿的风险说明： Ciss=Cgs+Cgd 输⼊电容 Coss=Cds+Cgd 输出电容 Crss=Cgd（⽶勒电容）测试条件：影响： Ciss：影响到MOS管的开关时间，Ciss越⼤，同样驱动能⼒下，开通和关断时间就越慢，开关损坏也就越⼤。
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如何看懂MOSFET规格书作为一个电源方面的工程师、技术人员，相信大家对MOSFET 都不会陌生。
在电源论坛中，关于MOSFET的帖子也应有尽有：MOSFET 结构特点/工作原理、MOSFET 驱动技术、MOSFET 选型、MOSFET损耗计算等，论坛高手、大侠们都发表过各种牛贴，我也不敢在这些方面再多说些什么了。
工程师们要选用某个型号的 MOSFET，首先要看的就是规格书/datasheet，拿到 MOSFET 的规格书/datasheet 时，我们要怎么去理解那十几页到几十页的内容呢？本帖的目的就是为了和大家分享一下我对 MOSFET 规格书/datasheet 的理解和一些观点，有什么错误、不当的地方请大家指出，也希望大家分享一下自己的一些看法，大家一起学习。
PS: 1. 后续内容中规格书/datasheet 统一称为 datasheet2. 本帖中有关 MOSFET datasheet 的数据截图来自英飞凌IPP60R190C6 datasheet1VDSDatasheet上电气参数第一个就是 V(BR)DSS，即 DS 击穿电压，也就是我们关心的 MOSFET 的耐压此处V(BR)DSS的最小值是600V，是不是表示设计中只要MOSFET上电压不超过600VMOSFET就能工作在安全状态?相信很多人的答案是“是!”，曾经我也是这么认为的，但这个正确答案是“不是!”这个参数是有条件的，这个最小值600V是在Tj=25℃的值，也就是只有在Tj=25℃时，MOSFET上电压不超过600V 才算是工作在安全状态。
MOSFETV(BR)DSS是正温度系数的，其实datasheet上有一张V(BR)DSS与Tj的关系图(Table 17)，如下：要是电源用在寒冷的地方，环境温度低到-40℃甚至更低的话，MOSFETV(BR)DSS值所以在MOSFET使用中，我们都会保留一定的VDS的电压裕量，其中一点就是为了考虑到低温时MOSFETV(BR)DSS值变小了，另外一点是为了应对各种恶例条件下开关机的VDS电压尖峰。
2ID相信大家都知道 MOSFET 最初都是按 xA, xV 的命名方式（比如 20N60~），慢慢的都转变成Rds(on)和电压的命名方式(比如 IPx60R190C6, 190 就是指Rds(on)~).其实从电流到 Rds(on)这种命名方式的转变就表明 ID 和 Rds(on)是有着直接联系的，那么它们之间有什么关系呢？在说明 ID 和 Rds(on)的关系之前，先得跟大家聊聊封装和结温：1). 封装：影响我们选择 MOSFET 的条件有哪些？a) 功耗跟散热性能 -->比如：体积大的封装相比体积小的封装能够承受更大的损耗；铁封比塑封的散热性能更好.b) 对于高压 MOSFET 还得考虑爬电距离 -->高压的MOSFET 就没有 SO-8 封装的，因为G/D/S 间的爬电距离不够c) 对于低压 MOSFET 还得考虑寄生参数 -->引脚会带来额外的寄生电感、电阻，寄生电感往往会影响到驱动信号，寄生电阻会影响到 Rds(on)的值d) 空间/体积 -->对于一些对体积要求严格的电源，贴片 MOSFET 就显得有优势了2). 结温：MOSFET 的最高结温 Tj_max=150℃，超过此温度会损坏 MOSFET，实际使用中建议不要超过 70%~90% Tj_max.回到正题，MOSFETID和Rds(on)的关系:(1)封装能够承受的损耗和封装的散热性能(热阻)之间的关系(2)MOSFET通过电流ID产生的损耗(1),(2)联立，计算得到ID和Rds_on的关系今天看到一篇文档，（下图红色框中）上面有提到MOSFET的寿命是跟温度有关的。
3Rds(on)从MOSFET Rds(on)与Tj的图表中可以看到：Tj增加Rds(on)增大，即Rds(on)是正温度系数，MOSFET的这一特性使得MOSFET易于并联使用。
4Vgs(th)相信这个值大家都熟悉，但是Vgs(th)是负温度系数有多少人知道，你知道吗？(下面两图分别来自BSC010NE2LS和IPP075N15N3 Gdatasheet.)相信会有很多人没有注意到Vgs(th)的这一特性，这也是正常的，因为高压MOSFET的datasheet中压根就没有这个图，这一点可能是因为高压MOSFET的Vgs(th)值一般都是以上，高温时也就到2V左右。
但对于低压MOSFET 就有点不一样了，很多低压MOSFET的Vgs(th)在常温时就很低，比如BSC010NE2LS的Vgs(th)是~2V，高温时最低都要接近了，这样只要在Gate有一个很小的尖峰就可能误触发MOSFET开启从而引起整个电源系统异常。
所以，低压MOSFET 使用时一定要留意Vgs(th)的这个负温度系数的特性！！5Ciss, Coss, CrssMOSFET带寄生电容的等效模型Ciss=Cgd+Cgs, Coss=Cgd+Cds, Crss=CgdCiss, Coss, Crss 的容值都是随着VDS电压改变而改变的，如下图：在 LLC 拓扑中，减小死区时间可以提高效率，但过小的死区时间会导致无法实现 ZVS。
因此选择在 VDS 在低压时 Coss 较小的MOSFET 可以让 LLC 更加容易实现 ZVS，死区时间也可以适当减小，从而提升效率。
6Qg, Qgs, Qgd从此图中能够看出：1. Qg并不等于Qgs+Qgd！！2. Vgs高，Qg大，而Qg大，驱动损耗大7SOASOA曲线可以分为4个部分：1). Rds_on的限制，如下图红色线附近部分此图中：当VDS=1V时，Y轴对应的ID为2A，Rds=VDS/ID= ==>Tj=150℃时，Rds(on)约为.当VDS=10V时，Y轴对应的ID为20A，Rds=VDS/ID= ==>Tj=150℃时，Rds(on)约为.所以，此部分曲线中，SOA表现为Tj_max时RDS(on)的限制.MOSFET datasheet上往往只有Tc=25和80℃时的SOA，但实际应用中不会刚好就是在Tc=25或者80℃，这时候就得想办法把25℃或者80℃时的SOA转换成实际Tc时的曲线。
怎样转换呢？有兴趣的可以发表一下意见......2).最大脉冲电流限制，如下图红色线附近部分此部分为MOSFET的最大脉冲电流限制，此最大电流对应. VBR(DSS)击穿电压限制，如下图红色线附近部分此部分为MOSFET VBR(DSS)的限制，最大电压不能超过VBR(DSS) ==>所以在雪崩时，SOA图是没有参考意义的4). 器件所能够承受的最大的损耗限制，如下图红色线附近部分上述曲线是怎么来的？这里以图中红线附近的那条线（10us）来分析。
上图中，1处电压、电流分别为：88V, 59A，2处电压、电流分别为：600V, 。
MOSFET要工作在SOA，即要让MOSFET的结温不超过Tj_max(150℃)，Tj_max=Tc+PD*ZthJC, ZthJC为瞬态热阻.SOA图中，D=0，即为single pulse，红线附近的那条线上时间是10us即10^-5s，从瞬态热阻曲线上可以得到ZthJC=*10^-2从以上得到的参数可以计算出：1处的Tj约为：25+88*59**10^-2=℃2处的Tj约为：25+600***10^-2=℃MOSFET datasheet上往往只有Tc=25和80℃时的SOA，但实际应用中不会刚好就是在Tc=25或者80℃，这时候就得想办法把25℃或者80℃时的SOA转换成实际Tc时的曲线。
怎样转换呢？有兴趣的可以发表一下意见~把25℃时的SOA转换成100℃时的曲线：1). 在25℃的SOA上任意取一点，读出VDS, ID,时间等信息如上图，1处电压、电流分别为：88V, 59A, tp=10us计算出对应的功耗：PD=VDS*ID=88*59=5192 （a）PD=(Tj_max-Tc)/ZthJC -->此图对应为Tc=25℃（b）（a），（b）联立，可以求得ZthJC=(Tj_max-25)/PD=. 对于同样的tp的SOA线上，瞬态热阻ZthJC保持不变，Tc=100℃，ZthJC= 上图中1点电压为88V，Tc=100℃时，PD=(Tj_max-100)/ZthJC=2083从而可以算出此时最大电流为I=PD/VDS=2083/88=. 同样的方法可以算出电压为600V，Tc=100℃时的最大电流5). 把电压电流的坐标在图上标出来，可以得到10us的SOA线，同样的方法可以得到其他tp 对应的SOA（当然这里得到的SOA还需要结合Tc=100℃时的其他限制条件）这里的重点就是ZthJC，瞬态热阻在同样tp 和D的条件下是一样的，再结合功耗，得到不同电压条件下的电流另外一个问题，ZthJC/瞬态热阻计算：1. 当占空比D 不在ZthJC曲线中时，怎么计算？2. 当tp1). 当占空比D 不在ZthJC曲线中时：（其中，SthJC(t)是single pulse对应的瞬态热阻）2. 当tp8AvalancheEAS：单次雪崩能量，EAR：重复雪崩能量，IAR：重复雪崩电流雪崩时VDS,ID典型波形：上图展开后，如下：MOSFET雪崩时，波形上一个显着的特点是VDS电压被钳位，即上图中VDS有一个明显的平台MOSFET雪崩的产生：在MOSFET的结构中，实际上是存在一个寄生三极管的，如上图。
在MOSFET的设计中也会采取各种措施去让寄生三极管不起作用，如减小P+Body中的横向电阻RB。
正常情况下，流过RB的电流很小，寄生三极管的VBE约等于0，三极管是处在关闭状态。
雪崩发生时，如果流过RB的雪崩电流达到一定的大小，VBE大于三极管VBE的开启电压，寄生三极管开通，这样将会引起MOSFET无法正常关断，从而损坏MOSFET。
因此，MOSFET的雪崩能力主要体现在以下两个方面：1. 最大雪崩电流 ==>IAR2. MOSFET的最大结温Tj_max ==>EAS、EAR 雪崩能量引起发热导致的温升1）单次雪崩能量计算：上图是典型的单次雪崩VDS,ID波形，对应的单次雪崩能量为：其中，VBR=, L为提供雪崩能量的电感雪崩能量的典型测试电路如下：计算出来EAS后，对比datasheet上的EAS值，若在datasheet 的范围内，则可认为是安全的（当然前提是雪崩电流同时，还得注意，EAS随结温的增加是减小的，如下图：2）重复雪崩能量 EAR：上图为典型的重复雪崩波形，对应的重复雪崩能量为：其中，VBR=.计算出来EAR后，对比datasheet上的EAR值，若在datasheet的范围内，则可认为是安全的（此处默认重复雪崩电流同时也得考虑结温的影响9体内二极管参数VSD，二极管正向压降 ==>这个参数不是关注的重点,trr，二极管反向回复时间 ==>越小越好，Qrr，反向恢复电荷 ==>Qrr大小关系到MOSFET的开关损耗，越小越好，trr越小此值也会小10不同拓扑 MOSFET 的选择针对不同的拓扑，对MOSFET 的参数有什么不同的要求呢？怎么选择适合的MOSFET？欢迎大家发表意见，看法1). 反激：反激由于变压器漏感的存在，MOSFET会存在一定的尖峰，因此反激选择MOSFET时，我们要注意耐压值。