单晶硅片从切片到抛光清洗的工艺流程

一、硅片生产主要制造流程如下：

切片→倒角→磨片→磨检→CP→CVD→ML→最终洗净→终检→仓入

二、硅片生产制造流程作业实习

1.硅棒粘接：用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接，以利于牢固的

固定在切割机上和方位角的确定。

2.切片(Slice)：主要利用内圆切割机或线切割机进行切割，以

获得达到其加工要求的厚度，X、Y方向角，曲翘度的薄硅片。

3.面方位测定：利用X射线光机对所加工出的硅片或线切割前

要加工的硅棒测定其X、Y方位角，以保证所加工的硅片的X、

Y方位角符合产品加工要求。

4.倒角前清洗：主要利用热碱溶液和超声波对已切成的硅片进

行表面清洗，以去除硅片表面的粘接剂、有机物和硅粉等。

5.倒角(BV)：利用不同的砥石形状和粒度来加工出符合加工要

求的倒角幅值、倒角角度等，以减少后续加工过程中可能产

生的崩边、晶格缺陷、处延生长和涂胶工艺中所造成的表面

层的厚度不均匀分布。

6.厚度分类：为后续的磨片加工工艺提供厚度相对均匀的硅片

分类，防止磨片中的厚度不均匀所造成的碎片等。

7.磨片(Lapping):去除切片过程中所产生的切痕和表面损伤

层，同时获得厚度均匀一致的硅片。

8.磨片清洗：去除磨片过程中硅片表面的研磨剂等。

9.磨片检查：钠光灯下检查由于前段工艺所造成的各类失效模

式，如裂纹、划伤、倒角不良等。

10.ADE测量：测量硅片的厚度、曲翘度、TTV、TIR、FPD等。

11.激光刻字：按照客户要求对硅片进行刻字。

12.研磨最终清洗：去除硅片表面的有机物和颗粒。

13.扩大镜检查：查看倒角有无不良和其它不良模式。

14.CP前洗：去除硅片表面的有机物和颗粒。

15.CP(Chemical Polishing):采用HNO3+HF+CH3COOH溶液腐蚀去

除31um厚度，可有效去除表面损伤层和提高表面光泽度。

16.CP后洗：用碱和酸分别去除有机物和金属离子。

17.CP检查：在荧光灯和聚光灯下检查表面有无缺陷和洗污，以

及电阻率、PN判定和厚度的测量分类。

18.DK(Donar Killer)：利用退火处理使氧原子聚为基团，以稳

定电阻率。

19.IG(Intrinsic Gettering):利用退火处理使氧原子形成二次

缺陷以吸附表面金属杂质。

20.BSD(Back Side Damage):利用背部损伤层来吸附金属杂质。

21.CVD前洗：去除有机物和颗粒。

22.LP-CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition):高温分

解SiH4外延出多晶硅达到增强型的外吸杂。

23.AP-CVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition):

在硅片背部外延SiO2来背封并抑制自掺杂。

24.端面处理：去除硅片背面边缘的SiO2。

25.CVD后洗：去除表面颗粒。

26.ML(Mirror Lapping)倒角:防止后续工艺中的崩边发生以及

外延时的厚度不均匀等。

27.ML前洗：去除有机物、颗粒、金属杂质等。

28.ML贴付：硅片表面涂腊贴附在陶瓷板上，固定硅片以利于ML

加工。

29.ML:也称之为CMP(Chemical Mechanism Polishing)，经过粗

抛和精抛去除14um厚度，此可有效的去除表面损伤层和提高表面平坦度。

30.去腊洗净：去除ML后背面的腊层。

31.ADE测量：测定硅片表面形貌参数如：平整度，翘曲度等。

32.ρ-t测量：对电阻率和厚度进行测定和分类。

33.扩大镜检查：检查ML倒角不良。

34.最终洗净：去除颗粒，有机物和金属杂质。

35.WIS测定：测量最终洗净后硅片表面颗粒。

36.最终检查：在荧光灯和聚光灯下检查硅片表面的情况。

37.仓入：对硅片进行包装，防止再次污染，以待出货。