光电管特性的研究讲义
APD光电二极管的特性测试及应用研究1

[5]王庆有.光电传感器应用技术[M].北京:机械工业出版社,2007.10.
[6]其他:可网上搜索查找相关中文和外文文献。
3.进度安排
设计(论文)各阶段名称
起止日期
1
查阅文献资料,确定方案,写文献综述
2014.1.18-3.20
2
学习APD光电二极管的工作原理
2014.3.21-3.30
3
理解APD光电二极管的各项参数指标并测试
因此,拓宽硅基光电探测器件的探测波长范围及探测效率,不仅成为一个较为热点的研究领域,引起了各国科研工作者的兴趣,同时也成为光通信领域迫切需要克服的难题,是市场应用所需迫切解决的问题。最近几年人们尝试了各种方法来提高Si基APD的近红外探测效率,其中有增加Si基APD吸收层的厚度从而提高光子在Si中的吸收,然而随着APD体积的增加,不但提高了近红外处的量子效率,同样增加APD器件的暗电流和噪声,也提高了APD的响应时间,所以用这种方法提高APD近红外的敏感率并不是最好的方法。还有一种方法就是在APD器件表面设计一层防反射层,这层防反射层可以使入射光在APD器件的表面发生多次反射,从而增加了透入到器件内部的光子,也不会增加APD器件的体积,但是这种方法对工艺制作流程要求严格,成本较高,虽然能提高器件的整体效果但依然不能将1064nm处的光探测效率提高到理想的程度。
制约硅基APD在近红外方向特别是1064nm波段发展的原因有两个,第一,硅的禁带宽度是1.12eV,从而导致硅对1100nm处光的吸收截止。Si是间接带隙材料,在300K时硅的禁带宽度是1.12eV。因此硅的吸收截止波长是1100nm。从而导致由间接半导体材料制做的APD器件在截止波长附近吸收效率非常低。为了使硅基APD在1064nm处获得较高的量子效率,人们研发出使用其它半导体材料(锗、铟或者砷化镓)制作光电子器件,但是这些材料的光电子器件暗电流和噪声比较高,价格昂贵,而且与硅的晶格不匹配。或者改变硅基APD的结构设计,还可以使用飞秒激光微构造技术,来改变硅在近红外处的光吸收特性。第二,APD制造工艺过程中必须引入尽可能少的缺陷以减少暗电流,从而保证器件具有较高的信噪比。
光电管的特性

q0
--电子电量
Voc
KT q0
ln
IL I SO
1
K
--玻尔兹曼常数
T
--热力学温度
Voc --光电池开路输出电压
I L mA
UOC mV
100 80 60
1.0 0.8 0.6
40
20
0.4
0.2
0
2000
4000
Ge光电池光电特性
I L mA
UOC V
300
反向偏压/V 硅光电二极管伏安特性
Ic mA
8 6 500lx 700lx
600lx
4
2
400lx
300lx
0
10
20
30
40
V
硅光电三极管伏安特性
I L A
40 30
20
10
0
200
400
600
800
1000
E / lx
硅光电二级管光照特性
I L A
6
5 4 3 2 1 0 500 1000
0
4000
6000Leabharlann 800010000
波长 A
光电池的光谱特性
100
硅光电池
相 对 光 电 流 / %
80 60 40 20 硒光电池
0
1500
3000
4500 6000
7500
/Hz
光电池的频率特性
§7-3-3光敏二级管和光敏三级管
一、光敏二级管
P
N
E
I
E
R
100lx 200lx 300lx 400lx
光电效应讲义

光电效应的研究【实验目的】1. 研究光电流与极间电压的关系。
2. 研究光电流与光通量之间的关系。
3. 掌握光电管的一些主要特性,学会正确使用光电管。
【实验仪器】光电效应实验仪。
仪器包括以下部分:-12V~24V稳压电源,光源用可调电源0~15V,数字电压表(-12V~24V),数字电流表(实验时为180~600mA),光电管电压调节电位器,光源(小灯泡)电流调节电位器,分档的高灵敏度电流计(0~20µA, 0~200µA)。
暗箱,内包括光电管,小灯泡及光源距离调节刻度尺。
【预习要求】1. 参考数据记录表,拟定测量步骤。
2. 初步了解光电管的主要特性以及实验装置的结构特点。
【研究内容与方法】1. 测伏安特性:(1) 打开仪器电源开关,将微电流量程转换开关旋到“200µA”(如实验数据较小可选择“20µA”量程),检查确认仪器工作正常(电流调节应调至最小值)。
根据原理图3,接好线路(即仪器微电流输入连接线“Q9端”连接到仪器主机,微电流输入连接线“+”“-”分别接暗箱光电流输出“+”“-”;仪器光源电源“+”“-”分别接暗箱光源电源“+”“-”);调节输出电流调节电位器使小灯电流为规定值I L,建议参考值为250mA,在实验过程中小灯泡电流要始终保持I L不变;顺时针调节电压调节电位器,电压表显示值为正,此时在光电管上加正电压,逆时针调节电压调节电位器,电压表显示值为负,此时在光电管上加负电压。
(2) 使光源与光电管阴极的距离保持一定,调节“光电管电压调节”电位器,使光电管电压由零开始逐渐升高,同时测出若干个电压下的光电流IΦ。
(3) 调节(逆时针)“光电管电压调节电位器”,在光电管两端加上反向电压(即负电压),调节光电管电压由零开始逐渐减小(即负的增加),测出若干个电压下的光电流IΦ。
(4) 光电流IΦ为0时的电压即为反向截止电压Va。
(5) 改变光源与光电管阴极的距离,重复(1)-(4)步骤,绘制两条伏安特性曲线。
光电管特性的研究.(DOC)

光电管特性的研究.(DOC)光电管是一种转换光信号为电信号的电子学元件,也被称为光电二极管。
它的原理是光电效应,即光引起半导体中的电子跃迁,使其产生电荷,并使得光电管形成电流输出。
光电管具有很好的线性性和高速性能,被广泛应用于光电通信、光谱分析、遥感技术、光学测量等各个领域。
本文主要研究光电管的特性。
一、光电管的工作原理光电管的结构一般由光敏元件、放大器和输出接口三部分组成。
其中,光敏元件是本元件的核心部分,其内部由光电阴极和阳极组成。
光电阴极由光敏材料制成,通常是碱金属或硅酸盐材料,它的工作原理是光电效应。
当光照射到光电阴极上时,光子会使得光电阴极内部的电子跃迁,从而产生电荷,这些电荷便成为光电流的形式输出。
阳极则主要起到收集光电阴极所产生的光电流的作用。
光电管的放大器一般采用光电管光电效应放大器,电子从光电阴极发射后,经过放大器放大后形成光电流。
这个过程可以通过不同的放大器电路来实现。
二、光电管的特性1. 光电流与光照强度关系光电管的输出光电流与光照强度是成正比例关系的,这种关系反映了光电管对光的灵敏度。
灵敏度高的光电管可以对低强度光源产生足够的响应。
光电流与反向电压之间存在一定的关系,即光电流随着反向电压增大而减小。
这是由于在反向电压下,光电流就需要克服外部电势阻力才能达到阳极,所以光电流会逐渐降低。
光电管的封装通常是半导体材料,而半导体材料与温度的关系密切。
随着温度的升高,光电流也会逐渐增大,但是增长速度很慢。
4. 噪声噪声是光电管的一个重要特性,它是指输出信号中不希望出现的随机变化。
光电管的噪声主要来自光电阴极本身,因为光敏材料内部的电子运动是随机的。
随着技术的不断进步,噪声大大降低,光电管的性能得到了极大提升。
三、应用光电管是一种非常重要的光电元件,它的应用范围非常广泛。
目前主要应用于下列几个领域:1. 通讯技术光电管在通讯技术中被广泛应用,例如光电调制器、光电探测器和光放大器等。
这些光电元件对于视觉和声学信号的处理具有重要作用。
实验一光电效应讲义

实验一光电效应1887年,赫兹在研究电磁辐射时意外发现,光照射金属表面时,在一定的条件下,有电子从金属的表面溢出,这种物理现象被称作光电效应,所溢出的电子称光电子。
由此光电子的定向运动形成的电流称光电流。
1888年以后,W.哈尔瓦克斯、A.Γ.斯托列托夫、P.勒纳德等人对光电效应进行了长时间的研究,并总结出了光电效应的基本实验事实:1.光强一定时,光电管两端电压增大时,光电流趋向一饱和值。
对于同一频率不同光强时,光电发射率(光电流强度或逸出电子数)与光强P成正比,见图1(a)、(b)。
2.对于不同频率的光,其截止电压不同,光电效应存在一个阈频率(截止频率、极限频率或红限频率),当入射光频率 低于某一阈值时,不论光的强度如何,都没有光电子产生,见图1(c)、(d)。
3.光电子的动能与入射光强无关,但与入射光的频率成线性关系。
4.光电效应是瞬时效应,一经光束照射立即产生光电子。
图1 光电效应规律上述实验事实用麦克斯韦的经典电磁理论无法作出圆满的解释。
1905年,爱因斯坦用光量子理论圆满解释了光电效应,并得出爱因斯坦光电效应方程。
后来密立根对光电效应展开全面的实验研究,证明了爱因斯坦光电效应方程的正确性,并精确测出普朗克常数h。
因为在光电效应等方面的杰出贡献,爱因斯坦和密立根分别于1921年和1923年获得诺贝尔物理学奖。
光电效应和光量子理论在物理学的发展史上具有划时代的意义,量子论是近代物理的理论基础之一。
而光电效应则可以给量子论以直观鲜明的物理图像。
随着科学技术的发展,利用光电效应制成的光电元件在许多科技领域得到广泛的应用,并且至今还在不断开辟新的应用领域,具有广阔的应用前景。
本实验利用“减速电势法”测量光电子的动能,从而验证爱因斯坦方程,并测得普朗克常数。
经过本实验有助于进一步理解量子理论。
【实验目的】1.通过实验了解光的量子性。
2.测量光电管的弱电流特性,找出不同光频率下的截止电压。
3.验证爱因斯坦方程,并由此求出普朗克常数。
实验十一光电管特性研究

实验十一光电管特性研究【实验目的】1.研究光电管的光电流与其极间电压的关系;研究光电流与光通量之间的关系;验证光电效应第一定律。
2。
掌握光电管的一些主要特性,学会正确使用光电管。
[实验仪器]暗匣一个(内装光电管及小灯);光电效应实验仪一台,仪器内包括:24V 稳压电源、12V稳压电源、3½位数字电压表和电流表,分别指示光电管电压、光源电流和光电流、调节光电管电压的电位器、调小灯电流的可变电阻。
【仪器描述】GD-I型光电效应实验仪是一组成套仪器,包括暗箱一只,实验仪一台共两件.使用这套仪器可以进行光电效应的研究,测定光电管的伏安特性和光电特性。
仪器采用暗箱结构,关闭箱盖后,箱内即成为一个微型暗室,外界光线不能射入,作为点光源的灯泡装在活动支架上,并可在暗箱外调节,以改变灯泡到光电管的距离.有了暗箱,实验即可在明亮房间内进行,给实验操作增加了方便。
实验仪包括两路完全独立的稳压电源和一个高灵敏度的电流计。
实验仪面板如图1所示。
当面向仪器面板时,左侧24V稳压电源,并且内附电位器调压装置,在接线柱上可获得0~24V连续可变的电压,该电压由电压表显示.右侧为12V稳压电源并内附可变电阻电流调节装置,在接线柱上连接灯泡后可连续调节灯泡的发光度,电流值由电流表显示。
推荐的灯泡电流值为400~500mA。
【仪器使用】按图2所示,用导线将实驻仪和暗箱连接起来.仪器的面板示意图如图1所示.实验仪上的红色接线柱为输出电压的正端,黑色为负端。
暗箱光电管的红色接线柱为光电管的阳极,黑色接线柱为光电管的阴极。
暗箱下端有一抽板,上有标尺,作光源用的小灯固定在抽扳上,抽板可抽出或推进,以改变光源与光电管之间的距离.实验仪上还有光电管的电压和光源电流可供调节,其电压和电流值由相应的数字表读出.具体实验步骤参阅实验讲义中的实验步骤部分。
【注意事项】l。
灯泡电流的稳定与否对实验结果影响很大,必须做到接触良好。
当发现光电流不稳定时,应首先检查灯泡插座及接线是否良好.2.高灵敏度电流计的测量范围为0-10µA,因电流计内放大器的动态范围的限制,在测量10µA以上电流时会引起较大的误差。
光电管特性实验报告

一、实验目的1. 了解光电管的基本结构和工作原理。
2. 研究光电管的伏安特性,分析不同电压对光电流的影响。
3. 探究光电管的截止电压与入射光频率的关系。
4. 验证光电效应方程,并测定普朗克常量。
二、实验原理光电效应是指当光照射到金属表面时,金属表面会发射出电子的现象。
光电效应的实验原理如图1所示。
入射光照射到光电管阴极K上,产生的光电子在电场的作用下向阳极A迁移形成光电流。
改变外加电压,测量出光电流I的大小,即可得出光电管的伏安特性曲线。
光电效应的基本实验事实如下:1. 对应于某一频率,光电效应的I-U关系如图2所示。
从图中可见,对一定的频率,有一电压U0,当时,电流为零,这个相对于阴极的负值的阳极电压U0,被称为截止电压。
2. 当U>U0后,I迅速增加,然后趋于饱和,饱和光电流IM的大小与入射光的强度P成正比。
3. 对于不同频率的光,其截止电压的值不同,如图3所示。
4. 截止电压U0与频率v的关系如图4所示,与v成正比。
当入射光频率低于某极限值(随不同金属而异)时,不论光的强度如何,照射时间多长,都没有光电流产生。
5. 光电效应是瞬时效应。
即使入射光的强度非常微弱,只要频率大于v0,在开始照射后立即有光电子产生,所经过的时间至多为10^-9秒的数量级。
根据爱因斯坦的光量子理论,光子能量E与频率v的关系为E=hv,其中h为普朗克常量。
光电效应方程为E=hf=φ+KEmax,其中φ为金属的逸出功,KEmax为光电子的最大动能。
当光电子的最大动能KEmax为0时,对应的截止电压U0为U0=φ/hv。
三、实验仪器与材料1. 光电管2. 汞灯3. 光栅单色仪4. 电压表5. 微电流计6. 滑线变阻器7. 电阻箱8. 信号发生器9. 数据采集器10. 计算机及实验软件四、实验步骤1. 将光电管接入电路,调节滑线变阻器,使电压表显示为零。
2. 调节汞灯,使光栅单色仪的出射光垂直照射到光电管阴极上。
3. 调节电压表,使电压逐渐增加,同时观察微电流计的读数。
光电特性综合实验报告

一、实验目的1. 理解光电效应的基本原理。
2. 掌握光敏电阻和光电管的光电特性。
3. 通过实验,分析光敏电阻和光电管在不同光照条件下的电阻和电流变化。
4. 学习使用光电效应实验装置,测定普朗克常量。
二、实验原理光电效应是指当光照射到某些物质表面时,物质表面的电子吸收光子的能量而逸出,形成电流的现象。
根据爱因斯坦的光电效应方程,光电子的最大动能与光子的能量成正比,与光的频率有关,而与光的强度无关。
光敏电阻是一种利用光电效应原理工作的传感器,其电阻值随光照强度的变化而变化。
光电管是一种利用光电效应将光信号转换为电信号的器件,其输出电流与入射光的强度成正比。
三、实验仪器与材料1. 光电效应实验装置2. 光敏电阻3. 光电管4. 可调光源5. 电流表6. 电压表7. 数据采集系统8. DataStudio软件四、实验内容及步骤1. 光敏电阻光电特性测试(1) 将光敏电阻接入电路,测量其在不同光照强度下的电阻值。
(2) 使用数据采集系统记录光敏电阻在不同光照强度下的电阻值。
(3) 分析光敏电阻的光电特性曲线,研究电阻值与光照强度的关系。
2. 光电管光电特性测试(1) 将光电管接入电路,调整光源的强度,测量不同光照强度下的光电流。
(2) 使用数据采集系统记录光电管在不同光照强度下的光电流。
(3) 分析光电管的光电特性曲线,研究光电流与光照强度的关系。
3. 普朗克常量测定(1) 调整光源的频率,测量光电管在不同频率下的光电流。
(2) 使用数据采集系统记录光电管在不同频率下的光电流。
(3) 根据光电效应方程,计算普朗克常量。
五、实验结果与分析1. 光敏电阻的光电特性曲线显示,随着光照强度的增加,光敏电阻的电阻值逐渐减小,呈现出线性关系。
2. 光电管的光电特性曲线显示,随着光照强度的增加,光电流逐渐增大,呈现出线性关系。
3. 通过实验测定的普朗克常量与理论值相符,验证了光电效应方程的正确性。
六、实验结论1. 光敏电阻的光电特性曲线表明,其电阻值与光照强度呈线性关系。
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保持光源与光电管的距离一定,如果阳极 为高电势,则电子将加速飞向阳极,光电流 随两极间的加速电压改变而改变。如图5.12-2所示,开始光电流随加速电压增加而增加,当加速电压增加到一定值后,光电流不再增加,这是因为在一定光照度下单位时间内所产生的光电子数目一定,而且这些电子在电场的作用下已全部跑出阳极,从而达到饱和。此时的光电流称饱和光电流,用 表示。对不同的光强,饱和光电流 与入射光强 成正比。
本实验是利用真空光电管来研究这一实验的基本规律,验证爱因斯坦的光电子理论。实验原理图如图5.12-1所示, 为光电管的阴极, 为光电管的阳极,调节 ,可在 、 两极间获得连续变化的电压。光的强弱决定于光子的多少,当用一定强度的光照射到光电管阴极时,光子( )流射到 上打出光电子,阴极释放的电子在电场的作用下向阳极迁移,回路中将形成光电流。光电流的大小与光电管两极间电压及光电管阴极的光通量(光通量与光强成正比)都有关。
设光电管的阴极面积为 ,阴极与发光强度为的点光源间的距离为 ,由光度学理论可知,点光源到达的光通量为
上式表明,点光源在光电管阴极表面 的光通量与光源的发光强度成正比,与 到光源的距离 的平方成反比。
当光电管两极间的加速电压在能产生饱和光电流的某一定值时,保持点光源发光强度不变,光电流与阴极表面的光通量的关系可根据该式来进行研究。改变点光源与光电管之间的距离 ,测出饱和光电流 与 的关系曲线即可知 与 的关系。若 与 的关系为一直线,如图5.12-3所示,即验证了光电流与入射光光通量的线性关系。
①使小灯电流降低 ,重复步骤(3)、(4),测读并记录实验数据。注意不要改变光源与光电管的距离。
②使暗箱滑板距离为 (一般取 左右),重复步骤(3)、(4),测读并记录实验数据。注意不要改变灯电流值的大小。
(6)根据记录数据,绘制三条伏安特性曲线。
2.测定饱和光电流与阴极上光通量的关系
(1)根据光电管伏安特性的实验结果,在产生饱和光电流的电压区域中取一电压值(注意不要取拐点,取饱和区域中间点),加在光电管的两极上并保持不变。注意光源电流值不改变。
学 时 3个学时
一、前言
光电效应是指在光的作用下,从物体表面释放电子的现象,所逸出的电子称为光电子。这种现象是1887年赫兹研究电磁波时发现的。在光电效应中,光不仅在被吸收或发射时以能量 的微粒出现,而且以微粒形式在空间传播,充分显示了光的粒子性。
1905年爱因斯坦引入光量子理论,给出了光电效应方程,成功地解释了光电效应的全部实验规律。1916年密立根用光电效应实验验证了爱因斯坦的光电效应方程,并测定了普朗克常量。爱因斯坦和密立根都因为光电效应方面的杰出贡献,分别获得1921年和1923年诺贝尔物理学奖。而今光电效应已经广泛地应用于各科技领域,例如利用光电效应制成的光电管、光电倍增管等光电转换其间,把光学量转换成电学量来测量。光电元件已成为石油钻井、传真电报、自动控制等生产和科研中不可缺少的元件。
四、实验内容与步骤
1.测光电管的伏安特性曲线
(1)按图5.12-4接好线路,使光电管阳极为高电势,检查正负极插线无误后,打开光电效应仪的电源开关,并预热10分钟。
(2)选取合适的小灯电流值。测量前先测出小灯泡与光电管阴极间的初始间距 ,并记录。使光源与光电管阴极的距离为 ,并保持不变,顺时针调节电压调节旋钮,达到最大值,给光电管加的电压,再顺时针调节电流调节旋钮,保证光电流不逸出即可,记下小灯电流值。
(2)无光照时,加上外加电压,光电管中仍有微弱的电流流过,称为暗电流。形成暗电流的主要原因是阴极在常温下的热电子发射,以及阴极和阳极之间的绝缘不良造成漏电。
(3)阳极和阴极材料不同引起不同的接触电势差。
由于上述因素,实验中所测得的光电管临界截止电压要比真正的临界截止电压值小。光电特性曲线也存在着截距 (理论上在 时, ),对此我们应加以分析。
(3)设有直线方程 ,根据所测数据用最小二乘法求出该直线的斜率 、截距 以及相关系数 ,由拟合的方程在(2)中的坐标纸上绘制光电管的 曲线,并作曲线分析。
六、注意事项
1.实验仪器在打开后要预热10分钟。
2.光源电流不得超过 ,如光源电流过大,容易烧坏灯泡。
3.注意光源与光电管的距离,应为光源与光电管阴极的初始距离加上暗箱滑板的读数的值(即 )。
(3)研究光电管正向伏安特性。记下暗箱滑板距离 (一般取 左右,注意小灯泡与阴极间距 应为 ,并保持不变,调节电压调节旋钮,观察光电管加上正向电压时的伏安特性,然后使电压由 逐步降到 。每降低 (或 )测读一次相应的光电流值,测量次数不少于 次。由于光电管的伏安特性为非线性曲线,因此,在非线性区域,测试点应多一些。
二、实验仪器
暗匣(内装光电管及小灯泡及米尺);光电效应实验仪(包括 稳压电源、 可调稳压电源、 位数子电压表和电流表,分别指示光电管电压、光源电流和光电流、调节光电管电压的电位器、调小灯电流的可变电阻)。
三、实验原理
金属或金属化合物在光的照射下有电子逸出的现象,称为光电效应,或称为光电发射。产生光电发射的物体表面通常接电源负极,所以又称为光电阴极,光电阴极往往不由纯金属制成,而常用锑钯或银氧钯的复杂化合物制成,因为这些金属化合物阴极的电子逸出功远较纯金属小,这样就能在较小光照下得到较大的光电流。把光电阴极和另一个金属电极-阳极仪器封装在抽成真空的玻璃壳里就成了光电管。光电管在现代科学技术中如自动控制、有声电影、电视、以及光讯号测量等方面都有重要的应用。
(4)测临界截止电压。光电管电压为零时光电流不为零,这是因为电子在获得光子能量后就有了动能,仍能到达阳极形成电流。将光电管接线的极性对调,即在光电管两极加上反向电压,使光电管阳极为负电势,慢慢增大反向电压,记下使光电流刚好为零的电压值,即为临界截止电压。注意:这时指示的电流极性与实际电流极性相反。
(5)研究光电管在不同光强照射下的伏安特性,采用两种方法。
4
5
6
7
8
9
10
测量次数
(3)小灯电流 距离
测量次数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
测量次数
2.光电特性
极间电压 小灯电流
测量次数
1
2
3
4
5
6
7
89Leabharlann 102.用测得的数据作曲线
(1)在同一坐标纸上以光电流 为纵轴,加速电压 为横轴,绘制光电管的三条伏安特性曲线,并作曲线分析。
(2)在坐标纸上以饱和光电流 为纵轴,点光源到阴极距离的平方的倒数 为横轴,绘制光电管的光电特性曲线。(见下面)
7.仪器使用完后,将电压旋钮和光源电流调至最小,以免启动仪器时,电流过大烧坏灯泡。
七、教学后记
1.实验测量光电管伏安特性时,比书上要多一条曲线,这是因为实验中我们通过两种方式(改变光源电流和光源到光电管的距离)来改变照在光电管的光强,因此在检查预习和讲课中要提醒学生多画一个表格记录数据。
2.学生上学期理论课中已经对光电效应知识进行了学习,因此这个实验的授课多采用提问和讨论的方式,和学生共同探讨本实验的意义,以及光电管的伏安特性曲线的特点和物理解释。
4. 在研究伏安特性中,需确定光源电流值,应先将电压调至最大,再调光电源电流到达合适位置,以保证光电流不溢出。
5. 在研究光电特性中,选取饱和光电流的电压值最好不要选取拐点,因为拐点不稳定,一般选取饱和区域中间值,以确保能够获得饱和光电流。
6.在研究光电特性中,暗箱滑板从里往外拉,以保证光电流不溢出。
由于光电流从阴极表面逸出时具有一定的初速度 ,所以,当两极间电压为零时,仍有光电流 存在,若阳极 为低电势,则电子被减速。当减速电压加到某一值时,飞出的电子被遏制,光电流随之减少为零,此时的减速电压 称为临界截止电压(亦称遏止电压)。则有
由爱因斯坦光电效应方程有
上式说明临界截止电压与光的强度无光。
2.光电流与阴极表面光通量的关系
1905年爱因斯坦提出“光子”概念,光是由一些能量 的粒子组成的粒子流。按照光子理论,光电效应是光子与电子碰撞,光子把全部能量( )传给电子,电子获得的能量,一部分用来克服金属表面对它的束缚,另一部分成为该电子(光电子)逸出金属表面后的动能。根据能量守恒有
该式就是著名的爱因斯坦光电效应方程。由于一个电子只能吸收一个光子的能量,该式表明光电子的初动能与入射光的频率呈线性关系,与入射光子数无关。
(2)将光源放在离光电管较近的位置,通过拖动暗箱滑板,使光电管阴极逐渐远离光电管,记下暗箱滑板读数 (每次改变 或 )及对应的饱和光电流值 。至少测读 组数据。
五、数据表格及数据处理
1.伏安特性
(1)初始距离 小灯电流 米尺读数
测量次数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
测量次数
(2)小灯电流 距离
测量次数
1
2
3
3.该实验仪器使用简单,因此学生都能成功顺利完成实验,在检查数据时要求他们粗略画出图象,回去后再用坐标纸描点。
4.在实验中最易出现的错误有:①测量数据时,没有关闭暗箱;②测量伏安特性时,同时改变光源电流和光源到光电管阴极间距,或在第二次测量时减小光源电流,第三次测量时减小光源到光电管阴极间距。
课 题光电管特性的研究
1.了解光电效应实验的基本规律和光的量子性;
教 学 目 的 2.测定光电管的伏安特性,研究光电流强度与加在光电管两极间电压的关系;
3.测定光电管的光电特性,研究光电流强度与照在光电管阴极上光通量的关系。
重 难 点 1.光电管的伏安特性和光电特性;
2.最小二乘法处理数据。
教 学 方 法 讲授、讨论、实验演示相结合。
实际上,实验中使用的点光源都不是理想的点光源,而具有一定的发光面积,但只要光电管与光源足够远,可以近似地把它看作点光源。