全极性霍尔传感器开关

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开关霍尔在dc电机中的位置检测应用

开关霍尔在dc电机中的位置检测应用

开关霍尔在DC电机中的位置检测应用在现代工业控制系统中,直流(DC)电机是非常常见的设备,广泛应用于各种领域,如汽车行业、家用电器、机械制造等。

对于DC电机的位置检测,开关霍尔传感器是一种非常有效的方案,它可以精准地检测电机转子的位置,从而实现精密的控制和定位。

本文将从深度和广度的角度探讨开关霍尔在DC电机中的位置检测应用,并共享我对这一主题的个人观点和理解。

1. 开关霍尔传感器的基本原理在讨论开关霍尔在DC电机中的位置检测应用之前,首先需要了解开关霍尔传感器的基本原理。

开关霍尔传感器是一种利用霍尔效应来检测磁场的变化的传感器。

当传感器周围的磁场发生变化时,霍尔元件会感应出一个电压信号,从而实现对磁场变化的检测。

而对于DC电机来说,其转子周围通常会安装有永磁体,通过检测永磁体的位置,就可以确定电机转子的位置。

开关霍尔传感器可以通过检测永磁体的位置,来实现对电机转子位置的准确检测。

2. 开关霍尔在DC电机中的位置检测方式在实际应用中,开关霍尔传感器可以通过不同的方式来检测DC电机转子的位置。

最常见的方式包括单极性和双极性两种。

在单极性检测中,只需要一个开关霍尔传感器,通过检测永磁体的南北极性来确定转子的位置。

而在双极性检测中,则需要两个开关霍尔传感器,可以通过检测永磁体的两个相邻位置来实现更精确的位置检测。

还可以通过多极性检测或者安装多个传感器来实现更高精度的位置检测,不同的应用场景可以选择不同的检测方式来满足要求。

3. 开关霍尔在DC电机控制中的应用开关霍尔在DC电机中的位置检测应用不仅可以用于确定电机转子的位置,还可以在电机控制系统中发挥重要作用。

通过实时监测电机转子的位置,可以实现精准的电机控制,包括速度控制、位置控制和力矩控制等。

在一些特殊的应用中,还可以利用开关霍尔传感器检测电机转子的位置来进行故障诊断和预测维护,提高设备的可靠性和稳定性。

4. 个人观点和总结作为一种有效的位置检测方案,开关霍尔在DC电机中的应用具有广泛的前景和潜力。

4种霍尔开关Hall IC的介绍及原理

4种霍尔开关Hall IC的介绍及原理

有四品种型的开关霍尔传感器霍尔开关hall ic:单极、双极、锁存、全极霍尔开关的输出端是以磁感应强度B 来表征的,当B 值到达一定的水平(如B1)时,霍尔开关外部的触发器翻转,霍尔开关的输入电平形态也随之翻转。

输入端普通采用晶体管输入,和接近开关相似有NPN、PNP、常开型、常闭型、锁存型(双极性)、双信号输入之分。

霍尔开关具有无触电、低功耗、长运用寿命、呼应频率初等特点,外部采用环氧树脂封灌成一体化,因此能在各类恶劣环境下牢靠的任务。

霍尔开关可使用于接近开关,压力开关,里程表等,做为一种新型的电器配件。

单极霍尔:AH44E AH44L AH443 AH201 ATS137 AH543 S3144 S137 A3144 A04E A1101 用于无触点开关,汽车点火器,刹车电路,地位、转速检测与控制,平安报警安装,纺织控制零碎……双极霍尔AH513 AH3172 AH413 AH512 AH6851 AH173 AH175 S41 S73276 277 EW732 177 EW632 用于无触点开关,电机风扇线性霍尔:AH49E AH3503 SS495A SS496A A1321LUA A1321EUA 用于运动检测器,齿轮传感器,接近检测器,电流电压功率测量,厚度测量,电动车、汽车调速……全极性微功耗霍尔4913 AH3661 用于手机、水表、相机、笔记本电脑、手电筒……美国ALLEGRO A1104EU A1104EUA A1104LU A1104LUA A1104ELHLT 贴片23封装A1101EU A1101EUA A1101LU A1101LUA A1101ELT 贴片23封装A1102LLHLT 贴片23封装A3280LUA A1302EUA A1321LUA 美国HONEYWELL SS495A SS496A SS496B SS413A SS411A 日本AKE EW732 EW6321 EW512 HW302B HW322B (是HW302B的晋级产物)德国MELEXIS 17CA MLX90217A1104开关型霍尔的任务原理霍尔开关hall ic霍尔传感器的外形图和与磁场的作用关系。

全极霍尔开关DH481

全极霍尔开关DH481

CMOS Omnipolar High Sensitivity Micropower Hall Switch 1.Featuresf¾ Micropower consumption for battery powered applications¾ Omnipolar, output switches with absolute value o North or South pole from magnet ¾ Operation down to 2.5V¾ High sensitivity for direct reed switchreplacement applicationsChopper stabilized amplifier stage 2.DescriptionIC is fabricated from mixed signal CMOS technology .It incorporates advanced chopper-stabilization techniques to provide accurate and stable magnetic switch points.The circuit design provides an internally controlled clocking mechanism to cycle power to the Hall element and analog signal processing circuits. This serves to place the high current-consuming portions of the circuit into a “Sleep” mode. Periodically the device is “Awakened” by this internal logic and the magnetic flux from the Hall element is evaluated against the predefined thresholds. If the flux density is above or below the Bop/Brp thresholds then the output transistor is driven to change states accordingly. While in the “Sleep” cycle the output transistor is latched in its previous state. The design has been optimized for service in applications requiring extended operatingill be latched on (Bop) in the presence of a sufficiently strong South or North magnetic field facing the marked side of the package. The output will be latched off (Brp) in the absence of a magnetic field.深圳凯祥科技有限公司The 248 Omnipolar Hall effect sensorThe output transistor of the 248 wDH481The DH481 Omnipolar Hall effect sensorThe output transistor of the DH481 w3.Applications¾ Solid state switch¾ Handheld Wireless Handset Awake Switch ¾ Lid close sensor for battery powered devices¾ Magnet proximity sensor for reed switch replacement in low duty cycleapplications4.Typical Application CircuitEastera's pole-independent sensing technique allows for operation with either a north pole or south pole magnet orientation, enhancing the manufacturability of the device. The state-of-the-art technology provides the same output polarity for either pole face.It is strongly recommended that anexternal bypass capacitor be connected (in close proximity to the Hall sensor) between the supply and ground of the device to reduce both external noise and noise generated by the chopper-stabilization technique. This is especially true due to the relatively high impedance of battery supplies.EST2485.Functional Block Diagram深圳凯祥科技有限公司DH4816.PinningMark ViewPin Description7.Internal Timing Circuit8.Absolute Maximum RatingsParameterSymbol Value Units Supply V oltage(operating) V DD 6 V Supply Current I DD 5 mA Output V oltage V OUT 6 V Output Curent I OUT 5 mA Operating Temperature Range to 85 T A -40°CStorage Temperature Rang to 150 T S -50°C ESD Sensitivity - 4000 VExceeding the absolute maximum ratings ma ause perm ge. Exposure to m rated conditions for exten d periods ffect device reliability. y c anent dama absolute-maximu de may aNAMENOSTATUSDESCRIPTIONVdd 1 P Power SupplyOut 2 O output Gnd 3PIC Ground3深圳凯祥科技有限公司DH481深圳凯祥科技有限公司.DC Electrical CharacteristicsDC Operating Parameters: T A = 25℃, V DD =2.75V . 9Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Units Operating voltageV DD Operating 2.5 3 5.5 VSupply current I DD Average 5 μAOutput CurrentI OUT 1.0 mA S I OUT =1mA aturation V oltage V SAT 0.4 V Awake mode time T AW Operating 175 μS Sleep mode time T SLOperating 70 mS0.Magnetic CharacteristicsOperating Parameters: T A = 25℃, V DD =2.75V DC .1PARAMETER Symbol Min Type Max Units Operating Point Bop +/-35 +/-60Gs Release Point Brp +/-5 +/-21 GsHysteresis Bhys - 14 Gs11.ESD Protection) tests according to: Mil. Std. 883F method 3015.7Human Body Model (HBM Limit Values Parameter Symbol Min MaxUnit NotesESD Voltage V ESDkV ±445216+/-2012.Performance Characteristics深圳凯祥科技有限公司DH481 13.Unique FeaturesCMOS Hall IC TechnologyThe chopper stabilized amplifier uses switched capacitor techniques to eliminate the amplifier offset voltage, which, in bipolar devices, is a major source of temperature sensitive drift. CMOS makes this advanced technique possible. The CMOS chip is also much smaller than a bipolar chip, allowing very sophisticated circuitry to be placed in less space. The small chip size also contributes to lower physical stress and less power consumption.Installation CommentsConsider temperature coefficients of Hall IC and magnetics , as well as air gap and life time variations. Observe temperature limits during wave soldering. Typical IR solder-reflow profile:¾No Rapid Heating and Cooling.¾Recommended Preheating for max. 2minutes at 150°C¾Recommended Reflowing for max. 5seconds at 240°C14.ESD PrecautionsElectronic semiconductor products are sensitive to Electro Static Discharge (ESD). Always observe Electro Static Discharge control procedures whenever handling semiconductor products.15.Package Information15.1 SOT-23 Package Physical Characteristics0.20MINEnd ViewNotes:1). PINOUT: Pin 1 VDD Pin 2 Output Pin 3 GND2). All dimensions are in millimeters ;Marking:yy -- last 2 digit of year ;m -- “A”-“Z”, Production Lot ;SOT-23 Package Hall Location48 -- Code of Device ( DH481 )15.2TSOT-23 Package Physical CharacteristicsDH481DH481TSOT-23 Package Hall Location15.3 TO-92 Package Physical CharacteristicsNotes:1). Controlling dimension : mm ;2). Lesds must be free of flash and plating voids ; 3). Do not bend leads within 1 mm of lead to packageinterface ;4). PINOUT: Pin 1 VDD Pin 2 GND Pin 3 OutputSensor Location16. O rdering InformationPart No. Temperature Suffix Package Code0℃to 85℃) UA( TO-92S) SO(SOT-23) ST(TSOT-23)(4DH481。

霍尔传感器(Hall Sensor)分类和工作原理及其应用

霍尔传感器(Hall Sensor)分类和工作原理及其应用

一,霍尔传感器(Hall Sensor)分类单极霍尔开关、双极霍尔开关、全极霍尔开关、无极霍尔开关、贴片霍尔开关、玩具霍尔开关、插件霍尔开关二,霍尔传感器(Hall Sensor)工作原理什么是霍尔传感器?霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。

霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低,霍尔电压值很小,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,就能使该电压放大到足以输出较强的信号。

若使霍尔集成电路起传感作用,需要用机械的方法来改变磁感应强度。

霍尔效应传感器属于被动型传感器,它要有外加电源才能工作,这一特点使它能检测转速低的运转情况。

直流电机在转动过程中,绕组中的电流要不断地改变方向,以使转子向一个方向转动。

其中,有刷电机是采用电刷与换相器通过机械接触的方式进行换相的。

所以电刷在高速转动的时候会产生很大磨损,需要经常清理碳屑,如果电刷完全磨损了需要更换电刷,这都使得有刷电机的使用保养难度大大增强。

而无刷电机则是通过霍尔传感器检测出绕组实时运转位置的信号,再通过微处理器或专用芯片对采集的信号进行处理,并实时控制相应的驱动电路对电机绕组进行控制。

由于无刷电机的换相是通过传感器及相关电路进行的,所以无刷电机没有电刷与换相器的机械接触与磨损,不需要经常换电刷等易损器件,从而可有效提高电机的使用寿命,减少维修费用。

手机中的霍尔传感器(Hall Sensor),作用原理是霍尔磁电效应,当电流通过一个位于磁场中的导体时,磁场会对导体中的电子产生一个垂直于电子运动方向上的的作用力,从而在导体的两端产生电势差。

主要运用在翻盖解锁、合盖锁定屏幕等功能当中。

玩具用双输出霍尔开关DH482DH482是由混合信号CMOS工艺制造的霍尔IC,元件内部采用先进的斩波稳定技术,因而能提供准确和稳定的磁转换点。

DH482有两个输出,输出1对S极敏感,输出2对N极敏感。

产品特性及优点•微功耗电池供电应用•极性判断,在两个极性上都有输出(输出1:S极输出,输出2:N极输出)•工作电压可低至1.8V•高灵敏度•CMOS输出>> 产品应用领域•固态开关•无绳手机提醒开关•翻盖式手机屏保开关•磁极性传感器玩具用微功耗霍尔开关DH621是较新出现的类型,等同对待S极和N极,也被称为。

霍尔开关原理图

霍尔开关原理图

霍尔开关原理图霍尔开关是一种利用霍尔效应工作的传感器,它可以在磁场的作用下产生电压信号,从而实现对磁场的检测和测量。

在实际应用中,霍尔开关被广泛应用于汽车、电子设备、工业自动化等领域,起着重要的作用。

首先,我们来看一下霍尔开关的原理图。

霍尔开关的原理图主要由霍尔元件、电源、输出端等组成。

在电路中,霍尔元件是起到感应磁场并产生电压信号的关键部件。

电源则是为霍尔元件提供工作所需的电能,一般为直流电源。

输出端则是将霍尔元件产生的电压信号转化为可用的电信号输出,以便后续的控制和处理。

在实际的电路中,霍尔开关的原理图可以根据具体的应用需求进行调整和改进。

例如,在汽车领域中,霍尔开关可以用于检测发动机的转速,从而实现点火系统的精准控制。

在工业自动化领域中,霍尔开关可以用于检测传送带的运动状态,实现对生产线的自动控制。

因此,霍尔开关的原理图可以根据不同的应用场景进行定制化设计,以满足具体的功能需求。

除了原理图的设计,霍尔开关的工作原理也是非常重要的。

当有磁场作用于霍尔元件时,霍尔元件内部的载流子会受到偏转,从而在器件的侧面产生一定的电压信号。

这个电压信号与磁场的强度成正比,因此可以通过测量电压信号的大小来判断磁场的强弱。

同时,霍尔开关还可以根据磁场的极性来输出不同的电信号,实现对磁场极性的检测。

在实际的应用中,霍尔开关具有很多优点。

首先,它具有高灵敏度和快速响应的特点,可以实现对磁场的实时监测。

其次,霍尔开关具有良好的稳定性和可靠性,可以在恶劣的环境下正常工作。

此外,霍尔开关还具有体积小、功耗低、成本低等优点,非常适合集成在各种电子设备中。

总的来说,霍尔开关作为一种重要的传感器,在现代工业和科技领域发挥着重要的作用。

通过对霍尔开关的原理图和工作原理的深入理解,可以更好地应用和设计霍尔开关,满足不同领域的需求。

相信随着技术的不断发展,霍尔开关将会在更多的领域中得到应用,并发挥出更大的作用。

全极霍尔开关 低功耗霍尔元件 HAL248 HALLWEE出品

全极霍尔开关 低功耗霍尔元件 HAL248 HALLWEE出品

释放点
BRPS BRPN
B < BRP, Vout Off B < BRP, Vout Off
磁滞宽度
BHYS |BOPx - BRPx|
*典型数据测试条件 TA = 25℃, VDD=3V,仅作为设计参考。
项目
符号
测试条件
工作点
BOPS BOPN
B > BOP, Vout On
释放点
BRPS BRPN
B < BRP, Vout Off
磁滞宽度
BHYS |BOPx – BRPx|
*典型数据测试条件 TA = 25℃, VDD=3V,仅作为设计参考。
项目
符号
测试条件
工作点
BOPS BOPN
B > BOP, Vout On
释放点
BRPS BRPN
B < BRP, Vout Off
磁滞宽度
BHYS |BOPx - BRPx|
e
1.00
0.04
8
HAL248霍尔开关电路
E1
TSOT23-3
D b
e e1
SIP-3
A1 A2
A
E
L
HAL248
θ
0.2
c
符号
A A1 A2 b c D E E1 e e1 L θ
毫米
最小 最大
0.70 0.90
0.00 0.10
0.70 0.80
0.35 0.50
0.08 0.20
2.82 3.02
英寸 最小 最大
0.02 0.00 0.00
0.00 0.06 0.07 0.04 0.05 0.03 0.04 0.03 0.03 0.00 0.01 0.01 0.01 0.02 0.03

全极性微功耗霍尔开关AR6207

全极性微功耗霍尔开关AR6207

Hall 感应点位置
(2)TSOT23-3 package
微功耗霍尔效应开关
Hall 感应点位置
应用
仪器仪表 PDA 笔记本电脑
功能框图
开关输出 vs. 磁场极性
深圳安尔芯科技有限公司
ShenZhen AnErXin Technology Co.LTD
注意: 磁场加在芯片的丝印面
管脚描述
微功耗霍尔效应开关
名称
VDD GND VOUT
管脚编号
TO-92S TSOT23-3
1
1
2
3
3
典型应用电路
微功耗霍尔效应开关
封装信息 (1)TO-92S package
注意: 所有单位均为毫米。 打标信息: 第一行: 6207-产品名称 第二行: XXYYWW XX – 代码 YY – 封装年份的后两位数 WW – 封装时的星期数
深圳安尔芯科技有限公司
ShenZhen AnErXin Technology Co.LTD
最小值 VDD-0.2
-
典型值 2 3 5 50 25
0.2%
最大值 -
0.2 -
100 -
单位 V V mA uA uA us ms
最小值 -
典型值 ±20 ±15 5
最大值
单位
-
高斯(Gauss)
-
高斯(Gauss)
-
高斯(Gauss)
深圳安尔芯科技有限公司
ShenZhen AnErXin Technology Co.LTD
2
功能
电源电压 地 输出
极限参数
参数 电源电压 磁场强度 工作环境温度 存储环境温度 ESD(HBM)

4913全极型霍尔开关

4913全极型霍尔开关

4913 Hall-effect sensor is a temperature stable, stress-resistant , micro-power switch. Superior high-temperature performance is made possible through a dynamic offset cancellation that utilizes chopper-stabilization. This method reduces the offset voltage normally caused by device over molding, temperature dependencies, and thermal stress.includes the following on a single silicon chip: voltage regulator, Hall voltage generator, small-signal amplifier, chopper stabilization, Schmitt trigger, open-drain output. Advanced CMOS wafer fabrication processing is used to take advantage of low-voltage requirements, component matching, very low input-offset errors, and small component geometries.This device requires the presence of omni-polar magnetic fields for operation. is rated for operation between the ambient temperatures –40℃ and + 85℃ for the E temperature range. The four package styles available provide magnetically optimized solutions for most applications. Package types is an SOT-23(1.1 mm nominal height )The package type is in a lead Halogen Free version was verified by third party Lab.Features and Benefits● CMOS Hall IC Technology ● Solid-State Reliability● Micro power consumption for battery-powered applications● Omni polar, output switches with absolute value of North or South pole from magnet ● Operation down to 2.5 V and Max at 3.5V .● High Sensitivity for direct reed switch replacement applications ● Multi Small Size option● Custom sensitivity selection is available in optional package. ● Pb Free/Green chip is qualified by third party lab.Applications● Solid state switch● Handheld Wireless Handset Awake Switch ( Flip Cell/PHS Phone/Note Book/FlipVideo Set)● Lid close sensor for battery powered devices● Magnet proximity sensor for reed switch replacement in low duty cycle applications4913 4913Functional DiagramNote : Static sensitive device; please observe ESD precautions. Reverse V DD protection is not included. For reverse voltage protection, a 100Ω resistor in series with V DD is recommended.C1:10nF C2:100pF R1:100K ΩTypical Application circuitC1VccAbsolute Maximum Ratings At (Ta=25℃)CharacteristicsValues Unit Supply voltage,(V DD ) 5 V Output V oltage,(V out ) 5 V Reverse voltage, (V DD ) (V OU T ) -0.3 V Magnetic flux density UnlimitedGauss Output current(I OUT )2 mAOperating temperature range, (Ta ) -40 to +85 ℃ Storage temperature range, (Ts ) -55 to +150℃ Maximum Junction Temp,(Tj ) 150℃Thermal Resistance(θJA ) 543 ℃/W (θJC )410 ℃/W Package Power Dissipation, (P D )230 mWNote: Exceeding the absolute maximum ratings may cause permanent damage. Exposure to absolute maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.Electrical SpecificationsDC Operating Parameters T A =+25℃, V DD =3.0VParametersTest ConditionsMinTypMaxUnitsSupply Voltage,(V DD ) Operating 2.5 3.5 V Supply Current,(I DD ) Awake State 2.5 4.0 mA Sleep State 8.0 12 μA Average 10 16 μA Output Leakage Current,(I off ) Output off 1 uA Output Low Voltage,(V sat ) I OUT =1mA 0.3 V Awake mode time,(T aw ) Operating 70 uS Sleep mode time,(T SL ) Operating 70 mS Duty Cycle,(D,C )0.1% Operate Point, (B OPS ) S pole to branded side, B > BOP , V out On 6 60 Gauss (B OPN ) N pole to branded side, B > BOP , V out On -60 -6 Release Point (B RPS ) S pole to branded side, B < BRP, V out Off 5 59 Gauss (B RPN )N pole to branded side, B < BRP, V out Off -60-5 Hysteresis,(B HYS )|BOPx - BRPx|7Gauss4913SO Package Hall Plate Chip Location(Top View) (Bottom view)123NOTES:1. PINOUT (See Top View at left :) Pin 1 V DDPin 2 OutputPin 3 GND2. Controlling dimension: mm3. Lead thickness after solder platingwill be 0.254mm maximumLocation34913。

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全极性霍尔传感器开关
介绍:根据数字输出,霍尔效应集成器件可以分为四种:单极性开关,双极性开关,全极性开关和锁存型开关。

本文主要来阐述全极性开关。

全极性霍尔开关又被称作全极性开关,是一种在强的南磁场和强的北磁场下均工作的,数字量输出的锁存型开关。

这简化了产品的应用,因为对于全极性器件而言,可以不考虑磁铁的极性来进行安装。

一个拥有足够强磁性的单极磁铁可以令器件工作。

器件导通之后,全极性器件将一直保持导通状态,直到磁场被移走,器件才恢复关断的状态。

器件锁存住变化之后的状态,一直保持关断,直到一个新的足够强的磁场再一次到来。

一个用来检测车辆换挡杆位置的应用,如图1.换挡杆引用一个磁铁(紫色的缸)。

黑盒子组成的黑色的线是一个全极性开关器件组成的阵列。

当驾驶员移动换挡杆,磁铁便会在阵列当中移动。

靠近磁铁的器件会打开处于导通状态,但是更多远离磁铁的器件是不受影响的,是关断的。

无论是磁铁的南极或北极都可以面向霍尔器件,霍尔器件的商标面朝向磁铁。

图1 一个全极性开关的应用。

超小型的霍尔开关,
换挡的时候,磁铁(紫色)向在他们之间移动
磁场开关点的定义:
B为磁场强度,用来表示霍尔器件的开关点,单位是GS(高斯),或者T(特斯拉),转换关系是1GS=0.1mT。

B磁场强度有南极和北极之分,所以有必要记住它的代数关系,北极磁场为负数,南极磁场为正数。

该关系可以比较南极北极磁场的代数关系,磁场的相对强度是由B的绝对值表示,符号表示极性。

例如:一个-100GS(北极)磁场和一个100GS(南极)磁场的强度是相同的,但是极性相反。

-100GS的强度要高于-50GS。

• BOP –磁场工作点;使霍尔器件打开的磁场强度。

器件输出的参数取决于器件的电学设计。

• BRP –磁场释放点;使霍尔器件关断的磁场强度。

器件输出的参数取决于器件的电学设计。

•BHYS –磁开关点滞回窗口。

霍尔元件的传输功能利用开关点之间的这个差值来过滤掉在应用中可能由于机械振动或电磁噪声引
起磁场的小的波动值。

BHYS = | BOP − BRP |.
典型工作状态
全极性霍尔传感器的开关点是关于B=0对称的,如图2。

开关点在与之相反的极性上是具有等效的强度的。

比如,器件的南极
BOP=60GS,BRP=30GS,那么它的北极BOP=-60GS,BRP=-30GS。

锁存最新的工作状态,避免受外部微弱磁场的影响。

图2A全极开关的输出特性
图2A全极开关的输出特性
全极性器件在任何足够强的极性的磁场下打开的时候,输出高电平(图2A)(几乎达到Vcc)还是低电平(图2B)(输出管的Vout,一
般小于200mV),取决于器件输出级的设计。

全极性开关在一个较小的磁场内关断,输出为一个与导通时极性相反的信号。

磁场强度在滞回窗口内的时候,器件的状态不转换。

另外,当外部为弱磁场(BRPn <BBRPs)时,锁存当前的状态可以避免器件状态转换。

在器件状态再次转换前,没有必要经过B=0GS这个点。

一个知道目前状态的器件点可以通过相同或者相反极性的磁场来控制下面的开关状态。

虽然器件可以在任何外部磁场强度的状态下开机,但是为了解释图2由存在北极磁场强度远大于Bop的最远的左边开始,器件导通,输出高电平或者低电平取决于器件的设计。

沿着正确的箭头向右走,北磁场变的越来越弱,当B<Brpn时,器件关断,输出转换为相反的状态。

当磁场强度一直弱于Bopn和Bops(在B=0附近)时,器件一直关断,锁存输出状态不变化。

即使磁场强度超过Brpn和Brps,在Bhys 内的时候,输出状态也一直锁存。

如果强的南极磁场到来,按着向右的箭头,当B>Bops时,器件导通,输出状态再次向相反的状态转换。

如果是强的北极磁场到来,按着向左的箭头,当B强于Bopn时,器件导通,输出回到初始的状态。

上拉电阻
上拉电阻必须连接在电源和输出引脚之间,上拉电阻的阻值一般是1-10kΩ。

最小上拉电阻是传感器最大输出电流(拉电流)和电源的函数。

20mA是一个最大输出电流的典型值,并在此情况下,最
低可拉VCC / 0.020的负载。

如果考虑消耗的电流,上拉电阻可以增大到50-100 kΩ。

注意:如果上拉电阻过大,那么即使外部的磁场是磁关断状态,电路的输出也将是低电平。

这并不是器件的问题,而是在与上拉电阻和传感器IC的输出引脚间发生的电流泄露。

严重的话,会使大幅降低芯片的输出电压,使其失去逻辑功能。

使用滤波电容
参考图3中滤波电容的摆放位置,一般来说:
•对于没有斩波稳定的设计来说,建议在输出和接地之间以及电源和接地之间分别放置一个0.01μF的电容。

•对于斩波稳定设计,必须在电源和地之间放置一个0.1μF的电容,建议在输出和地面之间放置一个一个0.1μF的电容。

图3典型应用图
上电状态
在通电情况下,只有外部磁场大于BOP或者小于BRP的情况下,双极器件才能上电在一个有效的状态。

如果磁场强度是在迟滞带,BOP 和BRP之间,器件保持最初的状态,然后经过一个开关点,达到第一个正确的状态。

器件可以设计一个上电逻辑使器件在开关点到达之前,一直处于关闭状态。

上电时间
上电时间某种程度上取决于器件的设计,数字输出传感器IC,如双极器件,达到初始稳定的上电时间如下:有斩波放大器设计的器件,上电时间<25us,没有斩波放大器设计的器件<4us。

一般说来,在通电之后经历这段时间之前,器件的输出可能处于一个不正确的状态,但是,经过这段时间之后,器件的输出肯定处于一个正确的状态。

功耗
总功耗是两个因素的总和:
•消耗在器件上的功率,不包括在输出端的功率耗散。

这个值的大小是Vcc与电源电流Icc的乘积。

电源电压和电源电流已经在数据表中被指定了。

例如,Vcc=12V,Icc=9mA,功耗为108 mW。

•消耗在输出管上的功率,它的大小是饱和导通电压Vonsat与输出电流Ion(由上拉电阻决定)的乘积。

如果最坏情况下,Vonsat=0.4,Ion=20mA,功耗为8 mW。

由于饱和导通电压的值比较小,所以在输出上的功耗比较小。

在这个例子中消耗的总功率为116mW。

利用这个数字来降低数据表中的额定功率,检查最大允许工作温度是否应该降低。

涉及的应用领域•手机
•无绳电话
•寻呼机
•掌上电脑。

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