CMOS和TTL
TTL和CMOS区别及应用特点
TTL和CMOS区别及应用特点1.工作原理：TTL（Transistor-Transistor Logic）是由双极晶体管构成的数字逻辑家族。
它使用负反馈电路来实现逻辑门的功能。
TTL电路在逻辑高电平（通常为5V）时使输出引脚与电源连接，逻辑低电平（通常为0V）时使输出引脚与地连接。
2.功耗：TTL电路在逻辑高电平和逻辑低电平时都会消耗功耗，无论是否有电流流过。
由于负反馈线性放大，TTL电路的功耗相对较高，通常比CMOS电路高几倍。
CMOS电路只在切换时才会存在短暂的功耗，因为当CMOS器件处于静止状态时，几乎不会有电流流过它们。
因此，CMOS电路的平均功耗更低，适用于低功耗应用。
3.速度：TTL电路的工作速度相对较快。
这是因为TTL电路是由活动区的双极晶体管构成的，具有较低的输出电阻和快速开关速度。
CMOS电路的工作速度相对较慢，因为它是由MOSFET构成的，具有相对较高的输出电阻和较慢的开关速度。
4.应用特点：TTL适用于需要较高的速度和较低的输出电阻的应用，如计算机接口、射频器件等。
CMOS适用于功耗要求较低并且速度要求不高的应用，如移动设备、嵌入式系统、传感器等。
由于CMOS电路具有较低的功耗和较高的抗噪声能力，它还常用于大规模集成电路（LSI）和微处理器设计。
总结：TTL和CMOS是两种不同类型的数字逻辑电路家族，它们在工作原理、功耗、速度和应用特点上有区别。
TTL适用于需要较高速度和较低输出电阻的应用，CMOS适用于功耗要求较低和抗噪声能力要求较高的应用。
根据具体应用需求，选择适合的电路家族可以提供更好的性能和效率。
TTL和CMOS区别及应用特点
TTL和CMOS的区别什么是TTL电平，什么是CMOS电平，他们的区别(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4VCMOS电平Vcc可达到12VCMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
用TTL电平他们就可以兼容(二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。
因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。
5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。
(三)TTL电平标准输出 L： <0.8V ； H：>2.4V。
输入 L： <1.2V ； H：>2.0VTTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。
输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。
CMOS电平：输出 L： <0.1*Vcc ； H：>0.9*Vcc。
输入 L： <0.3*Vcc ； H：>0.7*Vcc.一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下，同电压的是可以的，不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值，看是否能够匹配（VOL要小于VIL，VOH要大于VIH，是指一个连接当中的）。
有些在一般应用中没有问题，但是参数上就是有点不够匹配，在某些情况下可能就不够稳定，或者不同批次的器件就不能运行。
例如：74LS的器件的输出，接入74HC的器件。
在一般情况下都能好好运行，但是，在参数上却是不匹配的，有些情况下就不能运行。
74LS和54系列是TTL电路，74HC是CMOS电路。
如果它们的序号相同，则逻辑功能一样，但电气性能和动态性能略有不同。
如，TTL的逻辑高电平为> 2.7V,CMOS 为> 3.6V。
TTL和CMOS全方位比较
TTL和CMOS全方位比较（一）TTL的意思是：Bipolar Transistor-Transistor Logic。
CMOS的意思是：Complementary Metal-Oxide-Semiconductor。
我们都知道，TTL型器件和CMOS型器件实现相同的功能，但是结构上存在很大不同。
这些结构上的不同造成了TTL器件和CMOS器件具有不同的特性。
如图一和图二：图一：图二：一、电源电压：如图Fig.4, CMOS器件工作的电压范围要远大于TTL器件。
不同的CMOS 器件工作的电压范围也不相同，这个问题会在后面的内容介绍。
二、芯片扇出系数：FANOUT指的是一个输出最大可带的负载数量。
这个参数是由输入输出的电流大小来决定的。
在使用TTL器件时，需要特别注意这个参数。
CMOS器件，由于电流小，FANOUT值很大。
如图Fig.5所示，该器件的FANOUT = 5TTL和CMOS全方位比较（二）四、传输延时：Tphl指由高电平变为低电平的延时，Tplh指由低电平变为高电平的延时。
通常情况下，Tphl 不等于Tplh。
这个传输延时将决定芯片可工作的最高频率。
五、消耗功率：功率使用瓦特（watts）来计量。
它代表着芯片在单位时间内消耗的电能。
这是一个很重要的参数。
不同种类的芯片所消耗的功率有很大的不同。
从上面表格中,可以得到以下结论:Ø TTL 器件的工作电压基本相同Ø 各种TTL器件的VOH ，VOL， VIH ，VIL 基本相同Ø 低功耗型器件（ALS,LS）的电流要小于非低功耗型器件（AS,F）Ø 改良型器件的传输延时要小于非改良型器件Ø F型器件的各项参数都处在一个中等水平，是目前广泛采用的一种从上面表格中,可以得到以下结论:Ø CMOS器件可以工作在很大的电压范围Ø 名称中包含T的CMOS器件的VOH ，VOL， VIH ，VIL 和TTL器件相同Ø CMOS器件的功耗要远小于TTL器件。
ttl和cmos的电平范围
ttl和cmos的电平范围（最新版）目录1.TTL 和 CMOS 的定义与特点2.TTL 的电平范围3.CMOS 的电平范围4.TTL 与 CMOS 电平范围的比较5.应用领域与优缺点正文1.TTL 和 CMOS 的定义与特点TTL（Transistor-Transistor Logic）即晶体管 - 晶体管逻辑，是一种数字集成电路技术。
它是通过晶体管的开关状态来表示和传输二进制信号（0 和 1）。
TTL 具有速度快、噪声抗干扰能力强、功耗低等优点，因此在数字电路领域得到了广泛应用。
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）即互补金属氧化物半导体，是另一种数字集成电路技术。
CMOS 电路由 nMOS 和 pMOS 晶体管组成，通过对它们的控制实现对信号的放大和开关。
CMOS 具有低功耗、高噪声抗干扰能力等优点，在现代集成电路设计中占据主导地位。
2.TTL 的电平范围TTL 电平范围通常为 5V，即输入和输出信号的电压在 0V（低电平）和 5V（高电平）之间。
在这范围内，TTL 电路可以正确地识别和传输信号。
3.CMOS 的电平范围CMOS 的电平范围较宽，一般为 3.3V、5V、12V 等。
不同电压等级的CMOS 电路有不同的功耗和性能特点。
低电压 CMOS（如 3.3V）具有更低的功耗，但信号传输速度较慢；高电压 CMOS（如 12V）则具有较快的信号传输速度，但功耗相对较高。
4.TTL 与 CMOS 电平范围的比较虽然 TTL 和 CMOS 都是数字集成电路技术，但它们的电平范围存在差异。
这使得它们在不同应用场景下有各自的优势和局限。
例如，在高速信号传输和低功耗要求的应用中，CMOS 技术具有更好的性能；而在对噪声抗干扰能力要求较高的场景下，TTL 技术可能更为适合。
5.应用领域与优缺点TTL 和 CMOS 技术各自在不同应用领域有优势。
TTL 适合在高速、高噪声抗干扰能力的场景下应用，如计算机内存、数字信号处理器等；CMOS 则在低功耗、高集成度的领域具有优势，如微处理器、手机芯片等。
TTL和CMOS区别及应用特点
TTL和CMOS区别及应用特点TTL和CMOS是两种不同类型的数字逻辑家族，它们有着不同的特点和应用场景。
本文将介绍TTL和CMOS的区别及各自的应用特点。
一、 TTL和CMOS的概述TTL全称为Transistor-Transistor Logic（晶体管数字逻辑），是最早的数字逻辑家族之一，采用的是BJT（双极型晶体管）实现逻辑功能。
而CMOS全称为Complementary Metal-Oxide-Semiconductor（互补金属氧化物半导体），则是后来才出现的一种数字逻辑家族，采用的是MOS（金属氧化物半导体）实现逻辑功能。
TTL的工作电压一般为5V，CMOS的工作电压则为3-15V不等。
由于TTL采用的是BJT技术，因此其功耗较高，同时也具有一定的抗干扰能力。
而CMOS采用MOS技术，功耗极低，但对于干扰较为敏感。
1、工作电压不同TTL和CMOS的最大区别在于工作电压，前者一般为5V，后者则为3-15V不等，这决定了它们在电路设计中的应用场景和特点。
2、功耗不同TTL采用的是BJT技术，其输出电路需要消耗大量电流，因此功耗相对较高；而CMOS采用MOS技术，其输出电路绝缘性能更好，所需电流较小，因此功耗非常低。
3、噪声抑制能力不同TTL的家族是由电晕放电技术发展而来，因此具有很好的噪声抑制能力。
而CMOS则因硅晶管噪声抑制性能较差，对外部噪声干扰比较敏感。
4、时钟速度不同由于CMOS的输出电路不需要消耗大量电流，延时较低，因此在高速电路设计中具有很大的优势。
而TTL的输出电路需要消耗许多电流，且由于BJT的响应速度比较慢，因此在高速电路中相对劣势。
1、 TTL的应用特点TTL适合在逻辑复杂度比较低、工作频率不高的数字电路设计中使用。
由于TTL具有很好的噪声抑制能力，因此可以用于工作环境噪声比较大的场合，比如工厂自动化等领域。
CMOS适用于逻辑复杂度较高、工作频率较高的数字电路设计中。
CMOS与TTL电路的详细对比区别
CMOS与TTL电路的详细对比区别1、CMOS是场效应管构成(单极性电路)，TTL为双极晶体管构成（双极性电路）2、COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作3、CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差4、CMOS 功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）5、CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当6、CMOS 的噪声容限比TTL噪声容限大7、通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。
影响TTL 门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。
电阻数值越大，工作速度越低。
管子的开关时间越长，门的工作速度越低。
门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。
将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。
与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。
CL是主要影响器件工作速度的原因。
由CL 所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。
8、TTL电路是电流控制器件，而coms 电路是电压控制器件。
二、CMOS使用注意事项1）COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。
所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。
2）输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。
3）当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。
4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。
电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。
5）COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。
三、什么叫做图腾柱，它与开漏电路有什么区别？ TTL集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做OC门。
TTL与COM
TTL与CMOS（超级详细！）2推荐TTL与CMOS1，TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2，CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。
哈哈4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。
否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
5，TTL和COMS电路比较：1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
3）COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。
这种效应就是锁定效应。
当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施： 1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。
关于CMOS 和TTL器件的区别
关于CMOS 和TTL器件的区别CMOSTTL：晶体管-晶体管逻辑系列器件TTL输出级有两个晶体管，任何时刻只有一个导通，又是被称为图腾柱，或者推拉式输出；CMOS电路采用p型沟道和n型沟道的三极管来控制导通情况。
2者的输出级都提供有源上拉至高态及下拉至低态的机制。
TTL器件和CMOS器件有着不同的逻辑电平。
电压解释为逻辑0，而将3.5~5V电压解释为逻辑1。
而通常TTL器件采用0~0.8V作为低电平状态（即逻辑0），将2~5V 理解为高电平状态（即逻辑1）。
TTL电平：输出高电平>2.4V 输出低电平<0.4V 噪声容限是0.4V。
CMOS电平：逻辑电平电压接近于电源电压0逻辑电平接近于0V 具有很宽的噪声容限。
但是现在也存在大量与TTL器件相兼容的CMOS 器件（例如HCT,ACT），二者的扇入：理论上说，驱动CMOS输入端的CMOS输出的直流扇出是无限制的，因为无论在低态还是高态，CMOS输入都基本不需要电流，而TTL则不然，TTL输入端作要求的电流大小取决于输入时高态还是低态，由IIHMAX和IILMAX这两个参数指定。
其输出端可提供（吸收）的电流由IILMAX与IIHMAX 确定。
TTL电路是电流控制器件CMOS电路是电压控制器件TTL电路的速度快传输延迟时间短(5-10ns) 但是功耗大，COMS电路的速度慢传输延迟时间长(25-50ns) 但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关频率越高芯片越热TTL器件比CMOS器件消耗更多的吸收电流和提供电流。
CMOS电路的锁定效应CMOS电路由于输入太大的电流内部的电流急剧增大除非切断电源电流一直增大当产生锁定效应时COMS的内部电流能达到很大容易烧毁芯片防御措施在输入端和输出端加钳位电路使输入和输出不超过不超过规定电压芯片的电源输入端加去耦电路防止VDD端出现瞬间的高压在VDD和外电源之间加限流电阻当系统由几个电源分别供电时开关要按下列顺序开启时先开启COMS电路得电源再开启输入信号和负载的电源关闭时先关闭输入信号和负载的电源再关闭COMS电路的电源COMS电路的使用注意事项COMS电路时电压控制器件它的输入总抗很大对干扰信号的捕捉能力很强所以不用的管脚不要悬空要接上拉电阻或者下拉电阻给它一个恒定的电平输入端接低内组的信号源时要在输入端和信号源之间要串联限流电阻使输入的电流限制在1mA之内接长信号传输线时在COMS电路端接匹配电阻当输入端接大电容时应该在输入端和电容间接保护电阻电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMSTTL门电路中输入端负载特性悬空时相当于输入端接高电平因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平输入端出呈现的是高电平而不是低电平因为由TTL门电路的输入端负载特性可知只有在输入端接的串联电阻小于910欧时它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平TTL电路有集电极开路OC门CMOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门它的输出就叫做开漏输出OC门在截止时有漏电流输出因为当三机管截止的时候它的基极电流约等于0 但是并不是真正的为0 经过三极管的集电极的电流也就不是真正的0 开漏输出OC门的输出就是开漏输出OD门的输出也是开漏输出它可以吸收很大的电流但是不能向外输出的电流所以为了能输入和输出电流它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用OD门一般作为输出缓冲/驱动器电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。
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编辑词条CMOSCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件。
是组成CMOS数字集成电路的基本单元。
[编辑本段]发展历史1963年，快捷半导体（Fairchild Semiconductor）的Frank Wanlass发明了C MOS电路。
到了1968年，美国无线电公司（RCA）一个由亚伯·梅德温（Albert Me dwin）领导的研究团队成功研发出第一个CMOS集成电路（Integrated Circuit）。
早期的CMOS元件虽然功率消耗比常见的晶体管-晶体管逻辑电路（Transistor-to-Tr ansistor Logic, TTL）要来得低，但是因为操作速度较慢的缘故，所以大多数应用C MOS的场合都和降低功耗、延长电池使用时间有关，例如电子表。
不过经过长期的研究与改良，今日的CMOS元件无论在使用的面积、操作的速度、耗损的功率，以及制造的成本上都比另外一种主流的半导体制程BJT（Bipolar Junction Transistor，双载子晶体管）要有优势，很多在BJT无法实现或是实作成本太高的设计，利用CM OS皆可顺利的完成。
早期分离式CMOS逻辑元件只有“4000系列”一种（RCA 'COS/MOS'制程），到了后来的“7400系列”时，很多逻辑芯片已经可以利用CMOS、NMOS，甚至是BiCM OS（双载子互补式金氧半）制程实现。
早期的CMOS元件和主要的竞争对手BJT相比，很容易受到静电放电（Electro Static Discharge, ESD）的破坏。
而新一代的CMOS芯片多半在输出入接脚（I/O pin）和电源及接地端具备ESD保护电路，以避免内部电路元件的闸极或是元件中的PN接面（PN-Junction）被ESD引起的大量电流烧毁。
不过大多数芯片制造商仍然会特别警告使用者尽量使用防静电的措施来避免超过ESD保护电路能处理的能量破坏半导体元件，例如安装内存模组到个人电脑上时，通常会建议使用者配戴防静电手环之类的设备。
此外，早期的CMOS逻辑元件（如4000系列）的操作范围可由3伏特至18伏特的直流电压，所以CMOS元件的闸极使用铝做为材料。
而多年来大多数使用CMOS制造的逻辑芯片也多半在TTL标准规格的5伏特底下操作，直到1990年后，有越来越多低功耗的需求与讯号规格出现，取代了虽然有着较简单的讯号接口、但是功耗与速度跟不上时代需求的TTL。
此外，随着MOSFET元件的尺寸越做越小，闸极氧化层的厚度越来越薄，所能承受的闸极电压也越来越低，有些最新的CMOS制程甚至已经出现低于1伏特的操作电压。
这些改变不但让CMOS芯片更进一步降低功率消耗，也让元件的性能越来越好。
近代的CMOS闸极多半使用多晶硅制作。
和金属闸极比起来，多晶硅的优点在于对温度的忍受范围较大，使得制造过程中，离子布值（ion implantation）后的退火（anneal）制程能更加成功。
此外，更可以让在定义闸极区域时使用自我校准（s elf-align）的方式，这能让闸极的面积缩小，进一步降低杂散电容（stray capacitan ce）。
2004年后，又有一些新的研究开始使用金属闸极，不过大部分的制程还是以多晶硅闸极为主。
关于闸极结构的改良，还有很多研究集中在使用不同的闸极氧化层材料来取代二氧化硅，例如使用高介电系数介电材料（high-K dielectric），目的在于降低闸极漏电流（leakage current）。
[1][2][3]CMOS应用一，计算机领域CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，本意是指互补金属氧化物半导体——一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料）是微机主板上的一块可读写的RAM芯片，用来保存当前系统的硬件配置和用户对某些参数的设定。
CMOS 可由主板的电池供电，即使系统掉电，信息也不会丢失。
CMOS ROM本身只是一块存储器，只有数据保存功能，而对CMOS中各项参数的设定要通过专门的程序。
早期的CMOS设置程序驻留在软盘上的(如IBM的PC/AT机型)，使用很不方便。
现在多数厂家将CMOS设置程序做到了BIOS芯片中，在开机时通过按下某个特定键就可进入CMOS设置程序而非常方便地对系统进行设置，因此这种CMOS设置又通常被叫做BIOS设置。
CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成，它的特点是低功耗。
由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么NMOS导通、要么都截至，比线性的三极管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低，因此，计算机里一个纽扣电池就可以给它长时间地提供电力。
在计算机领域，CMOS常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的芯片。
有时人们会把CMOS和BIOS混称，其实CMOS是主板上的一块可读写的ROM芯片，是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。
CMOS可由主板的电池供电，即使系统掉电，信息也不会丢失。
早期的CMOS是一块单独的芯片MC146818A(DIP封装)，共有64个字节存放系统信息。
386以后的微机一般将MC146818A芯片集成到其它的IC芯片中(如82 C206，PQFP封装)，586以后主板上更是将CMOS与系统实时时钟和后备电池集成到一块叫做DALLDA DS1287的芯片中。
随着微机的发展、可设置参数的增多，现在的CMOS RAM一般都有128字节及至256字节的容量。
为保持兼容性，各BIOS 厂商都将自己的BIOS中关于CMOS ROM的前64字节内容的设置统一与MC146818A的CMOS ROM格式一致，而在扩展出来的部分加入自己的特殊设置，所以不同厂家的BIOS芯片一般不能互换，即使是能互换的，互换后也要对CMOS信息重新设置以确保系统正常运行。
CMOS的设置内容大致都包含如下可设置的内容：1.Standard CMOS Setup：标准参数设置，包括日期，时间和软、硬盘参数等。
2.BIOS Features Setup：设置一些系统选项。
3.Chipset Features Setup：主板芯片参数设置。
4.Power Management Setup：电源管理设置。
5.PnP/PCI Configuration Setup：即插即用及PCI插件参数设置。
6.Integrated Peripherals：整合外设的设置。
7.其他：硬盘自动检测，系统口令，加载缺省设置，退出等微电子学中的CMOS概念：CMOS，全称Complementary Metal Oxide Semiconductor，即互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。
采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）集成在一块硅片上。
该技术通常用于生产RAM和交换应用系统，在计算机领域里通常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的ROM芯片。
CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成，它的特点是低功耗。
由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么NMOS导通、要么都截至，比线性的三极管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。
二，数码相机领域CMOS制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件（常见的有TTL和C MOS），尤其是片幅规格较大的单反数码相机。
虽然在用途上与过去CMOS电路主要作为固件或计算工具的用途非常不同，但基本上它仍然是采取CMOS的工艺，只是将纯粹逻辑运算的功能转变成接收外界光线后转化为电能，再透过芯片上的模-数转换器（ADC）将获得的影像讯号转变为数字信号输出。
相对于其他逻辑系列,CMOS逻辑电路具有一下优点:1、允许的电源电压范围宽,方便电源电路的设计2、逻辑摆幅大,使电路抗干扰能力强3、静态功耗低4、隔离栅结构使CMOS期间的输入电阻极大,从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多三，媒介研究方法，CMOS 跨媒体优化研究(Cross Media Optimization Stud y)美国IAB 互动广告署(Internet Advertising Bureau) 于2003年起联合知名品牌广告主、媒体、媒介代理等参与方，共同推动XMOS 跨媒体优化研究(Cross Media Optimization Study)，吸引多芬、麦当劳、福特、ING等众多品牌参与，以及G oogle, Yahoo, AOL、MSN、cnet等媒体。
IAB 在英国、欧洲、澳大利亚等互联网广告较为成熟的国家同步推进，对于提高广告投放ROI形成了非常有效的指导和帮助调研公司Dynamic Logic等也在美国市场推动跨媒体研究，包含电视、互联网、平媒、户外等媒介评估，帮助广告主优化媒介、营销方法。
四、CMOS集成电路介绍自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路（IC）后，随着硅平面技术的发展，二十世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路，它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃。
CMOS是:金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。
由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC（Complementary MOS Integrated Circuit）。
目前数字集成电路按导电类型可分为双极型集成电路（主要为TTL）和单极型集成电路（CMOS、NMOS、PMOS等）。
CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。
CMOS发展比TTL晚，但是以其较高的优越性在很多场合逐渐取代了TTL。
以下比较两者性能，大家就知道其原因了。
1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成2.CMOS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差4.CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）5.CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。
集成电路中详细信息：1,TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。