第6章 光电成像器件

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第6章-光电成像技术

第6章-光电成像技术
【实训目的】 1.熟悉CCD检测技术的应用场合; 2.掌握CCD检测系统组合及测试系统原理。 【实训器材】 电子教案,多媒体教学系统 【实训内容及步骤】
2021/5/6
6.5 CMOS图像传感器
【任务要求】 通过对CMOS图像传感器理论知识的学习,掌握
CMOS图像传感器的基本知识,熟悉其特性参数。
6. 像管的时间响应特性
7. 空间分辨特性
6.2 像管的学生对像管知识的
理解。
2021/5/6
6.2.1 主动红外夜视仪的实训
【实训目的】 1. 掌握红外夜视仪的工作原理; 2. 对红外夜视仪的应用有一定的了解。 【实训器材】 多媒体教学系统,电子教案 【实训内容】
6.5.1 CMOS图像传感器的认识
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor), 即“互补金属氧化物半导体”,是电压控制的一种放 大器件,是组成CMOS数字集成电路的基本单元。
1. CMOS成像器件的结构原理
CMOS成像器件主要组成部分是像敏单元阵列和MOS场效 应管集成电路,而且这两部分是集成在同一硅片上的。像 敏单元阵列实际上是光电二极管阵列,它也有线阵和面阵 之分。
6.3.2 电荷耦合器件的特性参数
1. 电荷转移效率和转移损失率 电荷转移效率是表征CCD器件性能好坏的一个重要参数。
设原有的信号电荷为Q0,转移到下一个电极下的信号电 荷Q1,
η =Q1 % Q0
2021/5/6
2. 暗电流 CCD图像器件在既无光注入又无电注入情况下的输出信号
称为暗电流。 3. CCD的噪声源 CCD的噪声源可归纳为三类:散粒噪声、转移噪声及热噪
1. 认识红外焦平面阵列器件 红外焦平面阵列是获取景物红外辐射信息的重要光电

光电成像器件的技术现状和发展趋势

光电成像器件的技术现状和发展趋势

光电成像器件的发展趋势
近年来,利用光电成像器件构成图像传感器进 行光学图像处理与图像测量已成为现代光学仪器、 现代测控技术的重要发展方向。它广泛应用于遥感、 遥测技术、图形图像测量技术和监控工程等,成为 现代科学技术的重要组成部分。
光电成像器件的最新发展方向
从对光电成像器件的技术要求出发,讨论一下 光电成像器件(CCD,CMOS)的前沿发展方向和技 术升级可能采取的道路,现有的光电成像器件主要需 要在以下几个地方进行改进: 1) 提高分辨率
目前国内正在研制和开发的CCD有:512×512 像元X射线CCD、512×512像元光纤面板耦合CCD 像敏器件、512×512像元帧转移可见光CCD、 1024×1024像元紫外CCD、1024像元X射线CCD、 微光CCD和多光谱红外CCD等。但目前国内CCD器 件的研究进展尚不够迅速,与国际先进水平相比还有一 定的差距。传统CCD由于光电二极管是矩形的,其尺 寸受到限制。制造商们尽管不断增加像素以提高图像 质量,同时缩小像素和光电二极管面积,但光吸收的低 效率已成为提高感光度、信噪比和动态范围的另一障 碍。
美国是世界上最早开展CCD研究的国家,也是目前 投入人力、物力、财力最多的国家,在此应用研究领域 一直保持领先的地位。贝尔实验室是CCD研究的发源 地,并在CCD像感器及电荷域信号处理方面的研究保持 优势。在CCD传感器和应用电视技术方面,美国以高清 晰度、特大靶面、低照度、超高动态格昂 贵、而且又受到国家的严格管制。
光电成像器件
光电成像器件简介 光电成像器件的技术现状 光电成像器件的发展趋势
光电成像器件简介
光电成像器件:利用光电效应将可见或非可 见的辐射图像转换或增强为可观察、记录、 传输、存储以及可进行处理的图像的器件 系列的总称。其目的在于弥补人眼在灵敏 度、响应波段、细节的视见能力以及空间 和时间上的局限等方面的不足。最早的一 种光电成像器件──光电析像管出现于 1931年。

光电成像器件

光电成像器件
由于红外辐射的波长较长,能透过它的材料很少,因而大都采用反射式红外光学系统。按反射镜截面的形状不同,反射系统有球面形、抛物面形、双曲面形或椭球面形等几种。
牛顿光学系统:
卡塞格伦系统:
格利高利系统:
(3)折反射组合式光学系统
施密特系统:
马克苏托夫系统:
2.扫描系统
平行光束扫描
会聚光束扫描
作业:P204: 5.4
(1)光学系统应对所工作的波段有良好的透过性能。
(2)光学系统在尺寸、像质和加工工艺许可的范围内,应具有尽可能大的相对孔径,以保证系统有高的灵敏度。
(3)光学系统应对背景噪声有较强的抑制能力,提高输入信噪比。
(4)光学系统的形式和组成应有利于充分发挥探测器的效能,如合理利用光敏元面积,保证高的光斑均匀性等。
串联扫描并联扫描串并联混合扫描
2.电子束扫描方式
3.固体自扫描方式
上述的分类方法不是绝对的,有的光电成像系统是不同扫描方式的结合。
从目前情况看,光机扫描及固体自扫描方式的光电成像系统占主导地位。
二、光电成像系统的基本技术参数
1.光学系统的通光口径D和焦距f/
2.瞬时视场角α、β
3.观察视场角WH、WV
4.帧时Tf和帧速
5.扫描效率η
6.滞留时间
对光机扫描系统而言,物空间一点扫过单元探测器所经历的时间称为滞留时间 ,探测器在观察视场中对应的分辨单元数为:
由 的定义,有:
光电成像系统的综合性能参数是在以上各基本技术参数的基础上作进一步的综合分析得出的。
§3红外成像光学系统
红外成像光学系统应满足以下几方面的基本要求:物像共轭位置、成像放大率、一定的成像范围,以及在像平面上有一定的光能量和反映物体细节的能力(即分辨率)。

光电检测技术(第五章光电成像检测器件)参考用

光电检测技术(第五章光电成像检测器件)参考用

传送
同步扫描
视频解调
图像再现
显像部分
光电成像系统原理方框图
光电成像器件
在外界照明光照射下或自身发光的景物经成像物镜 成像到光电成像器件的像敏面上形成二维光学图像。光 电成像器件完成将二维光学图像转变成二维“电气”图 像的工作。这里的二维电气图像由所用的光电成像器件 决定,超正析像管为电子图像,视像管为电阻图像或电 势图像,面阵CCD为电荷图像等。电气图像的电气量在 二维空间的分布与光学图像的光强分布保持着线性对应 关系。组成一幅图像的最小单元称作像素,像素单元的 大小或一幅图像所含像素数决定了图像的清晰度。像素 数愈多,或像素几何尺寸愈小,反映图像的细节愈强, 图份愈清晰,图像质量愈高。这就是图像的分割。
光电成像器件
传统的扫描方式是基于电子束摄像管的电子束按从 左到右、从上到下的扫描方式为场扫描。 2、电视图像的扫描方式 逐行扫描、隔行扫描,通过两种扫描方式将景物分 解成一维视频信号,图像显示器将一维视频信号合成为 电视图像,摄像机与图像显示器必须采用同一种扫描方 式。
光电成像器件
二、电视制式 1、电视图像的宽高比:4:3或16:9 2、桢频与场频:电影画面重复频率不得低于每秒48 次。电影采用每秒投影24幅画面,两副之间用遮光阀 档一次。电视场采用隔行扫描,奇数场/偶数场,两 场合为一桢。即场频50Hz,桢频25Hz。 3、扫描行数与行桢:组成每桢图像的行数和行频。 确定扫描行数,实际就是确定电子束在水平方向 上的扫描速度,因为在场频一定时,行数越多,扫描 速度就越快。
视像管靶面 照度
γ<1,强光信号被压缩 γ=1,光信号无变化
灰度系 数
γ>1,弱光信号被提高
光电成像器件
3、分辨率 能够分辨图像中明暗细节的能力 两种方式来描述: 极限分辨率:像管:每毫米线对数 摄像管:水平分辨率 垂直分辨率 调制传递函数: 输出调制度/输入调制度

6第六章 像管

6第六章 像管

• 由于目前还只能在乎面上制做负电子亲和势阴 极,所以它的结构与第二代近贴式像管类似, 其根本区别在于光阴极。第一代像管采用的是 表面具有正电子亲和势的多晶薄膜结构的多碱 光阴极.其光灵敏度约为250 — 550uA/lm;而 第三代像管采用的负电子亲和势光阴极,它的 光灵敏度高达l000uA/lm 以上。因此第三代像 管具有高增益、低噪声的优点。 • 负电子亲和势是热化电子发射,光电子的初动 能较低,能量又比较集中,因此第三代像管又 具有较高的图像分辨力。由于这些特点使第三 代像管成为目前性能最优越的直视型光电成像 器件。

图3-11
8. X射线变像管和 γ射线变像管
• X射线和 γ射线变像 管是分别将不可见的 X射线图像和 γ射线 图像转换为可见的光 学图像。 • 此类变像管只比普通 像管多了一个射线转 换荧光屏(又称输入 荧光屏)。
6.带有微通道板(MCP)的像管 (第二代像管)
• 第二代像管与第一代 像管的根本区别在于: 它不是用多级级联实 现光电子倍增,而是 采用在单级像管中设 置微通道板来实现电 子图像倍增的。
• 微通道板是两维空间的电子倍增器。微通 道板是由大量平行堆集的微细单通道电子 倍增器组成的薄板。通道孔径为 5 一 10μm 。 通道内壁具有较高的二次电子发射系数。 • 在微通道板的两个端面之间施加直流电压 形成电场。入射到通道内的电子在电场作 用下,碰撞通道内壁产生二次电子。这些 二次电子在电场力加速下不断碰撞通道内 壁,直至由通道的输出端射出,实现连续 倍增,达到增强电子图像的作用。
• 选通式像管具有可控的间断工作功能。选通的 工作方式有两种: • 单脉冲触发式工作; • 连续脉冲触发式工作。 • 前者用于高速摄影中作为电子快门,后者用于 主动红外选通成像与测距。 • 选通式像管中另有一种类型,它增加了一对偏 转电极。这对偏转电极设置在阳极锥体内, • 其上施加线性斜坡状脉冲电压使输出图像偏转, 将连续选通的几幅图像在荧光屏上分开。这种 像管也称为条纹管。

光电成像器件CCD

光电成像器件CCD

线阵CCD驱动电路介绍
线阵CCD驱动电路就是要产生正确的SH、1、2、RS 信号,它是CCD芯片赖以正常工作的基础。
以TCD1200D为例,介绍线阵CCD驱动电路:TCD1200D 有2160个光敏单元,其前后各有64及12个哑单元。因此: TSH2236TRS,fRS =1MHz,fφ1、φ2=0.5MHz。
CCD类型及特点
1.类型 表面沟道CCD(SCCD):电荷包存储在半导体与绝缘体 之间的界面,并沿界面传输; 体沟道CCD(BCCD):电荷包存储在离半导体表面一定 深度的体内,并在半导体体内沿一定方向传输。 工作过程:电荷的产生-存储-传输-检测。 2.特点 固体化摄像器件 高空间分辨率 高光电灵敏度和大的动态范围 光敏元间距位置精确,可获得很高的定位和测量精度 信号与微机接口容易
电荷耦合器件(CCD)
CCD,英文全称:Charge-coupled Device,中文全称: 电荷耦合元件。可称为CCD图像传感器。它是一种半导体器 件,能够把光学影像转化为数字信号。它具备光电转换、 信息存贮和传输等功能,具有集成度高、功耗小、分辨力 高、动态范围大等优点。 CCD图像传感器被广泛应用于 生活、天文、医疗、电视、传 真、通信以及工业检测和自动 控制系统。
0
通常情况
100 kH Z f 1MH Z
3.光谱特性 CCD积分灵敏度 S=Uo/H 单位:Vcm2/μJ
曝光量H=Lτ L:光照度 τ:曝光时间(光积分TSH) H的单位:μJ/cm2 ;lxs
4.分辨率
CCD所能分辨的最小间距就是像元间距d,因而由像 元的尺寸可确定极限分辨率。
线阵CCD:极限分辨率为1/d(线对/mm) 面阵CCD: 像元数越多,分辨率越高。 更多用水平方向、垂直方向各自的线数来表示。 5.光电特性 CCD是低照度器件,光电靶γ可达99.7%,摄像头常带有 γ选择。

光电成像技术第六章直视型光电成像系统与

光电成像技术第六章直视型光电成像系统与
曼金折反射镜。
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1 夜视成像物镜
包沃斯-卡塞格伦系统
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1 夜视成像物镜
·包沃斯-卡塞格伦系统:
由于包沃斯系统的焦点在球面反射镜和校 正透镜中间,接收器造成中心挡光,为此 开展成包沃斯-卡塞格伦系统系统把校正 透镜的中心局部镀上铝或银等反射层作次 镜用,将焦点引到主反射镜之外。
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6.2.2 主动红外成像的照明系统
2.
红外滤光片是一种光学滤波器,主要滤除光源 辐射中的可见光成分。对红外滤光片的根本要求 是: 在红外波段光能损失应尽可能地小,而对其 他波段的辐射应尽量全部吸收或反射;光谱透射 比与光阴极光谱灵敏度曲线红外局部相匹配;热 稳定性好,防潮性和机械性能好,耐光源工作时
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1 夜视成像物镜
· 格里高里系统:
由抛物面主镜和椭球次镜组成。次镜 位于主镜焦距之外,椭球面的一个焦 点和抛物面主镜焦点重合,另一个焦 点为整个系统的焦点。系统对无穷远 轴上的点没有像差。
人们研究改进反射系统,把反射镜的
主镜和次镜都采用球面镜,而用参加
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施密特校正板工作原理 (a) 施密特校正板;(b) 改进的施密特校正板
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6.2.2 主动红外成像的照明系统
3.
(1)
白炽灯(包括普通、充气和卤钨白炽灯)是根
据热辐射原理制成,用电流加热灯丝使之到达
白炽而发光。白炽灯工作在白热状态,要求灯
丝材料有高熔点和低蒸发率。灯丝形状影响光
(单位为lm/W)。充气白炽灯比
真空白炽灯有更高的工作温度和发光效率,但
也只有10~20 lm/W,在~的近红外辐射光谱

光电成像器件及应用

光电成像器件及应用

光电成像器件及应用光电成像器件是一种将光信号转换为电信号的器件,常见的光电成像器件有光电二极管(Photodiode)、光电倍增管(Photomultiplier),以及最常见的光敏传感器(CMOS和CCD)。

这些器件通过将光信号转换为电信号,实现了对光信号的检测和分析,广泛应用于图像传感、光谱测量和通信等领域。

光电二极管是一种能够将光信号转换为电流的器件。

通过在PN结附近引入一个P型或N型半导体区域,形成一个二极管,使其在光照条件下产生电流。

光电二极管具有响应快、线性范围广、噪声低等优点,因此被广泛应用于光电检测和传感领域。

光电二极管在光通信、光电子测量、遥感等方面发挥着重要作用。

光电倍增管是一种能够将光信号放大到可观测范围的器件。

它由一个光阴极、若干个倍增极和一个吸收极组成。

光阴极吸收光信号产生电子,经过加速电场进入倍增极,倍增极通过二次电子发射产生更多的电子,最后被吸收极收集。

光电倍增管具有高增益、高灵敏度、宽波长范围等优点,常用于低强度光信号的检测和放大,比如粒子物理实验、荧光光谱等领域。

光敏传感器是一种通过将光信号转换为电信号,并将其存储或处理,实现图像捕捉和分析的器件。

光敏传感器分为CCD(Charge Coupled Device)和CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)两种类型。

CCD传感器通过将光信号转化为电荷信号,然后通过移位寄存器将电荷信号逐行转移到AD转换器进行数字化处理。

CMOS传感器则将光信号直接转化为电信号,并通过像素阵列逐一读出,实现图像的数字化。

光敏传感器具有分辨率高、动态范围广、响应速度快等优点,被广泛应用于数码相机、摄像机、智能手机等图像采集设备。

光电成像器件在很多领域都有广泛的应用。

在图像传感领域,光电成像器件能够将光信号转化为电信号,并通过传感器的像素阵列将其逐一读出,实现图像的捕捉和存储。

在医学影像方面,光电成像器件能够通过对不同波长的光信号的接收和分析,实现对生物组织的成像和诊断。

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• CCD器件为什么必须在动态下工作?其驱动脉冲 频率的上下限受哪些条件限制。 • 二相驱动CCD,像元数N=1024,若要求最后位 仍有50%的电荷输出,求电荷转移损失率。 • 有5mm工件,要求用线阵CCD测量,分辨率优于 5u,信号处理可对CCD单元进行4细分,推出用 投影法测量时对CCD的参数要求。若CCD单元间 隔为15u,用什么方法可进行测量,对系统参数 有什么要求?
CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料, 因而受光后产生电子 的原理相同, 并且具有相同的灵敏度和光谱特性,但是读取过程不 同:CCD 是在同步信号和时钟信号的配合下以帧或行的方式转移, 整个电路非常复杂;CMOS 则以类似 DRAM 的方式读出信号,电路 简单。CCD的时钟驱动、逻辑时序和信号处理等其他辅助功能难以 与 CCD 集成到一块芯片上,这些功能可由 3~8 个芯片组合实现, 同时还需要一个多通道非标准供电电压来满足特殊时钟驱动的需要; 而借助于大规模集成制造工艺,CMOS 图像传感器能容易地把上述 功能集成到单一芯片上。 CCD 大多需要三种电源供电,功耗较大,体积也比较大 . CMOS 只需一个 (3~5) V 单电源,其功耗相当于 CCD 的 1/10; 高度集成 CMOS 芯片可以做的比人的大拇指还小。到目前为止,面 向数码相机的CCD固体摄像元件的最高像素已超过800万,而像素最 高为1680万的CMOS图像传感器正在开发中。 需要指出,电荷耦合器件(CCD)并不仅限图像传感器这 一种应用,它在模拟信号处理方面也有很好的应用价值。
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二、线型CCD图像传感器基本结构 线型CCD图像传感器由一行光敏元件与一行CCD并行且对应地构成一个 主体。在他们之间设有一个转移控制栅(对应CCD上的电极)。每一个光敏 元件上都有一个梳状公共电极(对应于输入栅),由一个P型沟阻使电气上隔 开。
当光照射到光敏元件(如光敏二极管)时,且梳状电极加高电压,光敏元件聚集 光电荷。光电荷与光照强度和光照时间成比例。光照结束后,转移栅上电平提高,然 后降低梳状电极电压,各光敏元件中积累的光电荷并行转移到移位寄存器中(电荷的 储存)。转移完毕后,转移栅电平降低,梳状电极电压升高,准备接受下一次光照信 号。同时在移位寄存器上加时钟脉冲,将存储的电荷从CCD中转移,由输出端输出。
④按输出信号分类:模拟式、数字式
数字摄像机 ---- 电子快门 曝光时间: 1/50s、1/125s、1/250s、1/500s、 1/1000s、1/2000s、1/4000s、1/8000s、 1/16000s、1/32000s… ⑤按形状分类:长形、短形、方块形、半球形、单板形
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6.4 CMOS图像传感器 CMOS图像传感器从原理可分为无源像素传感器 PPS(Passive-Pixel Sensor)和有源像素传感器APS(ActivePixel Sensor)两大类。从结构上讲,主要包括光敏二极管型无源、 有源像素图像传感器和光电栅型有源像素图像传感器。
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扫 描 仪 的 工 作 过 程
扫描仪的简单工作过程就是利用光电元件将检测到的光信号转换成电信号,再将电 信号通过模拟/数字转换器转化为数字信号传输到计算机中。无论何种类型的扫描 仪,它们的工作过程都是将光信号转变为电信号。所以,光电转换是它们的核心工 作原理 。
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CCD摄像机
(1) CCD的种类: ①按成象器件分类:线阵CCD、面阵CCD 线阵CCD:一行,扫描;体积小,价格低; 面阵CCD: 整幅图像;直观;价格高,体积大; ②按颜色分类:黑白摄像机、彩色摄像机 黑白摄像机:信息量小,时间、空间少 彩色摄像机:信息量大,时间、空间多 ③按扫描方式分类:逐行扫描、隔行扫描 逐行扫描:高速运动,避免边缘模糊
• 帧转移面阵ICCD • 隔列转移型面阵ICCD • 线转移型面阵ICCD
• 4.ICCD的基本特性参数
– 光电转换特性 – 光谱响应 – 动态范围
• 陷阱的最大电荷存储量 • 噪声
– 暗电流 – 分辨力
在表面电极加正偏压时(N型衬底加负偏压),P型衬底中形成耗尽层 (势阱),耗尽层的深度随正偏电压升高而增大。衬底中的少数载流子电子 被吸引到最深的势阱,但是没有源极提供电子,靠本身的少数载流子形成导电沟道的 时间很长,需要零点几秒甚至几十秒。所以不会形成导电沟道。
固体摄像器件
2、非扫描型
红外变像管 变像管紫外变像管 X射线变像管
串联式像增强管 级联式像增强管 像增强管 微通道板式像增强管 负电子亲和势阴极像增 强管
光电发射式摄像管 光电型 光电导式摄像管 真空电子束扫描型 光热型:热释电摄像管 扫描型 电荷耦合器件(CCD) 固体自扫描型 自扫描光电二极管阵列(SSPD) 电荷注入器件(CID) 光电成像器件 红外变像管 变像管 紫外变像管 X射线变像管 非扫描型 串联式像增强管 像增强管 级联式像增强管 微通道板式像增强管 负电子亲和势阴极像增强管
• • • •
二、电视制式 1.电视画面的宽高比 2.帧频与场频 扫描行数与行频
光电成像系统构成:
光学成像系统 光电变换系统
同步扫描和控制系统
视频信号处理系统 荧光显示系统
6.3 电荷耦合器件
• CCD以电荷作为信号。基本功能是电荷的 存储和转移,因此,CCD的工作过程的主 要问题是信号电荷的产生、存储、传输和 检测。 • 6.3.1 电荷耦合器件原理 • 1、电荷存储
二、光电栅型有源像素图像CMOS传感器
光电栅型APS CMOS像素单元 框图如右图所示。像素单元包括 光电栅PG(Photogate)、浮置扩 输出FD(Flcating Diffusion)、 传输电栅TX(Transfer Gate)、复 位晶体管MR(Reset Transistor)、 作为源极跟随器的输入晶体管MIN、 以及行晶体管MX,实际上,每个 像元内部就是一个小小的表面沟 道CCD。每列单元共用一个读出电 路,它包括第一源极跟随器的负 载晶体管MLN以及两个用于存储信 号电平和复位电平的双采样和保 持电路。这种对复位和信号电平 同时采样的相关双采样电路CDS能 抑制来自像元浮置节点的复位噪 声。
Q Cox V A
如果SiO2氧化层的厚度为d,则每一个电极下 的势阱中,最大电荷贮存容量 :
N max Cox V A 0 s V A q d
4、CCD的噪声
散粒噪声、转移噪声及热噪声。
• 6.3.3 电荷耦合摄像器件
工作原理 – 1 线型CCD摄像器件:两种基本形式 – 2 面阵ICCD
2、电荷耦合
• 3、电荷的注入和检测
– 1.电荷的注入 • 光注入
• 电注入
• 2.电荷的检测(输出方式)
– 电流输出 – 浮置扩散放大器输出 – 浮置栅放大器输出
• 6.3.2、CCD的特性参数
– 1、转移效率η 转移损失率ε – 2、工作频率ƒ
3、电荷贮存容量 :表示在电极下的势阱中能 容纳的电荷量 。
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2、电荷的储存
若P2的电位比其他相邻的两个电极都高,则电极P2下面的耗尽层要比其他电极 下的耗尽层深,形成势阱。若势阱边缘两侧有负电荷存在,在电场力 作用下,会落入势阱,储存起来。 因为衬底本身的少数载流子自由电子不能马上填满势阱,而数字系统的时钟脉冲 周期远小于十分之几秒,因此在时钟脉冲控制下,势阱中的电荷只与是否有电荷注入 (输入信息),而与衬底本身无关。
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3、电荷的定向转移
每一个像素上有三个金属电极P1、P2、P3,依次在其上施加三个相位不同控制脉冲 Φ 1、Φ 2、Φ3(三相时钟脉冲控制)。 输入栅加高电压,电荷通过输入二极管注入。设t0时刻,P1到达最高正电压,其下 方形成的势阱最深,电荷被吸引到P1下方形成电荷包。t1时刻P2上加上和P1相等的高电 压,则在两电极下同时形成势阱(势阱耦合),电荷在两电极下分布。t2时刻,P1回到 低电位,电荷包全部落入P2下的势阱。然后电荷移动到P3下形成电荷包。这样电荷由 CCD一端移至终端。这时在输出栅上加高电压,使输出二极管反偏收集电荷,并将电荷 送至放大器。
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线型CCD主要应用于扫描仪和传真机,下面简单介绍扫描仪的工作原理。 上盖主要是将要扫描的原 稿压紧,以防止扫描灯光 线泄露。 原稿台主要是用来放置扫 描原稿的地方,其四周设 有标尺线以方便原稿放置
平板式扫描仪的外部结构
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扫描头的光源一般采用冷 阴极辉光放电灯管,灯管 两端没有灯丝,只有一根 电极 反光镜将原稿的信息反射 到镜头上,由镜头将扫描 信息传送到CCD感光器件, 最后由CCD将照射到的光 信号转换为电信号。
第6章 光电成像器件
6.1 光电成像器件概论 光电成像器件的发展
– 光电像管-超正析像管-视像管-氧化铅管-硒靶 管(硅靶管)-CCD/CMOS
• 6.1.1 光电成像器件的类型:扫描和非扫描 • 6.1.2 成像原理
1、扫描型:
光电发射式摄像管 光电型 真空电子束扫描型 光电导式摄像管 热电型:热释电摄像管
6.1.3 光电成像器件的基本特性
1.光谱响应:与器件材料有关,应与被测景物辐射光谱匹 配。 2.转换特性: •灵敏度(响应度) •转换系数 •亮度增益 3.分辨率 •极限分辨率 •调制传递函数 •调制度M
第二节 光电成像原理与 电视摄像制式
• 一、光电成像原理
– 光电成像系统由光学成像系统、光电变换器、 同步扫描和控制系统、视频信号处理系统和荧 光显示系统构成。
行 线
光敏单元 列 线
一、光敏二极管型CMOS图像传感器结构
下图简单的说明了光敏二极管型无源图像传感器和光敏二极管型有源图像传感器感 光单元的结构 。
在光敏二极管型无源图像传感器中,光敏二极管受光照将光子变成电子,通过行选 择开关将电荷读到列输出线上;在光敏二极管型有源CMOS图像传感器中,则通过复位 开关和行选择开关将放大后的光生的电荷读到感光阵列外部的信号放大电路。无源像素 图像传感器仅仅是一种具有行选择开关的光电二极管,通过控制行选择开关把光生的电 荷信号传送到像素阵列外的放大器;有源像素图像传感器的每个像元内部都包含一个有 源单元,即包含由一个或多个晶体管组成的放大电路在像元内部先进行电荷放大再被读 出到外部电路。
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