MOS管开关(互联网+)
mos管开关作用
mos管开关作用
MOS管开关（MOSFET switch）是一种电子开关，采用金属-
氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）作为控制元件。
它
的主要作用是在电路中开关电流的通断。
MOS管开关具有以下几个重要的作用：
1. 电路开关：当MOS管开关处于导通状态时，可以使电流流过；当MOS管开关处于截止状态时，可以使电流无法流过，
起到控制电路通断的作用。
2. 信号放大：MOS管开关可以放大输入信号，使其在输出端
得到放大后的信号。
这使得MOS管开关常用于放大电路和电
子设备中。
3. 电流控制：MOS管开关可以通过控制输入信号的大小和频率，来控制输出电流的大小。
这一特性使得MOS管开关在电
源调节、电动机控制和LED调光等应用中非常有用。
4. 逆变和变频：MOS管开关可以将输入电压转换为AC电压，实现电路的逆变功能。
此外，MOS管开关还可以通过控制输
入信号的频率，实现电路的变频功能，用于频率调节和变频器等应用中。
总之，MOS管开关作为一种电子开关元件，广泛应用于各种
电路中，起到开关电流、信号放大、电流控制、逆变和变频等多种作用。
MOS管介绍解读
MOS管介绍解读MOS管是一种双极性场效应晶体管（FET），也称为MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。
它是一种由金属层、氧化物层和半导体层构成的晶体管。
MOS管被广泛用于数字电路、模拟电路和功率放大器等应用中，因为它具有很高的开关速度、较低的功耗和较高的承受电压能力。
MOS管的工作原理是通过控制栅极电压来控制电流的流动。
当栅极电压为零时，MOS管处于关闭状态，没有电流流过。
当栅极电压增加到临界值以上时，MOS管进入开启状态，允许电流流过。
MOS管的导电能力主要取决于栅极电压与漏极电压之间的差异。
当栅极电压较高时，MOS管的导电性较好，电流流过的能力较大。
相反，当栅极电压较低时，MOS管的导电性较差，电流流过的能力较小。
MOS管有两种类型，分别是N沟道MOS管和P沟道MOS管。
它们的区别在于所使用的材料类型和电流流动方向。
N沟道MOS管使用N型半导体材料构成，通过负栅极电压来控制正电流的流动。
P沟道MOS管使用P型半导体材料构成，通过正栅极电压来控制负电流的流动。
这两种类型的MOS管可以用于不同的应用中，具体选择取决于电路设计和所需的电流极性。
与其他晶体管相比，MOS管具有许多优势。
首先，MOS管的开关速度较快，可以实现高频率的信号放大和处理。
其次，MOS管的功耗较低，因为它只需要很小的电压来控制电流流动。
此外，MOS管可以承受较高的电压，使其适用于高功率应用。
另外，MOS管具有良好的线性特性和温度稳定性，可以在不同的工作条件下提供稳定的性能。
MOS管还有一些应用注意事项。
首先，由于MOS管是压阻性器件，它的输入特性受到栅极电容的影响。
因此，在高频应用中，需要注意匹配负载和输入电容，以避免信号衰减和失真。
其次，MOS管还有最大额定电压和最大额定电流。
在设计电路时，需要确保不超过这些限制，以防止损坏MOS管。
最后，MOS管的工作温度范围也需要考虑，因为过高或过低的温度可能会影响性能和寿命。
MOS管主要参数及使用注意事项
MOS管主要参数及使用注意事项MOS管是一种常用的电力器件，广泛应用于电子电路和电源装置中。
本文将介绍MOS管的主要参数及使用注意事项。
1.MOS管的主要参数(1) 导通电阻（Rds(on)）：即MOS管导通时的电阻，也称为开态电阻。
导通电阻越小，MOS管导通时的功耗越小。
(2) 饱和电压（Vgs(sat)）：指MOS管在饱和区时，栅极与源极间的电压差。
饱和电压越小，MOS管的导通能力越好。
(3) 压降（Vds）：即栅极与源极间的电压差。
对于负载电路，要保证MOS管的压降在一定范围内，以避免过压损坏MOS管。
(4) 最大耐压（Vds(max)）：指MOS管能够承受的最大电压。
在设计电源装置时，要确保MOS管的最大耐压能够满足应用需求。
(5) 最大电流（Id(max)）：指MOS管能够承受的最大电流。
在设计电源装置时，要确保MOS管的最大电流能够满足应用需求。
(6) 开关速度（tf/td）：指MOS管从关态到开态或从开态到关态的时间。
开关速度越快，MOS管的响应时间越短，适用于高频应用。
(1)静电防护：MOS管对静电敏感，由于静电的高压可能导致器件损坏。
在操作MOS管时，应采取防静电措施，如穿戴静电消除器或接地腕带，以保护MOS管的正常工作。
(2)温度控制：MOS管的工作温度范围一般在-55℃至150℃之间。
当环境温度超过此范围时，应采取散热措施，如加散热片或风扇，以防止MOS管过热损坏。
(3)电流限制：在设计电路时，应根据MOS管的最大电流参数选择合适的负载电阻，以确保MOS管工作在安全电流范围内。
同时，在开关MOS 管时，要注意控制电流斜率，以减小MOS管的开关损耗。
(4) 输入电压（Vgs）控制：应根据具体的MOS管型号和应用需求，选择合适的输入电压（Vgs）范围，以保证MOS管正常开关。
(5)输出负载：要在MOS管的输出端加入合适的负载电路，以防止过压、过流等情况对MOS管造成损坏。
(6) 压降控制：在设计电源装置时，要合理选择MOS管的导通电阻，并确保输入电压（Vin）和输出电压（Vout）之间的压降在规定范围内，以保证电路的稳定工作。
常见的Mos场效应管电子开关应用电路示例介绍
常见的Mos场效应管电子开关应用电路示例介绍在脉冲与数字电路中，MOS场效应管作为最基本的开关元件得到了普遍的应用。
MOS场效应管以燥声系数低、截止频率高、开关特性好、抗干扰能力强、增益高、功耗低、不存在二次热击穿等优点，广泛应用于彩色电视机、计算机等电器设备中。
本文主要以MOS场效应管在开关电路中的应用示例作简要介绍。
华强北IC代购网专业人士解析以下内容。
MOS场效应管在开关电路中的应用实际上MOS场效应管是一种增强型的场效应管，其构造原理比较抽象，根据使用的场合要求不同做出来的种类也很多，特性也不尽相同。
我们一般将其作为电源供电的电控开关使用，所以需要通过电流比较大，它的电路图符号如下：N沟道MOS场效应管P沟道MOS场效应管这两种MOS场效应管的作用刚好是相反的，那么怎么用它来当开关呢？从图中我们可以看到它与三极管一样有三个引脚，分别叫做栅极（G）、源极（S）和漏极（D）。
以图1为例：图1图1中脚1就是控制极栅极，通过在栅极上加电压来决定脚2和脚3是否相通。
在N沟道MOS场效应管中，若在栅极加上电压脚2和脚3就通电了，去掉电压就为关断状态。
而P沟道MOS场效应管则刚好相反。
MOS场效应管开关电路工作原理以我们常见的2606主控电路图中的电子开关电路为例，下图中用是美国VISHAY型号为SI2305的P沟道MOS管。
下面简要介绍电子开关应用的工作原理：图2图2中电池的正电通过开关S1接到场效应管Q1的2脚源极，但由于Q1是一个P沟道管，它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压，所以不能通电，电压不能继续通过，所以此时是关机状态。
当按下SW1开机按键时，正电通过按键、R11、R23、D4加到三极管Q2的基极，这时三极管Q2的基极得到一个正电位，三极管导通。
而由于三极管的发射极直接接地，三极管Q2导通就相当于Q1的栅极直接接地，加在它上面的通过R20电阻的电压就直接入了地，Q1的栅极就从高电位变为低电位，Q1导通电就从Q1同过加到3v稳压IC的输入脚，3v稳压IC就是那个U1输出3v的工作电压vcc供给主控，主控通过复位清0。
MOS管主要参数及使用注意事项
MOS管主要参数及使用注意事项MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，用于电子电路中的开关和放大。
它具有很多不同的参数和特点，使用时需要注意一些关键事项。
以下是关于MOS管主要参数及使用注意事项的详细介绍。
一、MOS管的主要参数：1.阈值电压（VTH）：也称为开关电压，是决定MOS管是否导通的重要参数。
当输入电压大于阈值电压时，MOS管导通；当输入电压小于阈值电压时，MOS管截止。
2.最大耐压（BVDS）：也称为漏极-源极电压，是MOS管能够承受的最大电压。
超过最大耐压会导致MOS管损坏。
3. 最大漏源电流（IDmax）：也称为最大工作电流，是MOS管能够承受的最大漏源电流。
超过最大漏源电流会导致MOS管过载。
4.开关速度：指MOS管开关状态从导通到截至或截至到导通的速度。
开关速度越快，MOS管的应用范围越广。
5. 输电电导（gm）：也称为跨导，表示输出电流与输入电压的关系。
输电电导越高，表示MOS管的放大能力越强。
6. 导通电阻（RDSon）：也称为输出电阻，表示MOS管导通时的电阻大小。
导通电阻越小，MOS管的效率越高。
7. 溅射电容（Ciss）：也称为输入电容，表示输入端与输出端之间的电容。
溅射电容越大，输入和输出之间的相互影响越强。
二、MOS管的使用注意事项：1.静电防护：MOS管非常敏感于静电，因此在使用和存储过程中要注意防止静电的产生与积累。
在操作之前应接地，并戴防静电手套等防护措施。
2.驱动电压：MOS管的驱动电压应该在规定范围内，过高或过低的驱动电压都会影响MOS管的正常工作。
3.温度控制：MOS管的工作温度应在规定范围内，过高的温度会导致MOS管失效或寿命缩短。
4.阻流电阻：在MOS管的门极和源极之间应连接合适的阻流电阻，以避免超过最大额定电流。
5.施加电压：在使用MOS管时，应注意施加电压的波形和频率，以免超过MOS管的额定电压或导致过载。
6.绝缘层受损：MOS管的绝缘层非常薄，易受到电压击穿。
mos管做开关的电路
mos管做开关的电路
在电子电路中，MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）常用作开关元件。
以下是一个简单的使用MOS管作为开关的电路：
1. 选择一个合适的MOS管，根据负载的额定电压和电流选择合适的型号。
2. 将MOS管的源极（Source）连接到地线（GND），漏极（Drain）连接到负载（Load）。
3. 通过一个控制信号（Control Signal）来控制MOS管的开启和关闭。
当控制信号为高电平时，MOS管导通，负载两端有电流通过；当控制信号为低电平时，MOS管截止，负载两端无电流通过。
4. 在控制信号的输入端需要添加一个上拉电阻（Pull-Up Resistor）或者下拉电阻（Pull-Down Resistor），以确保控制信号始终有一个确定的电平。
通过以上步骤，就可以实现一个简单的使用MOS管作为开关的电路。
需要注意的是，在实际应用中，还需要考虑其他因素，如电压偏置、电流限制、热管理等，以确保电路的正常运行和安全性。
mos管的工作原理与应用
MOS管的工作原理与应用1. 什么是MOS管金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），简称MOS管，是一种常用的半导体器件。
MOS管主要由金属、氧化物和半导体构成，其工作原理是通过调节栅极电压来控制源极和漏极之间的电流通断关系。
2. MOS管的组成结构MOS管的基本结构包括源极（Source），漏极（Drain）以及栅极（Gate）。
源极和漏极是由N型或P型半导体材料构成的区域，而栅极则是由金属和氧化物构成的。
3. MOS管的工作原理MOS管的工作原理与栅极电压相关。
当栅极电压低于阈值电压时，MOS管处于截止状态，不导通电流；当栅极电压高于阈值电压时，MOS管进入放大状态，导通电流。
这是因为栅极电压改变了漏极-源极间的电场，从而控制了耗尽层的形成与消失，使得电流通断发生变化。
4. MOS管的应用领域MOS管由于具有体积小、功耗低、开关速度快等优势，广泛应用于电子器件中。
以下是一些常见的应用领域：4.1 逻辑门电路MOS管常被用于构建逻辑门电路，如与门、或门、非门等。
逻辑门电路是计算机中基本的逻辑单元，用于实现数字逻辑运算。
4.2 放大器MOS管的放大特性使其被广泛应用于放大器电路中。
MOS管可以通过调节栅极电压来控制电流的放大倍数，可以实现信号的放大功能。
4.3 开关电路MOS管作为开关器件，常被用于各种开关电路中。
通过调节栅极电压，可以快速开关电流，实现电路的切换。
4.4 模拟电路由于MOS管具有高输入阻抗、低输出阻抗的特点，常用于模拟电路中，如运放电路、滤波电路等。
4.5 电源管理MOS管在电源管理中发挥着重要作用。
通过控制MOS管的导通与截止状态，可以实现对电源的开关与调整，能有效控制设备的功耗。
4.6 高频电路MOS管的快速响应速度和低损耗特性，使其成为高频电路中重要的组成部分。
如射频功放、无线通信等领域都需要采用MOS管。
4.7 电源开关MOS管的开关特性使其被广泛应用于电源开关中。
MOS管的开关特性.pdf
MOS管的开关特性MOS管最显著的特点也是具有放大能力。
不过它是通过栅极电压uGS控制其工作状态的，是一种具有放大特性的由电压uGS控制的开关元件。
一、静态特性（一）结构示意图、符号、漏极特性和转移特性1．结构示意图和符号从图2.1.12(a)所示结构示意图中可以看出，MOS管是由金属-氧化物-半导体（Metal-Ox-ide-Semiconductor）构成的。
在P型衬底上，利用光刻、扩散等方法，制作出两个N+型区，并引出电极，分别叫做源极S和漏极D，同时在源极和漏极之间的二氧化硅SiO2绝缘层上，制作一个金属电极栅极G，这样得到的便是N沟道MOS管。
2．漏极特性反映漏极电流iD和漏极-源极间电压uDS之间关系的曲线族叫做漏极特性曲线，简称为漏极特性，也就是表示函数iD=f(uDS)|uGS的几何图形，如图2.1.13（a）所示。
当uGS为零或很小时，由于漏极D和源极S之间是两个背靠背的PN结，即使在漏极加上正电压（uDS>0V），MOS管中也不会有电流，也即管子处在截止状态。
当uGS大于开启电压UTN时，MOS管就导通了。
因为在UGS=UTN（图2.1.13中UTN=2V）时，栅极和衬底之间产生的电场已增加到足够强的程度，把P型衬底中的电子吸引到交界面处，形成的N型层——反型层，把两个N+区连接起来，也即沟通了漏极和源极。
所以，称此管为N沟道增强型MOS管。
可变电阻区：当uGS>UTN后，在uDS比较小时，iD与uDS成近似线性关系，因此可把漏极和源极之间看成是一个可由uGS进行控制的电阻，uGS越大，曲线越陡，等效电阻越小，如图2.1.13（a）所示。
恒流区(饱和区)：当uGS>UTN后，在uDS比较大时，iD仅决定于uGS（饱和），而与uDS几乎无关，特性曲线近似水平线，D、S之间可以看成为一个受uGS控制的电流源。
在数字电路中，MOS管不是工作在截止区，就是工作在可变电阻区，恒流区只是一种瞬间即逝的过度状态。
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MOS管开关现在常用的MOS管大多是N沟道增强型的了，一般一块钱左右的管子，源极电流可以达到近十安培而导通电阻仅在几毫欧。
另外现在的MOS管已经不像早期那样脆弱，因为SD上并联有可以承受几安培电流的反向保护二极管。
MOS管有几个重要的参数，Vgs，Vds,Id/Is以及Ron，其中对于Vgs也就是栅极控制电压有一些特殊的要求与用法，它就像三极管的Ibe，之所以称为Vgs就是因为这个电压必须相对于S级而言，也就是G极必须比S极高出一定的电压才能驱动MOS管，否则管子的导通电阻会很大，也就是管子不能导通。
比如Vgs耐压在12V左右的管子，当Vgs高于1.5V以上时就基本可以认为导通，一般4-5V就可以达到其最小Ron了。
但是，由于这个电压是基于S极的，所以对于电源一类的开关管应用场合（靠低压控制高压输入），必须想办法让Vgs高于Vs足够高（或者也可以让管子并联于电源，靠储能器件工作于高速开关状态），而为了简化电路一般都是在栅极上添加自举电路。
自举电路一般由一个电容和反向二极管组成，相当于给栅极增加了一个串联的电池。
自举电容根据使用情况的不同，可以选用极性电容，也可以选择非极性电容。
在选择这个电容时，如果电容很小，则电容储能不够，放电很快，开关管很难被有效打开或关闭；如果电容过大，也会导致开关速度受限，电路板面积也会增加。
所以，电容要根据开关管工作速度适当选取，一般将电容值选择在放电时间稍长与开关周期即可，具体的参数可以根据实验来确定。
相对与N沟道的MOS管，P沟道的管子在驱动起来就稍微容易一些，因为不必再去创造高于电源电压的驱动环境，使用一个简单的三极管调压电路就可以实现了使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。
这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。
包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。
1，MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N 沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。
原因是导通电阻小，且容易制造。
所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
下面的介绍中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。
顺便说一句，体二极管只在单个的MOS 管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
2，MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
3，MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。
通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。
缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。
这两种办法都可以减小开关损失。
4，MOS管驱动跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。
这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。
对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。
选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。
而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC 大4V或10V。
如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。
很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。
而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。
现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。
MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。
讲述得很详细，所以不打算多写了。
5，MOS管应用电路MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。
2008年07月14日星期一10:32一、静态特性MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。
由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
工作特性如下：※uGS＜开启电压UT：MOS管工作在截止区，漏源电流iDS基本为0，输出电压uDS≈UDD，MOS管处于"断开"状态，其等效电路如图3.8(b)所示。
※uGS＞开启电压UT：MOS管工作在导通区，漏源电流iDS=UDD/(RD+rDS)。
其中，rDS 为MOS管导通时的漏源电阻。
输出电压UDS=UDD·rDS/(RD+rDS),如果rDS＜＜RD，则uDS≈0V，MOS管处于"接通"状态，其等效电路如图3.8(c)所示。
二、动态特性MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。
图3.9(a)和(b)分别给出了一个NMOS管组成的电路及其动态特性示意图。
NMOS管动态特性示意图当输入电压ui由高变低，MOS管由导通状态转换为截止状态时，电源UDD通过RD向杂散电容CL充电，充电时间常数τ1=RDCL。
所以，输出电压uo要通过一定延时才由低电平变为高电平；当输入电压ui由低变高，MOS管由截止状态转换为导通状态时，杂散电容CL 上的电荷通过rDS进行放电，其放电时间常数τ2≈rDSCL。
可见，输出电压Uo也要经过一定延时才能转变成低电平。
但因为rDS比RD小得多，所以，由截止到导通的转换时间比由导通到截止的转换时间要短。
由于MOS管导通时的漏源电阻rDS比晶体三极管的饱和电阻rCES要大得多，漏极外接电阻RD也比晶体管集电极电阻RC大，所以，MOS管的充、放电时间较长，使MOS管的开关速度比晶体三极管的开关速度低。
不过，在CMOS电路中，由于充电电路和放电电路都是低阻电路，因此，其充、放电过程都比较快，从而使CMOS电路有较高的开关速度。
MOSFET的输入阻抗很高，栅源的极间电容很小NMOS：高导通V GSPMOS：低导通V GS衬底一般跟源极连通，所以N沟道的P衬底跟S极连通，使用时让P衬底接低电位，N衬底接高电位才能导通。
无论是N还是P mos管在D--->S之间都有二极管，此二极管起保护作用。
MOS场效应管MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。
其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。
它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。
通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。
根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。
所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。
耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。
源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。
图1（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。
当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。
随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N 型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。
国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。
它们的管脚排列（底视图）见图2。
MOS场效应管比较“娇气”。
这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。
因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S 极呈等电位，防止积累静电荷。
管子不用时，全部引线也应短接。
在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。
下面介绍检测方法。
1．准备工作测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。
最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。
再把管脚分开，然后拆掉导线。
2．判定电极将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。
若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。