01190660 薄膜材料与技术 09级 第5章 薄膜表征

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薄膜材料的表征方法

薄膜材料的表征方法

图3-1 椭偏法测量y和Δ的原理图
椭偏仪一般包括以下几个部分:激光光源、起偏器、样品台、检偏器和光 电倍增管接收系统。图3-1所示是反射消光椭偏仪的原理图,激光光源发 出的光, 经过仪器的起偏器变成线偏振光, 通过补偿器1/4波片形成椭圆 偏振光, 然后投射到待测光学系统薄膜上,待测光学系统具有沿正交坐标 x和y轴的正交线性偏振态, 从待测光学系统射出的光, 偏振态已经发生 了变化(椭圆的方位和形状与原入射椭偏光不同) , 通过检偏器和探测器 就可以进行检测了。



(1)椭偏仪法测量的基本原理 椭圆偏振测量, 就是利用椭圆偏振光通过薄膜时, 其反射和 透射光的偏振态发生变化来测量和研究薄膜的光学性质。 椭偏仪法利用椭圆偏振光在薄膜表面反射时会改变偏振状 态的现象,来测量薄膜厚度和光学常数,是一种经典的测 量方法。 光波(电磁波)可以分解为两个互相垂直的线性偏振的S波 和P波,如果S波和P波的位相差不等于p/2的整数倍时,合 成的光波就是椭圆偏振光。当椭圆偏振光通过薄膜时,其 反射和透射的偏振光将发生变化,基于两种介质界面四个 菲涅耳公式和折射定律,可计算出光波在空气/薄膜/衬底多 次反射和折射的反射率R 和折射率T。
膜厚d 的计算




通常,光波的偏振状态由两个参数描述:振幅和相位。为方便 起见,在椭偏仪法中,采用Ψ 和△这两个参数描述光波反射时 偏振态的变化,它们的取值范围为: 0 ≤Ψ ≤π/ 2 ,0≤△< 2π。 (Ψ , △) 和( Rp , Rs) 的关系定义为总反射系数的比值,如下 式所示 Rp/Rs=tanyexp(iΔ) 式中, tgΨ 表示反射前后光波P、S 两分量的振幅衰减比, △=δp -δs 表示光波P、S 两分量因反射引起的相应变化之 差。 由此可见,Ψ 和△直接反映出反射前后光波偏振状态的变化。 在波长、入射角、衬底等确定的条件下,Ψ 和△是膜厚和薄 膜折射率( n) 的函数,写成一般函数式为Ψ = Ψ( d , n) , △= △( d , n) 结合公式,测量y和Δ,就可以求出薄膜折射率n和薄膜的 厚度d。

薄膜表征

薄膜表征
过被测薄膜表面,同时记录下触针在垂直方 向的位移大小并描绘样品表面轮廓,在薄膜 边缘处轮廓的突变即薄膜的厚度(实际上是 表面轮廓测量)。
可同时测得薄膜的表面粗糙度及膜厚!
2、仪器特征:
1)探针:一般为金刚石,头部磨成 R= 2-10 m的圆弧形; 2)载荷:一般为 1-30 mgf; 3)分辩率:1 nm (机械/光电放大位移量 103-106倍)。
二、基本特点:
1、类似光学金相,可提供清晰直观的表面/截面形貌像; 2、分辩率高,景深大; 3、可采用不同分析模式作定量/半定量的表面成分分析; 4、是目前材料研究最常用手段之一,应用极为广泛。
SEM的结构与主要组件
三、电子束的作用区域及主要成像粒子:
1、电子束入射到样品表面后,会与表面层的原子发生各种交互作用, 其作用区域大致为一个梨形区域,深度约 1m; 2、该区域在电子束照射下可实现成像和波谱分析的主要激发粒子是: 最表层 (10Å):俄歇电子; 浅层 (50~500Å):二次电子; 梨形区上部:背散射电子; 梨形区下部:特征X射线。 3、分别接收上述激发粒子,处理后可显示表层的各种形貌/成分信息。
探针法的测量原理
3、基本矛盾:
不破坏样品表面真实形貌 探头头部接触压力 大直径探头有利; 能分辨表面形貌微小起伏 探头跟随性、分辨率 小直径探头有利!
4、优、缺点:
1)方法简单、测量直观; 2)适合硬膜测量,容易划伤较软薄膜并引起测量误差; 3)对表面很粗糙的薄膜测量误差较大。
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dt
0
t
Ii a Ii dt t I Ie 0 e a
t
(5 - 1)
此处:n — 气相粒子密度; — 膜材料密度; a — 常数。

第5章薄膜表征PPT课件

第5章薄膜表征PPT课件

扫描电子显微镜除了可以提供样品的二次电子和背反射电
子形貌以外,同时还可以产生一些其他的信号,例如电子在
与某一晶体平面发生相互作用时会被晶面所衍射产生通道效
应,原子中的电子会在受到激发以后从高能态回落到低能态,
同时发出特定能量的X射线或俄歇电子等。接收并分析这些
信号,可以获得另外一些有关样品表层结构及成分的有用信
的情况下,石英片上将产生固有频
率的电压振荡。将这样一只石英振
荡器放在沉积室内的衬底附近,通
过与另一振荡电路频率的比较,可
以很精确地测量出石英晶体振荡器 固有频率的微小变化。在薄膜沉积 优点:在线测量、精确
的过程中,沉积物质不断地沉积到
晶片的一个端面上,监测振荡频率 缺点:1、需对薄膜沉积设
随着沉积过程的变化,就可以知道
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椭偏仪测量薄膜厚度和折射率
椭偏仪方法又称为偏光解析法。其特点是可以同时对透明薄 膜的光学常数和厚度进行精确的测量,缺点是原理和计算比较麻 烦。
椭偏仪不仅可以用于薄膜的光学测量,而且可以被用于复杂 环境下的薄膜生长的实时监测,从而及时获得薄膜生长速度、薄 膜性能等有用的信息。
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椭圆偏振测量的应用范围很广,如半导体、光学掩膜、圆晶、金 属、介电薄膜、玻璃(或镀膜)、激光反射镜、大面积光学膜、有 机薄膜等,也可用于介电、非晶半导体、聚合物薄膜、用于薄膜 生长过程的实时监测等测量。结合计算机后,具有可手动改变入 射角度、实时测量、快速数据获取等优点。
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实验原理:
在一光学材料上镀各向同性的单层介质膜后,光线的反射和折射 在一般情况下会同时存在的。通常,设介质层为n1、n2、n3,φ1 为入射角,那么在1、2介质交界面和2、3介质交界面会产生反射 光和折射光的多光束干涉。

第五章 薄膜的表征(2)

第五章 薄膜的表征(2)

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电子计算机的引入,使Auger电子能谱仪的功
能更趋完善。目前, Auger电子能谱已成为许 多科学领域和工业应用中的最重要的表面分析 手段之一。
第五章 薄膜的表征(2)
薄膜材料与薄膜技术

俄歇电子能谱基本原理
入射电子束和物质作用,可以激发出原子的内层电 子。外层电子向内层跃迁过程中所释放的能量,可能以 X光的形式放出,即产生特征X射线,也可能又使核外 另一电子激发成为自由电子,这种自由电子就是俄歇电 子。对于一个原子来说,激发态原子在释放能量时只能进 行一种发射:特征X射线或俄歇电子。原子序数大的元 素,特征X射线的发射几率较大,原子序数小的元素, 俄歇电子发射几率较大,当原子序数为33时,两种发射 几率大致相等。因此,俄歇电子能谱适用于轻元素的分 析。
第五章 薄膜的表征(2) 薄膜材料与薄膜技术

Auger跃迁
(a) KL1L3 Auger 跃迁 (b) K1 辐射跃迁第五章Βιβλιοθήκη 薄膜的表征(2) 薄膜材料与薄膜技术

AES的应用
AES最主要的应用是进行表面元素的定性分析。AES谱 的范围可以收集到20-1700eV。因为俄歇电子强度很弱,用 记录微分峰的办法可以从大的背景中分辨出俄歇电子峰,得 到的微分峰十分明锐,很容易识别。对俄歇电子能谱,利用 微分谱上负峰的位置可以进行元素定性分析。在分析AES谱 时,要考虑绝缘薄膜的荷电位移效应和相邻峰的干扰影响。 与XPS相似,AES也能给出半定量的分析结果。这种半定量 结果是深度为1-3nm表面的原子数百分比。 AES法也可以利用化学位移分析元素的价态。但是由于很 难找到化学位移的标准数据,因此,谱图的解释比较困难。 要判断价态,必须依靠自制的标样进行 。
第五章 薄膜的表征(2) 薄膜材料与薄膜技术

薄膜材料的表征方法

薄膜材料的表征方法
详细描述
紫外-可见光谱法利用紫外-可见光波段的光子能量与材料中价电子的跃迁能量相匹配的特性,通过测量材料对不 同波长光的吸收程度,得到吸收光谱。通过对光谱的分析,可以了解材料的电子结构和分子组成,从而推断材料 的性质和结构。
红外光谱法
总结词
通过测量材料在红外光波段的吸收光谱,分析材料中分子的振动和转动模式。
俄歇电子能谱法
总结词
俄歇电子能谱法是一种高灵敏度、高分辨率的表面分析技术,用于检测薄膜材 料表面的元素组成和化学状态。
详细描述
该方法利用高能电子束轰击薄膜表面,使表面原子发射出俄歇电子,通过测量 俄歇电子的能量分布,可以推断出薄膜表面的元素组成、化学键合状态以及元 素化合物的存在形式。
红外光谱法
详细描述
红外光谱法利用红外光波段的光子能量与材料中分子振动和转动能量相匹配的特性,通过测量材料对 不同波长光的吸收程度,得到吸收光谱。通过对光谱的分析,可以了解材料中分子的振动和转动模式 ,进一步推断材料的结构和性质。
拉曼光谱法
总结词
通过测量材料在拉曼散射过程中的光谱 ,分析材料中分子的振动和旋转模式。
剪切韧性测试
通过测量材料在剪切载荷下的剪切位移或剪切强度,评估材料的 韧性。
感谢您的观看
THANKS
各种类型的薄膜材料。
原子力显微镜
总结词
原子力显微镜是一种高分辨率的表面形貌表征技术,可以用来观察薄膜表面的微观结构 和形貌特征。
详细描述
原子力显微镜利用微悬臂探针在薄膜表面扫描,通过测量探针与薄膜表面之间的相互作 用力,可以实时获得薄膜表面的形貌信息。该方法具有极高的分辨率,能够观察到薄膜
表面的原子级结构,适用于各种类型的薄膜材料。
05 化学性能表征方法

薄膜材料性能表征方法介绍

薄膜材料性能表征方法介绍
磁化率测试可以用于研究薄膜材料的磁学性质,如磁各向 异性、磁晶各向异性等,对于理解材料的磁学行为和优化 磁性薄膜的应用具有重要意义。
磁损耗法
01
磁损耗法是通过测量磁场中材 料因磁滞、涡流等效应而产生 的能量损耗来表征材料磁学性 能的方法。
02
磁损耗法通常采用交流磁场进 行测量,能够反映材料的动态 磁特性,如磁损耗角正切值等 。
电学性能表征
电导率测试
总结词
电导率测试是评估薄膜材料导电性能的重要手段,通过测量电流与电压的关系,可以获 得材料的电导率。
详细描述
在电导率测试中,将薄膜材料置于电极之间,施加一定的电压,测量流过材料的电流。 通过计算电流与电压的比值,可以得到材料的电导率。电导率的大小反映了材料导电性
能的优劣。
霍尔效应法
磁畴观察法可以用于研究薄膜材料的磁畴行为、磁反转机制等,有助于理 解材料的磁学性质和应用潜力。
06
环境稳定性表征
耐腐蚀性测试
盐雾试验
将薄膜材料置于盐雾环境中,模拟海洋大气环境,观察其抗腐蚀 性能。
酸碱腐蚀试验
将薄膜材料暴露在酸、碱等腐蚀性环境中,检测其抗腐蚀性能。
电化学腐蚀试验
通过电化学方法检测薄膜材料的耐腐蚀性能,包括电化学阻抗谱 和恒电位腐蚀等。
性能表征的必要性
对薄膜材料进行性能表征有助于了解 其物理、化学和机械性质,从而优化 制备工艺和提高产品质量。
性能表征是评估薄膜材料性能与可靠 性,以及进行材料选择和设计的重要 依据。
02
光学性能表征
透射光谱法
总结词
透射光谱法是通过测量薄膜材料透射光强随波长的变化来表征其光学性能的方法。
详细描述
通过测量划痕阻力来确定材料的硬度和韧性。

薄膜技术第五章:薄膜材料的评价表征及物性测量

薄膜技术第五章:薄膜材料的评价表征及物性测量

5.2 薄膜结构的表征------透射电镜
选区衍射原理
5.2 薄膜结构的表征------透射电镜
单 晶 : 斑 点
非 晶 衍 射 晕 环
多晶体:环花样 (同心圆)
5.2 薄膜结构的表征------透射电镜
θ很小,e束与衍射的晶面几乎是平 行的,所以入射线方向约等于由衍射 晶面组成的晶带的晶带轴。换言之, 只有那些以e束入射方向为晶带轴所 组成的晶带才能参与衍射,或者说电 子束方向和衍射斑点代表的方 向垂直。 uh + vk + wl = 0
5.1 膜厚的测量及控制-----椭偏仪
5.1 膜厚的测量及控制-----石英晶体振荡法
这是一个动力学测重方法,通过沉积 物使机械振动系统的惯性增加,从而 减小振动频率。 原理:石英作为压电共振器,以切向 模式运动,具有一级振动频率,薄膜 沉积过程中,石英频率有一定的改变 量,石英的厚度增加与沉积质量等 价,进而确定膜的厚度。 测量灵敏度主要由石英厚度的力学极 限和参考振荡器的稳定性决定。
5.2 薄膜结构的表征------低能电子衍射(LEED) 反射式高能电子衍射(RHEED)
LEED:10~500 eV,弹性背散射电子波产生的衍射花样,给出表 面1~5个原子层的结构信息。 RHEED:10~50 keV,以掠射的方式照射样品表面,在近表面发 生弹性散射,反射衍射图像CRT显示,反映出表面的结构信息。
35 eV
65 eV
ห้องสมุดไป่ตู้
5.2 薄膜结构的表征------低能电子衍射(LEED) 反射式高能电子衍射(RHEED) RHEED在薄膜生长中的应用: •检测表面是否干净 •监测生长模式 •监测膜厚
5.2 薄膜结构的表征------低能电子衍射(LEED) 反射式高能电子衍射(RHEED)

01190660薄膜材料与技术09级第1章真空技术基础

01190660薄膜材料与技术09级第1章真空技术基础

存在的真空 宇宙真空:宇宙空间内 因此,真空可分为 备获得的容器内真空 人为真空:利用真空设
现代真空技术的极限:每 cm3空间内仅有数百个气体分子 对应气压 10-11 Pa 思考题:常温常压下,每cm3空间内有多少个气体分子? 提示:可由Avogadro常数推算 (6.02×1023个/22.4×103cm3 2.7×1019 个/cm3)
1 真空技术基础
1.1 真空的基本知识
1.1.1 真空度的单位
真空的实质:一种低压气体物理状态 真空度采用气体压强表征 真空度的单位 = 气体压强的单位
注意:真空度和气压的意义相反 真空度 意味着 气压
国际单位制(MKS制,即SI制) 1 Pa=1 N / m 2 1 bar=106 dyne/cm 2 厘米克秒制(CGS 制) 主要单位制 1 PSI =1 lbf / in 2 英制(FPS制) 毫末汞柱制(mmHg 制) 1 torr =1 mmHg =1 / 760 atm
本课程的讨论对象是什么 ? 具有结构/功能特性的固态薄膜(thin solid films)!
本课程的研究内容
凝结 材料学 薄膜在基片上 伴随复杂物理化学过程 形核 阶段 涉及 物理学 形成,可分为 化 学 长大
换算基础:1 N=105 dyne=0.225 lbf 1 atm=760 mmHg(torr)=1.013×105 Pa=1.013 bar
1 真空技术基础
1.1 真空的基本知识
1.1.1 真空度的单位
不同真空度单位制间的换算关系:
torr/mmHg 1 torr (1 mmHg) 1 Pa 1 bar 1 atm 1 PSI 7.501×10-3 7.501×102 760.0 51.7149
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薄膜材料与技术
Thin Film Materials & Technologies
5 薄膜表征
5.1 薄膜厚度/沉积速率
5.1.5 探针法 (粗糙度仪)
1、测量原理:直径很小的触针 (探针) 在一定载荷作用下滑
过被测薄膜表面,同时记录下触针在垂直方 向的位移大小并描绘样品表面轮廓,在薄膜 边缘处轮廓的突变即薄膜的厚度(实际上是 表面轮廓测量)。
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5 薄膜表征
5.1 薄膜厚度/沉积速率
5.1.4 光学干涉法
1、光的干涉条件 (不考虑半波损失):
1)什么是光的干涉:指满足一定条件的两列相干光波相遇叠加,在叠加 区域某些点的光振动始终加强、某些点始终减弱, 即干涉区域内光强产生稳定空间分布的现象。
5.1.4 光学干涉法
3、不透明薄膜的等厚干涉测量:
1)测量条件: 薄膜沉积后形成台阶; 薄膜表面放臵参考玻璃片,实现半反半透。 2)具体实现: 在薄膜的台阶处沉积高反射率 Al/Ag 金属层; 等厚干涉测量不透明薄膜厚度的原理 薄膜表面反光率 干涉条纹锐度和测量精度! 课本 P230 图6.2 在薄膜上覆盖一块平板玻璃片 实现分光效果! 3)测量原理: 单色光照射下,玻璃片和薄膜之间光的反射导致干涉现象发生,此时干涉极大条件为:
0 2
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5 薄膜表征
5.1 薄膜厚度/沉积速率
5.1.4 光学干涉法
4、不透明薄膜的等色干涉测量:
1)测量条件:测量装臵与等厚干涉相同,但采用非单色光源。
2)区别:无等厚干涉条纹出现,但可由光谱仪记录到一系列满足干涉极大条件的光波波长 ! 3)测量原理: 光谱仪检测到相邻两次干涉极大的条件为:
4、优、缺点:
1)方法简单、测量直观; 2)适合硬膜测量,容易划伤较软薄膜并引起测量误差; 3)对表面很粗糙的薄膜测量误差较大。
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5 薄膜表征
5.1 薄膜的厚度/沉积速率
气相原子密度法 实时监测微平衡称重法 石英晶体振荡法 光学干涉法 薄膜厚度及沉积率表征方法的主要分类: 光学干涉法 划针法 (粗糙度仪) 后期测定 球痕法 (球痕仪) 原子力显微法 5.1.1 气相原子密度法
f
Dq Dq
f0
Df f 2D f f 2 m f0 f0 f0 0 A Dq 0 Dq 0v
(5 - 4)
石英晶体振荡法的测量原理示意图 薄膜材料与技术
式中:Df — 薄膜的厚度; f — 薄膜材料的密度; A — 石英晶片的面积; 0 — 石英晶体的密度。
D
由此即可推算薄膜的沉积速率和厚度。

2n f cos '
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5 薄膜表征
5.1 薄膜厚度/沉积速率
薄膜与玻璃片之间的距离 S 引起的光程差 为波长 的整数倍,即: 2S ph / 2 N 此处:ph — 光在玻璃片和薄膜表面发生两次反射时造成的相移。 从玻璃片表面反射和从薄膜表面的反射都是向空气反射,其相移之和为 + , 因此干涉极大条件可写作: S ( N 1) / 2 玻璃片与薄膜表面一般不完全平行,也会造成干涉条纹出现:每当 S =/2 时,出现间距为 0的干涉条纹; 如右图所示:台阶造成的条纹间距为 ,且台阶高度 (膜厚) 满足: D 分别测得 和 0,就可以计算出台阶高度 (测得膜厚 D)。 西安理工大学 -6Xi'an University of Technology
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5 薄膜表征
5.1 薄膜厚度/沉积速率
5.1.2 微平衡称重法
1、测量原理:调整线圈电流,使薄膜增重引起的重力力矩
和线圈所产生磁场与吸铁间的磁场力达到平衡, 即可换算出薄膜质量,而薄膜厚度满足:
S N 1 / 2 ( N 1) 2 /2
式中:1、2 分别为可引起干涉极大的相邻波长,N — 相应的干涉级数。 薄膜台阶上下,形成 N 级干涉条纹的波长( S D) 2S N
测得 和 N,即可得到 D:
n f ( AB BC ) AN 2n f D f cos (5 - 6) n sin 式中: — 折射角,满足: 0 sin ' n f sin (5 - 7) n f sin '
4)干涉条件: 干涉极大条件 —— 是 的整数倍,即: = N; 干涉极小条件 —— = (N+1/2) !
光的干涉现象是光学干涉法测量薄膜厚度的基础! 2)相干光: 概念:频率、振动方向相同,且光程差恒定的两束光; 获得:把同一光源发出的光束分为两束,再使之相遇! 3)光程差:设薄膜的厚度和折射率分别是 Df 和 nf,入射单色光波长为 , 空气的折射率 n0≈1,则 P 点处反射光ADP与折-反射光CEP 间的光程差 满足:
5 薄膜表征
5.1 薄膜厚度/沉积速率
5.1.4 光学干涉法
2、透明薄膜的等倾干涉测量:
1)测量原理:基片不透明且具有一定反射率时,光的干涉条件为:
D
N 2n f cos '
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等倾干涉测量透明薄膜厚度原理 课本 P234 图6.4
式中:N — 干涉级数; — 光的波长; nf — 薄膜的折射率; ' — 干涉极值出现的角度。
2)分析:
薄膜的折射率 nf 已知:则直接由干涉极值出现的角度 ' 即可拟合出 N 和膜厚 D; 如果 nf 未知:可假定一个 nf 的初始值,由一系列干涉极值出现时对应的入射角 ' 拟合出 nf。 3)实际测量过程: 利用波长 已知的单色光入射到薄膜表面,并由光接收器测量反射回来的干涉光强; 在薄膜沉积过程中,膜厚 D 在不断变化,如果沉积速率不变,将可以观测到干涉光强周期性变化; 每次光强变化对应的膜厚变化可表示为:
5 薄膜表征
5.1 薄膜厚度/沉积速率
5.1.6 球痕法 (Ball-Crater)
1、测量原理:用高硬度的磨球通过传动机构在薄膜表面接触滚动,
待薄膜磨穿之后,测量磨坑直径和薄膜磨穿区宽度, 进而通过几何关系折算出薄膜的厚度。
2)一定程度上还可评定磨损率及膜基结合强度; 3)后效测量手段、使用近似公式有一定测量误差。
可见:利用光的干涉实现对薄膜厚度的测量,需要设计出对光强空间
分布变化的具体测量方法! 西安理工大学 Xi'an University of Technology
光的干涉现象及其实现薄膜厚度 测量的原理
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dt
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Ii a I dt i t Ie Ie 0 a
t
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此处:n — 气相粒子密度; — 膜材料密度; a — 常数。
二、特点:
1、膜厚测量的相对误差 ≈ 10%; 2、测量结果和蒸发源温度及残余气体气压有关 (分别影响 a 和 Ii )。 西安理工大学 -1Xi'an University of Technology
D
2 1 2 2
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4)说明: 等厚干涉用显微镜观察干涉条纹的移动、等色干涉用光谱仪测量波长差; 等色干涉法的分辩率 > 等厚干涉法 测量精度可达 1 nm!
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可同时测得薄膜的表面粗糙度及膜厚!
2、仪器特征:
1)探针:一般为金刚石,头部磨成 R= 2-10 m的圆弧形; 2)载荷:一般为 1-30 mgf; 3)分辩率:1 nm (机械/光电放大位移量 103-106倍)。
探针法的测量原理
3、基本矛盾:
不破坏样品表面真实形貌 探头头部接触压力 大直径探头有利; 能分辨表面形貌微小起伏 探头跟随性、分辨率 小直径探头有利!
2、基本特点:1)简单快捷、可测多层膜内每层厚度; 3、近似公式:
磨坑直径及磨穿区宽度 << 磨球直径 Db 时, 任意一层薄膜的厚度 D 近似满足:
D
y d y Db
(5 - 12)
式中:d — 该层薄膜下表面对应磨坑直径; y — 该层薄膜对应的磨穿区宽度。
课后作业:
1、薄膜材料的表征一般可分为哪几大类? 2、薄膜厚度和沉积率的实时监测主要有哪些方法?已镀制薄膜厚度的测量方 法主要有哪些?其中哪些可用于透明薄膜的厚度表征? 3、选择三种膜厚/沉积速率表征法,图示说明其测量原理、特点和适用场合。
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