非晶硅与低温多晶硅的区别
tft的沟道材料
tft的沟道材料
TFT的沟道材料主要有非晶硅（a-Si）和低温多晶硅（LTPS）。
非晶硅TFT（a-Si TFT）具有成本低廉的优点，但载流子迁移率和开关比都一般，因此，难以驱动大尺寸显示器。
低温多晶硅TFT（LTPS TFT）的载流子迁移率较高，适用于驱动TFT，但其开关比相对较低，用于控制TFT的效果相对较差。
此外，如果屏幕的每一帧开启时间较长，其开关比低会导致屏幕工作电流不稳定，影响面板的显示效果。
此外，还有金属氧化物TFT作为沟道材料，但具体应用不如前两者广泛。
以上内容仅供参考，如需更多信息，建议咨询半导体显示领域专家或阅读相关论文。
LTPS低温多晶硅技术浅析
LTPS低温多晶硅技术浅析一、LTPS简介低温多晶硅（Low Temperature Poly-silicon；LTPS，以下以LTPS代称）是平板显示器领域中的又一新技术。
继非晶硅（Amorphous-Silicon，以下以a-Si代称）之后的下一代技术。
Polysilicon (多晶硅) 是一种约为0.1至数个um大小、以硅为基底的材料，由许多硅粒子组合而成。
在半导体制造产业中，多晶硅通常经由LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)处理后，再以高于900C的退火程序，此方法即为SPC (Solid Phase Crystallization) 。
然而此种方法却不适合用于平面显示器制造产业，因为玻璃的最高承受溫度只有650℃。
因此，LTPS技术即是特別应用在平面显示器的制造上。
传统的非晶硅材料（a-Si）的电子迁移率只有0.5 cm2/V‧S，而低温多晶硅材料（LTPS）的电子迁移率可达50～200 cm2/V‧S，因此与传统的非晶硅薄膜电晶体液晶显示器（a-Si TFT-LCD）相比，低溫多晶硅TFT-LCD具有更高解析度、反应速度快、亮度高(开口率aperture ratio高)等优点，同时可以将周边驱动电路同时制作在玻璃基板上，达到在玻璃上集成系统（SOG）的目标，所以能够节省空间和成本此外，LTPS技术又是发展主动式有机电致发光（AM-OLED）的技术平台，因此LTPS技术的发展受到了广泛的重视。
二、非晶硅（a-Si）与低温多晶硅（LTPS）的区别一般情况下低温多晶硅的制程温度应低于摄氏600℃，尤其对LTPS区别于a-Si制造的制造程序“激光退火”（laser anneal）要求更是如此。
与a-Si相比，LTPS的电子移动速度要比a-Si 快100倍，这个特点可以解释两个问题：首先，每个LTPS PANEL 都比a-Si PANEL反应速度快；其次，LTPS PANEL 外观尺寸都比a-Si PANEL小。
精通LCD中α-Si、LTPS、IGZO显示区别及制造工艺
1精通LCD中α-Si、LTPS、IGZO显示区别及制造工艺2CONTENTSα-Si IGZOA C LTPSB显示技术工艺-TFT LCDTFT概念TFT（Thin Film Transistor）是指薄膜晶体管，意即每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动。
薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管。
T(Transistor)是指晶体管。
晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。
晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。
在TFT中的晶体管均为场效应晶体管，简称“场效应管”。
LCD：液晶显示。
液晶面板由背光板、偏光片、玻璃基板、TFT、彩色滤光片等组成。
由电压控制液晶分子的扭转角度来控制液晶显示。
Video Data Timing ControlPower Supply CircuitBack-LightLCD Timing Controller PC InterfaceBack-Light Power SupplyTFT-LCD ArrayData DriverScan DriverLTPS TFT-LCD Panel I/O InterfaceI/O InterfaceX1X2X3072Y1Y2Y768Scan DriverData Driver Block 1Block 2Block 3Block 4Glass SubstrateBuffer Level Shifter Shift RegisterSpacerLCAlignment Layer TFT-Array SubstrateColor Filter SubstrateBlack MatrixColor Filter -Green PixelPolarizerPolarizerPixel ElectrodeTFT显示技术工艺-TFT LCD我们来看看这个电路图，这里我们不讨论显示器的各种驱动控制方式，什么静态驱动、动态驱动，什么行扫描、列寻址，统统不管。
整理液晶专业术语
液晶专业术语Backlight:背光。
CCFL(CCFT) (Cold Cathode Fluorescent 廿9^/7此6):冷阴极荧光灯。
Composite vide 复合视频。
Component vide 分量视频。
COB(Chip On Board):IC裸片通过邦定固定于印刷线路板上。
COF(Chip On Film):将IC封装于柔性线路板上。
COG(Chip On Glass):W IC 封装于玻璃上。
CRT(Cathode Radial Tube):阴极射线管。
DPI(Dot Per Inch):点每英寸。
Duty:占空比，高出点亮的阀值电压的部分在一个周期中所占的比率。
DVI(Digital Visual Interface):( VGA)数字接口。
ECB(Electrically Controlled Birefringence):电控双折射。
EL(Electro luminescence):电致发光。
EL层由高分子量薄片构成FSTN(Formulated STN):薄膜补偿型STN,用于黑白显示。
HTN(High Twisted Nematic):高扭曲向列的显示类型。
IC(Integrate Circuit):集成电路。
Inverter:逆变器。
ITO(Indium-Tin Oxide):氧化锢锡。
LCD(Liquid Crystal Display):液晶显示器。
LCM(Liquid Crystal Module):液晶模块。
LED(Light Emitting Diode):发光二极管。
LVDS(Low Voltage Differential Signaling):低压差分信号。
NTSC(National Television Systems Committee):NTSC 制式，全国电视系统委员会制式OSD(On Screen Display):在屏上显示。
PAL(Phase Alternating Line)PAL 制式(逐行倒相制式)。
多晶硅和非晶硅
3.5.2 二氧化硅
淀积二氧化硅分掺杂与不掺杂两种。不掺杂二氧化硅 可用作离子注入或扩散的掩模、防止固态掺杂源内杂 质外扩散的覆盖层、以及MOS电路场氧化层的增厚层。 掺磷二氧化硅用作金属层间绝缘材料、器件表面的最 后钝化层及有害杂质的吸除层。掺有磷、砷、硼的二 氧化硅有时作固-固扩散源使用。
3.5.3 氮化硅
3.2 薄膜制造，外延生长
•集成电路芯片制造过程，实际上是在衬底上多次反复 进行薄膜形成，掺杂与光刻等过程。 •薄膜制备方法有两类，物理淀积与化学淀积。真空蒸 发，阴极溅射，分子束外延等属于物理淀积。利用化 学反应过程的生产方法，称为化学淀积法。它又分为 化学液相淀积与化学气相淀积两类，外延是一种化学 气相淀积，热氧化也是一种化学淀积。
（5）针孔密度
单位面积上的针孔数称为针孔密度。光刻胶膜上 的针孔在腐蚀过程中会传递到衬底上去，危害极 大。
（6）留膜率
留膜率是指曝光显影后的非溶性胶膜厚度与曝光 前胶膜厚度之比。留膜率除与光刻胶本身的性质 有关外，还受光刻工艺条件的影响。如胶膜厚度 、前烘温度、曝光气氛、曝光量、显影液成分等
3.3.3. 热氧化工艺
在半导体生产中，普遍采用干氧一湿氧一干氧交替 的氧化方法。
3.4 掺杂技术
掺杂是人为的方法.将所需杂质按要求的浓度与分布 掺入到材料中,以达到改变材料的电学性质,形成半导 体器件的目的。利用掺杂技术可以制备p—n结，电 阻器、欧姆接触和互连线等。
掺杂技术在集成电路制造中主要采用扩散法与离子 注入法。应根据实际需要，选择合适的掺杂方法。
多晶硅薄膜具有与单晶硅相近 的敏感特性、机械特性，它在微 机械加工技术中多用于作为中间 加工层材料。在工艺上可与单晶 硅工艺相容，又能进行精细加工， 而且还可以根据器件的需要充当 绝缘体、导体和半导体。
如何正确区分单晶硅、多晶硅、非晶硅电池 分别有哪些优缺点？
如何正确区分单晶硅、多晶硅、非晶硅电池分别有哪些优缺点？“如何区分单晶硅电池和多晶硅电池”？对于此问题，想必大家都有了一个比较深层次的了解，但对于刚加入光伏行业的人来说，我觉得还是有必要再给大家说一下单晶硅电池、多晶硅电池和非晶硅电池之间的区别。
如果有说的不妥当的地方，也还请大家见谅。
太阳电池最早问世的是单晶硅太阳电池。
硅是地球上极丰富的一种元素，几乎遍地都有硅的存在，可以说是取之不尽的，用硅来制造太阳电池，原料可谓不缺。
但是提炼它却不容易，因此人们在生产单晶硅太阳电池的同时，又研究了多晶硅太阳电池，至今商业规模生产的太阳电池，还没有跳出硅的系列。
那么该如何正确区分单晶硅、多晶硅与非晶硅电池呢？第一：外观上的区别从外观上面看的话，单晶硅电池的四个角呈现圆弧状，表面没有花纹；而多晶硅电池的四个角呈现方角，表面有类似冰花一样的花纹；而非晶硅电池也就是我们平时说的薄膜组件，它不像晶硅电池可以看出来栅线，表面就如同镜子一般清晰、光滑。
单晶硅电池多晶硅电池非晶硅电池第二：使用上面的区别对于使用者来说，单晶硅电池和多晶硅电池没有太大的区别，它们的寿命和稳定性都很好。
虽然单晶硅电池平均转换效率要比多晶硅高1%左右，但由于单晶硅电池只能做成准正方形（四边都是圆弧状），因此当组成太阳能电池板的时候就会有一部分面积填不满；而多晶硅是正方形，所以不存在这样的一个问题，它们的优缺点具体如下：晶硅组件：单块组件功率相对较高。
同样占地面积下，装机容量要比薄膜组件高。
但组件厚重易碎，高温性能较差，弱光性差，年度衰减率高。
薄膜组件：单块组件功率相对略低。
但发电性能高，高温性能佳，弱光性能好，阴影遮挡功率损失较小，年度衰减率低。
应用环境广泛，美观，环保。
第三：制造工艺多晶硅太阳能电池制造过程中消耗的能量要比单晶硅太阳能电池少30%左右，因此多晶硅太阳能电池占全球太阳能电池总产量的份额大，制造成本也小于单晶硅电池，所以使用多晶硅太阳能电池将会更加的节能、环保！其实可供制造太阳电池的半导体材料很多，随着材料工业的发展、太阳电池的品种将越来越多。
tft器件的4种结构
tft器件的4种结构
TFT（薄膜晶体管）器件的常见结构包括：
1. a-Si TFT（非晶硅薄膜晶体管）：这种结构使用非晶硅材料作为半导体层，可在玻璃或塑料基板上制造。
它具有较低的生产成本和较好的稳定性，但响应速度较慢。
2. LTPS TFT（低温多晶硅薄膜晶体管）：这种结构使用低温多晶硅材料作为半导体层，通过高温退火使其结晶化。
LTPS TFT具有较高的电子迁移率，可以实现更快的响应速度和较高的分辨率。
3. IGZO TFT（铟镓锌氧薄膜晶体管）：这种结构使用铟镓锌氧化物（IGZO）作为半导体材料，具有高电子迁移率和较好的电学性能。
IGZO TFT可以实现更高的分辨率、更快的响应速度和较低的功耗。
4. Oxide TFT（氧化物薄膜晶体管）：这种结构使用氧化物材料（如氧化铟锡）作为半导体层，具有较高的电子迁移率和较好的稳定性。
Oxide TFT可以实现高分辨率、高刷新率和低功耗的显示效果。
目前最全的LCD专业术语
目前最全的LCD专业术语(中英文资料)<超全面+超长> Backlight:背光。
CCFL(CCFT) (Cold Cathode Fluorescent Light/Tube):冷阴极荧光灯。
Composite vide复合视频。
Component vide分量视频。
COB(Chip On Board):IC裸片通过邦定固定于印刷线路板上。
COF(Chip On Film):将IC封装于柔性线路板上。
COG(Chip On Glass):将IC封装于玻璃上。
CRT(Cathode Radial Tube):阴极射线管。
DPI(Dot Per Inch):点每英寸。
Duty:占空比，高出点亮的阀值电压的部分在一个周期中所占的比率。
DVI(Digital Visual Interface):（VGA）数字接口。
ECB(Electrically Controlled Birefringence):电控双折射。
EL(Electro luminescence):电致发光。
EL层由高分子量薄片构成FSTN(Formulated STN):薄膜补偿型STN,用于黑白显示。
HTN(High Twisted Nematic):高扭曲向列的显示类型。
IC(Integrate Circuit):集成电路。
Inverter:逆变器。
ITO(Indium-Tin Oxide):氧化铟锡。
LCD(Liquid Crystal Display):液晶显示器。
LCM(Liquid Crystal Module): 液晶模块。
LED(Light Emitting Diode):发光二极管。
LVDS(Low Voltage Differential Signaling):低压差分信号。
NTSC(National Television Systems Committee):NTSC制式,全国电视系统委员会制式OSD(On Screen Display):在屏上显示。
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非晶硅与低温多晶硅的区别
非晶硅（a-Si TFT）与低温多晶硅（LTPS TFT）的区别
什么是低温多晶硅：
低温多晶硅LTPS是Low Temperature Ploy Silicon的缩写，一般情况下低温多晶硅的制程温度应低于摄氏600度，尤其对LTPS区别于a-Si制造的制造程序“激光退火”（laser anneal）要求更是如此。
与a-Si相比，LTPS的电子移动速度要比a-Si快100倍，这个特点可以解释两个问题：首先，每个LTPS PANEL 都比a-Si PANEL反应速度快；其次，LTPS P ANEL 外观尺寸都比a-Si PANEL小。
下面是LTPS与a-Si相比所持有的显著优点：
1、把驱动IC的外围电路集成到面板基板上的可行性更强；
2、反应速度更快，外观尺寸更小，联结和组件更少；
3、面板系统设计更简单；
4、面板的稳定性更强；
5、解析度更高，
激光退火：
p-Si 与a-Si的显著区别是LTPS TFT在制造过程中应用了激光照射。
LTPS制造过程中在a-Si层上进行了激光照射以使a-Si结晶。
由于封装过程中要在基板上完成多晶硅的转化，LTPS必须利用激光的能量把非结晶硅转化成多晶硅，这个过程叫做激光照射。
电子移动性：
a-Si TFT的电子移动速率低于1 cm2/V.sec，同时驱动IC需要较高的运算速率来驱动电路。
这就是为什么a-Si TFT不易将驱动IC集成到基板上。
相比之下，p-Si电子的移动速率可以达到100 cm2/V.sec，同时也更容易将驱动IC集成到基板上。
结果是，首先由于将驱动IC、PCB和联结器集成到基板上而降低了生产成本，其次使产品重量更轻、厚度更薄。
解析度：
由于p-Si TFT 比传统的a-Si小，所以解析度可以更高。
稳定性：
p-Si TFT的驱动IC合成在玻璃基板上有两点好处：首先，与玻璃基板相连接的连接器数量减少，模块的制造成本降低；其次，模块的稳定性将得以戏剧性的升高。