新片WAT测试讲解
WAT工艺参数测试分解
可以使用控制界面上的“Change Fields”来调节显微镜是低倍还是高倍的；使用“Change Lighting”来调节图形的明暗场；使用Light Up和Light Down来调节可视区的光亮度，使用Automatic Light Adjustment来自动调节视区的光亮度；INDEX：步长（STEP）按Block的X，Y值移动；JOG：步长（STEP）按最小值（1um）移动；SCAN：步长（STEP）按中间值（如100um）移动；Cont Mode可设定步长是否为连续的方式移动。使用Z Pos下方的“↓”箭头调节图象的焦距，到能看到针尖的大致图象时按控制面板上的“Auto Focus”按钮，直至图像窗口出现清晰的针尖图像。使用各方向箭头将十字对位标记移到第一个定位针尖的中心后按OK，接着继续按界面提示设置第2，3，4个定位针尖位置（最多可设置4个）。之后台盘显微镜自动转为高倍状态，视窗上陆续出现刚才定位的4个针尖高倍图像，将十字对位标记依次对到这些高倍定位针尖中心点按OK。
3.2.5主要操作流程
当p8选完之后按操作界面上的开始按钮即开始测试此时操作者开始将测试相关的信息输入测试窗口主要信息有测试项，测试名，片子的的批号，以及工艺。当输入片号时一定要检查片号输入是否正确若输入有误将会带来不可预见的的损失。轻则产品结构异常重则整批全部报废。则将给公司以及个人带来巨大损失。所以输入片号时一定要细心认真。测试操作如表1）所示。
图1MOS击穿电压图
（1）饱和电压：以硅二极管为例，它的饱和电压就大概在0.7V左右，当二极管两端加上顺向电压时(可以用电源供应器串接一个电阻)，就会产生电流，在二极管的两端就会有电压差，当这个电流由小变大时，电压差也会逐渐变大，但大到接近饱和电压以后，电压差就不再明显的随电流上升而上升，这时，这个电压差就是二极管的饱和电压。
新片WAT测试讲解课件
未来的WAT测试将实现实时反馈和预测性维护，能够在测试过程中及时发现问题并给出解决方案，同时预测可能 出现的故障和风险，提高系统的可靠性和稳定性。
对于新片WAT测试行业的未来展望与思考
新片WAT测试行业的未 来发展前景
随着新技术的发展和新片WAT测试技术的 不断成熟，新片WAT测试行业将迎来更加 广阔的发展空间，未来的发展前景非常乐观 。
1 2
研发专用测试设备
针对特定复杂环境和严苛条件，研发专用测试设 备，以适应各种复杂环境和严苛条件下的测试需 求。
加强与科研机构的合作
与科研机构合作，引入先进的测试技术和方法， 以应对复杂环境和严苛条件下的测试需求。
3
制定应急预案
针对可能出现的意外情况和不可抗力因素，制定 应急预案，确保测试工作能够迅速恢复正常。
高低温试验箱、振动台、恒温恒湿箱 、亮度计、色度计、测试软件等。
测试方法
将手机屏幕放置在高低温试验箱中， 设置温度范围为-20℃~60℃，循环 次数为10次，每次持续2小时。在每 个温度下，测试屏幕的亮度、色度、 对比度等参数，观察是否存在偏差。 在振动台上进行振动测试，模拟手机 在日常使用中可能遇到的振动情况， 检测手机屏幕是否存在损坏或脱落现 象。
WAT测试的发展历程和应用领域
WAT测试最初起源于半导体产业发达的美国，随着半导体技 术的不断发展，WAT测试逐渐成为行业内的标准流程。近年 来，随着中国半导体产业的快速发展，WAT测试在国内的应 用也越来越广泛。
WAT测试主要应用于半导体芯片制造领域，包括集成电路、 模拟电路、数字电路等。随着技术的发展和应用领域的扩展 ，WAT测试也逐渐应用于其他领域，如光电、传感器等半导 体相关产业。
WAT-电性参数介绍(WAT-Parameters-introduction)说课讲解
Test site and Test line location
TST1 TST7
TST3 TST8 TST9
TST5
(in=13206.24614.8) (out=13326.24734. 8) TST2
TST4
TST6
(0.0)
frame=120x120
3
Device Categorization
Device Part:
1) Gm (Vth,Current Gain) 2) Idsat (Asym) 3) Ioff 4) Swing 5) Gamma factor 6) BKV 7) Isub 8) Leff,Rext,Weff 9) Field Device test 10) Capacitance
Pad1
Spacing:(P1,P2,M1,M2,M3) Pad2
Width:(P1,P2,M1,M2,M3)
6
Process Part:
(2) Continuity (Open)
Continuity 的值可反映出Metal,Poly 1 or Poly 2 CD 的控制能力！一般来说，此项参数 要与Spacing要同时来看，如此才能判定 Layer的status是否正常！
WAT-电性参数介绍(WATParameters-introduction)
Why WAT?
Debug the Process Error. Monitor Process Window. Check Design Rule. Control the Process Parameters(SPC). Reliability Characterization. Device Modeling for Circuit Design. Develop next Generation.
不管你工艺掌握多少，一定马上要会的技能，WATPCM手动测试
不管你工艺掌握多少，一定马上要会的技能，WATPCM手动测试对于很多传统行业，如机械，汽车，船舶，钢铁，铸造，冶金，煤炭等等，做的怎么样，做的好坏，基本上用肉眼就可以看的到的，发现问题可以及时纠正，然而，半导体行业却做不到，它属于微电子范畴，并不是“微店”，做微店的出门左转，找你的朋友，推销给他/她比较靠谱，东西好的话，口口相传还是可以做起来的，微电子不同，从第一个晶体管发明到现在，短短的70年时间，半导体行业已经从宏观可见，经历微米量级，再到亚微米，知道纳米量级，现在已经发展到了10nm量产阶段，说半导体行业是朝阳行业可以，毕竟刚开始70年，说它是夕阳行业，也说得通，10nm工艺已经只有世界上介个寡头还能做了，到7nm，5nm甚至更高的级别，恐怕单个公司已经无力支付如此大的研发投入，到时候只能几个公司联合开发了，这个过程会越来越慢，最终“摩尔定律“一定会停止，18寸晶圆到现在都没办法量产就是研发投入过大造成的，同样，到更小的级别的时候，投入产出比过低时，如果还没有其它替代工艺出现，那么，“摩尔定律”终结之日不远了。
有点跑题了，回到微电子工艺过程中部分看得见，部分看不见，基本摸不着这个特点，要监控几百上千步的工艺步骤，就需要一些手段，其中在线一般会有光刻线宽测试，刻蚀线宽测试，套偏测试，薄膜厚度测试，薄膜应力测试，薄膜电阻率测试，薄膜反射率测试，还会有offline的光刻胶的接触角测试，光刻线宽准确与否的比对图形校准，注入计量的监控测试电阻，刻蚀速率的监控，不同膜层刻蚀速率选择比对比，均匀性测试，湿法腐蚀速率测试，栅氧可动离子测试，带掺杂元素的薄膜的掺杂元素含量测试，以及缺陷控制测试等等等等，有点晕是不是没关系，这些都是module工程师的范畴，会分别由各个部门的module工程师负责各自的一块，module工程师其实应该要多了解一些PIE做的事情，自己的module在整个flow中的作用，会对哪些参数其作用，敏感性如何等等，而PIE要了解各个module的东西，因此要求更复杂一些，这些inline/offline的平时多了解些，出问题了知道要查什么就可以了，module要对自己的module严格把控，不要把异常点草草的重测了事，出现异常点除了测试错误其他都有可能是设备除了问题造成的，要有这种觉悟才不会犯错误，否则早晚要中招的。
芯片测试的几个术语及解释(CP、FT、WAT)
CP是把坏的Die挑出来，可以减少封装和测试的成本。
可以更直接的知道Wafer的良率。
FT是把坏的chip挑出来；检验封装的良率。
现在对于一般的wafer工艺，很多公司多吧CP给省了；减少成本。
ＣＰ对整片Ｗａｆｅｒ的每个Ｄｉｅ来测试而ＦＴ则对封装好的Ｃｈｉｐ来测试。
ＣＰＰａｓｓ才会去封装。
然后ＦＴ，确保封装后也Ｐａｓｓ。
WAT是Wafer Acceptance Test，对专门的测试图形（test key）的测试，通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定；CP是wafer level的chip probing，是整个wafer工艺，包括backgrinding和backmetal （if needed），对一些基本器件参数的测试，如vt,Rdson,BVdss,Igss,Idss等，一般测试机台的电压和功率不会很高；FT是packaged chip level的Final Test，主要是对于这个（CP passed）IC或Device芯片应用方面的测试，有些甚至是待机测试；Pass FT还不够，还需要作process qual和product qualCP测试对Memory来说还有一个非常重要的作用，那就是通过MRA计算出chip level的Repair address，通过Laser Repair将CP测试中的Repairable die修补回来，这样保证了yield和reliability两方面的提升。
CP是对wafer进行测试,检查fab厂制造的工艺水平FT是对package进行测试,检查封装厂制造的工艺水平对于测试项来说,有些测试项在CP时会进行测试,在FT时就不用再次进行测试了,节省了FT测试时间;但是有些测试项必须在FT时才进行测试(不同的设计公司会有不同的要求)一般来说，CP测试的项目比较多，比较全；FT测的项目比较少，但都是关键项目，条件严格。
但也有很多公司只做FT不做CP(如果FT和封装yield高的话，CP就失去意义了)。
wat中测电阻方法
wat中测电阻方法【原创实用版4篇】《wat中测电阻方法》篇1在Wat 中，测量电阻的方法通常使用伏安法。
伏安法是一种通过测量电阻两端的电压和电流来计算电阻值的方法。
在Wat 中，可以使用电流表和电压表来测量电阻。
具体步骤如下：1. 将电阻连接到电路中，使用电流表测量通过电阻的电流，使用电压表测量电阻两端的电压。
2. 根据欧姆定律，电阻值R 等于电压V 与电流I 的比值，即R = V/I。
3. 使用伏安法计算电阻值，需要多次测量不同电流和电压下的电阻值，然后计算出平均值作为最终结果。
需要注意的是，在Wat 中测量电阻时，需要使用理想的电流表和电压表，并且电路中应该没有其他元件的影响。
《wat中测电阻方法》篇2在Wat 中，有多种方法可以测量电阻。
以下是其中两种常见的方法：1. 使用万用表的电阻档位直接测量电阻。
万用表通常有多个电阻档位，可以选择适当的档位来测量不同范围内的电阻值。
使用万用表测量电阻时，需要将电阻连接到电路中，并将万用表的电阻测量端子连接到电路的两个端口上。
然后，读取万用表上显示的电阻值即可。
2. 使用伏安法测量电阻。
伏安法是一种基于欧姆定律的测量电阻的方法。
使用伏安法测量电阻时，需要将电阻连接到电路中，并将电流表和电压表连接到电路的两个端口上。
然后，通过改变电流表和电压表的读数，可以得到多个电流和电压的值。
根据这些值，可以使用欧姆定律计算出电阻值。
需要注意的是，在测量电阻时，应该选择适当的电路连接方式，以避免测量误差。
《wat中测电阻方法》篇3在Wat 中，测量电阻的方法通常使用伏安法。
伏安法是一种通过测量电压和电流来计算电阻的方法。
具体步骤如下：1. 使用一个多用表的电阻档测量电阻。
多用表通常有一个欧姆档，可以用来测量电阻。
2. 将多用表连接到电路中，使电阻与电源、开关、电流表和电压表串联。
电压表应该与滑动变阻器并联。
3. 调整滑动变阻器的电阻值，记录下每个电阻值对应的电流和电压表读数。
WAT测量项目以及测试方法
WAT测量项目以及测试方法WAT (Workplace Assessment Tool) 是一种用于测量工作环境的工具，可以帮助组织评估员工的工作满意度、工作压力、工作负荷和工作环境等方面。
下面将介绍一些常用的WAT测量项目以及相应的测试方法。
1.工作满意度：-测量项目：工作满意度可以通过问卷调查的方式进行测量，其中包括员工对工作内容、工作安排、工作资源、工作环境等方面的满意度评价。
-测试方法：使用问卷调查的方式，让员工对一系列与工作满意度相关的问题进行评分，例如“您对目前的工资待遇是否满意？”，“您是否对上司给予足够的支持和鼓励？”等。
通过统计和分析员工的答案，可以得出整体的工作满意度水平。
2.工作压力：-测量项目：工作压力可以通过多种方式进行测量，包括问卷调查、观察员工工作情况以及参考员工的生理和心理指标等。
-测试方法：使用问卷调查的方式，让员工评估他们在工作中感受到的压力程度，例如“您是否感到工作压力过大？”、“您是否有足够的资源来完成工作任务？”等问题。
此外，还可以通过观察员工的工作情况，如工作时的表情、工作速度等来判断其工作压力水平。
3.工作负荷：-测量项目：工作负荷可以通过问卷调查、观察员工的工作量以及参考工作完成情况等方式进行测量。
-测试方法：使用问卷调查的方式，让员工评估他们的工作负荷水平，例如“您认为自己的工作负荷是否合理？”、“您每天需要处理的工作任务有多少？”等问题。
此外，还可以通过观察员工的工作量，记录其每天完成的任务数量以及质量来判断他们的工作负荷水平。
4.工作环境：-测量项目：工作环境可以通过观察员工的工作场所、设备和工作条件等方面进行测量，也可以通过问卷调查员工对工作环境的评价来测量。
-测试方法：观察员工的工作场所，包括工作桌面的整洁程度、工作区的噪音水平等。
同时，还可以观察员工使用的工作设备是否齐全、是否足够舒适。
此外，还可以使用问卷调查的方式，让员工评估他们对工作环境的满意度，例如“您认为您的工作场所是否安静舒适？”、“您是否得到足够的工作支持和资源？”等问题。
wat测试专业术语-概述说明以及解释
wat测试专业术语-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分是文章的引言部分，用于引入主题并简要介绍文章内容。
在"wat测试专业术语"的概述部分，你可以按照以下内容进行撰写：概述部分：随着信息技术的不断发展，软件测试在软件开发过程中扮演着至关重要的角色。
在软件测试领域，测试人员使用各种测试技术和工具来验证和确认软件的质量，以确保软件能够满足用户的需求和期望。
而其中一种值得关注的测试技术便是WebAssembly测试（wat测试）。
WebAssembly是一种用于在现代网络浏览器中运行高性能代码的开放标准。
它提供了一种新的运行时环境，允许开发者使用多种编程语言编写性能高效的Web应用程序。
然而，由于WebAssembly的特殊性，传统的软件测试方法和技术不能直接应用于WebAssembly代码的测试。
因此，需要深入研究和探索wat测试专业术语，以提供有效的测试方法和策略来保证WebAssembly代码的质量和可靠性。
本文将深入介绍wat测试专业术语，包括Wat代码的编写规范、常用的wat测试工具和框架、wat测试中的常见术语等。
通过对这些专业术语的详细解读和说明，读者将能够更好地理解wat测试的原理和方法，并能够在实际项目中运用它们。
此外，本文还将提供一些实际案例和经验分享，以帮助读者更好地运用wat测试技术来提高软件的质量和性能。
总之，本文旨在为读者提供一个全面的wat测试专业术语指南，并帮助他们更好地了解和掌握这一领域。
读者将通过本文的阅读，能够在实际项目中运用wat测试技术，提高软件的质量和可靠性，同时也能够对软件测试领域有更深入的了解和认识。
1.2 文章结构文章结构可以分为引言、正文和结论三个部分。
引言部分主要对文章的主题进行概述，并给出文章的目的和结构。
正文部分是文章的核心部分，通过分点说明文章的内容。
结论部分对正文部分的主要观点进行总结，并提出一些结论或建议。
接下来将对文章结构的三个部分进行详细介绍。
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Cj Ileak Bv
Vg=0V, Vb=GND, apply a 0.03V AC signal to measure C value, Cj=C/Area
Vg=1.1Vdd, measure Ig, Ileak=Ig/Area
Vb=0, sweep Vg from 0V to Vgstop(<3Vdd), measure Ig, Bv=Vg@Ig=100pA/um2
Note: Rc need to subtract active & Metal resistor, RsMetal can be ignored due to metal resistor is very small.
NOTE: If there has a dummy capacitor, Cdummy should be subtracted.(Cox=Cox-Cdummy)
5. Resistor
Sheet resistance (RsN+/P+/NW/Poly/Metal)
Item name Rs
Method of measurement
Agilent 4284A CV Meter
➢WAT测试项目
常见的几种器件结构
1. MOS device 2. Field Device 3. Junction 4. Gate Oxide 5. Resistor 6. Bipolar Device 7. Layout Rule Check
1. MOS Device
以 NMOS 为例：
Item name
Method of measurement
Ids
Vd=Vg=Vdd, Vs=Vb=0, measure Id, Ids=Id/Width
Vt0 Vt1 Isub Ioff
Vd=0.1V, Vs=Vb=0, sweep Vg from 0V to 3V, use maximum slope method,Vt0=Xintercept –1/2*Vd
通过对WAT数据的分析，我们可以发现 半导体制程工艺中的问题，帮助制程工艺进 行调整。
Agilent 4284A CV Meter
➢WAT系统介绍
Manual Prober
Agilent 4156A IV Meter
Cascade Manual Prober
➢WAT系统介绍
Agilent 4070
VptNfpS (punchthrough Vt)
Item name
Method of measurement
Vt Ileak Vpt
Vd=1.1Vdd, sweep Vg from 0V to Vgstop(<3Vdd),measure Id, Vt=Vg@Id=10nA/um
Vg=Vd=1.1Vdd, measure Id, Ileak=Id/Width
Agilent 4070 system
TEL P8XL
➢WAT系统介绍
Agilent 4070 内部结构
Agilent 81110A Pulse Generator
HP 4070 Server
Agilent E4411B Spectrum Analyzer
Agilent 3458A Digit Multimeter
Vg=GND, Vb=Vdd, apply a 0.03V AC signal to measure Cox value, Tox=(εo *εox *Area)/Cox
Vb=0, sweep Vg from 0V to Vgstop(<3Vdd), measure Ig, Bv=Vg@Ig=100pA/um2
4. Gate Oxide
WAT Item Name(以PW gate oxide为例) :
Cgpw
Toxpw
BvCgpw
Item name Cox Tox Bv
Method of measurement
Vg=Vdd, Vb=GND, apply a 0.03V AC signal to measure C value, Coxep Vd from 0V to Vdstop(<3Vdd), measure Id, Bvd=Vd@Id=0.1uA/um
2. Field Device
WAT Item Name(以Poly Nfield为例) :
VtNfpS (field Vt)
IleakNfpS
Vh=1V, measure Ih, Rs=(Vh/Ih)/Sqr
Contact Resistance (RcN+/P+/Via)
Pad
Pad
M1
N+
N+
N+
P Well
Item name Rc
Method of measurement
Vh=1V, Vl=GND, measure Ih, Rs=[(Vh/Ih)(Rsn*Wn/Ln+Rsm*Wm/Lm)*1/2*Ncon)]/Ncon
Vg=1.1Vdd, sweep Vd from 0V to Vdstop(<3Vdd),measure Id, Vpt=Vd@Id=10nA/um
3. Junction
WAT Item Name (以 N+/PW junction为例) :
CNj
IleakNj
BvNj
Item name
Method of measurement
Vd=0.1V, Vs=Vb=0, sweep Vg from 0V to 2V,measure Id,Vt1=Vg@Id=0.1uA*Width/Length
Vd=Vdd, Vs=Vg=0, sweep Vg from 0 to Vdd to get maximum Isub current
Vd=1.1Vdd, Vg=Vs=Vb=0, measure Id, Ioff=Id/Width
WAT 测量项目以及测试方法
2011/03/07
WAT Introduction
1. WAT是什么 2. WAT系统介绍 3. WAT测试项目及方法
➢WAT是什么?
Wafer Acceptance Test（晶片允收测试 ）
半导体硅片在完成所有制程工艺后，针 对硅片上的各种测试结构所进行的电性测试 。