长飞光纤 潜力无限——PCVD-OVD制纤工艺的有机结合
中国光纤光缆行业发展历程
中国光纤光缆行业发展历程第一阶段：黑暗中的摸索前进此阶段主要摸索光纤的制备工艺技术，并进行以石英光纤为介质、半导体激光器为光源、脉冲编码调制的初步通信试验研究。
①1974年，邮电部批准成立武汉邮电科学研究院光通信研究室，标志着中国进入光纤通信的基础研究；②1976年，武汉邮电科学研究院建立了材料提纯、MCVD熔炼车床、拉丝机、测试等初级设备与仪表；③1976年，武汉邮电科学研究院研制出可供系统联试用的石英光纤，并成功进行一路黑白电视的传送试验；④1977年，武汉邮电科学研究院研制出公里级低损耗的石英光纤，850nm波长衰耗为20dB/km，达到当时世界的最好衰减水平，并成功进行国内首次彩色电视传送试验；⑤1978年，全国科学技术大会确定光纤通信技术为首要优先发展高新技术；⑥1980年，武汉邮电科学研究院拉制了0.29 dB/km（1550nm）低损耗单模光纤，并进行试生产，标志着国产化通信光纤的正式诞生，形成了国产实用化通信光纤制备技术的第一次突破。
第二阶段：光纤光缆核心技术开发与初步实用化光通信系统此阶段主要进行全国光通信核心技术与核心设备攻关，完成了自主知识产权的光纤预制棒设备与工艺的国产化，并进行了系列的光纤通信系统试验。
①1982年，国内第一条实用化的光通信工程——武汉八二工程的完成标志着中国光纤通信正式步入实用化里程碑；②1986年，国内首条从化学提纯到熔炼、拉丝、套塑、筛选、测试的完整光纤工业性试验生产线在武汉邮电科学研究院成立，并于当年9月试生产；③1990年，国内自主知识产权的光纤预制棒核心制造设备――PCVD国产化设备研制成功，并投入光纤预制棒的生产。
第三阶段快速成长与引进消化吸收创新此阶段主要引进国外光纤预制棒制造设备与工艺技术，并吸收消化创新，初步形成一定规模的民族化光纤产业。
①1988年5月，成立“长飞光纤光缆有限公司”合资企业，首个国外光纤光缆生产线获得引进，并于1991年进行光纤和光缆的试生产，1993年通过国家验收，当时其光纤和光缆的年产能分别达到6万公里和4万公里；②1997年，武汉邮电科学研究院研制出适合规模化生产的国产化PCVD设备，并投入通信光纤的规模化生产；③1998年，日本VAD技术获得引进，并成立了“杭州富通通信技术股份有限公司”.④1999年，江苏法尔胜光子有限公司成立，形成MCVD+OVD二步法光纤预制棒技术；⑤1999年，特恩驰（南京）光纤有限公司引进MCVD光纤预制棒制造技术。
光缆产品试题模板
长飞光纤光缆产品试题1.什么是光纤？怎么区分单模及多模光纤？答：光纤是由玻璃、塑料和晶体等对某个波长范围透明的材料制造的能传输光的纤维。
多模光纤是可传播多种模式电磁波的光纤。
与单模光纤相比，芯径大得多，制造较容易，使用较方便，例如容易相互熔接，容易与无源器件、光源和光检测器件配接使用。
但色散大得多，传输容量较小。
单模光纤只能传导单一基模的光纤2.PCVD与OVD及V AD生产工艺有什么不同点？各自的优劣点是什么？答：等离子体CVD 法plasma chemical vapour-phase deposition (PCVD)又称“内等离子氧化法”、“侧面横向火焰水解法”。
用微波等离子体使石英基管内气态卤化物原料氧化生成玻璃沉积膜层制造光纤坯棒的过程。
等离子体是由装在石英管外可快速移动的环形微波腔发生的，这种微波等离体发生器的功率一般为1000W 左右，频率2.45GHz ，发生的等离子体属于非等温等离子体，即等离子体内电子温度高于离子温度和气体温度。
因而气态原料的氧化反应可在低温（500℃）进行，但反应沉积的玻璃内氯含量较高。
为避免氯气导致沉积层开裂和剥落，在石英管外还套一管式加热炉，使反应沉积在1000℃以上进行。
PCVD 法的特点是在管壁处进行异相反应并直接在管壁上形成一层极薄而且均匀的玻璃膜层；为了提高同一膜层内玻璃成分的均匀性，等离了发生器以8cm/s 的速度快速移动；调节形成每一层玻璃膜时气态原料的组成，就可形成设计要求的折射率分布的坯棒；每一坯棒的形成一般要沉积2000 层玻璃膜，因而折射率分布比较理想。
另外沉积效率高亦是PCVD 法的优点。
外汽相沉积法outside vapor-phase deposition (OVD)在靶棒外表面用汽相沉积技术制造光纤坯棒的方法。
这种方法的工作过程如下，供料系统把一定组成的气态原料通到高温火焰中，原料经水解反应产生的玻璃微珠喷涂到一根旋转的靶棒表面，当燃烧器平行靶棒轴移动一个行程后，整个靶棒表面就粘附一层均匀的玻璃微珠层，燃烧器不断地往复移动，同时不断改变每一层玻璃微珠的供料组成，就能形成横断面具有折射率分布的玻璃微珠堆积成的圆柱体，冷却后由于靶棒与玻璃柱体的热膨胀的不同可顺利抽出靶棒，再经脱水和透明化，就可制成各种优质光纤用的坯棒。
色散位移光纤
色散位移单模光纤产品编码：3407WY产品描述长飞色散位移单模光纤全面优化了1550 nm 工作窗口的衰减和色散特性，在1550 nm 窗口具有低衰减和低色散，满足了在1550 nm 窗口的传输要求。
长飞色散位移单模光纤是按照世界最先进水平设计、制造的。
产品应用长飞色散位移单模光纤充分满足了使用掺铒光纤放大器（简称EDFA ）的要求，能有效地应用于高速率、长距离传输系统。
长飞色散位移单模光纤适用于各类光缆结构，包括光纤带光缆、松套层绞光缆、骨架光缆、中心管式光缆和紧套光缆等。
长飞光纤在使用中与用其它工艺生产的光纤相容。
产品标准长飞色散位移单模光纤符合或优于ITU-T 推荐的G.653光纤技术规范。
长飞公司对光纤产品的各项指标制订了更严格的标准。
工艺与涂层长飞光纤采用等离子体激活化学气相沉积(简称PCVD)工艺制造光纤芯层，同时采用外部气相沉积(简称OVD)工艺制造的合成石英管来形成光纤包层，结合这两种工艺的优点，长飞光纤具有折射率分布控制精确、几何特性优越和衰减低等优点。
长飞光纤采用的双层DLPC7紫外固化丙烯酸树酯涂层，具有优越的保护光纤的能力，这种涂层是为要求更严格的紧套光缆设计的，在松套结构里也表现出极卓越的性能，使光纤具有非常优良的抗微弯性能。
在各种环境条件下，涂层均易于剥离，剥离后无任何残留物附在裸光纤上。
在60℃下，光纤带经过100多天的浸水实验后，仍保持良好的传输性能。
DLPC7涂层使光纤具有优越和稳定的动态抗疲劳特性(nd)，大大提高了光纤对恶劣环境的适应能力。
产品特点- 低衰减和低色散充分满足1550 nm 窗口的传输要求- DLPC7涂层的保护性好、剥离性能优越- 精确的几何参数确保低熔接损耗和高熔接效率长飞光纤光缆有限公司YANGTZE OPTICAL FIBRE AND CABLE COMPANY LTD .特 性光学特性衰减 @ 1310 nm @ 1550 nm ≤0.40 dB/km ≤0.45 dB/km ≤0.21 dB/km ≤0.22 dB/km 1525-1575 nm 波长范围内的色散-3.5—3.5 ps/(nm ·km)零色散波长1530 nm ～1570 nm 零色散斜率≤0.085 ps/(nm 2·km)截止波长λc1100 nm ≤ λc ≤1350 nm 模场直径 (MFD) @ 1550 nm8.4±0.6 µm 有效群折射率 (N eff ) @ 1310 nm /1550 nm 1.474 /1.473背向散射特性(@1310 nm 和1550 nm)台阶 (双向平均值)≤0.05 dB 不均匀性(整个光纤长度)≤0.1 dB 背向散射系数差异(双向测量)≤0.05 dB/km几何特性包层直径125.0±1.0 µm 包层不圆度≤1.0%涂层直径245±10 µm 涂层/包层同心度误差≤12 µm 涂层不圆度≤6 %典型值≤1 %芯/包层同心度误差≤0.8 µm 翘曲度≥4 m交货长度(公里/盘) (可按用户要求提供其它长度) 2.1km 至25.2km 环境特性环境特性（（@ 1310nm 和 1550nm ）温度附加衰减∆α (-40℃到 +85℃)∆α (-60℃到 +85℃)≤0.01 dB/km ≤0.04 dB/km 温度-湿度循环附加衰减，85℃, 85% 相对湿度, 30天＜0.05 dB/km 浸水附加衰减， 20℃, 30天≤0.05 dB/km 机械特性筛选张力(离线)≥9.0 N (≥100 kpsi)宏弯附加衰减100圈，Φ75 mm @ 1310 nm @ 1550 nm ≤0.01 dB ≤0.05 dB 涂层剥离力 (典型值) 1.4 N 动态疲劳参数(n d , 典型值)≥27版权所有 内容若有更改 不另行通知YOFC-MDT-115-99。
PCVD+套管(RIT、RIC)预制棒技术的现状与发展
ＲＴ Ｉ 预制棒 拉丝长度＜ ０ 公里 ９０
图２ ＲＴ（ 图）与ＲＣ （ Ｉ 左 Ｉ 右图）工艺的区别
制 棒 成 本 考 虑 ， 几 乎 所 有 的 光 纤 预 制 棒 厂 家 都 采 用 了 这 一 工 艺 路
线 ，如 图 １ 示 。 所
２ Ｉ ￣ Ｒ Ｃ 艺 、Ｒ Ｔ Ｉ Ｉ 工 Ｊ
的大尺寸套管组成的预制棒被称为Ｒ Ｃ Ｉ
（ｏ ｉ Ｃ ｌｄｒ Ｉ￣Ｒ Ｃ Ｒ ｎ ｙｎｅ 。ＲＴ Ｉ工艺 的区别 ｄ ｉ ）
近 年来 ，为 了进 一 步 降 低光 纤
的制 造 成本 ， 光 纤 预 制 棒 的尺 寸 在 不 断 增 大 。相 比较 而 言 ，管 外 法 比 管 内 法 在 制 造 大 尺 寸 光 纤 预 制 棒 上 更 有 优 势 。 然 而 这 种 局 面 随 着 ＲＩ 其 是 Ｔ尤
上 直 接 沉 积 来 制 备 低 水 峰 光 纤 ， 但 ｂ ａ 则 必 须 在 ４ ｏＥ上 。沉 积 材 料 ／值 ．ｘ
的 减 少 有 利于 降 低 光纤 制造 成 本 和 增 加 预 制 棒 的 尺 寸 ， 因而 Ｐ ＶＤ＋ Ｔ Ｃ ＲＩ ／
ＲＩ 工 艺 更 有 利 于 制 备 大 尺 寸 预 制 Ｃ 棒 。随 着 新 一 代Ｐ ＶＤ的开 发 成 功 ， Ｃ
技术 和 工艺 优 势也 已 日益突 现 。 当
pcvd微波等离子体化学气相沉积法光纤工艺
《PCVD微波等离子体化学气相沉积法光纤工艺探析》1.引言光纤是一种能够传输光信号的细长柔软的玻璃纤维，它的出现使得信息传输更加快速、稳定、安全。
而PCVD微波等离子体化学气相沉积法是一种制备光纤的重要工艺。
本文将针对这一主题，从简到繁、由浅入深地进行探讨，并共享个人观点和理解。
2.主题概述PCVD微波等离子体化学气相沉积法是一种常用于光纤制备的工艺。
它利用微波等离子体提供高温、高能量的条件，利用化学气相反应在玻璃材料表面沉积均匀、高质量的薄膜。
这种工艺能够有效地控制光纤的折射率、色散率和几何形貌，制备出具有优异光学性能的光纤，因此在通信、光纤传感等领域有着重要的应用价值。
3.PCVD微波等离子体化学气相沉积法的原理及过程PCVD微波等离子体化学气相沉积法的原理是在气相状态下，通过化学气相反应在基底上沉积出均匀、致密的薄膜。
这一过程中，微波功率是提供等离子体所需高能量的关键因素，而控制沉积速率和薄膜质量的主要手段是通过化学气相反应的条件控制和基底表面温度的控制，从而实现薄膜的精密调控和制备。
4.PCVD微波等离子体化学气相沉积法的应用价值PCVD微波等离子体化学气相沉积法在光纤制备中应用广泛，其制备的光纤具有色散率低、折射率均匀、损耗小等优异光学性能，非常适合用于长距离、高速率的信息传输。
其制备工艺也能够满足不同材料组分、尺寸和形貌的要求，因此被广泛应用于通信、医疗、传感等领域。
5.我的个人观点和理解我认为PCVD微波等离子体化学气相沉积法在光纤制备中具有重要的意义。
通过我对这一主题的深入了解和研究，我深刻认识到了这一工艺在光纤制备中的关键作用，以及其在高速率通信和各种光学应用中的广泛应用前景。
6.总结与展望PCVD微波等离子体化学气相沉积法在光纤工艺中具有重要的地位和广阔的应用前景，它为光纤的制备提供了有效的手段和工艺支持。
随着通信和光学技术的不断发展，PCVD微波等离子体化学气相沉积法也将不断得到完善和提升，为光纤行业的发展和应用带来更多可能。
光纤预制棒制造工艺
3/16/2014
四种工艺在制棒方面的区别
制棒
优势
劣势
OVD：
VAD：
芯棒与包层 沉积速度
芯棒与包层 沉积速度
折射率控制
折射率控制
MCVD：
PCVD：
MCVD工艺是1974年由美国AT&T公司贝尔实验室的Machesney等人开发
的经典工艺。MCVD工艺为朗讯等公司所采用的方法。MCVD工艺是一种以氢
氧焰热源，发生在高纯度石英玻璃管内进行的气相沉积。MCVD工艺的化学 反应机理为高温氧化。MCVD工艺是由沉积和成棒两个工艺步骤组成。沉积 是获得设计要求的光纤芯折射率分布，成棒是将巳沉积好的空心高纯石英玻 璃管熔缩成一根实心的光纤预制棒芯棒。现MCVD工艺采用大直径合成石英
离子使流进高纯石英玻璃沉积管内气态卤化物和氧气在大约1000C°的高
温下直接沉积成设计要求的光纤芯玻璃组成。成棒则是将沉积好的石英玻
璃管移至成棒用的玻璃车床上，利用氢氧焰高温作用将该管熔缩成实心的
光纤预制棒芯棒。
PCVD （Plasma Chemical Vapor Deposition射率控制
沉积速度
沉积速度
当前的预知棒制造多采用组合工艺。
玻璃管和外包技术，例如用火焰水解外包和等离子外包技术来制作大预制棒。
这些外包技术弥补了传统的MCVD工艺沉积速率低、几何尺寸精度差的缺点， 提高了质量、降低了成本，增强了MCVD工艺的竞争力。
MCVD （Modifield Chemical Vapour Deposition)--改进的化学气相沉积法
光纤制造工艺与长飞光纤剖析
10
1. 光 纤 简 介
•光纤剖面折射率示意图
1. 2. 3. 光纤简介 光纤制造工 艺 光纤重要性 能参数
芯层
4.
长飞光纤产 品介绍
芯层 包层
包层 G.652 G.655 多模
11
1. 光 纤 简 介
•光纤通信原理
1. 2. 3. 光纤简介 光纤制造工 艺 光纤重要性 能参数
编 码 解 码
光纤通信采用数字通信原理。
通 信用 光纤
多模光纤（MM）
光纤传感
4.
长飞光纤产 品介绍
光纤
非 通信 用光纤
特种光纤
光纤信号处理 光纤测量 其它光学系统
6
1. 光 纤 简 介
•模式（mode）概念
模式是指光的在光纤中的传输方式（电磁场分 布形式）。 模式是光波动方程的解。它对应于波动方程某 一本征值并满足全部边界条件。每一个模式对应于 沿光纤轴向传播的一种电磁波。 光纤中能够传导的模式是有光纤结构参数所决 定的。外界激励只能激励起光纤中允许存在的模式 而不会改变模式的固有性质。
光纤制造工艺与长飞光纤
长飞光纤光缆有限公司
2007 年3月
1
内
1. 光纤简介
容
2. 光纤制造工艺
3. 光纤主要产品介绍 4. 光纤技术发展概况 5. 长飞公司介绍
2
1. 光
纤
简
介
3
1. 光 纤 简 介
•什么是光纤（optical fiber)？
1. 2. 3. 光纤简介 光纤制造工 艺 光纤重要性 能参数
芯径大，模间色散大； 易于耦合，对光源要求低；
4.
长飞光纤产 品介绍
制造工艺复杂。
OVD法制备光纤预制棒(一)
OVD法制备光纤预制棒(一)光纤预制棒（Optical fiber preform rod）是光纤生产的基础材料，其制备关键通常采用外延熔融(Vapor-phase axial deposition, OVD)法。
本文将从OVD法制备光纤预制棒的原理、工艺流程、设备组成和主要应用等方面进行介绍。
一、OVD法制备光纤预制棒的原理OVD法是一种利用化学反应生成物在高温环境下传输从而制备材料的方法，其原理是将化学反应产生的反应物输送到熔池中，沿一个预设的温度梯度进行热分解和降温，使得生成物在熔池内沈积并生长为棒材。
具体而言，就是将光纤预制棒所需原料，如硅烷气体和氧气通过特定方式混合，然后在高温环境下进行化学反应，产生硅氧烷分子，并将其输送到熔池中。
在熔池中，硅氧烷分子逐渐热分解并重新组合形成SiO2的脱水聚合反应，逐渐沉积生长为光纤预制棒。
二、OVD法制备光纤预制棒的工艺流程OVD法制备光纤预制棒的工艺流程如下：（1）混合气体：将硅烷气体、氧气等所需原料按照比例混合。
（2）化学反应：在熔融炉中，将混合气体注入其中，在高温、高压环境下进行反应。
（3）沉积生长：反应产生的生成物均匀地沉积到石英棒材上，并在其表面生长出连续、致密的石英层。
（4）成型：将石英棒材放置于制备设备中，进行拉伸成型。
（5）切割：将拉伸好的光纤预制棒切割成所需长度。
三、OVD法制备光纤预制棒的设备组成OVD法制备光纤预制棒的设备由化学反应单元、降温炉、吸收装置、拉伸装置和自动控制系统组成。
（1）化学反应单元：主要由熔融炉、气体混合系统、加热炉、反应化学炉和定量供应系统组成。
（2）降温炉：用于控制石英棒材内部的温度分布。
（3）吸收装置：用于吸收化学反应释放出的气体产物。
（4）拉伸装置：拉伸预制棒成型。
（5）自动控制系统：对整个制备过程进行调节和控制。
四、OVD法制备光纤预制棒的主要应用光纤预制棒是制备光纤的基础材料，广泛应用于光纸、光通信、激光材料等领域。
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件无线 电 的要 求 划分 成 几 个 标 准 的层 次 模块 研 究 通 用 信令 框 架
“
, 。
,
开 发 出标 准 的 信令
,
A / D 部分
对
A / D 的 要 求 主要 包 括 采 样 速率 和 位
,
,
m
,
而长 飞原 来使 用 的天 然 石 英 管 是 2 0 一 3 ( 0 )
,
p p
是 因 为 合 成 管 自身 杂 质 含量 极 低 的 特 性
P C V D 沉 积 材 料 ( 芯层
,
因此
,
它有 助 于
目前 在全 国 光 纤行 业 中 唯 有长 飞 公 司 一 家能 生 产 制 作高 质 量 的光 纤 预 制棒
。
扩 是 相 对 较 为独 立 的 部 分 用 可 编 程 的专 用 芯 片 来 完 成 同 时
争 早 以 将 重 点 转移 到 软件 的竟 争 上 了 而下 个 世 纪 的个 人 通 信 系 统将 很 有 可 能 是 一 个 具有惊 人 处 理 能力 和 标准射频接 口
的 通 用 硬件平 台
,
也能保持软件 无 线 电 的结 构通 用 性 和 良好 的适 应 性
大 多数 人 认 为个 人 拥 有 计 算 机 是不
, ,
片来 更 快 速 地 完成 这 一 处理
4
、
.
现 实 的 仅 仅 过 了十 几 年 的时 间 微 电子 技 术 的发 展 已 经 使 得
、
高 速 信 号处 理部 分
。
这部分 主要 完 成 基带 处 理
。 。
调制
,
个 人 微 机成 为 了 当今 最 热 门 的产 业
p p
, , , ,
自 1 9 7 0 年 世 界上 第 一 根 可 通 信 用光 纤 问 世 以 来 整 个 光 纤 通 信 产 业 就 以 极 其 迅 猛 的速 度 发 展 起来 种 类 和 质 量 的不 断 提 高
, 。 , 。
19 6 年
,
全 世界
、 。
例如
O H 含量
,
合成 管
m 正
。
的 光纤 年 销 售量 已 达 到 3 4 ( 0 万 公 里 同 时 随 着 光纤 的 产量 ) 整 个光 通 信 产业 发生 了 巨 大 变 化
所 经 历 的变 革 而 现在 正 是 这 一 变 革 的 关 键 时 刻
长
飞
光
一
纤
O V D
,
游
才 无
限
—
,
PC V D
制 纤 工 艺 的有 机 结 合
全 新 的玻 璃 生 产 技 术 利 用 O V D 沉 积 方 法制 造 出 来 的 合 成 管 的最 大特 点 是 有 害 杂 质含 量 极 低 是 l
, ,
这 样 就 需要 2 5 0 M IP S 的 运 算能 力
。
这 是 现 有 的 任 何单 个
也 是各 种 不 同 的机 器 相 互 竞争 没 有什 么 标 准 可 言 由于 当 时 的 微 电 子 技术 还 很落 后
。 ,
,
。
因此 必 须 用 多 个 D S P 并 行 或 用 专 用 的 芯
为 要 较 好 地进 行 滤 波 等 处理 于 一个 系 统 带 宽 为 1 0 MH
D S P 很 难胜 任 的
,
需 要 每 采 样 点 10 次 操 作
,
对
z
,
z
的 系统
采样率要 大于 2 5 MH
些 要 求对现 在 ) 都 几 乎 是不 可 实 现 的 然 而 我 们 可 以 参 考 个人 计算 机 领 域 的 经验 在 个人 微 机 的 概念 提 出初 期 计 算 机行 业
,
数
采 样 速 率 主要 由 信 号 带宽决 定 同 时 必须 考 虑 到 采样 后 系 统 处 理 的 能力 以 及 现 有 A / D 的速 度 A / D 的 位数必须满
, 。 , 。
鉴 于 软 件 无线 电这 些 高 新技 术 发 展 的需 要 技 术 己 列 人 我 国 8 63 ’通信 高技 术 项 目
5
.
依靠 不 同 的软件 提供 异常 丰富 的 功 能 和服
。
信令 处 理
。
当用 软 件 无线 电实 现 多 模 互联 时
。
,
实现通
务
,
也就 是 说 通 信领域 将 经历 类 似 于 个 人微机 在 八 九 十年 代
,
用 信 令 处 理 是很 必 要 的
பைடு நூலகம்
这需 要 把 现有 的 各种 无 线信令 按 软
。
要 实 现 真 正 意义 上 的 软 件 无
。
完 成 的处 理 工 作 包 括 数字 下 变 额 数 字处 理 运 算 量最 大 的 部 分
, , ,
是系统 一 般认
,
高速 A / D 变 换 器 和 高速 的数 字 信 号
。
也 是 最 难 完 成 的部 分
,
处 理 器 和 通 用 C P U 的 要求 都 很高 这些 要 求 在 以 前 ( 甚 至某
而 那些 在 发 展 初 期 没有
。
解 调 比 特流 处 理 和编 码 解 码等 工 作 完 成 解 扩 和 一 部分 解 跳 的处理
,
如有 跳 频 或 扩 频 还 需 解
,
抓住 时 机 的公 司 和 国 家 也 远远 地落 后 了
。
如 今 微 机 领 域 的竞
考 虑 到 扩 频信 号 的 扩 频 /
, ,
) 中的 杂质 ( O H ) 向 合 成 管 ( 衬 管 ) 包 层
。
中 扩 散 从 而 有 助 于 降低 P V C D 沉 积材 料 ( 芯层 ) 中的 杂质 含
当今 世 界 光纤 生 产 厂 家 可 谓不 少 艺及方法而言 只 有四 种
, 。
但 就其 预 制 棒 生 产 工
。
量 因 为 杂 质 总 是从 浓 度 大 的 介质 向浓 度 低 的 介质 中扩 散 大 型合 成 管 ( C S A ) 2 4 ( 0 m 耐 ) 的 使 用 对降低 光纤 衰 耗 具有 显 )
。
软 件 无线 电
足 一定 的动 态范 围要 求 以 及 数字部 分处 理精 度 的 要 求
3 D D C 部分
, 。 、 ,
结束语
通 过 上 述 的 介绍 可 以 看 出 线 电 系 统 对宽 带天 线
, 、 ,
数 字 下 变频 ( D D C ) 是 A / D 变 换 后 首先 要 滤 波 和 二 次采 样
。
即
:
管 内 气 相沉 积 法 的 P C V D 和
, ,
M C V D 两种工艺
管外气相沉 积法的 O V D 和 V A D 两种工 艺 沉 积 速 度高
, ,