四川大学微电子工艺试验报告
微波实验报告
微波实验报告之前⽹上下的学长学姐的报告有很多不靠谱,但是调谐都要调到中⼼频率上,否则都不对,还有⽼师验收的时候如果⾃⼰⼼情很不好,只要她发现⼀点错误就会坚定的认为不是⾃⼰做的,所以⼀定要确保没有错误,原理⼀定要弄清楚.愿后来⼈好运~~~实验2 微带分⽀线匹配器⼀．实验⽬的：1．熟悉⽀节匹配的匹配原理2．了解微带线的⼯作原理和实际应⽤3．掌握Smith图解法设计微带线匹配⽹络⼆．实验原理：1.⽀节匹配器随着⼯作频率的提⾼及相应波长的减⼩，分⽴元件的寄⽣参数效应就变得更加明显，当波长变得明显⼩于典型的电路元件长度时，分布参数元件替代分⽴元件⽽得到⼴泛应⽤。
因此，在频率⾼达GHz以上时，在负载和传输线之间并联或串联分⽀短截线，代替分⽴的电抗元件，实现阻抗匹配⽹络。
常⽤的匹配电路有：⽀节匹配器，四分之⼀波长阻抗变换器，指数线匹配器等。
⽀节匹配器分单⽀节、双⽀节和三⽀节匹配。
这类匹配器是在主传输线并联适当的电纳（或串联适当的电抗），⽤附加的反射来抵消主传输线上原来的反射波，以达到匹配的⽬的。
此电纳或电抗元件常⽤⼀终端短路或开路段构成。
本次实验主要是研究了微带分⽀线匹配器中的单⽀节匹配器和双⽀节匹配器，我都采⽤了短路模型，这类匹配器主要是在主传输线上并联上适当的电纳，⽤附加的反射来抵消主传输线上原来的反射波。
单⽀节调谐时，其中有两个可调参量：距离d和由并联开路或短路短截线提供的电纳。
匹配的基本思想是选择d ，使其在距离负载d处向主线看去的导纳Y是Y0+JB形式。
然后，此短截线的电纳选择为-JB，然后利⽤Smith圆图和Txline，根据该电纳值确定分⽀短截线的长度，这样就达到匹配条件。
双⽀节匹配器，⽐单⽀节匹配器增加了⼀⽀节，改进了单⽀节匹配器需要调节⽀节位置的不⾜，只需调节两个分⽀线长度，就能够达到匹配，但需要注意的是，由于双⽀节匹配器不是对任意负载阻抗都能匹配，所以不能在匹配禁区内。
2.微带线从微波制造的观点看，这种调谐电路是⽅便的，因为不需要集总元件，⽽且并联调谐短截线特别容易制成微带线或带状线形式。
微电子实验报告一
实验一MOS管的基本特性班级姓名学号指导老师袁文澹一、实验目的1、熟练掌握仿真工具Hspice相关语法；2、熟练掌握MOS管基本特性；3、掌握使用HSPICE对MOS电路进行SPICE仿真，以得到MOS电路的I-V曲线。
二、实验内容及要求1、熟悉Hspice仿真工具；2、使用Hspice仿真MOS的输出特性，当VGs从0~5V变化，Vds分别从1V、2V、3V、4V 和5V时的输出特性曲线；三、实验原理1、N沟道增强型MOS管电路图a)当Vds=0时，Vgs=0的话不会有电流，即输出电流Id=0。
b)当Vgs是小于开启电压的一个确定值，不管Vds如何变化，输出电流Id都不会改变。
c)当Vgs是大于开启电压的一个确定值，在一定范围内增大Vds时,输出电流Id增大。
但当出现预夹断之后，再增大Vds，输出电流Id不会再变化。
2、NMOS管的输出特性曲线四、实验方法与步骤实验方法：计算机平台：（在戴尔计算机平台、Windows XP操作系统。
）软件仿真平台：（在VMware和Hspice软件仿真平台上。
）实验步骤：1、编写源代码。
按照实验要求，在记事本上编写MOS管输出特性曲线的描述代码。
并以aaa.sp 文件扩展名存储文件。
2、打开Hspice软件平台，点击File中的aaa.sp一个文件。
3、编译与调试。
确定源代码文件为当前工程文件，点击Complier进行文件编译。
编译结果有错误或警告，则将要调试修改直至文件编译成功。
4、软件仿真运行及验证。
在编译成功后，点击simulate开始仿真运行。
点击Edit LL单步运行查看结果,无错误后点击Avanwaves按照程序所述对比仿真结果。
5、断点设置与仿真。
…6、仿真平台各结果信息说明.五、实验仿真结果及其分析1、仿真过程1）源代码*Sample netlist for GSMC $对接下来的网表进行分析.TEMP 25.0000 $温度仿真设定.option abstol=1e-6 reltol=1e-6 post ingold $设定abstol,reltol的参数值.lib 'gd018.l' TT $使用库文件* --- Voltage Sources ---vdd VDD 0 dc=1.8 $分析电压源vgs g 0 0 $分析栅源电压vds d 0 dc=5 $分析漏源电压vbs b 0 dc=0 $分析衬源电压* --- Inverter Subcircuit ---Mnmos d g 0 b NCH W=30U L=6U $Nmos管的一些参数* --- Transient Analysis ---.dc vds 0 5 0.1 SWEEP vgs 1 5 1 $双参数直流扫描分析$vds从0V~5V,仿真有效点间隔取0.1$vgs取1V、2V、3V、4V、5V.print dc v(d) i(Mnmos) $输出语句。
微电子参考实验报告1-9
实验1 硅片氧化层性能测试预习报告实验调研1：新型氧化工艺调研实验报告●氧化层性能测试1质量要求: 二氧化硅薄膜质量好坏，对器件的成品率和性能影响很大。
因此要求薄膜表面无斑点、裂纹、白雾、发花和针孔等缺陷。
厚度达到规定指标并保持均匀，结构致密。
对薄膜中可动带电离子，特别是钠离子的含量要有明确的要求。
2检验方法●厚度的检查测量二氧化硅薄膜厚度的方法很多。
如精度不高的比色法，腐蚀法，京都要求稍高的双光干涉法，电容电压法，还有精度高达10埃的椭圆偏振光法等。
1）比色法利用不同厚度氧化膜，在白色垂直照射下会呈现出不同颜色的干涉色彩这一现象，用金相显微镜观察并对照标准的比色样品，直接从颜色的比较来得出氧化层的厚度。
其相应的关系如下表所示：2）双光干涉法[测试仪器与装置][实验原理]干涉显微镜可用来检测经过精加工后工件的表面粗糙度，也可用来检测薄膜厚度。
精加工后，工件表面的微观不平度很小，实际上工件表面存在许多极细的“沟槽”。
检测时，首先通过显微系统将“沟槽”放大，然后利用干涉原理再将微观不平度显示出来。
常用的干涉显微镜是以迈克耳逊干涉仪为原型的双物镜干涉显微镜系统。
它的典型光路如上图所示。
光源1(白织灯)由聚光镜2成象在孔径光阑16上，插入滤光片3可以获得单色光。
视场光阑17位于准直物镜4的前焦面上。
由物镜4射出的平行光束在分光板5处分为两部分：一束向上反射，经显微镜7会聚在被测工件表面M 2上，M 2与显微镜7的焦面重合。
由M 2返回的光束依次通过显微物镜7、分光板5后被辅助物镜9会聚在测微目镜12的分划板111—白织灯 2—聚光镜 3—滤光片 4—准直物镜 5—分光板 6—补偿板7、8—显微物镜 M 2—被测工件 M 1—参考反射镜 9—辅助物镜 10、14—反射镜 11—分划板 12—测微目镜 13—摄影物镜 15—照相底版或观察屏 16—孔径光阑 17—视场光阑处，分划板11与物镜9的焦平面重合。
微电子技术实验报告
微电子技术实验报告一、实验目的本实验旨在通过实际操作，加深对微电子技术的理解，掌握基本的电路设计和实验技能，提高学生的实践能力和动手能力。
二、实验原理微电子技术是一门研究电子器件、电路和系统中微观器件的制造工艺、物理特性、器件特性及其应用技术的学科。
本实验涉及到微电子技术中的基本器件，如二极管、场效应管等。
三、实验内容1. 利用示波器和信号源等工具，对二极管的正向和反向特性曲线进行测量。
2. 利用基本电路元件，如电阻、电容、电感等，设计并搭建一个简单的电路。
3. 使用场效应管并对其进行测试，掌握其工作原理和特性。
四、实验步骤1. 准备工作：连接示波器和信号源。
2. 测量二极管的正向特性曲线：在示波器上设置适当的参数，连接二极管并记录电压-电流特性曲线。
3. 测量二极管的反向特性曲线：更改示波器参数，连接二极管并记录反向漏电流。
4. 搭建简单电路：根据设计要求，选取合适的元件，进行电路搭建。
5. 测试场效应管：通过实验测试场效应管的工作状态，并记录相关数据。
五、实验数据及图表1. 二极管正向特性曲线图（插入图表）2. 二极管反向特性曲线图（插入图表）3. 搭建的简单电路图（插入图表）4. 场效应管测试数据（数据表）六、实验分析通过本次实验，我深刻理解了二极管的正反向特性曲线，掌握了电路设计和搭建的基本技能，并对场效应管有了更深入的了解。
实验过程中，通过数据的分析和曲线的对比，我得出了一些结论，并发现了一些问题需要进一步探讨和解决。
七、实验结论本实验通过对微电子技术中的基本器件进行实际操作，增强了我对电子器件特性的认识，提高了我的实验技能。
通过本次实验，我不仅学到了理论知识，还掌握了实践技能，为将来的学习和工作打下了坚实的基础。
八、参考文献1. 《微电子技术基础》2. 《电子技术实验指导》（以上为实验报告内容，供参考。
）。
微电子工艺实习报告
实习报告实习时间：2022年6月1日至2022年6月30日实习单位：某微电子科技有限公司实习岗位：工艺工程师一、实习背景及目的随着科技的飞速发展，微电子技术在各个领域得到了广泛的应用。
为了更好地了解微电子工艺的基本原理和实际应用，提高自己的实践能力，我选择了某微电子科技有限公司进行为期一个月的实习。
实习期间，我主要担任工艺工程师岗位，参与了公司微电子工艺的相关工作。
二、实习内容及收获1. 实习内容（1）了解公司产品及工艺流程在实习初期，我对公司的主营业务、产品特点及工艺流程进行了全面的了解。
公司主要从事半导体器件的研发、生产和销售，主要产品包括功率器件、模拟器件和数字器件等。
通过学习，我掌握了各种器件的制备工艺和生产流程。
（2）参与生产实践在实习过程中，我参与了生产线的实际操作，学习了半导体器件的制备工艺，如氧化、扩散、离子注入、金属化等。
同时，我还参与了生产过程中的质量控制和故障排查，提高了自己的实际操作能力。
（3）学习相关设备的使用和维护为了更好地开展实习工作，我学习了公司常用设备的使用和维护方法，如光刻机、蚀刻机、清洗机等。
通过实践操作，我掌握了这些设备的基本操作技巧，并能够独立完成相关设备的维护工作。
2. 实习收获（1）理论联系实际通过实习，我将所学的微电子工艺理论知识与实际生产相结合，深入了解了微电子器件的制备过程，增强了自己的实践能力。
（2）提高团队协作能力在实习过程中，我与同事们共同解决生产中遇到的问题，学会了团队合作，提高了自己的沟通能力和协作精神。
（3）培养严谨的工作作风实习过程中，我深刻体会到严谨的工作态度对于微电子工艺的重要性。
在实际操作中，我遵循操作规程，细心观察生产过程，确保产品质量。
三、实习总结通过一个月的实习，我对微电子工艺有了更为深入的了解，实践能力得到了很大提高。
同时，我也认识到理论知识在实际工作中的重要性。
在今后的工作中，我将继续努力学习，将所学知识与实际工作相结合，为公司的发展贡献自己的力量。
微电子器件的工艺制备技术研究
微电子器件的工艺制备技术研究一、引言随着科技的发展，微电子器件越来越被广泛应用于各个领域，如消费电子、电子通信、医疗等。
微电子器件的工艺制备技术是实现小型化、高性能和低功耗的关键。
本文将探讨微电子器件的工艺制备技术研究进展。
二、微电子器件制备技术种类微电子器件的制备技术可以分为三种：扩散工艺、离子注入工艺和化学气相沉积工艺。
1.扩散工艺扩散工艺是指利用扩散原理，在半导体表面上形成p-n结或改变半导体的电性质，从而制备各种器件。
该工艺可以分为三种：固相扩散、气相扩散和液相扩散。
其中，固相扩散是最常用的一种。
2.离子注入工艺离子注入工艺是指将离子束射入半导体中，操纵半导体电物性，从而形成p-n结或制备器件。
该工艺具有制程简单、精度高和性能良好等优点。
3.化学气相沉积工艺化学气相沉积工艺是指利用化学反应在半导体表面上沉积薄膜，从而形成器件。
该工艺具有制程简单、成本低廉和控制性好等特点。
三、微电子器件制备技术的进展微电子器件制备技术在发展过程中，不断涌现出新的方法和技术。
下面将分别从扩散工艺、离子注入工艺和化学气相沉积工艺方面来介绍微电子器件制备技术的进展。
1.扩散工艺由于扩散工艺制备的器件成本低廉、效率高，因此得到了广泛应用。
在扩散工艺的研究中，最重要的问题是如何控制扩散过程中的杂质含量。
随着微电子器件的小型化，杂质的含量变得更加敏感，因此对杂质的控制要求更高。
目前，控制杂质含量的方法主要有如下几种：前处理、增量扩散和掺杂剂挥发。
其中，前处理是将器件的前部分进行清洗和去除，以减少杂质的影响。
增量扩散是指在扩散过程中，不断的补充新材料，以控制器件中的杂质含量。
掺杂剂挥发则是指在扩散过程中，通过加热掺杂剂将掺杂剂挥发出去，以减少杂质的含量。
2.离子注入工艺离子注入工艺在微电子器件制备中起到了重要的作用。
离子注入技术可以控制掺杂原子的深度、浓度和分布等参数，因而得到了广泛应用。
在离子注入工艺的研究中，最主要的问题是如何控制离子束和自生征上的温升。
2023年微电子科学与工程专业实践报告
2023年微电子科学与工程专业实践报告
作为微电子科学与工程专业的学生，我参加了一些实践活动，主要包括课程设计、实验和实习。
以下是我的实践经历和所学到的知识和技能。
一、课程设计
在《模拟电子技术基础》课程设计中，我们选取了一个简单的信号放大电路进行设计。
首先，我们选用了放大器的基本电路，即基本差动放大器电路。
然后，我们给出了输入信号和输出信号的频率响应和幅频特性曲线，来验证设计的效果。
通过课程设计，我学习到了放大器的基本电路、放大器的频率特性、信号放大技术等知识。
二、实验
在《数字电路与系统设计》实验中，我们进行了多个实验，如组合逻辑电路实验、时序电路实验等。
我们使用数字集成电路，设计了多种基本的数字电路，如同步计数器、二进制加法器等。
通过这些实验，我学到了数字电路的基本原理、电路构成和组合设计等知识。
三、实习
在暑期实习中，我进入了中国电子科技集团公司（中电科）的某研发中心。
我参与了一项针对电路信号传输的研究项目。
在实习中，我学习到了多种高精度测试设备的使用，如示波器、信号发生器等，还掌握了一些可编程数字电路（FPGA）设计的基本
方法。
与此同时，我也学习到了科研中的团队协作、项目管理和文献检索等实践技能。
通过这些实践活动，我加深了对微电子科学与工程专业的理解，也提高了自己的实践能力。
我相信这些经验和知识将对我的未来发展有所帮助。
实验报告芯片解剖实验
电子科技大学成都学院（微电子技术系）实验报告书课程名称：芯片解剖实验学号：姓名：教师：年6月28日实验一去塑胶芯片的封装实验时间：同组人员：一、实验目的1.了解集成电路封装知识，集成电路封装类型。
2.了解集成电路工艺流程。
3.掌握化学去封装的方法。
二、实验仪器设备1：烧杯，镊子，电炉。
2：发烟硝酸，弄硫酸，芯片。
3：超纯水等其他设备。
三、实验原理和内容实验原理：1..传统封装：塑料封装、陶瓷封装（1）塑料封装（环氧树脂聚合物）双列直插DIP、单列直插SIP、双列表面安装式封装SOP、四边形扁平封装QFP 具有J型管脚的塑料电极芯片载体PLCC、小外形J引线塑料封装SOJ（2）陶瓷封装具有气密性好，高可靠性或者大功率A.耐熔陶瓷（三氧化二铝和适当玻璃浆料）：针栅阵列PGA、陶瓷扁平封装FPGB.薄层陶瓷：无引线陶瓷封装LCCC2..集成电路工艺（1）标准双极性工艺（2）CMOS工艺（3）BiCMOS工艺3.去封装1．陶瓷封装一般用刀片划开。
2. 塑料封装化学方法腐蚀，沸煮。
（1）发烟硝酸煮（小火）20~30分钟（2）浓硫酸沸煮30~50分钟实验内容：去塑胶芯片的封装四、实验步骤1.打开抽风柜电源，打开抽风柜。
2.将要去封装的芯片（去掉引脚）放入有柄石英烧杯中。
3.带上塑胶手套，在药品台上去浓硝酸。
向石英烧杯中注入适量浓硝酸。
（操作时一定注意安全）4.将石英烧杯放到电炉上加热，记录加热时间。
（注意：火不要太大）5.观察烧杯中的变化，并做好记录。
6.取出去封装的芯片并清洗芯片，在显微镜下观察腐蚀效果。
7.等完成腐蚀后，对废液进行处理。
五、实验数据1：开始放入芯片，煮大约2分钟，发烟硝酸即与塑胶封转起反应，此时溶液颜色开始变黑。
2：继续煮芯片，发现塑胶封装开始大量溶解，溶液颜色变浑浊。
3：大约二十五分钟，芯片塑胶部分已经基本去除。
4：取下烧杯，看到闪亮的芯片伴有反光，此时芯片塑胶已经基本去除。
六、结果及分析1：加热芯片前要事先用钳子把芯片的金属引脚去除，因为此时如果不去除，它会与酸反应，消耗酸液。
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题目： 硅 NPN 平面晶体管工艺参数设计及管芯制作
学院：
物理科学与技术学院
专业：
微电子科学与工程
课程：
微电子器件设计与工艺实验
组员：
可效毓 张润泽 王勃雄 刘冰砚
日期：
2018.12.18
目录
0. 摘要..........................................................................................................................3
1. 引言..........................................................................................................................4
1.1 半导体工艺概述........................................................................................................4 1.2 双极型晶体管概述 .................................................................................................... 5
0.1 Abstract： In this paper, we mainly describe the characteristics and development history of
some semiconductor devices and bipolar transistors, provide a design method for the bipolar transistors to reach certain target amplification factor and voltage resistance characteristics, and record the actual experimental operation process. Successful testing results are presented after the test of the device; The factors which may contribute to the results are analyzed. At the end of the paper, Silvaco software was used to simulate the design parameters.And the results are satisfactory.
半导体生产的不同工艺可以分为四个大类：沉积工艺、去除工艺、图形化工 艺以及电学性能调整工艺。沉积工艺包含生长、涂敷，以及其它将半导体材料放 到晶圆上的工艺。可用的手段有物理气相沉积，化学气相沉积，电化学沉积，分 子束外延，以及最近的原子层沉积技术；移除工艺包含干法、湿法刻蚀，CMP 平 面工艺。
图形化工艺通常指光刻，比如在传统的光刻工艺中，晶圆涂上光刻胶，然后 通过步进机聚焦，对准，以及放置掩模版，将曝光的区域用显影溶剂洗掉，最后 经过刻蚀或者其他工艺，得到我们需要的图形电路。、
2
0. 摘要
文中，我们主要讲述了一些半导体器件与双极型晶体管的特点及其发展历史， 提供了一种朝向目标放大倍数与耐压特性去设计双极型晶体管的参数的设计方 法，记录了本组组员进行实际实验操作的流程；呈现了这些实验的成功的结果； 并对影响这些结果的因素进行了分析，以及在最后运用 silvaco 软件对设计的参 数执行了仿真模拟。
3. 实验流程 ................................................................................................................ 13
3.1 实验步骤 ................................................................................................................. 13 3.2 实验结果数据呈现 .................................................................................................. 17 3.3 实验数据分析： ...................................................................................................... 20 3.3.1 影响三极管放大倍数的因素 ....................................................................................... 20 3.3.2 三极管的结击穿特性 ................................................................................................... 22 3.4 光刻工艺讨论 ......................................................................................................... 24
2. 实验参数设计 ........................................................................................................... 7
2.1 器件参数设计 ........................................................................................................... 7 2.2 工艺参数设计 ........................................................................................................... 9 2.2.1 扩散工艺 ......................................................................................................................... 9 2.2.2 氧化工艺 ....................................................................................................................... 12
0.1 ABSTRACT： .பைடு நூலகம்............................................................................................................... 3 0.2 实验分工...................................................................................................................3
5. 实验总结 ................................................................................................................ 43
6．参考文献 ................................................................................................................. 44
4
图 1 光刻工艺 电性能的改善工艺通常包括晶体管的掺杂，掺杂后的热处理。现在改善工艺 延伸到了通过极紫外工艺调整材料的介电常数。改善工艺经常通过氧化完成，比 如用硅的局域氧化（LOCOS）去生产场效应管。
半导体制造技术是用来生产集成电路的工艺流程，这是一套包含光刻、化学 工艺的复杂流程，在这一过程中，电子电路一步一步的在硅的晶圆上成型。现代 集成电路的整个生产过程，从开始到封装，大概需要六到八周的时间，每一个工 序流程都分配给高度专业化的生产部门，在最先进的半导体工厂中，比如 14/10/7nm 工艺，一套生产流程走完大约需要 11-13 周的时间。根据工业界的标 准，每一代半导体工艺生产都是以最小的特征尺寸作为标志，在 2018 年，14nm 的半导体工艺已经进入了大规模生产，10nm 级别的芯片也即将进入市场。
0.2 实验分工 张润泽：实验工艺参数计算 可效毓：实验结果分析 王勃雄：实验流程的记录和分析 刘冰砚：利用 silvaco 工具进行工艺仿真 所有小组成员均完整的参与了工艺实验的所有步骤
3
1. 引言
1.1 半导体工艺概述 上世纪 60 年代，半导体器件生产工艺同时诞生于美国的加州和德州，随后，
欧洲、中东以及亚洲等地也同时开展了半导体的生产制造，如今的半导体制造是 一项全球都在参与的领域，领先的半导体工厂通常在全球都会有设备。比如 Intel， 世界上最大的半导体工厂，在欧洲、亚洲同样也在美国拥有设备。三星，高通， 博通这些公司同样也在全球各地有分工。
4. 工艺仿真 ................................................................................................................ 28