《电力电子技术》第一次作业答案
电力电子技术第1章答案
电力电子技术第1章答案1.晶闸管导通的条件是什么?关断的条件是什么?答: 晶闸管导通的条件:①应在晶闸管的阳极与阴极之间加上正向电压。
②②应在晶闸管的门极与阴极之间也加上正向电压与电流。
晶闸管关断的条件:要关断晶闸管,务必使其阳极电流减小到一定数值下列,或者在阳极与阴极加反向电压。
2.为什么要限制晶闸管的通态电流上升率?答:由于晶闸管在导通瞬间,电流集中在门极邻近,随着时间的推移,导通区才逐步扩大,直到全部结面导通为止。
在刚导通时,假如电流上升di dt较大,会引起门极邻近过热,造成晶闸管损坏，因此电流上升率率/应限制在通态电流临界上升率以内。
3.为什么要限制晶闸管的断态电压上升率？答：晶闸管的PN结存在着结电容，在阻断状态下，当加在晶闸管上du dt较大时，便会有较大的充电电流流过结电容，的正向电压上升率/起到触发电流的作用，使晶闸管误导通。
因此，晶闸管的电压上升率应限制在断态电压临界上升率以内。
4.额定电流为100A 的晶闸管流过单相全波电流时，同意其最大平均电流是多少？解：额定电流为100A 的晶闸管在不考虑安全裕量的情况下，同意的电流有效值为：A I I 15710057.157.1T(AV)T =⨯==晶闸管在流过全波电流的时候，其有效值与正弦交流幅值的关系为：2d )sin (1m02m T I t t I I ==⎰πωωπ其平均值与与正弦交流幅值的关系为：πωωππm0m d 2d sin 1I t t I I ==⎰则波形系数为：11.122d T f ===πI I K 则晶闸管在流过全波电流的时候，其平均值为：A K I I 1.14111.1157f T d === 因此，额定电流为100A 的晶闸管流过单相全波电流时，同意其最大平均电流是141.4A 。
5.晶闸管中通过的电流波形如下图所示，求晶闸管电流的有效值、平均值、波形系数及晶闸管额定电流。
解：晶闸管电流的有效值为A I t I I 5.11532003d 21m3202m T ====⎰πωπ 晶闸管电流的平均值为A I t I I 7.6632003d 21m 320m d ====⎰πωπ 波形系数为732.17.665.115d T f ===I I K 晶闸管的额定电流为A I I 120)2~5.1(57.1T T(AV)=⨯=6.比较GTO 与晶闸管的开通与关断，说明其不一致之处。
(完整版)《电力电子技术》第1章课后习题答案
1.1 晶闸管导通的条件是什么？由导通变为关断的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：u AK>0且u GK>0。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
1.2晶闸管非正常导通方式有几种？（常见晶闸管导通方式有5种，见课本14页，正常导通方式有：门级加触发电压和光触发）答：非正常导通方式有：(1) Ig=0，阳极加较大电压。
此时漏电流急剧增大形成雪崩效应，又通过正反馈放大漏电流，最终使晶闸管导通；(2) 阳极电压上率du/dt过高；产生位移电流，最终使晶闸管导通(3) 结温过高；漏电流增大引起晶闸管导通。
1.3 试说明晶闸管有那些派生器件。
答：晶闸管派生器件有：（1）快速晶闸管，（2）双向晶闸管，（3）逆导晶闸管，（4）光控晶闸管1.4 GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？答:GTO和普通晶闸管同为PNPN 结构,由P1N1P2 和N1P2N2 构成两个晶体管V1、V2 分别具有共基极电流增益α1 和α２，由普通晶闸管的分析可得，α1 + α2 = 1 是器件临界导通的条件。
α1 + α2＞1 两个等效晶体管过饱和而导通；α1 + α2＜1 不能维持饱和导通而关断。
GTO 之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：1）GTO 在设计时α2 较大,这样晶体管T2 控制灵敏,易于GTO 关断;2)GTO 导通时α1 + α2 的更接近于l,普通晶闸管α1 + α2 ≥1.5 ,而GTO 则为α1 + α2 ≈1.05 ，GTO 的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件;3)多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小, 门极和阴极间的距离大为缩短,使得P2 极区所谓的横向电阻很小, 从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
电力电子技术课后习题答案
第一章电力电子器件1.1 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或者U AK >0且U GK>01.2 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
1.3 图1－43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。
解：a) I d1=Im2717.0)122(2Im)(sinIm214≈+=⎰πωπππtI1=Im4767.021432Im)()sin(Im2142≈+=⎰πϖπππwtdtb) I d2=Im5434.0)122(2Im)(sinIm14=+=⎰wtd tππϖπI2=Im6741.021432Im2)()sin(Im142≈+=⎰πϖπππwtdtc) I d3=⎰=2Im41)(Im21πωπtdI3=Im21)(Im2122=⎰tdωππ1.4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?解：额定电流I T(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) I m135.3294767.0≈≈I A, I d1≈0.2717I m1≈89.48A b) I m2,90.2326741.0A I ≈≈ I d2A I m 56.1265434.02≈≈ c) I m3=2I=314I d3=5.78413=m I1.5.GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶阐管的分析可得，121=+αα是器件临界导通的条件。
电力电子技术习题及答案
电力电子技术习题集习题一1. 试说明什么是电导调制效应及其作用。
2. 晶闸管正常导通的条件是什么，导通后流过的电流由什么决定？晶闸管由导通变为关断的条件是什么，如何实现？3. 有时晶闸管触发导通后，触发脉冲结束后它又关断了，是何原因？4. 图1-30中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值、有效值。
如不考虑安全裕量，额定电流100A 的晶闸管，流过上述电流波形时，允许流过的电流平均值I d 各位多少？(f)图1-30 习题1-4附图5. 在图1-31所示电路中，若使用一次脉冲触发，试问为保证晶闸管充分导通，触发脉冲宽度至少要多宽？图中，E =50V ；L =0.5H ；R Ω; I L =50mA （擎住电流）。
图1-31习题1-5附图 图1-32习题1-9附图6. 为什么晶闸管不能用门极负脉冲信号关断阳极电流，而GTO 却可以？7. GTO 与GTR 同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同？8. 试比较GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 之间的差异和各自的优缺点及主要应用领域。
9. 请将VDMOS （或IGBT ）管栅极电流波形画于图1-32中，并说明电流峰值和栅极电阻有何关系以及栅极电阻的作用。
10. 全控型器件的缓冲吸收电路的主要作用是什么？试分析RCD 缓冲电路中各元件的作用。
11. 限制功率MOSFET 应用的主要原因是什么？实际使用时如何提高MOSFET 的功率容量？习题二1．具有续流二极管的单相半波可控整流电路，带阻感性负载，电阻为5Ω，电感为0.2H，电源电压的有效值为220V，直流平均电流为10A，试计算晶闸管和续流二极管的电流有效值，并指出晶闸管的电压定额（考虑电压2-3倍裕度）。
2．单相桥式全控整流电路接电阻性负载，要求输出电压在0～100V连续可调，输出电压平均值为30 V时，负载电流平均值达到20A。
《电力电子技术》第1章课后习题答案
晶闸管导通的条件是什么由导通变成关断的条件是什么答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正朝阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或： u AK>0且 u GK>0。
要使晶闸管由导通变成关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到凑近于零的某一数值以下，即降到保持电流以下，即可使导通的晶闸管关断。
1.2晶闸管非正常导通方式有几种（常有晶闸管导通方式有 5 种，见课本 14 页，正常导通方式有：门级加触发电压和光触发）答：非正常导通方式有：(1)Ig=0 ，阳极加较大电压。
此时漏电流急剧增大形成雪崩效应，又经过正反响放大漏电流，最后使晶闸管导通；(2)阳极电压上率 du/dt 过高；产生位移电流，最后使晶闸管导通(3)结温过高；漏电流增大惹起晶闸管导通。
试说明晶闸管有那些派生器件。
答：晶闸管派生器件有：（1）快速晶闸管，（2）双向晶闸管，（3）逆导晶闸管，（4）光控晶闸管GTO 和一般晶闸管同为PNPN结构，为何GTO能够自关断，而一般晶闸管不可以答:GTO 和一般晶闸管同为PNPN 结构 , 由 P1N1P2 和 N1P2N2构成两个晶体管V1、 V2 分别拥有共基极电流增益α 1和α２，由一般晶闸管的解析可得，α 1 + α 2 = 1 是器件临界导通的条件。
α 1 +α 2 ＞ 1两个等效晶体管过饱和而导通；α 1 +α 2 ＜ 1 不可以保持饱和导通而关断。
GTO 之因此能够自行关断 , 而一般晶闸管不可以, 是因为GTO 与一般晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不一样：1 ） GTO 在设计时α 2较大 , 这样晶体管T2 控制敏捷 , 易于 GTO 关断 ;2)GTO 导通时α 1 + α2的更凑近于 l,一般晶闸管α 1 + α 2 ≥ , 而 GTO 则为α 1+α 2 ≈， GTO 的饱和程度不深 , 凑近于临界饱和 , 这样为门极控制关断供给了有益条件;3)多元集成结构使每个 GTO 元阴极面积很小 , 门极和阴极间的距离大为缩短 , 使得 P2 极区所谓的横向电阻很小,从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
四川大学《电力电子技术》第一次作业答案
一、单项选择题。
本大题共22个小题，每小题 2.5 分，共55.0分。
在每小题给出的选项中，只有一项是符合题目要求的。
1.采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。
A.直流断路器B.快速熔断器C.过电流继电器2.晶闸管属于（）。
A.不可控器件B.全控器件C.半控器件3.单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）度。
A.180B.90C.1204.把交流电变成直流电的是（）。
A.逆变电路B.整流电路C.斩波电路5.下面哪种功能不属于变流的功能（）。
A.有源逆变B.交流调压C.变压器降压D.直流斩波6.三相半波可控整流电路的自然换相点是（）。
A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30度D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60度7.如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。
A.700VB.750VC.800VD.850V8.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）。
A.0度-90度B.0度-120度C.0度-150度D.0度-180度9.在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差（）度。
A.180度B.60度C.360度D.120度10.可实现有源逆变的电路为（）。
A.单相全控桥可控整流电路B.三相半控桥可控整流电路C.单相全控桥接续流二极管电路D.单相半控桥整流电路11.α=（）度时，三相全控桥式整流电路带电阻负载电路，输出负载电压波形处于连续和断续的临界状态。
A.0度B.60度C.30度D.120度12.变流装置的功率因数总是（）。
A.大于1B.等于1C.小于113.变流器工作在逆变状态时，控制角α必须在（）度。
A.0度-90度B.30度-120度C.60度-150度D.90度-150度14.三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0º时，输出的负载电压平均值为（）。
电力电子技术课后习题及解答
《电力电子技术》习题及解答第1章思考题与习题晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?答：晶闸管的导通条件是：晶闸管阳极和阳极间施加正向电压，并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定，负载上电压由输入阳极电压U A决定。
晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答：晶闸管的关断条件是：要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态，可采用阳极电压反向使阳极电流I A减小，I A下降到维持电流I H以下时，晶闸管内部建立的正反馈无法进行。
进而实现晶闸管的关断，其两端电压大小由电源电压U A决定。
温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化？答：温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而减小，正反向漏电流随温度升高而增大，维持电流I H会减小，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。
晶闸管的非正常导通方式有哪几种？答：非正常导通方式有：(1) I g=0，阳极电压升高至相当高的数值；(1) 阳极电压上升率du/dt 过高；(3) 结温过高。
请简述晶闸管的关断时间定义。
答：晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。
即gr rr q t t t +=。
试说明晶闸管有哪些派生器件？答：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。
请简述光控晶闸管的有关特征。
答：光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管，在光的照射下，光电二极管电流增加，此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。
主要用于高压大功率场合。
型号为KP100-3，维持电流I H =4mA 的晶闸管，使用在图题所示电路中是否合理，为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题答：（a ）因为H A I mA K V I <=Ω=250100，所以不合理。
智慧树知到 《电力电子技术》章节测试答案
智慧树知到《电力电子技术》章节测试答案第一章单元测试1、电力电子技术中，电力变换电路包含（）变换。
A:AC/DCB:DC/DCC:DC/ACD:AC/AC正确答案：AC/DC,DC/DC,DC/AC,AC/AC2、（）年，电子管出现，从而开创了电子技术之先河。
A:1904B:1914C:1905D:1915正确答案：19043、1957年，美国通用电气公司研制出第一个( )，因电气性能和控制性能优越，其应用范围迅速扩大。
A:晶闸管B:GTOC:GTRD:IGBT正确答案：晶闸管4、一般认为，电力电子学的诞生是以( )的发明为标志。
A:IGBTB:晶闸管C:GTRD:GTO正确答案：晶闸管5、电力电子技术的发展趋势( )A:向容量更大和更小的两个方向发展B:向集成化方向发展C:向智能化方向发展正确答案：向容量更大和更小的两个方向发展,向集成化方向发展,向智能化方向发展6、电力电子器件按照驱动信号分类，可分为（）A:电流驱动型B:电压驱动型C:混合型正确答案：电流驱动型,电压驱动型7、电力电子器件按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为( )。
A:单极型器件B:双极型器件C:复合型器件正确答案：单极型器件,双极型器件,复合型器件8、电力电子器件按照其控制器通断的能力分为（）器件。
A:半控型B:全控型C:不控型正确答案：半控型,全控型,不控型9、电力电子器件组成的系统，一般由（）组成。
A:控制电路B:驱动电路C:电力电子器件D:保护电路正确答案：控制电路,驱动电路,电力电子器件,保护电路第二章单元测试1、晶闸管稳定导通的条件（）A:晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B:晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C:晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D:晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流正确答案：晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流2、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）A:减小至维持电流以下B:减小至擎住电流以下C:减小至门极触发电流以下D:减小至5A以下正确答案：减小至维持电流以下3、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）A:du/dt抑制电路B:抗饱和电路C:di/dt抑制电路D:吸收电路正确答案：抗饱和电路4、IGBT是一个复合型的器件，它是（）A:GTR驱动的MOSFETB:MOSFET驱动的GTRC:MOSFET驱动的晶闸管D:MOSFET驱动的GTO正确答案：MOSFET驱动的GTR5、晶闸管触发电路中，若改变（）的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
首页- 我的作业列表- 《电力电子技术》第一次作业答案
你的得分：100.0
完成日期：2018年09月09日16点13分
说明：每道小题选项旁的标识是标准答案。
一、单项选择题。
本大题共30个小题，每小题2.0 分，共60.0分。
在每小题给出的选项中，只有一项是符合题目要求的。
1.电力电子器件一般工作在（）状态。
A.导通
B.开关
C.截止
2.通常情况下（器件开关频率不太高）时，电力电子器件的损耗主要是（）损耗。
A.导通
B.关断
C.开关
3.把直流变换为交流的电路叫做（）电路。
A.整流
B.逆变
C.斩波
D.交流电力控制
4.二极管阳极有正向电压，其处于（）状态。
A.导通
B.开关
C.截止
5.晶闸管阳极加正向电压，门极不加信号，其处于（）状态。
A.导通
B.开关
C.截止
6.对已经触发导通的晶闸管，如果在阳极电流未达到擎住电流时门极触发信号消失，晶
闸管是（）状态。
A.导通
B.开关
C.截止
7.晶闸管的额定电压为（）。
A.正向重复峰值电压
B.反向重复峰值电压
C.正反向重复峰值电压中大者
D.正反向重复峰值电压中小者
8.电力MOSFET的通态电阻具有（）温度系数。
A.正
B.负
C.零
9.晶闸管是（）驱动型器件。
A.电流
B.电压
C.电荷
10.晶闸管的额定电流应按（）原则选取。
A.平均值相等
B.有效值相等
11.单相半波可控整流电路带阻性负载时，输出电流波形为（）。
A.与电源电压波形相同
B.与输出电压波形相同
C.为直线波形
12.
A. A
B. B
C. C
D.D
13.
A. A
B. B
C.C
D.D
14.
A. A
B. B
C. C
D.D
15.单相半波可控整流电路带阻性负载时，输出电压波形脉动频率为（）。
A.1/2电源频率
B.电源频率
C.两倍电源频率
D.三倍电源频率
16.单相桥式全控整流电路带反电动势阻性负载，与带纯阻性负载比较，输出电压（）。
A.增大
B.减小
C.不变
17.三相半波可控整流电路带大电感负载，晶闸管的移相范围为（）。
A.900
B.1200
C.1500
D.1800
18.单相可控整流电路中，α=00定义在（）。
A.电源相电压过零点处
B.电源线电压过零点处
C.电源相电压过零点后300处
D.电源线电压过零点后300处
19.三相半波可控整流电路中，三个晶闸管触发脉冲的相位依次相差（）。
A.300
B.600
C.1200
D.1800
20.三相桥式全控整流电路带阻性负载，共阴极组处于导通的晶闸管是（）。
A.相电压最高相所在的晶闸管
B.相电压最低相所在的晶闸管
C.相电压为中间值所在相的晶闸管
21.三相桥式全控整流电路带阻性负载，晶闸管的移相范围是（）。
A.300
B.600
C.1200
D.1800
22.对三相半波可控整流电路，考虑变压器漏抗，换相时有换相重叠角，将引起输出电压
（）。
A.增大
B.减小
C.不变
23.单相交流调压电路带阻性负载，触发角α 的移相范围为（）。
A.300
B.600
C.1200
D.1800
24.电压型逆变电路中，交流侧输出电压波形为（）。
A.正弦波
B.矩形波
C.直线
25.
A. A
B.B
C. C
D.D
26.
A. A
B. B
C.C
D.D
27.
A. A
B.B
C. C
D.D
28.
A. A
B. B
C. C
D.D
29.
A. A
B. B
C. C
D.D
30.
A. A
B. B
C.C
D.D
二、多项选择题。
本大题共10个小题，每小题4.0 分，共40.0分。
在每小题给出的选项中，有一项或多项是符合题目要求的。
1.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为（）。
A.单极性器件
B.双极性器件
C.复合型器件
D.电流驱动型器件
2.晶闸管的工作特性有（）。
A.正向导通
B.正向阻断
C.反向导通
D.反向截止
3.晶闸管可能导通的条件是（）。
A.阳极和阴极间加正向电压
B.阳极和阴极间加反向电压
C.门极加触发信号
D.阳极和阴极间加大于转折电压的正向电压
4.在下列整流电路，能够实现有源逆变的是（）。
A.单相半波可控整流电路
B.单相桥式全控整流电路
C.三相半波可控整流电路
D.三相桥式全控整流电路
5.影响换相重叠角的因素有（）。
A.输出负载电流
B.电源电压
C.变压器漏抗大小
D.晶闸管触发角
6.三相桥式可控整流电路，晶闸管触发脉冲可采用（）。
A.单窄脉冲
B.双窄脉冲
C.宽脉冲
7.单相桥式全控整流电路与单相全波可控整流电路的区别有（）。
A.所用晶闸管个数不同
B.整流变压器结构不同
C.输出相同电压时器件承受的电压不同
D.输出回路管压降不同
E.负载电流相同时，流过器件的电流不同
8.增加整流电路的相数，可以（）。
A.输出电压增大
B.输出电压中最低次谐波频率增加
C.改善输出电压波形质量
D.增大直流侧谐波
9.斩波电路的控制方式有（）。
A.脉冲宽度调制
B.脉冲频率调制
C.调频调宽混合控制
10.电压型逆变电路中反并联二极管的作用（）。
A.传递有功功率
B.反馈无功功率
C.续流
D.整流。