功率LDMOS管以及电阻电容
LDMOS介绍
小了漏、源两极之间的寄生电容，有利于提高频率特性。同时，漂移区在沟道和漏之间起
缓冲作用，削弱了LDMOS的短沟道效应。由于VDS的绝大部分降落在漂移区上，因此在沟
道夹断后，基本上没有沟道的长度调制效应。当VDS增大的时候，输出电阻不会降低，沟
道区也不易穿通，从而LDMOS的击穿电压不受沟道长度和掺杂水平的限制，可以进行独
•
九十年代中后期开始大批量生产LDMOS,作为微波低端大功率(20W以上)器
件的主流技术, 2. 4GHz以下输出峰值可达到200W以上,年产量超过4亿美元。与
传统的双极型晶体管相比, LDMOS器件在2. 4GHz以下频段时,增益、线性度、开
关性能、散热性能、价格等方面都有着明显的优势。今后LDMOS将向更高频率、
LDMOS
（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)
横向扩散金属氧化物半导体
简介
•
80年代以来，迅猛发展的超大规模集成电路技术给高压大电流半导体注入了
新的活力，一批新型的声控功放器件诞生了，其中最有代表性的产品就是
VDMOS声效应功率晶体管。这种电流垂直流动的双扩散MOS器件是电压控制型
立的设计。
•
LDMOS中的漂移区是该类器件设计的关键，漂移区的杂质浓度比较低，因此，当
LDMOS 接高压时，漂移区由于是高阻，能够承受更高的电压。图1所示LDMOS的多晶扩
展到漂移区的场氧上面，充当场极板，会弱化漂移区的表面电场，有利于提高击穿电压。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ场极板的作用大小与场极板的长度密切相关。要使场极板能充分发挥作用，一要设计好
•
到了90年代，由于器件结构和工艺技术的改进，使得LDMOS性能有了飞跃性的发展，
demos与ldmos工作原理
demos与ldmos工作原理在现代电子设备中，demos（Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）和ldmos（Lateral Double-diffused MetalOxide Semiconductor）是常用的半导体器件。
它们在许多领域中都发挥着重要作用，如通信、功率放大器和射频应用。
本文将介绍这两种器件的工作原理和特点。
demos和ldmos都是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的变种。
它们的工作原理基于PN结和场效应晶体管的结合。
在demos中，PN结的扩散区域被双重扩散，从而形成了一个耐压区。
而在ldmos中，扩散区域是沿着晶体管表面扩散的，这种结构使得器件在导通状态下具有更低的电阻。
在demos中，PN结的双重扩散使得器件具有更高的耐压能力。
当器件处于关断状态时，PN结的扩散区域可以承受较高的电压而不会发生击穿。
这使得demos在高压应用中具有优势，如电源管理和功率放大器。
而ldmos则通过沟道扩散技术，使得器件在导通状态下具有更低的电阻，从而在功率放大器和射频应用中表现出色。
除了耐压能力和导通电阻之外，demos和ldmos还有许多其他特点。
例如，它们通常具有较高的开关速度和较低的漏电流，这使得它们在高频和低功耗应用中具有优势。
此外，它们的制造工艺相对成熟，成本较低，因此在大规模生产中具有竞争优势。
总的来说，demos和ldmos是两种在不同应用领域中发挥作用的重要器件。
它们的工作原理基于PN结和场效应晶体管的结合，具有耐压能力强、导通电阻低、开关速度快和制造成本低等特点。
随着电子技术的不断发展，相信它们将在更多领域中发挥重要作用。
功率半导体器件 LDMOS VDMOS
关于功率MOSFET（VDMOS & LDMOS）的报告---时间日期：2009.11.12---报告完成人：祝靖1．报告概况与思路报告目的：让研一新同学从广度认识功率器件、了解功率器件的工作原理，起到一个启蒙的作用，重点在“面”，更深层次的知识需要自己完善充实。
报告内容：1）从耐压结构入手，说明耐压原理；2）从普通MOS结构到功率MOS结构的发展；（功率MOS其实就是普通MOS结构和耐压结构的结合）；3）纵向功率MOS（VDMOS）的工作原理；4）横向功率MOS（LDMOS）的工作原理；5）功率MOSFET中的其它关键内容；（LDMOS和VDMOS共有的，如输出特性曲线）报告方式：口头兼顾板书，点到即止，如遇到问题、疑惑之处或感兴趣的地方，可以随时打断提问。
2．耐压结构（硅半导体材料）目前在我们的研究学习中涉及到的常见耐压结构主要有两种：①反向PN结②超结结构(包括)；2.1 反向PN结（以突变结为例）图2.1所示的是普通PN结的耐压原理示意图，当这个PN结工作在一定的反向电压下，在PN结内部就会产生耗尽层，P区一侧失去空穴会剩下固定不动的负电中心，N区一侧会失去电子留下固定不动的正电中心，并且正电中心所带的总电量＝负电中心所带的总电量，如图2.1a所示，A区就是所谓耗尽区。
图2.1b所示的是耗尽区中的电场分布情况（需熟悉了解），耗尽区以外的电场强度为零，Em称为峰值电场长度（它的位置在PN，阴影部分的面积就是此时所加在PNP区和N区共同耐压。
图2.2所示的是P+N结的情况，耐压原理和图1中的相同，但是在这种情况中我们常说N负区是耐压区域(常说的漂移区)(a)(b)图2.1 普通PN结耐压示意图（N浓度＝P浓度）图2.2 P＋N结耐压示意图（N浓度<<P浓度）图2.3所示的是反向电压变化情况下的耗尽层内部的电场强度的变化情况，随着N一侧的电压的上升，耗尽层在展宽（对于P+N-结来说，耗尽层展宽的区域为N区一侧，也就是耐压区一侧），峰值电场强度Em的值也在不断升高，但是当Em=Ec时，PN结发生击穿，Ec称为临界电场强度，此时加在PN结两端的电压大小就是击穿电压（BV（如表2.1所示），同种材料不同浓度的临界电场也不同，但是对于硅材料来说，在我们目前关系的浓度范围之内，浓度变化对电场强度的影响不大，因图 2.3 电场强度和电压的关系示意图 Table2.1 不同材料的临界电场2.2 超结结构（SuperJunction ）（了解）除了上述所说的P+N-结结构之外，还有一种我们会接触到的耐压结构——超结结构。
LDMOS简介
什么是RF LDMOS晶体管DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET（vertical double-diffused MOSFET）和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET （lateral double-dif fused MOSFET）。
LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。
LDMOSLDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)LDMOS器件结构如图1所示，LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。
这项技术是在相同的源/漏区域注入两次，一次注入浓度较大（典型注入剂量1015cm-2）的砷（As），另一次注入浓度较小（典型剂量1013cm-2）的硼（B）。
注入之后再进行一个高温推进过程，由于硼扩散比砷快，所以在栅极边界下会沿着横向扩散更远（图中P阱），形成一个有浓度梯度的沟道，它的沟道长度由这两次横向扩散的距离之差决定。
为了增加击穿电压，在有源区和漏区之间有一个漂移区。
LDMOS中的漂移区是该类器件设计的关键，漂移区的杂质浓度比较低，因此，当LDMOS 接高压时，漂移区由于是高阻，能够承受更高的电压。
图1所示LDMOS的多晶扩展到漂移区的场氧上面，充当场极板，会弱化漂移区的表面电场，有利于提高击穿电压。
场极板的作用大小与场极板的长度密切相关[6]。
要使场极板能充分发挥作用，一要设计好SiO2层的厚度，二要设计好场极板的长度。
LDMOS元件具有基底，基底中形成有源极区与漏极区。
在源极与漏极区之间的一部分基底上提供了一个绝缘层，以便在绝缘层与基底表面之间提供一个平面介面。
然后在绝缘层的一部分之上形成绝缘构件，在部分绝缘构件与绝缘层之上形成栅极层。
通过使用此结构，发现存在有平直的电流通道，使之能减少接通电阻，同时维持高击穿电压。
LDMOS与普通MOS管主要有两点区别：1，采用LDD结构(或称之为漂移区)；2，沟道由两次扩散的横向结深控制。
LDMOS 的优势• 卓越的效率，可降低功率消耗与冷却成本• 卓越的线性度，可将信号预校正需求降到最低• 优化超低热阻抗，可缩减放大器尺寸与冷却需求并改善可靠度• 卓越的尖峰功率能力，可带来最少数据错误率的高3G 数据率• 高功率密度，使用较少的晶体管封装• 超低感抗、回授电容与串流闸阻抗，目前可让LDMOS 晶体管在双载子器件上提供7 bB 的增益改善• 直接源极接地，提升功率增益并免除BeO 或AIN 隔离物质的需求• 在GHz 频率下拥有高功率增益，带来更少设计步骤、更简易更具成本效益的设计(采用低成本、低功率驱动晶体管)• 绝佳的稳定性，由于负漏极电流温度常数，所以不受热散失的影响• 比双载子更能忍受较高的负载未匹配现象(VSWR)，提高现场实际应用的可靠度• 卓越的射频稳定度，在栅极与漏极间内置隔离层，可以降低回授电容• 在平均无故障时间(MTTF) 上有相当好的可靠度LDMOS主要的缺点1．功率密度低；2．容易受到静电的破坏。
ldmos工作原理
ldmos工作原理LDMOS工作原理。
LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）是一种常见的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），在射频和微波功率放大器中得到广泛应用。
LDMOS器件具有低电阻、高电压和高频特性，因此在无线通信、广播、雷达和其他射频应用中具有重要作用。
本文将介绍LDMOS的工作原理，以便更好地理解其在功率放大器中的应用。
LDMOS的结构。
LDMOS器件通常由N型衬底上的P型沟道和N型扩散层组成。
在P型沟道区域，有一层金属氧化物绝缘层（MOS结构），用于控制沟道中的电子流。
P型沟道和N型扩散层之间的结构使得LDMOS器件具有较高的耐压能力，适合用于高电压应用。
LDMOS的工作原理。
当在LDMOS器件的门极上施加正向电压时，形成的电场使P型沟道中的电子被吸引到N型扩散层，从而形成导通通道。
当信号电压施加在沟道上时，电子将在沟道中形成连续的电流，从而实现信号的放大。
在LDMOS器件中，电子的主要流动路径是沿着P型沟道和N型扩散层的界面。
由于P型沟道的电阻较低，电子在沟道中的移动速度较快，因此LDMOS器件能够实现较高的电流传输能力。
同时，N型扩散层的结构使得LDMOS器件能够承受较高的电压，适合用于功率放大器等高压应用。
LDMOS的优势。
与其他功率MOSFET相比，LDMOS器件具有较低的电阻和较高的耐压能力，适合用于高频、高功率的射频应用。
同时，LDMOS器件的制造工艺成熟，成本相对较低，因此在市场上得到了广泛的应用。
总结。
LDMOS器件是一种常见的功率MOSFET，具有较低的电阻、较高的耐压能力和较高的频率特性。
其工作原理是通过在P型沟道和N型扩散层之间形成导通通道，实现信号的放大。
在射频和微波功率放大器中，LDMOS器件具有重要作用，广泛应用于无线通信、广播、雷达等领域。
通过本文的介绍，相信读者对LDMOS器件的工作原理有了更深入的理解，能够更好地应用于实际工程中。
LDMOS介绍教学提纲
1992年研制出了高效率的靠电池供电移动通信用的低压MO栅LDMOS，其沟道长度为
0.8µm，在6v工作时 1.5GHz下输出2w，增益5dB，漏极效率达65%，功率附加效率为
55%。1994年又研制出了在1.SGHz下连续波输出35W，增益13dB，漏极效率50%的微波
功率LDMOS。到1996年，Motorola的Alan Wood等人研制出了2GHz下连续波输出60w的
LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。1971年Y.Tarui等人提出了横向
双扩散MOS的结构。1976年M.J.Declerq和J.D.Plummer采用这种方案，做出了第一个
LDMOS。
LDMOS器件结构如图1所示，LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。这项技术是在
相同的源/漏区域相继两次进行硼磷扩散，一次注入浓度较大（典型注入剂量 1015cm-2）
高频率、更大功率方向发展。
LDMOS。80年代末，研究者们利用RESURF原理，对LDMOS进行优化设计，出现了
LDMOS的不同结构。其努力的方向是降低Ron及CGs，CGD，CDs，提高击穿电压BVDSS，
并分析研究了栅电阻对器件微波性能的影响。在LDMOS的研究过程中，研究者们发现，
限制器件增益和效率的主要因素是沟道长度、源极接地电感和栅电阻。
LDMOS介绍
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；横向扩散金属氧化物半导体)是 为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用， 也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此今后在多数情况下它将取代双极型 晶体管技术。与双极型晶体管相比,LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以 上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于 相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。 LDMOS能经受住高于双极型晶体管3倍的驻波比，能在较高的反射功率下运行而没有 破坏LDMOS设备；它较能承受输入信号的过激励和适合发射数字信号，因为它有高级的 瞬时峰值功率。LDMOS增益曲线较平滑并且允许多载波数字信号放大且失真较小。 LDMOS管有一个低且无变化的互调电平到饱和区，不像双极型晶体管那样互调电平高且 随着功率电平的增加而变化。这种主要特性允许LDMOS晶体管执行高于双极型晶体管二 倍的功率，且线性较好。LDMOS晶体管具有较好的温度特性温度系数是负数，因此可以 防止热耗散的影响。这种温度稳定性允许幅值变化只有0.1dB，而在有相同的输入电平的 情况下，双极型晶体管幅值变化从0.5~0.6dB,且通常需要温度补偿电路。
功率半导体器件(LDMOS VDMOS)
1974 年，VVMOS（Vertical V-groove MOS）诞生，如图 3.1c 所示，此结构缺点：1）靠腐蚀形成 V-Groove， 不易工艺控制；2）V 形槽底部为尖峰，曲率大，电场较大，容易击穿，可靠性差等。
就会产生耗尽层，P 区一侧失去空穴会剩下固定不动的负电中心，N 区一侧会失去电子留下固定不动的正 电中心，并且正电中心所带的总电量＝负电中心所带的总电量，如图 2.1a 所示，A 区就是所谓耗尽区。
图 2.1b 所示的是耗尽区中的电场分布情况（需熟悉了解），耗尽区以外的电场强度为零，Em 称为峰 值电场长度（它的位置在 PN 结交界处，原因可以从高斯原理说明），阴影部分的面积就是此时所加在 PN 结两端的电压大小。从以上的分析我们可以称这个结构的耐压部分为 P 区和 N 区共同耐压。图 2.2 所示的 是 P+N 结的情况，耐压原理和图 1 中的相同，但是在这种情况中我们常说 N 负区是耐压区域(常说的漂移 区)，耐压大小由 N 区的浓度决定。
S
G
S
S
G
S
N
N
P
P
N
N
P
P
NN
D
图 4.1 处于关断状态下的 VDMOS
NN
D
图 4.2 处于导通状态下的 VDMOS
4.2 VDMOS 中的导通电阻 y在 VDMOS 中，顺着电子流的方向，整个导通电阻包括：沟道电阻、积累层电阻、寄生 JFET 电阻、 扩散电阻、外延层电阻、衬底电阻和金属导线电阻。（每个电阻在不同的耐压情况下所占总的导通 电阻的比例也使不同的，在低压的器件中，沟道电阻是主要的，在高压器件中，外延层的电阻是主 要的<取决于外延层的电阻率和厚度>，） y沟道电阻：取决于沟道长度、栅氧化层的厚度、载流子浓度、阈值电压和栅电压 VG . 一定的栅电压下，沟道电阻随着栅氧化层厚度的减小而减小 y积累层电阻：当器件导通后，栅下的 N-区会形成一层积累层，形成一层电阻很低的电子通道，这些 电子是从沟道出来的 y寄生 JFET 电阻：离开积累层的电子会垂直进入到硅体内（可以看成是一个 N 沟的 JFET），这个电 阻是随着源漏电压的变化而变化的，降低这个电阻的方法可以增加 P 井之间的距离，但是这样会影 响到集成度的提高。 y扩散电阻：当电子再往下走时，电子开始向下扩散流动（也有可能进入到其他的元胞中），由这些 电流流过的漂移区的电阻称为扩散电阻。 y外延层电阻：器件的耐压值决定了外延层的电阻率和厚度，高压器件中这个电阻很重要。外延层的 厚度一般由器件的耐压水平决定。 y衬底电阻：衬底电阻只在耐压值低于 50V 的情况中才比较明显。 y金属线和引线电阻：器件在和外部引脚相连的导线，在一般器件中，此电阻大概有几毫欧。
LDMOS简介及其技术详解
LDMOS简介及其技术详解LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）横向扩散金属氧化物半导体）是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS 晶体管的应用，也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此今后在多数情况下它将取代双极型晶体管技术。
与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB，采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。
这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。
LDMOS能经受住高于双极型晶体管3倍的驻波比，能在较高的反射功率下运行而没有破坏LDMOS设备;它较能承受输入信号的过激励和适合发射数字信号，因为它有高级的瞬时峰值功率。
LDMOS增益曲线较平滑并且允许多载波数字信号放大且失真较小。
LDMOS 管有一个低且无变化的互调电平到饱和区，不像双极型晶体管那样互调电平高且随着功率电平的增加而变化。
这种主要特性允许LDMOS晶体管执行高于双极型晶体管二倍的功率，且线性较好。
LDMOS晶体管具有较好的温度特性温度系数是负数，因此可以防止热耗散的影响。
这种温度稳定性允许幅值变化只有0.1dB，而在有相同的输入电平的情况下，双极型晶体管幅值变化从0.5~0.6dB，且通常需要温度补偿电路。
LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。
LDMOS器件结构如图1所示，LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。
这项技术是在相同的源/漏区域注入两次，一次注入浓度较大（典型注入剂量1015cm-2）的砷（As），另一次注入浓度较小（典型剂量1013cm-2）的硼（B）。
注入之后再进行一个高温推进过程，由于硼扩散比砷快，所以在栅极边界下会沿着横向扩散更远（图中P阱），形成一个有浓度梯度的沟道，它的沟道长度由这两次横向扩散的距离之差决定。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
开关电源SPIC—TOP223
2019/5/25
17/84
偏置电路
当发生欠压时，偏置电压1调节锯齿波发生器输出频率 由之前正常工作的100kHz减小为3kHz，减小功耗。
电路控制 电压
C1 R1
M3 偏置电压1
M1
M2
Q1
Q2
Q3 Q4
M6
M7
M5
偏置电压2
M4
Q5
C2
R3
R4
Q6 R2
欠欠压压保保 护护输输入出
2019/5/25
12/84
TOP223芯片管脚
DRAIN：输出管MOSFET的漏极。在启动时，通过一个内部 开关控制的高压电流源提供内部偏置电流。
CONTROL：作为占空比控制时，是误差放大器和反馈电流的 输入端。也用做内部电路和自动重启动/补偿电容的连接点。
SOURCE：Y型封装时，是输出MOSFET的源极，作为高压电 源的回路。原边控制电流的公共参考点。
2019/5/25
13/84
TOP223封装
2019/5/25
14/84
TOP223性能参数
极限参数 漏极电压：-0.3V到700V； 漏极电流增加速度(ΔID/每100ns)： 0.1×ILIMIT(MAX) 控制脚电压：-0.3V到9V 控制脚电流：100mA 储存温度：-65到125℃ 工作结温度：-40到150℃
Q6、Q7的栅电压互反，控制C1的充放电
2V
0.7V
2019/5/25
锯齿波输出
偏置 方波脉冲
偏置
21/84
锯齿波电路仿真图
2019/5/25
频率为100KHz
22/84
PWM比较器
2019/5/25
23/84
PWM比较器仿真图
2019/5/25
24/84
驱动电路
偏置电 压
Q1
Q5
栅控电 压 Q4
第七章 智能功率集成电路的设计
2019/5/25
1
主要内容
SPIC设计考虑 PWM开关电源SPIC设计实例 荧光灯驱动SPIC设计实例
2019/5/25
2/84
SPIC设计考虑
工艺流程选择 功率器件关键参数确定 关键工艺参数设计
2019/5/25
3/84
智能功率集成电路SPIC
反馈电流小于2mA，电路以最大占空比67%工作； 反馈电流在2~6mA，电路工作占空比67%~1%工作； 反馈电流大于6mA，电路以最小占空比1%工作；
2019/5/25
PMOS宽长比很大， 实现旁路分流的作用
误差放大器输出
19/84
误差放大84
锯齿波发生器电路
2019/5/25
15/84
TOP223性能参数
电学参数 最大功率：50W（单一值电压输入）
30W（宽范围电压输入） *TO-220（Y）封装
导通电阻：7.8Ω (ID=100mA，Tj=25℃) 保护电流：1.00A(Tj=25℃) 最大占空比：67%
2019/5/25
16/84
LDMOS、VDMOS和IGBT等功率器件是SPIC 的核心，一 般功率器件约占整个芯片面积的1/2~2/3。
设计性能良好的功率器件是整个智能功率集成电路设计的 关键，其中耐压和导通电阻是SPIC的重要指标。
2019/5/25
7/84
功率器件的主要技术参数
击穿电压：源漏击穿电压BVDS、栅源击穿电压BVGS； 静态特性参数：阈值电压、IV特性、栅特性和特征
26/84
组合逻辑电路
2019/5/25
最大占空比不超过67% 最小导通时间（占空比
1%） 综合处理各种保护信号
2019/5/25
9/84
PWM开关电源SPIC设计实例
开关电源原理及开关电源SPIC 开关电源SPIC模块电路 开关电源SPIC的BCD工艺流程 开关电源SPIC的版图设计
2019/5/25
10/84
开关电源原理
311V
t
2t
3t
4t
311V
t
2t
3t
4t
2019/5/25
TOP223
1:8
Q8
Q7
R5
M8
Q9 基准电压
R6 Q10
IR5=(VBE6-VBE7)/R5=Vtln(IS6/IS7)/R5 ; IE9= IE5=2Vtln(IS6/IS7)/R5 ;
2019/5/25
VOUT=VE9=VBE10+2R6Vtln(IS6/IS7)/R5
18/84
误差放大器
反馈电流输入
一般包括： 功率控制 检测 / 保护 接口电路
目标
尽可能少的工艺步骤， 实现最佳功率器件性能
2019/5/25
4/84
工艺流程选择
SPIC一般实现方案：
在已有的CMOS或者BiCMOS工艺上进行改造，增加若干个 工艺步骤而实现。
工艺改造的好处：
一方面可以减小工艺成本和实现难度，另一方面也提高工艺 的稳定性。
11/84
开关电源TOP223
TOP223芯片是一个自我偏置、自我保护的用线性电流控制占空 比转换的开关电源。主要包括： 主电路部分
偏置电路、分流调整器/误差放大器电路、锯齿波发生器电路、 PWM比较器电路、最小导通时间延迟、驱动电路、组合逻辑电路 辅助保护电路部分
温度保护电路、过流保护电路、欠压保护电路、8分频复位延时 电路、高压充电电路
2019/5/25
5/84
SPIC基本工艺流程
SPIC工艺主要可分为外延层结构工艺和无外延层结构工艺。 这两种工艺技术各有特点，根据电路、器件、特性等方面不
同的要求，其最恰当的兼容工艺方式也大不相同。相比而言， 目前无外延层结构工艺较为普遍。
2019/5/25
6/84
功率器件关键参数确定
导通电阻等； 动态特性参数：栅电容、导通时间、关断时间和开关
频率等； 器件安全工作区（SOA）。
2019/5/25
8/84
关键工艺参数的设计
在改造工艺上调整有限的工艺参数使得功率器件性能最 佳是SPIC工艺必须要考虑的问题。
要确定这些最佳工艺参数，可以采用理论推导和TCAD 仿真相结合的方式。
Q2 Q3
偏置电 压 Q11
Q6
Q8
Vc Drain
Q12
Q16
Q7
Q19 Q21 Q23
Q25
Q13
Q14 Q17
C1 Q9 Q10
R1
Q15 Q18
Q22 Q24 Q20
0
2019/5/25
25/84
最小导通时间延迟模块
2019/5/25
• 增加这个电路其实就是加 了一个反馈，利用环路延迟， 使得当误差信号逐步增大到 大于锯齿波信号时，保持一 个最小的占空比。