射频电路设计第一章

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WiFi射频电路设计

WiFi射频电路设计

WiFi产品的电路设计I. 前言这是一篇针对性很强的技术文章。

在这篇文章中,我只是分析研究了Wi-Fi产品的一般射频电路设计,而且主要分析的是Atheros 和Ralink的解决方案,对于其他厂商的解决方案并没有进行研究。

这是一篇针对性很不强的技术文章。

在这篇文章中,我研究,讨论了Wi-Fi产品中的射频电路设计,包括各个组成部分,如无线收发器,功率放大器,低噪声放大器,如果把这里的某一部分深入展开讨论,都可以写成一本很厚的书。

这篇文章具有一般性。

虽然说这篇文章主要分析了Atheros和Ralink的方案,但是这两家厂商的解决方案很具有代表性,而且具有很高的市场占有率,因此,大部分Wi-Fi 产品也必然是具有一致或者类似的架构。

经常浏览相关网站的人一定知道,在中国市场热卖的无线路由器,无线AP很多都是这两家的解决方案。

这篇文章具有一定的实用性。

这篇文章的编写是基于我们公司的二十余种参考设计电路,充分吸收了参考设计的精华,并提取其一般性,同时,本文也重在分析实际的电路结构和选择器件时应该注意的问题,并没有进行深入的理论研究,所以,本文具有一定的实用性。

这篇文章是我在自己的业余时间编写的(也可以说我用这种方式消磨时间),如果这篇文章能够为大家的工作带来一点帮助,那将是我最高兴的事。

由于时间有限,编写者水平更加有限,错误之处在所难免,欢迎大家批评指正。

第1章. 射频设计框图做技术的,讲解某个设计的原理时,都会从讲解框图开始,本人也不例外,先给大家展示一下Wi-Fi产品的一般射频设计框图。

图1-1 Wi-Fi产品的一般射频设计框图如图1-1所示,一般Wi-Fi产品的射频部分由五大部分组成(这是我个人的见解,不同的工程师可能会有不同的想法),蓝色的虚线框内统一看成是功率放大器部分。

无线收发器(Radio Transceiver)一般是一个设计的核心器件之一,除了与射频电路的关系比较密切以外,一般还会与CPU有关,在这里,我们只关注其与射频电路相关的一些内容。

射频电路 第一章选频与阻抗匹配

射频电路 第一章选频与阻抗匹配
2010-9-16
Z=
V IS
,而 I S 为常数 )
《高频电子线路》 11/42
讨论谐振频率附近的选频特性( ω ≈ ω0 ) 近似条件:
ξ = Q(
(ω + ω 0 )(ω ω 0 ) 2ω (ω ω ) 2(ω ω 0 ) ω ω0 ≈Q 0 2 0 =Q )=Q ω0 ω ωω 0 ω0 ω0
Is / G V (ω0 ) V (ω0 ) = = V (ω ) ≈ e jφ 公式: 2(ω ω0 ) 2Δω 2 Δω 2 1 + jQ 1 + jQ 1 + (Q )
ω0
ω0
ω0
其中:
= arctgQ
2Δω
ω0
2010-9-16
《高频电子线路》
12/42
(1)幅频特性(归一化选频特性)
定义:支路
Q
Xs 串联支路 Q = rs RP 并联支路 Q = XP
《高频电子线路》
两者相等
X s RP Q= = rs XP
18/42
2010-9-16
(2)实际并联回路分析 根据谐振的定义计算:
Y (ω ) = G + jB = 1 1 + ( jωC ) j RP ωLP
1 jB = jω P C j =0 ω P LP
谐振时回路总的储能 CV 2 2π T= Q = 2π = 2π 2 ω0 谐振时回路一周内的耗能 TV / R
R R Q= = = G ω0 L ρ
2010-9-16 《高频电子线路》 8/42
ω0C
4.电流特性 电感电流
IsR IL = = = jQI S jω 0 L jω 0 L
电容电流

(完整版)《射频电路理论与设计》习题参考答案

(完整版)《射频电路理论与设计》习题参考答案

引言0.3 解:利用公式l jZ Z in λπ2tan 0=进行计算(1)m n n l l jZ Z in 6660102)12(32106)12(21062tan⨯+=⨯⨯+=∞=⨯=πππ 可见l 至少应该是1500Km(2)m n n l l jZ Z in 222010)12(875.12105.72)12(105.72tan---⨯+=⨯⨯+=∞=⨯=πππ l 至少是1.875cm 。

0.4 解:利用公式CX L X C L ωω1,-==进行计算 (1)Hz f 40=所以ππω802==f791051.210999.080--⨯=⨯⨯=πL X121210360.0100111.0801⨯-=⨯⨯-=-πC X (2)Hz f 9104⨯=,991081042⨯=⨯⨯=ππω3129991047.3100111.0108109.2510999.0108⨯-=⨯⨯⨯-==⨯⨯⨯=--ππC L X X 可见在低频时分布电感和分布电容可以忽略,但在射频时分布电感和分布电容却不能忽略。

0.5解:集肤效应是指当频率升高时,电流只集中在导体的表面,导体内部的电流密度非常小。

而趋肤深度是用来描述集肤效应的程度的。

利用公式μσπδf 1=来计算。

已知铜的磁导率m H /1047-⨯=πμ,电导率m S /108.57⨯=σ(1)m 00854.0108.510460177=⨯⨯⨯⨯⨯=-ππδ(2)m m μππδ21.110121.0108.510410315779=⨯=⨯⨯⨯⨯⨯⨯=--由计算数据可得,用铜线传输电能时,60Hz 时是不需要考虑集肤效应的,但是当传输射频信号时,3GHz 时需要考虑集肤效应。

0.6 解:利用公式DC RF R a R δ2≈,μσπδf 1=计算 已知铜的磁导率m H /1047-⨯=πμ,电导率m S /108.57⨯=σ(1)m 57761000.3108.5104105001--⨯=⨯⨯⨯⨯⨯⨯=ππδ7.161000.3210153=⨯⨯⨯≈--DC RF R R (2)m 67791031.3108.51041041--⨯=⨯⨯⨯⨯⨯⨯=ππδ 1.1511031.3210163=⨯⨯⨯≈--DC RF R R 通过计算数据结果说明在射频状况下,电阻损耗很大。

射频电路设计基础

射频电路设计基础

射频电路设计基础1、数字电路模块和模拟电路模块之间的干扰如果模拟电路射频和数字电路单独工作,可能各自工作良好。

但是,一旦将二者放在同一块电路板上,使用同一个电源一起工作,整个系统很可能就不稳定。

这主要是因为数字信号频繁地在地和正电源>3 V之间摆动,而且周期特别短,常常是纳秒级的。

由于较大的振幅和较短的切换时间。

使得这些数字信号包含大量且独立于切换频率的高频成分。

在模拟部分,从无线调谐回路传到无线设备接收部分的信号一般小于lμV。

因此数字信号与射频信号之间的差别会达到120 dB。

显然.如果不能使数字信号与射频信号很好地分离。

微弱的射频信号可能遭到破坏,这样一来,无线设备工作性能就会恶化,甚至完全不能工作。

2、供电电源的噪声干扰射频电路对于电源噪声相当敏感,尤其是对毛刺电压和其他高频谐波。

微控制器会在每个内部时钟周期内短时间突然吸人大部分电流,这是由于现代微控制器都采用CMOS工艺制造。

因此。

假设一个微控制器以lMHz的内部时钟频率运行,它将以此频率从电源提取电流。

如果不采取合适的电源去耦.的地方必将引起电源线上的电压毛刺。

如果这些电压毛刺到达电路RF部分的电源引脚,严重时可能导致工作失效。

3、不合理的地线如果RF电路的地线处理不当,可能产生一些奇怪的现象。

对于数字电路设计,即使没有地线层,大多数数字电路功能也表现良好。

而在RF频段,即使一根很短的地线也会如电感器一样作用。

粗略地计算,每毫米长度的电感量约为l nH,433 MHz时10 toni PCB线路的感抗约27Ω。

如果不采用地线层,大多数地线将会较长,电路将无法具有设计的特性。

4、天线对其他模拟电路部分的辐射干扰在PCB电路设计中,板上通常还有其他模拟电路。

例如,许多电路上都有模,数转换ADC或数/模转换器DAC。

射频发送器的天线发出的高频信号可能会到达ADC的模拟淙攵恕R蛭魏蔚缏废呗范伎赡苋缣煜咭谎⒊龌蚪邮誖F信号。

如果ADC输入端的处理不合理,RF 信号可能在ADC输入的ESD二极管内自激。

射频电路设计

射频电路设计

STUCC K.H. Cheng
1.2 射频通信电路应用简介
GSM900 频段范围 上行频带/MHz(手机发射) 下行频带/MHz(基地台发 射) 双工间隔/MHz 占用频谱/MHz 通道数 ARFCN 同时用户数 通道间隔 调变方式 数据传输速率 Bit rate持续期 P band 935~960 890~915 45 2X25 124 1~124 992 G1abnd 880~890 925~935 55 2X10 49 975~1023 392 200KHz GMSK(BXT)=0.3 270.88kbps 2.69uS GSM1800 Lband 1710~1785 1805~1880 95 2X75 374 512~885 2992
射频电路设计 (RF Circuits Design) Chapter 1 简介
STUCC K.H. Cheng
Chapter Outline
1.1 射频概念 1.2 射频通信电路应用简介 1.3 无线通道中的电波传播 1.4 无线通道的特徵 1.5 干扰与噪音 1.6 射频电路的特点
STUCC K.H. Cheng
1.4 无线通道的特徵
多径效应 对抗措施
抗多径干扰主要有如下几个方面措施: (1)提高接收机的距离测量精度, 如窄相关码 相关码跟踪环,相位测距,平滑伪距 平滑伪距等; 相关码 平滑伪距 (2)抗多径天线:智慧天线 智慧天线利用多个天线阵元 智慧天线 的组合进行信号处理,自动调整发射和接收方 方 向图,以针对不同的信号环境达到最优性能. 向图 (3)抗多径信号处理与自适应抵消技术等. 多径干扰是由於在多用户系统中采用传统单用户接收方案而造成的恶果.单用 滤波器作为相关判决的工具,并不考虑多址干扰的存在,每 户接收机采用匹配滤波器 滤波器 个用户的检测都不考虑其他用户的影响,是一种针对单用户检测的策略.一般说 来,单个用户传输时不存在多址干扰,但在多用户环境中,当干扰用户数增加或 者他们的发射功率增加时,多径干扰 多径干扰将不容忽视.因此多用户检测技术应允而生, 多径干扰 其演算法有最优检测演算法和次优检测演算法.

第一章 射频电路导论

第一章 射频电路导论
1.1.1 无线电远程通信起始于意大利人马可尼从1895年
开始的室外电磁波通信实验, 最初的目的是实现无 线电报。 经过100多年的发展, 无线电远程通信从无 线电报发展到无线电广播、 电视、 移动通信等, 逐步覆盖了陆地、 海洋和太空, 从固定通信发展到移动通信, 从模拟通信发展到数 字通信。 无线电广播、电视和移动通信使用的无线 电频率为300kHz~3000 MHz。 图1.1.2给出了无
第一章 射频电路导论
1.1 虽然射频电路系统的具体设备多种多样, 组成和复杂程度不同, 但系统的最基本结构相 同, 如图1.1.1所示, 包括发射机和接收机两 个主要部分。
第一章 射频电路导论
图1.1.1 射频电路系统的最基本结构
第一章 射频电路导论
图1.1.1中, 信道即无线电波的传输媒质, 如空气、 真空、 海水、 地表。
iC=a0+a1(u1+u2)
第一章 射频电路导论
上式是转移特性曲线以Q为中心, 在Q附近的一阶泰勒级数展 开式。 其中, a0是ICQ, a1是晶体管在Q处的交流跨导gm。 上 式可写为
iC a0 a1 (u1 u2 ) a0 a1u1 a1u2
a0 a1U1m cos1t a1U 2m cos2t
第一章 射频电路导论
1.1.3 蓝牙工作在全球通用的2.4 GHz工业、 科学和医
学(ISM) 频段, 采用高斯频移键控(GFSK)调制, 利用时分 双工传输方案, 最大数据传输速率为1 Mb/s, 最大 传输距离为10m, 支持点对点及点对多点通信, 通过 采用跳频、 短数据包和自适应发射功率来进行调节 以提高抗干扰能力, 系统最大跳频速率为1600跳/s, 在2.402~2.480 GHz之间采用79个间隔1 MHz的频点。

射频电路设计--第1章 引言

射频电路设计--第1章 引言
3、过孔的设计 (1)RF电路板常用过孔实现层间连接。通常孔直径为 0.05mm至0.20mm。 (2) 过孔一般分盲孔(blind via)、埋孔(bury via)和通孔 (through via)三类。 盲孔位于印刷线路板的顶层和底层表面,具有一定 深度,用于表层线路和下面的内层线路的连接,孔的深 度通常不超过一定的比率(孔径)。 埋孔是指位于印刷线路板内层的连接孔,它不会延 伸到线路板的表面。 通孔穿过整个线路板,可用于实现内部互连或作为组 件的黏着定位孔。
分贝表示法
• 绝对电压的分贝表示
⎛ V ⎞ V ( dBμV ) = 20 log10 ⎜ ⎟ ⎝ 1μV ⎠
表 2-3 使用 dBμV 表示的一些典型电压值 V V(dBμV) 0.01μV -40dBμV 0.1μV -20dBμV 1μV 0dBμV 10μV 20dBμV 100μV 40dBμV 1mV 60dBμV
λ /8 设计准则
例1
例 1-3:某 CPU 的内部核心电路尺寸为 5mm 左 右,时钟频率达到了 2GHz。请判断 CPU 内部电路设 计是否需按照传输线理论进行分析和设计。 解:2GHz 信号对应的波长为
c λ = = 0.15 ( m ) f
计算得到
l = 5mm <
λ
8
≈ 19mm 。 按 照 λ/8 的 设 计 准 则 ,
BW ( Hz ) = f H − f L
以频率作为单位表示的带宽是指绝对带宽。 例如: 射频放大电路的工作频率范围为1GHz— 2GHz,则带宽为1GHz PAL制式的电视广播的图像信号带宽为 6MHz
相对带宽
– 百分比法
• 定义为绝对带宽占中心频率的百分数
– 倍数法(又称覆盖比法) – 定义为高端截止频率fH与低端截止频率fL的比 值

高通射频设计1_根据定义搭建电路

高通射频设计1_根据定义搭建电路

HY016射频设计1_根据定义搭建电路HY016项目是8909平台国内项目F16的对应海外版本。

射频方案背景知识基本射频构架还是WTR4905(射频收发器)+RPM6743-21(多模多频PA)+RTM7916-21(FEM)。

所以首选需要仔细阅读这三颗物料的规格书,尤其注意:1,WTR4905的Tx、PRx、DRx口从框图上可以看到,WTR4905硬件上Tx_DA1只能支持中/高频,Tx_DA2只能支持低频主接收包括三路低频、两路高频、三路中频。

其中LB3和MB1支持SAWLess分集接收包括三路低频、两路高频、两路中频2,RPM6743_21这颗多模多频PA,输入包括:一路高频、一路中频、两路低频。

输出包括:五路低频、五路中频、四路高频。

同时还有两路高频开关可用于高频TDD信号切换3,RTM7916则是GSM功放+SP16T开关的组合。

GSM低/高频信号需要输入不同的端口。

另输入端口都有一个SWOUT,HY006T设计有个很巧妙的地方就利用了LB的SWOUT脚,扩展了低频支持的频段。

射频电路设计对射频设计来说,最大的难点在于有限的管脚如何实现远多于管脚的频段。

射频设计阶段完成的标准是:输出能实现的原理图,并将控制逻辑发布给驱动。

第一步:列出Port口支持的所有频段首先看看三颗芯片是否能支持上述频段,比如要支持TDD B34的话,就不能选择WTR4905,而只能选择WTR2965了。

然后看这些频段如何分配到WTR4905的五路输出管脚上。

这需要对照wtr4905_typedef_ag.h 中的驱动代码。

以LTE B1为例,分集接收(DRX)MB1/MB2/HB1/HB2这四路都可以接收LTE B1WTR4905_LTEFDD_DRXLGY1_BAND1_DMB1,WTR4905_LTEFDD_DRXLGY1_BAND1_DMB2,WTR4905_LTEFDD_DRXLGY1_BAND1_DHB1,WTR4905_LTEFDD_DRXLGY1_BAND1_DHB2,主集接收(PRx)MB2/MB3/HB1/HB2这四路都可以接收LTE B1WTR4905_LTEFDD_PRXLGY1_BAND1_PMB2,WTR4905_LTEFDD_PRXLGY1_BAND1_PMB3,WTR4905_LTEFDD_PRXLGY1_BAND1_PHB1,WTR4905_LTEFDD_PRXLGY1_BAND1_PHB2,发射通路(Tx)Port 1/3/5这三路都可以发射LTE B1WTR4905_LTEFDD_TX_BAND1_THMLB1,WTR4905_LTEFDD_TX_BAND1_THMLB3,WTR4905_LTEFDD_TX_BAND1_THMLB5,此步骤完成时需输出基于wtr4905_typedef_ag.h的WTR4905 Tx/PRx/DRx的三张表格:第二步:确定每个频段的发射/接收端口这一步需要确认每个频段的发射/接收到底走哪个端口。

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2011
1.1 射频电路系统简介
➢ 一般射频系统方框图: ➢ 射频电路的工作频率:
通常高于1GHz ➢ 随着频率的升高、相应的电磁波
的波长变得可与分立元件的尺寸相 比拟时,电阻、电容、电感这些元 件的电响应将开始偏离它们的理想 频率特性。这时,普通的电路分析 方法已不适用。 ➢ 射频电路的主要部件:
一个射频线圈的阻抗绝对值与频 率的关系
1.4.3 高频电感-类型
• 目前片式电感也在射频电路中被广泛使用。片式 电感器有绕线型片式电感器、陶瓷叠层片式电感 器、多层铁氧体片式电感器、片式磁珠等多种形 式。
• 例如一种FHW系列的绕线型片式电感器有0603、 0805、1008、1210、1812形式,电感范围为 3.3~100 000nH,0603的封装尺寸为1.70mm (长)×1.16mm(宽)×1.02mm(高)。
– 传输线 – 滤波器 – 功率放大器 – 混频器和振荡器
1.2 量纲和单位
➢在自由空间,向z方向传播的平面电磁(EM)波,
➢当E⊥H⊥传播方向时,即为横电磁(TEM)波: ➢特性阻抗(波阻抗):电场和磁场分量的比
➢波相速:
1.3 频谱
1.4 无源元件的射频特性
• 在射频频段,集总电阻、集总电容和集总 电感的特性是不具有“纯”的电阻、电容 和电感的性质,这是在射频电路设计、模 拟和布线过程中必须注意的。
1
2 p 2
– 当< s或>p时,Z=jx,等效阻抗Z呈容性;
– 当s<<p时,Z=+jx,等效阻抗Z呈感性。
• 阻抗特性如右图所示。
• 实际使用时,石英晶体谐振器工作在 频率范围窄的电感区,等效为一个电
感。
石英晶体谐振器的阻抗特性
1.5 片状元件及对电路板的考虑
无源元件在射频印刷电路板上的可实用性, 主要体现在其片状外形便于安装在专用板材 上。
• 一个电容器的阻抗绝对值与频率的关系如 右下图所示。
一个电容器的阻抗绝对值与频率的关系
1.4.2 高频电容-类型
•片状电容器有高频用(高Q)多层陶瓷片状电 容器、X7R介质片状电容器、NPO介质片状电 容器、Y5V介质片状电容器、固体钽质片状电容 器等多种形式。 •目前,多层陶瓷片状电容器在射频电路中广泛 使用,它们可用于射频电路中的各个部分,使用 频率可以高达15GHz。 •例如一种型号为CDR系列的片状电容器,最小 封装尺寸仅为2.00mm(长)×1.25mm(宽) ×1.30mm(高),电容值范围从0.1~470 000pF,电压为100V。
•如右图为常用的片状电阻的结构
1.5 片状元件及对电路板的考虑
➢ 片状电容 片状电容有单平板结构和多层结构,如右图 通常,单平板电容器有2个或4个单元组,它们 共用一个电介质和公共的电极。如下图:
片状元件及对电路板的考虑-表面安装电感
最通用的表面安装电感仍然是线绕线圈, 如图为具有空气芯的电感器

石 常英小晶,体所谐以振石器英的晶等体效谐电 振感器具Lq非有常非大常,高而的CQq值和,rq都其非Q 值为
Q 1 rq
Lq Cq
• 从图等效电路可看出,石英晶体谐振器有两个谐振频率,串 联谐振频率fs和并联谐振频率fp。
– 在等效电路中,Lq、Cq组成串联谐振回路,串联谐振频率fs为 – Lq、Cq与C0组成并联谐振回路,并联谐振频率fp为:
1.4.1 高频电阻-射频特性
• 一个电阻器的高频等效电路如右上图所示, 图示标中电称,荷电两分阻个布相电效比感应较,,L等引C效a线表为电示引阻为线常引电常线感被间;忽电电略容容。,C与b表
• 从图可见,在低频时电阻的阻抗是R;随着频 率的升高,寄生电容的影响成为引起电阻阻 抗下降的主要因素;然而随着频率的进一步 升高,由于引线电感的影响,电阻的总阻抗 上升。在很高的频率时,引线电感会成为一 个无限大的阻抗,甚至开路。
由于C0 》Cq,所以fs≈fp
fs 2
1 Lq C q
fp 2
1 Lq C q
C0 Cq C0
fs
1 特性
Z j( Lq 1 / C q )( j / C 0 ) j( Lq 1 / C q 1 / C 0 )
典型的表面线装电感的尺寸为60X120mil, 电感值从1nH至1000µH。
再见
1.4.2 高频电容-射频特性
• 一个电容器的高频等效电路如图所示,图 中引,线电导感体损L等耗效,为电引阻线R电e表感示,介电质阻损R耗s表。示
• 由图可见,电容器的引线电感将随着频率 的升高而降低电容器的特性。如果引线电 感与实际电容器的电容谐振,这将会产生 一个串联谐振,使总电抗趋向为0 。由 于这个串联谐振产生一个很小的串联阻抗, 所以非常适合在射频电路的耦合和去耦电 路中应用。然而,当电路的工作频率高于 串联谐振频率时,该电容器将表现为电感 性而不是电容性。
1.4.3 高频电感-射频特性
• 线圈通常时用导线在圆柱体上绕制而成, 相邻位置线段间有分离的移动电荷,寄 生电容的影响上升。如右图
• 一个电感器的高频等效电路如图所示, 图效电中电容,感Cd电线和容圈电电C阻s阻为Rd,等的C效综s分和合布R效s电分应容别。,代R表s分为布等
• 从图可见,分布电容Cs与电感线圈并联, 这也意味着,一定存在着某一频率,在 该频率点线圈电感和分布电容产生并联 谐振,使阻抗迅速增加。通常称这一谐 振频率点为电感器的自谐振频率(SRF, Self Resonant Frequency)。当频率超 过谐振频率点时,分布电容Cs的影响将 成为主要因素,线圈的阻抗降低。
1.4.1 高频电阻-类型
• 目前,在射频电路中主要应用的是 薄膜片状电阻,该类电阻的尺寸能 够做得非常小,可以有效地减少引 线电感和分布电容的影响。
• 片状电阻的形式有0603、0805、 1206、2019、2512,功率范围为 1/10W~1W,阻值范围为0.1~ 10M。
• 例如,0603的封装尺寸仅为 1.60mm(长)×0.8mm(宽) ×0.45mm(高)。
1.5 石英晶体谐振器的射频特性
• 如 电 C0右感为图(晶石等片英效与晶电金体感属谐)极振;板器C构q的成为等的动效静态电态电路电容和容;符。rq为号动:态L电q为阻动;态 • 石英晶体谐振器由石英晶体薄片加上电极构成。石英
晶体薄片具有正、反压电效应。当石英晶体薄片的几 何尺寸和结构一定时,具有一个固有的机械振动频率。 当高频交流电压加于晶片两端时,晶片将随交变信号 的变化而产生机械振动,当信号频率与晶片固有振动 频率相等时,产生了谐振。
• 一个金属膜电阻的阻抗绝对值与频率的关系 如右下图所示:

低频时电阻的阻抗是R;

当频率升高并超过10MHz时,寄生电容的影响便
成为主要的,它引起电阻的阻抗下降;

当频率超过大约20GHz的谐振点时,由于引线电
感的影响,总的阻抗上升(引线电感在很高频率下代
表一个开路线或无限大阻抗)
一个500Ω金属膜电阻的阻抗绝对值与频率的关系
• 忽略rq(设rq= 0),石英晶体谐振器的 等效阻抗Z为右式
1 j
C0
L q (1 1 / 2 L q C q )
Lq
1
1/
Lq
C qC 0 Cq C0
• 从式可见:
– 当=s时,Lq、Cq支路产生串联谐振,Z=0; 当=p时,产生并联谐振,Z→;
j 1 C0
1
2 s 2
高频电感的等效电路
1.4.3 高频电感-射频特性2
• 一个射频线圈的阻抗绝对值与频率的关 系如右图所示:当频率接近谐振点时, 射频线圈(RFC)的阻抗迅速提高,当 频率继续提高时,寄生电容Cs的影响则 成为主要的,线圈的阻抗降低。
• 线圈电阻的影响通常用品质因数Q来表 示
Q X Rs
式中,X是电抗;Rs是线圈的串联电阻。 品质因数表征无源电路的电阻损耗,通常 希望得到尽可能高的品质因数。
➢片状电阻:
•功率额定值为0.5W的片状电阻的尺寸可小 到40X20mil(1mil=0.001inch),功率越大, 尺寸越大,当功率额定值为1000W时,尺寸 增到1x1 inch,常用的片状电阻尺寸如右表:
•电阻值的范围从1/10Ω高到几 MΩ,高阻 值电阻不仅难以制造,还导致高的容差,并 易于产生寄生场,影响电阻频率特性的线性 度。
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