霍尔效应实验.
霍尔效应实验报告(共8篇)
篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vh?is，vh?im曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 fe??eeh??evh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，fl??fe ?vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为 is?ne （2）由（1），（2）两式可得 vh?ehl?ib1isbrhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh?1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh??/ （4）式中?为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
17实验十七霍耳效应
实验十七霍尔效应实验Experiment 17 Hall Effect Experiment1879年德国物理学家霍尔（E. H. Hall）在读研究生期间发现的，通电的板状金属导体，如果在其电流垂直方向上加一水平方向的匀强磁场，因为定向移动的自由电子受到洛仑兹力发生偏转则在导体上下表面间产生一个电势差，这种现象称为霍尔效应，此电势差称为霍尔电势差( Hall voltage)。
当时人们还不知道金属的导电机理，甚至还未发现电子，因此根据霍尔电势差的方向，可以判断出导体载流子的正负（这也正是霍尔当时设计实验的目的）。
这在物理学的发展史上有着重要的作用。
后来发现，半导体的霍尔效应更为显著。
现在它已是研究半导体材料物理和电学性能的最基本、最重要的实验手段之一。
由霍尔效应制成的霍尔元件具有频率响应宽（从直流到微波）、小型、无接触测量、使用寿命长和成本低等优点，因而被广泛地应用在测试、自动化、计算机和信息技术等领域（它的主要不足是受温度的影响比较大）。
用它制成的特斯拉计或磁场测量装置，测量范围可以从10T的强磁场到10－7T的弱磁场，精度从1%到0.01%，既可测量直流磁场也可测量交流磁场，还可测量脉宽为ms到μs的脉冲磁场。
实验目的Experimental purpose1．了解产生霍尔效应的机制。
2．学习用―对称法‖消除副效应的影响。
3．学会用霍尔元件测量磁场及其分布的基本方法。
4．学会用霍尔效应仪测量霍尔元件的霍尔系数。
实验原理Experimental principle霍尔效应是运动的载流子在磁场中受到洛仑兹力发生偏转而产生的，利用霍尔效应原理制作出来的电子元件统称为霍尔元件，本实验所用的霍尔元件是一个长方形的均匀半导体薄片，称为霍尔片。
如图1所示，图1霍尔效应示意图设霍尔元件是由ｎ型（即参加导电的多数载流子是电子）半导体材料制成的。
其长为l 、宽为ｂ、厚度为ｄ。
如果在M 、N 两端按图示加一稳定电压，则有恒定电流Ｉ沿X 轴方向通过霍尔元件，假定电流Ｉ是由沿X 轴以速度v 运动的电子构成的，电子的电荷为e ，而自由电子的浓度为n ，则霍尔片的工作电流Ｉ(Transverse current )可表示为evbdn dt dQ I -== (1)若在ｚ轴方向加上恒定磁场B (Magnetic field)，沿负X 轴运动的电子就会受到洛仑兹力B f 的作用evB f B -= (2)B f 的方向指向负Y 轴，于是，霍尔元件内部的电子沿着虚曲线运动并聚积在下方平面。
霍尔效应实验报告优秀4篇
霍尔效应实验报告优秀4篇实验四霍尔效应篇一实验原理1．液晶光开关的工作原理液晶的种类很多，仅以常用的TN（扭曲向列）型液晶为例，说明其工作原理。
TN型光开关的结构：在两块玻璃板之间夹有正性向列相液晶，液晶分子的形状如同火柴一样，为棍状。
棍的长度在十几埃（1埃＝10-10米），直径为4～6埃，液晶层厚度一般为5-8微米。
玻璃板的内表面涂有透明电极，电极的表面预先作了定向处理（可用软绒布朝一个方向摩擦，也可在电极表面涂取向剂），这样，液晶分子在透明电极表面就会躺倒在摩擦所形成的微沟槽里；电极表面的液晶分子按一定方向排列，且上下电极上的定向方向相互垂直。
上下电极之间的那些液晶分子因范德瓦尔斯力的作用，趋向于平行排列。
然而由于上下电极上液晶的定向方向相互垂直，所以从俯视方向看，液晶分子的排列从上电极的沿－45度方向排列逐步地、均匀地扭曲到下电极的沿＋45度方向排列，整个扭曲了90度。
理论和实验都证明，上述均匀扭曲排列起来的结构具有光波导的性质，即偏振光从上电极表面透过扭曲排列起来的液晶传播到下电极表面时，偏振方向会旋转90度。
取两张偏振片贴在玻璃的两面，P1的透光轴与上电极的定向方向相同，P2的透光轴与下电极的定向方向相同，于是P1和P2的透光轴相互正交。
在未加驱动电压的情况下，来自光源的'自然光经过偏振片P1后只剩下平行于透光轴的线偏振光，该线偏振光到达输出面时，其偏振面旋转了90°。
这时光的偏振面与P2的透光轴平行，因而有光通过。
在施加足够电压情况下(一般为1～2伏)，在静电场的作用下，除了基片附近的液晶分子被基片“锚定”以外，其他液晶分子趋于平行于电场方向排列。
于是原来的扭曲结构被破坏，成了均匀结构。
从P1透射出来的偏振光的偏振方向在液晶中传播时不再旋转，保持原来的偏振方向到达下电极。
这时光的偏振方向与P2正交，因而光被关断。
由于上述光开关在没有电场的情况下让光透过，加上电场的时候光被关断，因此叫做常通型光开关，又叫做常白模式。
霍尔效应实验报告[共8篇]
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篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vh?is，vh?im曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 fe??eeh??evh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，fl??fe ?vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为 is?ne （2）由（1），（2）两式可得 vh?ehl?ib1isb?rhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh?1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh??/???? （4）式中?为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
实验报告 霍尔效应
实验报告霍尔效应一、实验目的1、了解霍尔效应的基本原理。
2、掌握用霍尔效应法测量磁场的原理和方法。
3、学会使用霍尔效应实验仪器，测量霍尔电压、电流等物理量。
二、实验原理1、霍尔效应将一块半导体薄片置于磁场中，当在薄片的纵向通以电流时，在薄片的横向两侧会产生一个电位差，这种现象称为霍尔效应。
这个电位差称为霍尔电压，用＄U_H$ 表示。
霍尔电压的产生是由于运动的载流子在磁场中受到洛伦兹力的作用而发生偏转，在薄片的两侧积累了正负电荷，从而形成了电场。
当电场力与洛伦兹力达到平衡时，电荷的积累停止，霍尔电压达到稳定值。
2、霍尔电压的计算设半导体薄片的厚度为＄d$，载流子的浓度为＄n$，电流为＄I$，磁感应强度为＄B$，则霍尔电压＄U_H$ 可以表示为：＼U_H ＝＼frac{1}｛nq}IBd\其中，＄q$ 为载流子的电荷量。
3、测量磁场如果已知半导体薄片的参数（如载流子浓度＄n$、薄片厚度＄d$）以及通过的电流＄I$，测量出霍尔电压＄U_H$，就可以计算出磁感应强度＄B$：＼B ＝＼frac{nqdU_H}｛I}＼三、实验仪器1、霍尔效应实验仪，包括霍尔元件、电磁铁、电源、电压表、电流表等。
2、特斯拉计，用于测量磁场强度。
四、实验步骤1、连接实验仪器按照实验电路图连接好霍尔效应实验仪的各个部分，确保连接正确无误。
2、调整磁场打开电磁铁电源，逐渐增加电流，使磁场强度逐渐增大。
使用特斯拉计测量磁场强度，并记录下来。
3、测量霍尔电压（1）保持磁场强度不变，改变通过霍尔元件的电流＄I$，分别测量不同电流下的霍尔电压＄U_H$，记录数据。
（2）保持电流＄I$ 不变，改变磁场强度，测量不同磁场强度下的霍尔电压＄U_H$，记录数据。
4、数据处理（1）根据测量的数据，绘制霍尔电压＄U_H$ 与电流＄I$ 的关系曲线。
（2）绘制霍尔电压＄U_H$ 与磁场强度＄B$ 的关系曲线。
（3）根据实验原理中的公式，计算出半导体薄片的载流子浓度＄n$ 和薄片厚度＄d$。
霍尔效应实验
量结果中消除。即在规定了电流和磁场正、反方向后，分别测量由下列
四组不同方向的 IS 和 B 组合的 VA'A。
+B，+IS -B，+IS -B，-IS +B，-IS
V1 V2 V3 V4
(V1 V2 ) (V3 V4 ) VH 4
实验内容
1. 测量 VH – IS 曲线. 保证励磁电流 IM = 500mA不变，研究VH – IS 关系。 IS(mA) 0.50 1.00 1.50 V1(mV) V2(mV) V3(mV) V4(mV) VH(mV)
式中106是由于非国际单位制单位制（CGS）的引入引起的。电 压单位为V，电流单位为A，长度单位为cm，磁场单位为高斯
（1 特斯拉 = 104高斯）。
霍尔电压与导电类型
若电流 IS 沿 x 轴方向，磁场 B 逆 z 轴方向。若测出 A'A之间的电压为负值（ VH < 0 ），则材料为 N 型半导体
材料，载流子为电子。
若电流 IS 沿 x 轴方向，磁场 B 逆 z 轴方向。若测出 A'A之间的电压为正值（ VH > 0 ），则材料为 P 型半导体 材料，载流子为空穴。
霍尔电压的测量
在产生霍尔效应的同时，因伴随着各种副效应，以致实验测得的
A'A 两极间的电压并不等于真实的霍尔电压 VH 值，而是包含着各种副 效应所引起的附加电压，因此必须设法消除。根据副效应产生的机理可 知，采用电流和磁场换向的对称测量法，基本上能把副效应的影响从测
d
试样宽度：b
试样厚度：d
载流子浓度： n 电流： IS = n· v· d e· b·
霍尔电压：
IS B 1 IS B VH EH b RH ne d d
霍尔效应实验
尔效应强弱的重要参数 6
由（6）（7）式得
UH
RH
IS B d
由此可以定义霍尔元件的灵敏度
KH
RH d
1 ned
UHKHISB
（8） （9） （10）
可见，只要测出霍尔电势差U H
应强度 B 。
和工作电流 I S
，就可以求出磁感
当给定 B ，改变I S 时可得到U H ，U H I S 呈线性关系，直线 斜率就是 K H B 。由公式（9）可求得 R H
IS ,B IS ,B
U 2 U H U 0 U E U N U R L U 3 U H U 0 U E U N U R L
IS,B U 4 U H U 0 U E U N U R L
U H1 4(U 1U 2U 3U 4)U E UE UH
U H1 4(U 1U 2U 3U 4)
2
实验原理
1.霍尔效应 如果将一块金属或半导体材料垂直放在磁场中，在垂直
于磁场方向上通以电流 I ,则在垂直于电流和磁场方向上导体
的两侧会产生一个电势差，这种现象称为霍尔效应。 这个效应是1879年美国霍普金斯大学的研究生霍尔在研
究金属导电机构时发现了这种电磁现象，后来被称为霍尔效 应。
霍尔效应不仅是测定半导体材料电学参数的主要手段， 而且随着电子技术的发展，利用霍尔效应制成的器件已广泛 地用于非电量的测量，如温度、压力等等，还有自动化控制 和信息处理等领域。
12
仪器简介 霍尔效应实验仪由实验仪和测试仪组成，其装置如图：
13
14
1、实验仪：本实验仪由电磁铁、二维移动标尺、三个换向 闸 刀开关、霍尔元件组成。
C型电磁铁，给它通以电流产生磁场。 二维移动标尺及霍尔元件；霍尔元件是由N型半导体材 料制成的，将其固定在二维移动标尺上，将霍尔元件放入磁 铁的缝隙之中，使霍尔元件垂直放置在磁场之中，在霍尔元 件上通以电流，如果这个电流是垂直于磁场方向的话，则在 垂直于电流和磁场方向上导体两侧会产生一个电势差。
实验十四霍尔效应
实验十四 霍尔效应实验目的1．了解霍尔效应的基本原理。
2．学习用霍尔效应测量磁场。
实验仪器 HL—4 霍尔效应仪，稳流电源，稳压 电源，安培表，毫安表，功率函数发生器，1 IH特斯拉计，数字万用表，电阻箱等。
3实验原理1．霍尔效应若将通有电流的导体置于磁场 B 之中，磁场 B（沿 z 轴）垂直于电流 IH（沿 x 轴） d 的方向，如图 4－14－1 所示，则在导体中垂直于 B 和 IH 的方向上出现一个横向电位 差 UH，这个现象称为霍尔效应。
这一效应对金属来说并不显著，但对FBFE+vb 2图 4－14－14 B半导体非常显著。
霍尔效应可以测定载流子浓度及载流子迁移率等重要参数，以及判断材料的导电类型，是研究半导体材料的重要手段。
还可以用霍尔效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放大。
用霍尔效应制作的传感器广泛用于磁场、位置、位移、转速的测量。
霍尔电势差是这样产生的：当电流 IH 通过霍尔元件（假设为 P 型）时，空穴有一定的漂移速度 v，垂直磁场对运动电荷产生一个洛沦兹力FB = q(v × B)（4－14－1）式中 q 为电子电荷。
洛沦兹力使电荷产生横向的偏转，由于样品有边界，所以有些偏转的载流子将在边界积累起来，产生一个横向电场 E，直到电场对载流子的作用力 FE=qE与磁场作用的洛沦兹力相抵消为止，即q(v × B) = qE（4－14－2）这时电荷在样品中流动时将不再偏转，霍尔电势差就是由这个电场建立起来的。
如果是 N 型样品，则横向电场与前者相反，所以 N 型样品和 P 型样品的霍尔电势 差有不同的符号，据此可以判断霍尔元件的导电类型。
设 P 型样品的载流子浓度为 p，宽度为 b，厚度为 d。
通过样品电流 IH＝pqvbd，则空穴的速度 v＝IH／pqvbd，代入（4－14－2）式有E = v× B = IHB pqbd（4－14－3）上式两边各乘以 b，便得到UH=Eb =IH B pqd=RHIH B d（4－14－4）RH=1 pq称为霍尔系数。
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而且随着电子技术的发展，利用霍尔效应制成的器件已广泛 地用于非电量的测量，如温度、压力等等，还有自动化控制 和信息处理等领域。
霍尔效应的出现是由于导体（或半导体）中的载流子
（形成电流的的运动电荷）在磁场中受到洛伦兹力的作用而 发生的横向漂移的结果。
若用一块如图所示的N型半导体试样（导电的载流子是电子）
子不再横向漂移，结果在 霍尔电势差。
P
、S
两面形成恒定的电势差U
H
叫
fB fe
EH vB
即 evB eEH （4）
（5）
UH
VP
VS
EH b
vBb
IS B ned
（6）
由固体物理理论可以证明金属的霍尔系数为
RH
1 ne
（7）
式中 n为载流子浓度，e 为载流子所带的电量。RH
是一常量，仅与导体材料有关，它是反映材料霍
尔效应强弱的重要参数
由（6）（7）式得
UH
RH
IS B d
由此可以定义霍尔元件的灵敏度
KH
RH d
1 ned
UH KH IS B
（8） （9） （10）
可见，只要测出霍尔电势差U H
感应强度 B 。
和工作电流
IS
，就可以求出磁
当给定 B ，改变I S 时可得到UH ，U H IS 呈线性关系，直线
U2 U H U0 U E U N U RL U3 U H U0 U E U N U RL
IS ,B U4 UH U0 UE U N URL
UH
1 4
(U1
U2
U3
U4 ) UE
U E U H
U H
1 4
(U1
U
2
U3
U4)
仪器简介 霍尔效应实验仪由实验仪和测试仪组成，其装置如图：
1、实验仪：本实验仪由电磁铁、二维移动标尺、三个换向 闸 刀开关、霍尔元件组成。
C型电磁铁，给它通以电流产生磁场。 二维移动标尺及霍尔元件；霍尔元件是由N型半导体材 料制成的，将其固定在二维移动标尺上，将霍尔元件放入磁 铁的缝隙之中，使霍尔元件垂直放置在磁场之中，在霍尔元 件上通以电流，如果这个电流是垂直于磁场方向的话，则在 垂直于电流和磁场方向上导体两侧会产生一个电势差。
fB evB（2）
由于洛伦兹力的作用，使得电子将沿 fB 的方向向下侧偏
移（即 y 轴的负方向），这样就引起了 S 侧电子的积累，P 侧正电荷的积累，从而使两侧出现电势差，且 P 点高于 S点，
所以在试样中形成了横向电场 ，EH这一电场就称为霍尔电
场。该电场又对电子具有反方向的静电力。
fe eEH
斜率就是 KH B 。由公式（9）可求得 RH
由 RH 可以确定以下参数 ：
①导电类型 如图：
+++ + + +
fe
v
IS
IS
fB
— ——— — —
由于运动电荷受到洛伦兹力的作用，使其S侧积累负电荷，P侧积
累正电荷，因此电势差是P点高于S点，U H 0 则 RH 0 为N型半
导体。
p型半导体导电载流子为空穴，空穴相当于带正电的粒子，带正 电粒子其运动方向和电流运动方向相同，如图所示：
（3）（此力方向向上）
电子受到电场力 fe 和磁场力 fB 的作用，一方面使电子
向下偏移，另一方面电子又受到向上的阻碍电子向下偏移的
力。由于这两个力的作用所以电子在半导体试样侧面的积累
不会无限止地进行下去：在开始阶段，电场力比磁场力小，
电荷继续向侧面积累，随着积累电荷的增加，电场力不断增
加，直到电子所受的电场力和磁场力相等，即 fB fe时，电
— — — — — —fe
v
IS
IS
fB
+++ + + +
带正电的粒子在洛伦兹力作用下，其正电荷向下偏移，上侧积累了
负电荷，形成下高上低的电势差。这时，U
型半导体。
H
0ห้องสมุดไป่ตู้
则
RH 0 ，所以是p
②求载流子浓度
n 1 RH e
（11）
一般情况下可以用上式求解，但是严格说来，霍尔系数表达式中应当乘 以一个修正因子 3/8 ：
设试样的长度为 l、宽度为 b ，厚度为d ，若在 x 方向通过电 流 I S ，电子电荷以速度 v 向左运动。
若电子的电荷量
为 e ，自由电子浓
度为 n ，则
d
+ + + + +++ +
fe
v
IS envbd（1） b IS
fB
IS
— ——— ————
l
时将若受在到洛z 轴伦方兹向力加的上作恒用定，的洛磁伦场兹B力，用电fB子表电示荷：在沿 x 轴负方向运动
4、学习一种消除系统误差的方法——对称测量法。
实验原理
1.霍尔效应 如果将一块金属或半导体材料垂直放在磁场中，在垂直
于磁场方向上通以电流 I ,则在垂直于电流和磁场方向上导体
的两侧会产生一个电势差，这种现象称为霍尔效应。 这个效应是1879年美国霍普金斯大学的研究生霍尔在研
究金属导电机构时发现了这种电磁现象，后来被称为霍尔效 应。
RH
3
8
.1
ne
（12）
由以上讨论可知，霍尔电压UH 与载流子浓度n 成反比，即导电材料的载流 n 子 流浓子度是自由越电大子，，霍其尔浓系度数R很H大就(越大小约1，022霍尔)，电所势以差金U H属就材越料小的，霍一尔般系金数属很中小的，载霍
尔效应不显著。半导体材料的载流子浓cm度3 要比金属小得多，能够产生较大的霍
2.系统误差分析
① 不等势效应 ：U0 与 I S 的方向有关
② 爱廷豪森效应：U E 与 I S 、B 均有关
③ 能斯脱效应 ：UN 与 B 的方向有关
④
里纪——勒杜克效应：U
与
RL
B的方向有关
3.系统误差的消除——对称测量法
IS , B U1 UH U0 U E U N U RL
IS ,B IS ,B
尔电势差，所以霍尔片要用半导体材料做成，而不用金属材料做霍尔片。
另外载流子浓度的大小受温度的影响较大，所以要注意消除温度的影响。
还有，霍尔电压UH 与通过霍尔片的工作电流和电荷所受的磁场 B 的乘积成 正比，与霍尔片厚度 d 成反比，霍尔片厚度d 越小，霍尔电动势就越大，所以 制作霍尔片时往往采用减小d 的办法来增加霍尔电动势，从而提高灵敏度。
霍尔效应实验
实验目的
1、了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料 要求的知识；
2、研究霍尔电压UH与工作电流 IS及霍尔电压 UH 与励磁电流IM之间的关系；（即 U H IS ，UH IM ）
3、掌握用作图法求霍尔系数RH 的方法，由 RH 符号或 霍尔电压的正负判断样品的导电类型,并求出载流子 浓度;