电磁场与微波技术复习2009
电磁场与微波技术

一、电场基本理论1.电荷守恒定律:在任何物理过程中,各个物体的电荷可以改变,但参于这一物理过程的所有物体电荷的代数总和是守恒的,也就是说:电荷既不能创造,也不能被消灭,它们只能从一个物体转移到另一个物体,或者从物体的一部分转移到另一部分。
2.库仑定律:库伦经过实验发现,真空中两个静止点电荷(q1, q2)之间的作用力与他们所带电荷的电量成正比,与他们之间的距离r平方成反比,作用的方向沿他们之间的连线,同性电荷为斥力,异性电荷为引力。
ε0为真空介电常数,一般取其近似值ε0=8.85×10-12C•N-1•m-2。
ε0的值随试验检测手段的进步不断精确,目前精确到小数点后9位(估计值为11位)。
库仑反比定律也由越来越精确的实验得到验证。
目前δ<10-16。
库仑反比定律的适用范围(10-15m(原子核大小的数量级)~103m)。
3.电场强度:真空中电荷与电荷之间相互以电场相互发生作用。
若试探电荷q0在电场r处受电场力为F0(r), 则电场强度为E(r)。
4.静电场的高斯定理:由于静电场的电力线起始于正电荷,终止于负电荷,不会相交也不会形成封闭曲线,这就决定通过静电场内某一封闭曲面S的电通量为此封闭曲面所包围的电荷的1/ε0。
表明电场是个有源场。
5.静电场的环路定理:由于电荷的电力线或呈辐射状,或呈会聚状,不会出现具有涡旋形状的闭合曲线,表明静电场是个无旋场,既。
此处L为静电场内任一闭合曲线。
静电场的环路定理又可以写成微分形式:∇*E=0 。
表面电场是个无旋场。
6.静电场与物质的相互作用:由于各种物质内原子对电子的束缚各不相同,根据束缚强弱的不同可分为导体,绝缘体和半导体。
在静电场中的导体在达到静电平衡时内部电场强度处处为零(应用于电屏蔽),而绝缘体(既所谓电介质)内部的电场强度为外加的1/ε倍。
此处ε为电介质的相对介电常数。
电位移矢量 D=εE,起始于正电荷,终止于负电荷,不受极化电荷影响。
电磁场与微波技术复习提纲

电磁场与微波技术复习提纲第1章重要知识点:直角坐标系下散度、旋度、梯度的计算;两个矢量恒等式;斯托克斯定理。
第2章(1)重要知识点:真空中静电场、恒定电场、恒定磁场的基本方程及相关定理;边界条件;高斯定理求静电场;理解静电场的能量与什么有关。
(2)重要计算题:2.8、2.12第3章重要知识点:记忆麦克斯韦方程、波动方程;在无源区域理想介质中,能根据麦克斯韦方程组推导波动方程;理解位移电流;时变电磁场的边界条件,理想导体表面上介质一侧电场与磁场的特点;坡印廷定理的物理意义、坡印廷矢量;第4章(1)重要知识点:什么叫平面电磁波、均匀平面波,它的特点及电场和磁场的计算;介质中均匀平面波的速度计算公式;波的极化的种类和判断;理解色散效应,哪些波属于色散波;什么叫趋肤效应,趋肤深度与什么因素有关;判断良导体和良介质的根据;均匀平面波对理想导体平面的垂直入射形成驻波。
(2)重要计算题:4.2、4.4、4.5、4.10第5章(1)重要知识点:理解长线的涵义;传输线基本特性参数的定义;均匀无耗传输线的三种工作状态下负载、电压反射系数和驻波比的取值;λ/4、λ/2传输线的特点以及λ/4终端短路和开路传输线的输入阻抗;史密斯圆图的组成和特点;λ/4阻抗变换器的匹配公式、已知输入阻抗,如何利用圆图求其导纳、负载是复阻抗时的接入方式;理解信号源的共轭匹配和阻抗匹配及匹配公式;分贝毫瓦与分贝瓦的换算。
(2)重要计算题:5.7、5.18、5.23、PPT87页例4第6章(1)重要知识点:什么是TEM波、TE波、TM波;矩形波导、圆波导、同轴线、微带线、带状线传输的波型有哪些,它们的主模是什么;矩形波导的传输条件;矩形波导主模场结构图特点、壁面电流分布特点;开辐射缝和测量缝的方法;圆波导的几种主要应用模式;什么叫简并。
(2)重要计算题:6.12、6.16、6.17第7章(1)重要知识点:微波系统中,传输线和微波元件分别等效为什么;波导等效为双线的条件是什么;微波网络参量的两大类型;散射参量的定义方程,理解各参量的物理意义,会根据物理意义求散射参量;无耗、对称、互易网络的S参数间的关系;微波网络工作特性参量有哪些,它们的定义以及是在什么条件下测得的。
《电磁场微波技术与天线》总复习填空题选择题

《电磁场微波技术与天线》习题及参考答案一、填空题:1、静止电荷所产生的电场,称之为_静电场_;电场强度的方向与正电荷在电场中受力的方向__相同_。
2、电荷之间的相互作用力是通过 电场 发生的,电流与电流之间的相互作用力是通过磁场发生的。
3、矢量场基本方程的微分形式是:V A ρ=⋅∇和 J A =⨯∇ ;说明矢量场的散度和 旋度 可以描述矢量场在空间中的分布和变化规律。
4、矢量场基本方程的积分形式是:dV dS A V V S ρ⎰⎰=⋅⋅ 和 dS J s dl A l ⋅=⋅⎰⎰;说明矢量场的环量和 通量 可以描述矢量场在空间中的分布和变化规律。
5、矢量分析中的两个重要定理分别是高斯定理和斯托克斯定理, 它们的表达式分别是:dS A dV A S v ⋅⎰=⋅∇⎰ 和dS rotA dl A s l ⋅=⋅⋅⎰⎰。
6、静电系统在真空中的基本方程的积分形式是:∮D s ·d S =q 和⎰E·d =0。
7、静电系统在真空中的基本方程的微分形式是:V D ρ=⋅∇和0=⨯∇E 。
8、镜象法的理论依据是静电场的唯一性定理 。
基本方法是在所求场域的外部放置镜像电荷以等效的取代边界表面的感应电荷或极化电荷 。
9、在两种媒质分界面的两侧,电场→E 的切向分量E 1t -E 2t =_0__;而磁场→B 的法向分量B 1n -B 2n =__0__。
10、法拉弟电磁感应定律的方程式为E n =-dtd φ,当d φ/dt>0时,其感应电流产生的磁场将阻止原磁场增加。
11、在空间通信中,为了克服信号通过电离层后产生的法拉第旋转效应,其发射和接收天线都采用圆极化天线。
12、长度为2h=λ/2的半波振子发射天线,其电流分布为:I (z )=I m sink (h-|z|) 。
13、在介电常数为的均匀各向同性介质中,电位函数为 2211522x y z ϕ=+-,则电场强v1.0 可编辑可修改度E=5x y zxe ye e --+。
电磁场与微波技术2篇

电磁场与微波技术电磁场与微波技术(第一篇)导引电磁场是物理学中一个重要的概念,它在我们日常生活中扮演着重要的角色。
微波技术作为一种应用电磁场的技术,也在现代社会中得到广泛应用和发展。
本文将探讨电磁场的基本概念、性质以及微波技术的原理、应用和发展趋势。
电磁场的基本概念与性质电磁场是一种具有电场和磁场相互耦合而成的物理场。
电场是由电荷构成的粒子在空间中产生的力场,具有电荷之间相互作用的性质。
磁场则是由电流在空间中产生的力场,具有磁性物质与外磁场相互作用的性质。
电磁场具有许多基本性质。
首先,电磁场具有连续性。
在空间中任何一点,电磁场的数值和方向都是连续变化的,不存在突变。
其次,电磁场具有叠加性。
即多个电荷或电流所产生的电磁场可以叠加在一起,形成一个合成的电磁场。
此外,电磁场的传播速度是有限的,即光速。
根据麦克斯韦方程组的推导,电磁波在真空中传播的速度为光速,约为每秒300000公里。
微波技术的原理与应用微波技术是一种应用电磁场的技术,其原理基于电磁波的特性和传播规律。
微波指的是频率介于300MHz至300GHz之间的电磁波,其具有波长短、穿透力强等特点。
微波技术具有广泛的应用。
首先,微波技术在通信领域中有重要的应用。
无线电通信、卫星通信等都离不开微波技术的支持。
其次,微波技术在雷达和无线电导航系统中也有广泛应用。
雷达通过发送和接收微波信号来测量目标的距离和速度,实现目标探测和定位。
此外,微波技术还应用于微波炉、无线电频率识别等领域。
微波技术的发展趋势随着科技的进步和需求的不断增长,微波技术正在不断发展和创新。
未来,微波技术将朝着以下几个方向发展。
首先,微波技术的频率范围将进一步扩展。
随着物联网和5G通信的兴起,对更高频率的微波技术需求增加。
因此,微波技术将向毫米波甚至太赫兹波段发展,以满足更高速率、更大容量的通信需求。
其次,微波技术将越来越多地与其他技术结合。
例如,微波与纳米技术的结合,可以实现更小尺寸、更高性能的微波器件。
电磁场与微波技术考点汇总

电磁场微博技术与天线考点一电磁场与电磁波的基本原理电磁场的基本方程一、电磁场中的基本场矢量电磁场中的基本场矢量有四个:电场强度E,电位移矢量D,磁感应强度B 和磁场强度H。
(一)电场强度E场中某点的电场强度E 定义为单位正电荷在该点所受的力,即:电场强度E 的单位为伏/米(V/m)。
(二)电位移矢量D如果电解质中存在电场,则电介质中分子将被极化,极化的程度用极化强度P 来表示。
此时电介质中的电场必须用电位移矢量D 来描写。
它定义为:在SI 单位制中,D 的单位为库仑/米2(C/m2)。
对于线性媒质中某点的电极化强度P 正比于该点的电场强度E。
在各向同性媒质中某点的P 和E 方向相同,即:故,式中ε=ε0(1+χe)称为介质的介电常数,而εr=1+χe 称为介质的相对介电常数。
(三)磁感应强度B磁感应强度B 是描写磁场性质的基本物理量。
它表示运动电荷在磁场中某点受洛仑兹力的大小。
磁感应强度B 定义为:(四)磁场强度H如果磁介质中有磁场,则磁介质被磁化。
描写磁介质磁化的程度用磁化强度M 来表示。
此时磁介质中的磁场必须引入磁场强度H 来描写,它定义为:M 和H 的单位为安培/米(A/m)。
在各向同性媒质中M 和H 方向相同。
即有:故B=μ0(H+M)=μ0(1+χm)H=μ0μrH=μH 。
式中χm 称为媒质的磁极化率,它是一个没有量纲的纯数。
μ=μ0(1+χm)称为媒质的磁导率。
μr=1+χm 称为相对磁导率。
二、全电流定律式中Jc 和Jd 分别为传导电流密度和位移电流密度,ic 和id 分别为传导电流和位移电流。
三、电磁感应定律感应电场沿着任意的封闭曲线的积分应等于感应电势,用数学式子表示即为:由此得出一个结论:随时间变化的磁场会产生电场,而且磁通量的时间变化率愈大,则感应电动势愈大、电场愈强;反之则愈弱。
同时,穿F E q=0D E Pε=+0e P x Eε=0000(1)e e r D E x E x E E E εεεεεε=+=+==F qv B=⨯0BH Mμ=-m M Hχ=()()De c le d lSc Sd H dl i i i dtH dl J J dSdD J dS dtφ===+=+=+⎰⎰⎰⎰mld e E dL dtφ==-⎰四、高斯定律在普通物理中讨论了静电场的高斯定律,即:式中V 是封闭曲面S 所包围的体积,∑q 为封闭曲面S 所包围的自由电荷电量的代数和,ρ为S 曲面所包围的自由电荷的体密度。
电磁场与微波技术考试试题

电磁场与微波技术考试试题第一部分:选择题1.以下哪种物质不会导电?A. 金属B. 纯水C. 石墨D. 盐水2.在静磁场中,以下哪个定律描述了磁感应强度的闭合路径上的积分?A. 法拉第电磁感应定律B. 麦克斯韦方程组C. 安培环路定理D. 洛伦兹力定律3.一根长直导线内有电流I,通过导线的磁感应强度为B,若将导线对折成一角度小于90°的弯导线,则弯导线内的磁感应强度为原来的:A. 1/2B. 2C. 1/4D. 44.以下哪个元器件常用于阻止直流电流通过但允许交流电流通过?A. 二极管B. 电容器C. 电阻器D. 电感器5.以下哪个微波技术常用于无线通信系统?A. CDMAB. DSLC. NFCD. HDMI第二部分:填空题1. 法拉第电磁感应定律的数学表达式为________。
2. 电磁波的传播速度在真空中为________。
3. 洛伦兹力的数学表达式为________。
4. 电感的单位为________。
5. 麦克斯韦方程组共有________条方程。
第三部分:简答题1. 什么是电磁感应?请简要描述其原理。
2. 电磁波的特点有哪些?请列举至少三个。
3. 什么是极化?请简要解释线极化和圆极化的概念。
4. 什么是微波?其在通信领域有何应用?5. 请解释电感和电容对电路的影响。
第四部分:论述题请述说电磁场与微波技术在现代通信领域的重要性,并举例说明其在实际应用中的作用。
第五部分:应用题某通信系统需要传输频率为10 GHz的微波信号,请问该信号所对应的波长是多少?(给出计算步骤)总结:本次考试试题包含了选择题、填空题、简答题、论述题和应用题,涵盖了电磁场与微波技术的基础知识和实际应用。
通过解答这些题目,可以加深对电磁场与微波技术的理解和掌握。
电磁场与微波技术试验20092010学年2007级

数是否正确(介电常数、H、T)、TXline 的计算 变量设置,尤其变量 W 的范围应满足 0.05<W/H<20 测量参数、 优化目标设置 仿真波形、Cost 及优化结果
2、为了节省成本,计划将该滤波器设计为 7 级结构。你能把它设计出来吗?根据你的优化仿真结果, 探讨滤波器级数与其性能的关系。(10)
答:不能。Cost 增大,不符合要求。 一般理论上是级别越高、元件越多,滤波器性能便越好。但是一般电路中元件数越多,成本便相应增 加,且系统稳定性降低,也会增加额外的插入损耗。因此实际实现滤波器时,可根据需要来选择滤波 器的级数。
3、利用所采用的数值解法的不同,对微波与射频电路 EDA 软件进行分类。(10) 答:根据所采用的数值解法进行分类
基于矩量法仿真的 EDA 软件主要包括 ADS(Advanced Design System)、Sonnet 电磁仿真软件、IE3D 和 Microwave office
基于时域有限差分(FDTD)的仿真软件包括:CST MICROWAVE STUDIO、FIDELITY 和 IMST Empire 基于有限元的典型仿真软件是:Ansoft HFSS 评分标准:能写出软件名称的,得 4~6 分 二、集总参数-低通 2 低通滤波器 ===== 设计具体要求 ====== 通带频率范围:0MHz~300MHz 增益参数 S21:通带内 0MHz~300MHz S21>-0.5dB ;阻带内 420MHZ 以上 S21<-50dB 反射系数 S11:通带内 0MHz~300MHz S11<-10dB ; 请参考如图所示电路结构为我们设计。要求优化参数 Cost<0.5(最佳为 Cost=0) (30)
电磁场与微波技术复习题

电磁场与微波技术 复习题一、单项选择题1. 导体的静电平衡条件归结为以下几条,其中错误的是( )A. 导体内部不带电,电荷只能分布于导体表面B. 导体内部电场为零C. 导体表面电场线沿切线方向D. 整个导体的电势相等2.设区域V 内给定自由电荷分布)(x ρ,在V 的边界S 上给定电势φ/s 或电势的法向导数n ∂∂φ/s,则V 内的电场( )A. 唯一确定B.可以确定但不唯一C.不能确定D.以上都不对3.有关复电容率ωσεεj -='的描述正确的是( ) A. 实数部分ε代表位移电流的贡献,它不能引起电磁波功率的耗散;虚数部分是传导电流的贡献,它引起能量耗散B. 实数部分ε代表传导电流的贡献,它不能引起电磁波功率的耗散;虚数部分是位移电流的贡献,它引起能量耗散C. 实数部分ε代表位移电流的贡献,它引起电磁波功率的耗散;虚数部分是传导电流的贡献,它不能引起能量耗散D. 实数部分ε代表传导电流的贡献,它引起电磁波功率的耗散;虚数部分是位移电流的贡献,它不能引起能量耗散4.金属内电磁波的能量主要是( )A. 电场能量B. 磁场能量C. 电场能量和磁场能量各一半D. 一周期内是电场能量,下一周期内则是磁场能量,如此循环5. 已知矢势ψ∇+='A A ,则下列说法错误的是( )A. A 与A '对应于同一个磁场BB. A 和A '是不可观测量,没有对应的物理效应C. 只有A 的环量才有物理意义,而每点上的A值没有直接物理意义 D. 由磁场B 并不能唯一地确定矢势A6.良导体条件为( ) A.εωσ≥1 B. εωσ<<1 C. εωσ>>1 D. εωσ≤1 7. 平面电磁波的特性描述如下:⑴ 电磁波为横波,E 和B 都与传播方向垂直⑵ E 和B 互相垂直,E ×B 沿波矢K 方向⑶ E 和B 同相,振幅比为v以上3条描述正确的个数为( )A. 0个B. 1个C. 2个D. 3个8. 频率为91030⨯HZ 的微波,在0.7cm ⨯0.6cm 的矩形波导管中,能以什么波模传播?( )A. 01TEB. 10TEC. 10TE 及01TED. 11TE9.共轭匹配要求长线输入阻抗与信号源内阻互为共轭,设信号源内阻为g g g jX R Z +=,长线输入阻抗为in in in jX R Z +=,则共轭匹配时要求( )A. g in g in X X R R ==,B. g in g in X X R R =-=,C. g in g in X X R R -==,D. g in g in X X R R -=-=,10. 微波传输线是一种什么电路?( )A. 集总参数B. 分布参数C. 纯阻D. 无耗二、多项选择题1. 电荷守恒定律微分式为0=∂∂+⋅∇tJ ρ ,下列相关描述正确的有( ) A . 微分形式具体描述了空间各点上电荷变化与电流流动的微观或局部关系B . 空间中某点电荷密度随时间发生变化,此点即成为电流的散度源,发出或汇集电流C . 电流由电荷减少的地方流出,汇集到电荷增加的地方D . 此式又称为电流连续性方程2. 关于库仑定律,下面讨论正确的有( )A . 两个点电荷之间的静电力的大小与两个电荷的电量成正比、与电荷之间距离的平方成反比,方向在两个电荷的连线上B . 当多个点电荷存在时,其中一个点电荷受到的静电力是其他各点电荷对其作用力的矢量叠加C . 对于连续分布的电荷系统,静电力的求解不能简单地使用库仑定律,必须进行矢量积分D . 库仑定律只给出了点电荷之间作用力的大小和方向,并没有说明作用力传递的方式或途径3. 真空中静电场满足高斯定理,其微分式为0/ερ=⋅∇E,则下列诠释正确的有( )A . 空间中任意点电场的散度只与当地的电荷分布,即电荷密度有关B . 静电荷是静电场的散度源,即凡是有电荷存在的地方就会扩散出(或汇集起)电力线,激发起呈扩散状的静电场C . 电场的散度与电场本身是不同的物理量,电场的散度是标量,是散度源的强度,而电场则是矢量D . 没有电荷的地方,源的强度为零,即电场的散度为零,但电场强度不一定为零4. 对于静电场的描述正确的有( )A . 有源场B . 无旋场C . 呈现扩散状的分布形式D . 电力线不构成闭合回路5. 关于静磁场的描述正确的有( )A . 静磁场的散度在空间中处处为零,空间不存在磁力线的扩散源和汇集源B . 静磁场的散度是标量,而磁感应强度本身是矢量,二者是不同的两个物理量C . 虽然磁场的散度处处为零,但空间的磁场不一定处处为零D . 以上描述都不正确6. 对于安培环路定理的讨论正确的有( )A . 空间任意点静磁场的旋度只与当地的电流密度有关B . 稳恒电流是静磁场的旋涡源,凡是有电流存在的地方就会激起旋涡状的静磁场C . 电流密度决定了旋涡源的强度和方向D . 没有电流的地方,磁场的旋度为零,但磁场不一定为零7. 介质的极化主要有哪两类?( )A . 在外加电场的影响下,无极分子正负电荷的中心相对位移B . 在外加电场的影响下,有极分子正负电荷的中心相对靠近C . 有极分子的取向沿电场方向呈现一定的规则性D . 有极分子在外电场作用下进行无序化排列8. 对于位移电流的描述正确的有( )A . 在时变场情况下,磁场仍然是有旋场,但其旋涡源除了传导电流外,还有位移电流B . 位移电流代表的是电场随时间的变化率C . 位移电流是一种假想的电流D . 变化的电场会激发磁场,这就是位移电流的物理意义9. 非导电媒质中的均匀平面波满足E a H n⨯=η1,则下列描述哪三个是正确的() A . 电场与磁场的振幅之比等于媒质的本征阻抗B . 电场方向与磁场方向垂直且都垂直于传播方向C . 电场相位与磁场相位相同D . 电场相位落后于磁场相位10.反射系数圆有下述特点( )A. 圆上不同的点代表传输线上不同位置的反射系数B. 反射系数具有2/λ的重复性C. 不同的工作状态对应的反射系数位于反射系数圆的不同区域D. 电长度增大的方向是向波源方向,是顺时针方向旋转11.矩形波导的尺寸选择,通常主要考虑下述因素的影响,其中哪三个正确( )A. 不需要考虑波导的重量、体积等因素B. 满足功率容量的要求C. 波导的衰减要小D. 保证主模工作时有足够的单模工作频率12.为了将微波元件等效为微波网络,要解决如下三个问题( )A. 确定微波元件的参考面B. 由横向电磁场定义等效电压、等效电流和等效阻抗,以便将均匀传输线等效为双线C. 确定一组网络参数、建立网络方程,以便将不均匀区等效为网络D. 从麦克斯韦方程出发,解电磁场的边值问题三、判断题1. 电荷只直接激发其邻近的场,而远处的场则是通过场本身的内部作用传递出去的.( )2. 由电流激发的磁场都是无源的.( )3. 位移电流实质上是电场的变化率.( )4. 平面电磁波垂直射到金属表面上,透入金属内部的电磁波能量全部变为焦耳热.( )5. 电磁波在全反射过程中,反射平均能流密度在数值上等于入射平均能流密度,即能量全反射,所以全反射过程中第二介质不起作用.( )四、填空题1. 1820年, 发现电流的磁效应;1831年, 发现电磁感应定律,并提出场的概念;1864年, 把电磁规律总结为方程组,并从理论上预言电磁波的存在;1905年, 建立起关于新时空观的理论.A. EinsteinB. FaradayC. OerstedD. MaxwellE. Lorentz2. 能量守恒定律的积分式是-⎰⋅σ d s =⎰⋅dV f ν +dV w dtd ⎰,它的物理意义是______________ ____ _。
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ϕ = (A'e
kx x
+ B 'e
− kx x
)(C ' e
ky y
+ De
−ky y
)
(1) k x = k , k y = jk :
ϕ1 = ( Achkx + Bshkx)(C cos ky + D sin ky ) ϕ2 = ( A ' e + B ' e )(C cos ky + D sin ky )
2
恒定电场的边界条件
电流连续性方程: 电流连续性方程:
J 1n = J 2 n
∂φ1 ∂φ2 σ 1E1n = σ 2 E2 n , σ 1 = σ2 ∂n ∂n
∫ E ⋅dl = 0
l
E1t = E2 t
σ 2 J 1t = σ 1 J 2 t
σ1
J 1t
=
σ2
J 2t
3
恒定电场与静电场的比拟
r ∂r ϕ = C1 ln r + C2 ∂r
2 φ(r,φ)的形式:电位与坐标变量z无关。 的形式:电位与坐标变量 无关 无关。 的形式 此时电位满足二维拉普拉斯方程: 此时电位满足二维拉普拉斯方程:
∂ ∂ϕ ∂ ϕ r r + 2 =0 ∂r ∂r ∂ϕ
2
运用分离变量法解之,令
ϕ ( r ) < ∞ lim ϕ ( r ) =50 r →∞
直接积分求解一维场
简单、对称问题: 简单、对称问题:一维拉普拉斯方程 求解偏微分方程; 求解偏微分方程; 寻找边界条件,求出场的解。 寻找边界条件,求出场的解。 不同的区域,一般对应不同的解,寻找边界 不同的区域,一般对应不同的解, 区域的连接边界条件。 区域的连接边界条件。
电流连续性方程: 电流连续性方程:
∂ρ = 0 ∂t
∇⋅J = 0
∫∫ J ⋅ d S = 0
S
1
导电媒质中的恒定电场
均匀导电媒质中恒定电场的无散性
均匀媒质:
∇⋅E = 0
在均匀导体内部虽然有恒定电流, 但没有电荷。恒定电荷(静电荷) 在均匀导体内部虽然有恒定电流 但没有电荷。恒定电荷(静电荷) 只能分布在导体的表面上。 只能分布在导体的表面上。
令ρ2=x2+z 2, 则
qh 2 ρ s = − ( ρ + h 2 ) −3 / 2 2π
qi = ∫ ρ s ds = − q (C )
S
17
球面镜像
1 点电荷位于接地导体球附近 原问题: 原问题:
− q ′ r2 = q r1
a
ε0
等效问题: 等效问题:
o
ϕ =0
q
D
R(r,θ )
1 q′ 1 + =0 4πε 0 r1 XZ 2 = 0 YZ 2 dx dy
X" Y" + =0 X Y
k x = ± jk y
X" = k x2 X Y" 2 = ky Y
X ( x) = Achk x x + Bshk x x
Y ( y ) = Cchk y y + Dshk y y
ϕ = ( Achk x x + Bshk x x)(Cchk y y + Dshk y y )
选择d值使 ∆ POB 与 ∆ AOP 相似 选择 值使
2
p
o
ε0 ε0 d
r2
Bq′
r1
D
r2′ r1′
A
r2 a d = = D a r1
r1′ =
q
a q′ =− a q d= D D
D 2 + r 2 − 2 r D c os θ
q q′ ϕ (r) = ( + ) 4 π ε 0 r1′ r2′ 1
20
时变电磁场
法拉第电磁感应定律
dΦ d ε =− = − ∫ B ⋅ dS dt dt S
感应电动势
Nd Φ ε =− dt
ur r r r dΦ d u u ∫ l E ⋅ d l = − dt = − dt ∫S B ⋅ d S
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u r ur r ∂B u ∫ l E ⋅ dl = − ∫S ∂t ⋅ d S
S
第三类边值问题:在部分区域给定边值, 第三类边值问题:在部分区域给定边值,在另一 部分区域给定边界上的值法线导数值。 部分区域给定边界上的值法线导数值。 — 混合问题, 混合问题,
其它边界条件:周期性条件;界面的衔接条件;自然条件; 其它边界条件:周期性条件;界面的衔接条件;自然条件; 自然条件——在源有限时: 在源有限时: 自然条件 在源有限时
4
电位边值问题的分类:
第一类边值问题:给定边界上的值, 第一类边值问题:给定边界上的值, 狄里赫利问题。 -- 狄里赫利问题。
ϕ(r) = u(rs )
S
第二类边值问题:给定边界上电位的法线导数值, 第二类边值问题:给定边界上电位的法线导数值, u r 聂曼问题。 -- 聂曼问题。 ∂ϕ
∂n = u(rs )
q
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根据静电场的边界条件, 可由电位分布求得导体表面(y=0)的感 根据静电场的边界条件 可由电位分布求得导体表面 的感 应面电荷密度。 应面电荷密度。
∂φ ρs = − ε0 ∂n
y =0
∂φ = − ε0 ∂y
y =0
qh =− (C / m 2 ) 2π ( x 2 + z 2 + h 2 )3/ 2
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分离变量法
分离变量法:把待求函数分离成三个函数的乘积, 分离变量法:把待求函数分离成三个函数的乘积,每个函数仅
与一个坐标变量有关。 与一个坐标变量有关。把三维偏微分方程变为三个 常微分方程。 常微分方程。
使用条件:边界和正交坐标系的坐标曲面对应。 使用条件:边界和正交坐标系的坐标曲面对应。
如平面、球面、柱面等。 如平面、球面、柱面等。 1:直角坐标的分离变量(拉普拉斯方程 :直角坐标的分离变量 拉普拉斯方程 拉普拉斯方程) 分离变量法的求解拉普拉斯方程步骤
q 1 1 注意:导体不复存在; 注意:导体不复存在; ( − )=0 φs ( P) = 4πε0 r r′ 导体更换为q空间的空气介质 空间的空气介质。 导体更换为 空间的空气介质。 与原问题边界条件相同,可等效。 可等效 镜像法不能计算像空间的电位及场 与原问题边界条件相同 可等效。 15
r+ = x2 + ( y − h)2 + z 2
麦克斯韦第二方程
u r ur u r r ∂B u ∫S (∇ × E ) ⋅ d S = − ∫S ∂t ⋅ d S u r ur ∂B 上式对任意面积均成立,所以 ∇ × E = − ∂t ur r 静电场: ∫ E ⋅dl = 0
l
利用矢量斯托克斯(Stokes)定理,上式可写为
7
直角坐标中的分离变量法——二维问题 直角坐标中的分离变量法 二维问题
∂ 2ϕ ∂ 2ϕ ∂ 2ϕ + 2 + 2 =0 若位函数的拉普拉斯方程为 2 ∂x ∂y ∂z
将上述方程解写为
ϕ ( x, y , z ) = X ( x )Y ( y ) Z ( z )
X " Y " Z" + + =0 X Y Z
恒定电场的无旋性
∫ E ⋅dl = 0
l
∇×E = 0
恒定电场也是位场。 恒定电场也是位场。
这个特性只在电源外的导体中满足。 这个特性只在电源外的导体中满足。 在电源内部, 不仅有电荷产生的电场, 还有其它局外电场, 在电源内部 不仅有电荷产生的电场 还有其它局外电场 因此不 满足守恒定理。 满足守恒定理。
选择坐标系,写出拉斯方程的表达式; 选择坐标系,写出拉斯方程的表达式; 分离变量; 分离变量; 求解常微分方程的本征值问题; 求解常微分方程的本征值问题; 利用边值条件,确定积分常数。 利用边值条件,确定积分常数。 直角坐标中解的形式的选择
- +
ja 实数
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圆柱坐标系中的分离变量法
1 ∂ ∂ϕ 1 ∂ 2ϕ ∂ 2ϕ + 2 =0 r + 2 2 r ∂r ∂r r ∂ϕ ∂z 1 一维情况: ∇ 2ϕ = 1 ∂ ( r ∂ϕ ) = 0 贝塞尔方程 一维情况:
r2′ =
d 2 + r 2 − 2 r d cos θ
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∠ ROB = θ
球面感应电荷面密度及总电荷量: 球面感应电荷面密度及总电荷量:
∂ϕ ρ s = Dn = −ε 0 ∂r 2 2 q(a − D ) = 3 2 2 4 π a ( D + a − 2 D a c os θ ) 2
q ' = ∫ ρ s ds = ∫
kx − kx
(2) k x = jk , k y = k :
ϕ3 = ( Acoskx + Bsinkx)(C c hky + D s hky )
ϕ4 = ( Acoskx + Bsinkx)(Ce + De )
ky − ky
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分离变量法的求解拉普拉斯方程步骤: 分离变量法的求解拉普拉斯方程步骤:
r− = x2 + ( y + h)2 + z 2
上半空间任一点R的电位为: 上半空间任一点 的电位为: 的电位为
1 1 φ ( R) = ( − ) 4πε0 r+ r−
在y<0 的半空间是接地导体 没有场 并且电 < 的半空间是接地导体, 没有场, 位为零, 的解仅适用于 的解仅适用于y> 的半空间 的半空间。 位为零 φ的解仅适用于 >0的半空间。