PXT8050贴片三极管 SOT-89三极管封装PXT8050参数
三极管贴片封装
贴片三极管封装2007-09-20 16:021A SOT323 BC846AW NPN1A SOT416 BC846AT N BC546A1A SOT89 PXT3904 NPN1A SOT89 SXT3904 NPN-1A SOT323 PMST3904 N 2N39041A- SOT323 BC846AW N BC546A1AM SOT23 MMBT3904L N 2N39041Ap SOT23 BC846A N BC546A1At SOT23 BC846A N BC546A1At SOT323 BC846AW N BC546A1B SOT23 BC846B NPN1B SOT23 BC846B N BC546B1B SOT23 FMMT2222 NPN1B SOT23 FMMT2222 N 2N22221B SOT23 IRLML2803 F n-ch mosfet 30V 0.9A 1B SOT23 MMBT2222 NPN1B SOT23 MMBT2222 N 2N22221B SOT23 PMBT2222 NPN1B SOT23 SMBT2222 NPN1B SOT23 YTS2222 NPN1B SOT323 BC846BW NPN1B SOT416 BC846BT N BC546B1B SOT89 PXT2222 NPN-1B SOT323 PMST2222 N 2N22221Bp SOT23 BC846B N BC546B1Bs SC74 BC817UPN N1Bt SOT23 BC846B N BC546B1Bt SOT323 BC846BW N BC546B1C SOT23 FMMT-A20 NPN1C SOT23 FMMT-A20 N MPSA201C SOT23 IRLML6302 F p-ch mosfet 20V 0.6A1C SOT23 MMBTA20 NPN1C SOT23 MMBTA20L N MPS39041C SOT23 SMBTA20 NPN1Cp SOT23 BAP50-05 B dual cc GP RF pin diode 1Cs SOT363 BC847S BC4571D SOT23 BC846 NPN1D SOT23 IRLML5103 F p-ch mosfet 30V 0.6A1D SOT23 MMBTA42 NPN1D SOT23 MMBTA42 N MPSA42 300V npn1D SOT23 SMBTA42 NPN1D SOT323 BC846W NPN1D SOT89 SXTA42 NPN1D- SOT323 BC846W N BC4561DN 2SC4083 N npn 11V 3.2GHz TV tuners1Dp SOT23 BC846 N BC4561DR SC59 MSD1328-RT1 NPN1DR SOT346 MSD1328R N npn gp 25V 500mA1Ds SC74 BC846U N BC4561Ds SOT363 BC846U BC4561Dt SOT23 BC846 N BC4561Dt SOT323 BC846W N BC4561E FMMT-A43 N MPSA431E SOT23 BC847A NPN1E SOT23 BC847A N BC547A1E SOT23 FMMT-A43 NPN1E SOT23 MMBTA43 NPN1E SOT23 MMBTA43 N MPSA43 200V npn1E SOT23 SMBTA43 NPN1E SOT323 BC847AW NPN1E SOT416 BC847AT N BC547A1E SOT89 SXTA43 NPN1E- SOT323 BC847A N BC547A1EN 2SC4084 N npn 20V 2.0GHz TV tuners1Ep SOT23 BC847A N BC547A1ER SOT23R BC847AR R BC547A1Es SOT23 BC847A N BC4571Et SOT23 BC847A N BC547A1Et SOT323 BC847A N BC547A1F SOT23 BC847B NPN1F SOT23 BC847B N BC547B1F SOT23 FMMT5550 NPN1F SOT23 MMBT5550 NPN1F SOT23 MMBT5550 N 2N5550 140V npn 1F SOT23 PMBT5550 NPN1F SOT323 BC847BW NPN1F SOT416 BC847BT N BC547B1F- SOT323 BC847BW N BC547B1Fp SOT23 BC847B N BC547B1FR SOT23R BC847BR R BC547B1Fs SC75 BC847BT N BC547B1Fs SOT23 BC847B N BC547B1Fs SOT323 BC847BW N BC547B1Ft SOT23 BC847B N BC547B1Ft SOT323 BC847BW N BC547B1G FMMT-A06 N MPSA061G SOT23 BC847C NPN1G SOT23 BC847C N BC547C1G SOT23 FMMT-A06 NPN1G SOT23 MMBTA06 NPN1G SOT23 MMBTA06 N MPSA061G SOT23 SMBTA06 NPN1G SOT323 BC847CW NPN1G SOT416 BC847CT N BC547C1G- SOT323 BC847CW N BC547C1GM SOT23 MMBTA06 N MPSA061Gp SOT23 BC847C N BC547C1GR SOT23R BC847CR R BC547C1Gs SOT23 BC847C N BC547C1Gs SOT323 BC847CW N BC547C1GT SOA06 N MPSA061GT SOT23 SOA06 NPN1Gt SOT323 BC847CW N BC547C1H FMMT-A05 N MPSA051H SOT23 BC847 NPN1H SOT23 FMMT-A05 NPN1H SOT23 MMBTA05 NPN1H SOT23 MMBTA05 N MPSA051H SOT23 SMBTA05 NPN1H SOT323 BC847W NPN1Hp SOT23 BC847 N BC5471Ht SOT23 BC847 N BC5471HT SOT23 SOA05 NPN1HT SOT23 SOA05 N MPSA051Ht SOT323 BC847W N BC5471J FMMT2369 N 2N23691J SOT23 BC848A N BC548A1J SOT23 MMBT2369 N MPS23691JA SOT23 MMBT2369A N MPS2369A1JR SOT23R BC848AR R BC548A1Js SOT143 BCV61A VQ npn current mirror hFe 180 1Js SOT23 BC848A N BC548A1Js SOT323 BC848AW N BC548A1K FMMT4400 N 2N44001K SOT143 BCV61B NPN1K SOT23 BC848B NPN1K SOT23 BC848B N BC548B1K SOT23 FMMT4400 NPN1K SOT23 MMBT6428 NPN1K SOT23 MMBT6428 N MPSA18 50V1K SOT23 PMBT6428 NPN1K SOT23 SMBT6428 NPN1K SOT323 BC848BW NPN1KM SOT23 MMBT6428L N MPSA18 50V1Kp SOT23 BC848B N BC548B1KR SOT23R BC848BR R BC548B1Ks SOT143B BCV61B VQ npn current mirror hFe 290 1Ks SOT23 BC848B N BC548B1Ks SOT323 BC848BW N BC548B1L FMMT4401 N 2N44011L MMBT6429 N MPSA18 45V1L SOT143 BCV61C NPN1L SOT143B BCV61C VQ npn current mirror hFe 520 1L SOT23 BC848C NPN1L SOT23 BC848C N BC548C1L SOT23 FMMT4401 NPN1L SOT23 FMMT5400 PNP1L SOT23 MMBT6429 NPN1L SOT23 PMBT6429 NPN1L SOT23 SMBT6429 NPN1L SOT323 BC848CW NPN1Lp SOT143B BCV61C VQ npn current mirror hFe 520 1Lp SOT23 BC848C N BC548C1Ls SOT23 BC848C N BC548C1Ls SOT323 BC848CW N BC548C1M SOT143 BCV61 NPN1M SOT23 BC848 NPN1M SOT23 FMMT-A13 NPN1M SOT23 FMMT-A13 N MPSA131M SOT23 MMBTA13 NPN1M SOT23 MMBTA13 N MPSA13 darlington1M SOT23 PMBTA13 NPN1M SOT23 SMBTA13 NPN1M SOT323 BC848W NPN1Mp SOT143B BCV61 VQ npn current mirror1Mp SOT23 BC848 N BC5481N SOT23 FMMT-A14 NPN1N SOT23 FMMT-A14 N MPSA141N SOT23 MMBTA14 NPN1N SOT23 MMBTA14 N MPSA14 darlington1N SOT23 PMBTA14 NPN1N SOT23 SMBTA14 NPN1N SOT89 PXTA14 NPN1N10 SOT223 MMFT1N10ET1 MOSFET1P BC847PN DI pnp/npn separate pair gpAF1P FMMT2222A N 2N2222A1P SOT23 FMMT2222A NPN1P SOT23 MMBT2222A NPN1P SOT23 MMBT2222A N 2N2222A1P SOT23 PMBT2222A NPN1P SOT23 SMBT2222A NPN1P SOT23 YTS2222A NPN1P SOT89 PKT2222A NPN1Q SOT23 FMMT5088 NPN1Q SOT23 MMBT5088 NPN1Q SOT23 MMBT5088 N MPSA18 Vce 30V1Q SOT23 PMBT5088 NPN半导体三极管参数符号及其意义三极管基础知识及检测方法：一、晶体管基础双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。
三极管S8050、C8050、8050SS、SS8050、S8050参数区别
三极管S8050、C8050、8050SS、SS8050、S8050参数区别8050 8550三极管有时在电路⾥做为对管来使⽤，也有的做单管应⽤。
在有些电路⾥对S8050放⼤倍数要求是很⾼的，不能随意替换，必需要⽤原参数管才能替换，否则电路不能正常⼯作。
8050为NPN型三极管 8550为PNP型三极管。
S8050 、S8*******S8550SC8050C85508050SS8550SSSS8050SS8550耗散功率0.625W（贴⽚：0.3W）0.625W（贴⽚：0.3W）1W1W(TA=25℃)2W(TC=25℃)1W(TA=25℃)2W(TC=25℃)集电极电流0.5A0.5A 1.5A 1.5A 1.5A集电极--基极电压40V30V40V40V40V集电极--发射极击穿电压25V25V25V25V25V集电极-发射极饱和电压0.6V0.5V特征频率fT最⼩150MHZ最⼩150MHZ fT 最⼩100MHZ典型190MHZ最⼩100MHZ最⼩100MHZ引脚排列EBC或ECB ECB EBC EBC ECB两种多为EBC按后缀号分档分为 B C D档贴⽚为 L H档分为 B C D档贴⽚为 L H档分为 B C D档分为 B C DD3分为 B C D放⼤倍数B:85-160C:120-200D:160-300L:100-200H:200-350B:85-160C:120-200D:160-300E:280-400L:100-200H:200-350B:85-160C:120-200D:160-300B：85-160C:120-200D:160-300D3:300-400B：85-160C:120-200D:160-300UTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC 8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管⼦很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最⼩100MHZ放⼤倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400。
8050三极管参数
8050三极管参数引言8050三极管是一种常用的PNP型晶体管，广泛应用于电子电路中。
了解和掌握8050三极管的参数是进行电路设计和故障排除的基础。
本文将介绍8050三极管的常见参数，包括最大额定值、电流增益、电压参数等。
通过详细了解这些参数，我们可以更好地应用8050三极管。
一、最大额定值8050三极管的最大额定值指的是在特定条件下，三极管能够承受的最大电流和电压。
以下是8050三极管的最大额定值参数：1.最大集电极电流 (ICmax)：这是指在指定的集电极-发射极电压下，三极管可以承受的最大电流。
对于8050三极管，典型的最大集电极电流为700mA。
2.最大集电极功率 (PCmax)：这是指在指定的集电极-发射极电压下，三极管可以承受的最大功率。
对于8050三极管，典型的最大集电极功率为625mW。
3.最大集电极-发射极电压 (VCEOmax)：这是指在指定的集电极电流下，三极管可以承受的最大电压。
对于8050三极管，典型的最大集电极-发射极电压为-40V。
二、电流增益电流增益是指三极管中输入电流与输出电流之间的比例关系。
8050三极管的电流增益参数如下：1.直流电流增益 (DC Current Gain)：直流电流增益是指在静态工作条件下，三极管的输入电流与输出电流之间的比例关系。
8050三极管的典型直流电流增益为30至200。
2.交流电流增益 (AC Current Gain)：交流电流增益是指在动态工作条件下，三极管的输入电流与输出电流之间的比例关系。
8050三极管的典型交流电流增益为50至400。
三、电压参数电压参数是指三极管在不同工作状态下的电压值。
8050三极管的电压参数如下：1.饱和电压 (VCEsat)：饱和电压是指在三极管完全导通时，集电极-发射极间的电压降。
8050三极管的典型饱和电压为-0.5V。
2.基极-发射极电压 (VBE)：基极-发射极电压是指在三极管正常工作时，基极与发射极之间的电压差。
三极管8050,8550,9011,9012,9013,90...
8050,8550,9011,9012,9013,9014,9015三极管的参数及区别9012 21 PNP 低噪放大50V 0.5A 0.625W 150MHZ9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 150MHZ9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ9011,9012,9013,9014,9015,8050,8550三极管的参数及区别9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109, bbbbbbbbbbbbbbb8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140型号极性功率(W) 电流(mA) BU(CEO)V fT(MHZ) hFE 主要用途9011 NPN 0.4 30 50 370 28 ～198 通用管可做功率放大9012 PNP 0.625 500 40 -- 64 ～202 低噪声放大管9013 NPN 0.625 500 40 -- 64 ～202 低噪声放大管9014 NPN 0.625 100 50 270 60 ~1000 低噪声放大管9015 PNP 0.45 100 50 190 60 ～600 低噪声放大管9016 NPN 0.4 25 30 620 28 ～198 低噪声放大管9018 NPN 0.4 50 30 1100 28 ～198 低噪声高频放大管详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
8550、8050引脚参数
8550、8050引脚参数/piane/blog/item/6a3983b4815bcdc736d3cadb.html8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。
很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.<三极管8550管脚图>1.发射极2.基极3.集电极8550参数:集电极-基极电压Vcbo：-40V工作温度：-55℃to +150℃和8050（NPN）相对贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.--------------------------------------------------------------8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz8050引脚图芯片尺寸：4 英寸（100mm）芯片代码：C060AJ-00芯片厚度：240±20μm管芯尺寸：600×600μm 2焊位尺寸：B 极130×150μm 2；E 极140×130μm 2电极金属：铝背面金属：金典型封装：S8050，H8050极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）Tstg——贮存温度-55~150℃Tj——结温150℃PC——集电极耗散功率1WVCBO——集电极—基极电压40VVCEO——集电极—发射极电压25VVEBO——发射极—基极电压6VIC——集电极电流1.2A电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）。
常用三极管90系列80系列
9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 150MHZ hFE：100～1000 (放大倍数分段可选)9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ hFE：100～1000 (放大倍数分段可选)8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ hFE：150～500 (放大倍数分段可选)8550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ hFE：150～500 (放大倍数分段可选)8050是一种常用的普通三极管。
它是一种低电压,大电流,小信号的NPN型硅三极管特性● 集电极 基极电压✞♍♌☐： ✞● 工作温度： ℃ ♦☐ ℃● 和 （ ☠）相对● 主要用途：● 开关应用● 射频放大引脚图8050 SOT-23 引脚图8050 TO-92 引脚图放大9013是一种最常用的普通三极管。
它是一种低电压,大电流,小信号的NPN型硅三极管特性●集电极电流Ic：Max 500mA●集电极-基极电压Vcbo：40V●工作温度：-55℃ to +150℃●和9012（PNP）相对●主要用途：●开关应用●射频放大引脚图9013 SOT-23 引脚图放大9013 TO-92 引脚图放大9014是一种常用的普通三极管。
它是一种小电压,小电流,小信号的NPN型硅三极管特性●集电极电流Ic：Max 100mA●集电极-基极电压Vcbo：50V●工作温度：-55℃ to +150℃●和9015（PNP）相对●主要用途：●开关应用●射频放大引脚图9014 SOT-23 引脚图放大9014 TO-92 引脚图放大BC817是一种常用的普通三极管。
它是一种低电压,大电流的NPN型硅三极管特性●大集电极电流Ic●集电极-基极电压Vcbo：50V●工作温度：-55℃ to +150℃●和BC807（PNP）相对●主要用途：●开关应用●射频放大引脚图BC817 SOT-23 引脚图8550是一种常用的普通三极管。
8050三极管参数
8050三极管参数题目：8050三极管参数简述与应用导语：在电子电路领域，三极管是一种常见的电子元件，其广泛应用于放大、开关等电路中。
本文将深入探讨8050三极管的参数特性以及其在电路中的应用，帮助读者更好地理解和使用该元件。
一、8050三极管概述8050三极管是一款NPN型晶体管，具有较高的电流放大倍数和较低的饱和压降。
其结构由三个半导体区域组成：发射区、基区和集电区。
在晶体管的工作过程中，发射区与基区之间存在正向偏置，而基区与集电区之间则存在反向偏置。
二、8050三极管参数解读1. 最大集电电流（ICmax）：它表示三极管能够承受的最大集电电流。
超过该电流值，三极管可能会损坏，因此在使用时应该确保电流不超过该限制。
2. 最大集电-发射电压（VCEOmax）：它表示三极管在集电极与发射极之间能够承受的最大电压。
当超过这个电压时，三极管可能发生击穿，导致失效或损坏。
3. 最大功耗（Pmax）：它表示三极管能够承受的最大功率。
超过该功率值，三极管可能过热并损坏。
4. 直流电流放大倍数（hFE）：它表示输入电流与输出电流之间的倍数关系。
高hFE值意味着三极管具有较好的放大性能。
三、8050三极管的应用1. 放大电路：由于8050三极管具有较高的电流放大倍数，常用于放大电路中。
通过合理选择电阻和电容，可以构建各种放大电路，如B类放大电路和C类放大电路。
2. 开关电路：8050三极管还可作为开关元件使用。
在电路中，通过控制输入信号的变化，可以将三极管从导通状态切换到截止状态，或者反之。
这种开关能力使8050三极管在数字电路和模拟电路中得到广泛应用。
3. 振荡电路：利用三极管的正反馈特性，8050三极管还可以用于构建振荡电路。
该振荡电路可以在特定频率范围内产生稳定的信号输出。
结语：通过对8050三极管的参数和应用进行简要介绍，我们可以看到，它作为一款常见的晶体管元件，在电子电路中发挥着重要的作用。
了解三极管的参数特性并合理应用，能够帮助我们设计和调试电路，使电子设备工作更加稳定和高效。
FOSAN富信电子 三极管 PXT8050-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.PXT8050SOT-89Bipolar Transistor双极型三极管▉Features特点NPN Power Amplifier功率放大▉Absolute Maximum Ratings最大额定值Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO40V Collector-Emitter Voltage集电极发射极电压V CEO25V Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO5V Collector Current集电极电流I C1500mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)500mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA250℃/WJunction and Storage TemperatureT J,T stg-55to+150℃结温和储藏温度■Device Marking产品打标PXT8050=Y1ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.PXT8050■ElectricalCharacteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage集电极基极击穿电压(I C =100uA ，I E =0)BV CBO 40——V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(I C =1mA ，I B =0)BV CEO 25——V Emitter-Base Breakdown V oltage发射极基极击穿电压(I E =100uA ，I C =0)BV EBO 5——V Collector-Base Leakage Current集电极基极漏电流(V CB =40V ，I E =0)I CBO ——100nA Collector-Emitter Punch Throng Current 集电极发射极穿透电流(V CE =20V ，V BE =0)I CES ——100nA Emitter-Base Leakage Current发射极基极漏电流(V EB =5V ，I C =0)I EBO ——100nADC Current Gain直流电流增益(V CE =1V ，I C =100mA)H FE （1）85—400DC Current Gain直流电流增益(V CE =1V ，I C =1500mA)H FE （2）40——Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(I C =1500mA ，I B =150mA)V CE(sat)——0.6V Base-Emitter Saturation V oltage 基极发射极饱和压降(I C =1500mA ，I B =150mA)V BE(sat)—— 1.2V Transition Frequency特征频率(V CE =10V ，I C =50mA)f T 100——MH Z Output Capacitance输出电容(V CB =10V ，I E =0,f=1MH Z )C ob—13—pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.PXT8050■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.PXT8050■Dimension外形封装尺寸。
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T =25℃ a
10
100
COLLECTOR CURREMT I (mA) C
I ——
C
V BE
β=10
1000 1500
100
=25℃
=100℃
T a
T a
10
1 0
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COMMON EMITTER V = 1V
CE
300
600
900
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BESE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
Symbol
A b b1 c D D1 E E1 e e1 L
Dimensions In Millimeters
Min.
Max.
1.400
1.600
0.320
0.520
0.400
0.580
0.350
0.440
4.400
4.600
1.550 REF.
2.300
2.600
3.940
Seal the box with the tape
QA Label
Label on the Inner Box Inner Box: 210 mm× 208 mm×２０３ mm
Label on the Outer Box Outer Box: 440 mm× 440 mm× 230 mm
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO IC=100uA, IE=0
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR)CEO IC=0.1mA, IB=0
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)EBO IE=100μA, IC=0
VCBO
Collector-Base Voltage
40
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
25
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5
V
IC
Collector Current -Continuous
1.5
A
PC
Collector Power dissipation
Base-emitter positive favor voltage
VBEF IB=1A
Transition frequency
fT
VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz
output capacitance
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank
B
Cob
VCB=10V,IE=0,f=1MHz
0
1
REVERSE VOLTAGE V (V)
P —— T
C
a
10
20
25
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE T (℃) a
B,Nov,2012
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
TRANSITION FREQUENCY f (MHz) T
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
PXT8050
COLLECTOR CURRENT I (A) C
(mV)
CEsat
VOLTAGE V
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
0.30 0.25 0.20 0.15 0.10 0.05 0.00
0
1000
Static Characteristic
Collector cut-off current
ICBO
VCB=40V, IE=0
Emitter cut-off current
ICEO
VCE=20V, IE=0
Emitter cut-off current
IEBO
VEB=5V, IC=0
DC current gain
hFE(1) hFE(2)
VCE=1V, IC=100mA VCE=1V, IC=800mA
VOLTAGE V
(mV)
DC CURRENT GAIN h FE
BEsat
1000 300 100
h —— I
FE
C
T =100℃ a
T =25℃ a
10 1
1200 1000
800 600
400 1
100
10
COMMON EMITTER V = 1V
CE
10
100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
1000 1500
V —— BEsat
I
C
T =25℃ a T =100 ℃ a
10
100
COLLECTOR CURREMT I (mA) C
C /C —— ob ib
V /V CB EB
C ib
β=10
1000 1500
f=1MHz
I =0/I =0
E
C
T =25 ℃ a
C ob
1 0.1
0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0
1mA 0.9mA 0.8mA
COMMON
EMITTER T =25℃
a
0.7mA
0.6mA 0.5mA
0.4mA
0.3mA 0.2mA
I =0.1mA
B
1
2
3
4
5
6
7
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V (V) CE
V
——
CEsat
I
C
100
10
1 1
1500 1000
T =100 ℃ a
0.118 TYP.
0.035
0.047
The bottom gasket The file folder
Plastic bag
Label on the Reel 1000×1 PCS
The top gasket
Seal the box with the tape
Stamp “EMPTY” on the empty box
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC=800mA, IB=80mA
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat) IC=800mA, IB=80mA
Base-emitter voltage
VBE
VCE=1V, IC=10mA
4.250
1.500 TYP.
3.000 TYP.
0.900
1.200
Dimensions In Inches
Min.
Max.
0.055
ห้องสมุดไป่ตู้
0.063
0.013
0.020
0.016
0.023
0.014
0.017
0.173
0.181
0.061 REF.
0.091
0.102
0.155
0.167
0.060 TYP.
SOT-89-3L
FEATURES z Compliment to PXT8550
MARKING: Y1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER
Symbol
Parameter
Value Unit
【 南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors
PXT8050 TRANSISTOR (NPN)
0.5
W
TJ
Junction Temperature
150
℃
Tstg
Storage Temperature
-55~150 ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Symbol Test conditions
f T
——
I
C
100
10
COMMON EMITTER
V =10V CE
T =25℃ a
1
2
10
100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
COLLECTOR POWER DISSIPATION P (W)
C
BASE-EMITTER SATURATION
CAPACITANCE C (pF)
C
D
Min Typ Max Unit
40
V
25
V
5
V
0.1
μA
0.1
μA
0.1
μA
85
400
40
0.5
V
1.2
V
1
V
1.55
V
100
MHz
15
pF
D3
Range
85-160
120-200
160-300
300-400
B,Nov,2012
【 南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】