模拟电子技术基本概念复习题及答案

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模拟电子技术基础试题汇总附有答案

模拟电子技术基础试题汇总附有答案

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。

A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设VCC>>VBE, LCEO≈0,则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。

( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生( B )失真。

( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示,二极管导通电压UD=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。

A:uI1=3V,uI2=0.3V时输出电压为3.7V。

B:uI1=3V,uI2=0.3V时输出电压为1V。

C:uI1=3V,uI2=3V时输出电压为5V。

D:只有当uI1=0.3V,uI2=0.3V时输出电压为才为1V。

7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。

A:集电极电源+VCC电压变高B:集电极负载电阻RC变高C:基极电源+VBB电压变高D:基极回路电阻Rb变高。

8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A )A. -2.5VB. -5VC. -6.5VD. -7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△S1=80mV, △S2=60mV,则差模输入电压△id为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入( C )。

模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)

模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)

《模拟电子技术》复习试题一一、填空(每空1分,共20分)1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。

2. 放大器级间耦合方式有三种:直接耦合;阻容耦合;变压器耦合;在集成电路中通常采用直接耦合。

3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真,要消除此失真,应改用甲乙类推挽放大器。

5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用阻容耦合方式,T接成共基1组态,T接成共集组态,1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。

6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值增大。

7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。

8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πωϕ±=T 。

二、简答(共3小题,每小题5分,共15分)1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示(1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分)(2)估算(b)图晶体管的β和α值。

601.06===B C I I β, 985.01≈+=ββα (各1分,共2分)2.电路如图3所示,试回答下列问题(1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈?R应如何接入?(在图中连接)f答:应接入电压串联负反馈(1分)R接法如图(1分)f(2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。

答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分)3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。

答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。

模拟电子技术基础试题(附答案)

模拟电子技术基础试题(附答案)

(120)1.纯净的半导体叫()。

掺入3价杂质元素形成的半导体叫(),它主要靠导电()。

A.空穴B.本征半导体C.P型半导体D.自由电子2.PN结正偏时,多子的()运动较强,PN结变薄,结电阻较()。

A.扩散B.漂移C.小D.大3.三极管有()和()两种载流子参与导电,故称作()极型晶体管;而场效应管称作()极型晶体管。

A.双极B.空穴C.单极D.自由电子4.负反馈放大电路的含义是()。

A.输出与输入之间有信号通路B.电路中存在反向传输的信号通路C.除放大电路之外还有信号通路D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号5.一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB,当信号频率恰好是上限频率时,实际电压增益为()。

A.43dB B.40dB C.37dB D.3dB6.通常在下面基本组态放大电路中,输入电阻最大的是();输出电阻最小的是();高频特性最好的电路是()。

A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路7.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是()。

A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容8.功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使()。

A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强9.欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入();欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入()。

A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈10.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用()滤波电路。

A.带阻B.带通C.低通D.有源11.直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、()、稳压。

A.比较B.滤波C.调整(210)1.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

()2.电路只要满足,就一定会产生正弦波振荡。

()3.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

()4.若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。

()5.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。

模拟电子技术基本概念复习题与答案

模拟电子技术基本概念复习题与答案

《模拟电子技术基础》基本概念复习题一、判断题1、 凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

×2、 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。

√3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。

×4、 当集成运放工作在闭环时,可运用虚短和虚断概念分析。

×5、 在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

×6、 在反相求和电路中,集成运放的反相输入端为虚地点,流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。

√7、 温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。

√8、 因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

×9、 因为P 型半导体的多子是空穴,所以它带正电。

×10、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

√ 11、稳压管工作在截止区时,管子两端电压的变化很小。

× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件,基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。

×13、放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。

√ 14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。

× 15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。

× 16、 由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。

×17、共集电极电路没有电压和电流放大作用。

√ 18、共集放大电路无电压放大作用,但有功率放大作用。

√ 19、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。

× 20、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。

× 21、射极输出器即是共射极放大电路,有电流和功率放大作用。

× 22、只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子技术中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是:A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用?A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中,若要实现电压跟随器,应该使用运算放大器的哪种配置?A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时,其导通电压是:A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是:A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中,为了减少噪声,通常采用以下哪种方法?A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案:1-5 D A C B B;6-10 B D D C B二、填空题(每空1分,共10分)1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。

2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。

3. 一个理想的二极管在反向偏置时,其电流是_________。

4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。

5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。

答案:1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是自由电子;在P型半导体中,多数载流子是空穴。

2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类,它属于电压控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入共射(共射、共集、共基)组态放大电路。

4、在多级放大器中,中间某一级的输出电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入_____负反馈_______。

6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。

7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的(b)组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入( c )后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( e)场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( b )。

A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况5、集成运放中间级的作用是( c )。

A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。

A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( a )的值。

A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。

模拟电子基础的复习题及答案

模拟电子基础的复习题及答案

模拟电子技术基础复习题图1图2一、填空题 1、现有基本放大电路:①共射放大电路 ②共基放大电路 ③共集放大电路 ④共源放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是 ③ ,输入电阻最小的电路是 ② ,输出电阻最小的电路是 ③ ,频带最宽的电路是 ② ;既能放大电流,又能放大电压的电路是 ① ;只能放大电流,不能放大电压的电路是 ③ ;只能放大电压,不能放大电流的电路是 ② 。

2、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B -E 间电压为U BEQ ,电流放大系数为β,B -E 间动态电阻为r be 。

填空:(1)静态时,I BQ 的表达式为 B BEQCC BQ R U V I -= ,I CQ 的表达式为BQ CQ I I β=; ,U CEQ 的表达式为 C CQ CC CEQ R I V U -=(2)电压放大倍数的表达式为 beL u r R A '-=β ,输入电阻的表达式为 be B i r R R //= ,输出电阻的表达式为 C R R =0;(3)若减小R B ,则I CQ 将 A ,r bc 将 C ,uA 将 C ,R i 将 C ,R o 将B 。

A.增大B.不变C.减小当输入电压不变时,R B减小到一定程度,输出将产生 A 失真。

A.饱和B.截止3、如图1所示电路中,(1)若测得输入电压有效值为10mV,输出电压有效值为1.5V,则其电压放大倍数A = 150;若已知此时信号源电压有效值为20mV,信号源内阻u为1kΩ,则放大电路的输入电阻R i= 1 。

(2)若已知电路空载时输出电压有效值为1V,带5 kΩ负载时变为0.75V,则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。

(3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真,则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。

4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。

模拟电子技术基础试题及答案

模拟电子技术基础试题及答案

一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。

(1I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的;( )(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的;( )(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( )(6)由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都豪无变化;( )(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

( )【解答】(1)×。

放大的特征是功率的放大,电压电流其中一个或两个都放大都可称放大,但放大的前提条件是不能失真。

(2) √。

放大的特征就是功率的放大。

(3)×。

应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的,而不是直接提供。

(4)×。

.(5) √。

设置合适的静态工作点。

(6)×。

任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。

(7)×。

二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。

设图中所有电对交流信号均可视为短路。

,【解答1 (a)不能。

因为输人信号被VBB所影响。

(a)例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?【解答】所谓增强型,即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道,P沟道的场效应管,必须在UGs<0的情况下才有导电沟道,在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流,它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点,而且会造成管子损坏。

‘而对于绝缘栅型效应管,由于宦容易积累电荷形成高电压,以致造成击穿现象,所以不能用测晶体管的办法来检测。

对于结型场效应管,则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极,但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。

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模电基本概念复习题一、判断下列说法是否正确1、凡是集成运算电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

√×2、理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N= v P。

×3、当集成运放工作在闭环时,可运用虚短和虚断概念分析。

×4、在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

×5、在反相求和电路中,集成运放的反相输入端为虚地点,流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。

√6、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。

√7、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

×8、因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。

×9、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

√10、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

√11、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。

×12、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。

×13、由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。

×14、共集电极电路没有电压和电流放大作用。

√15、共集放大电路无电压放大作用,但有功率放大作用。

√16、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。

×17、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。

×18、射极输出器即是共射极放大电路,有电流和功率放大作用。

×19、只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

×20、放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻。

×21、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中,共射放大电路的输入电阻最小。

×22、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中,共基放大电路的输出电阻最小。

×23、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,它只能放大交流信号。

√24、放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响。

×25、场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件,是电流控制器件,沟道越宽电流越大。

×26、在由耗尽型N沟道MOSFET管组成的放大电路中,若V小于零,则i D=0。

×GS27、若增强型N沟道MOS管的v GS大于开启电压V T,则输入电阻会明显变小。

×28、N沟道JFET在正常工作时的v GS不能大于零。

√29、耗尽型MOS管在栅源电压u GS为正或为负时均能实现压控电流的作用。

√30、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即(源极)自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。

√31、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。

×32、增强型MOS管采用自给偏压时,漏极电流i D必为零。

√33、现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。

×34、集成运放部第一级是差动放大电路,因此它有两个输入端。

√35、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

√36、集成运放部是直接耦合的多级放大电路。

√37、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。

√38、共模信号都是直流信号,差模信号都是交流信号。

×39、对于长尾式差分放大电路,不论是单端输入还是双端输入,在差模输入交流通路中,长尾电阻R e一概可视为短路。

×40、用电流源代替R e后电路的差模电压放大倍数增加。

×41、带有理想电流源的差分放大电路,只要工作在线性围,不论是双端输出还是单端输出,其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比,而与两个输入端电压本身的大小无关。

√42、集成运放的输入失调电压V IO是两输入端电位之差。

×43、反馈量仅仅决定于输出量。

√44、稳定输出电压,提高输入电阻应引入电压串联负反馈。

√45、若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。

×46、稳定输出电压,提高输入电阻应引入电压并联负反馈。

×47、任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。

√48、反相比例运算电路属于电压串联负反馈,同相比例运算电路属于电压并联负反馈。

×49、共集放大电路A u<1,电路不可能有反馈。

×50、单管共射放大电路通过电阻引入负反馈有可能产生自激。

×51、负反馈能扩大放大电路的通频带,因此在负反馈电路中可以用低频管代替高频管。

×52、负反馈可以抑制一切干扰。

×53、在深度负反馈条件下,A f=1÷F与原来的A无关,所以可以任选管子。

×54、在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。

×55、由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态,所以微变等效电路已不再适用。

√56、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。

√57、输入信号越大,非线性失真也越大。

交越失真属于非线性失真,因此,大信号时更为严重。

×58、乙类互补对称功率放大电路存在交越失真。

√59、功率放大电路有功率放大作用,电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。

×60、只有两个晶体管的类型相同(都为NPN管或都为PNP管时)才能组成复合管。

×61、复合管的类型取决于第一个管子的类型。

√62、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。

√63、只要电路引入了正反馈,就一定会产生正弦波振荡。

×64、RC桥式振荡电路只要R f ≤2R1就能产生自激振荡。

×65、因为正反馈使放大器诸多的性能变坏,故在任何情况下放大器均不采用正反馈。

×66、在电压比较器中,其输出只有两种状态。

√67、在电压比较器中,集成运放一直处于非线性工作状态。

×68、为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平,就应在其电路中使集成运放不是工作在开环状态,就是仅仅引入正反馈。

√69、单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强,而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。

×70、只要在放大电路中引入反馈,就一定能使性能得到改善。

×71、放大电路的级数越多,引入的反馈越强,电路的放大倍数也就越稳定。

×72、一个理想对称的差分放大电路,能放大差模输入信号,也能放大共模输入信号。

×73、负反馈放大电路不可能产生自激振荡。

×74、正反馈放大电路有可能产生自激振荡。

√75、满足自激振荡平衡条件的反馈放大电路,就一定能产生正弦波振荡。

√76、凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区。

×77、对于正弦波振荡电路,只要满足自激振荡的平衡条件,就有可能自行起振。

×78、当只想要放大频率为10kHz以上的信号时,应采用带通有源滤波器。

√79、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电。

√80、整流的目的是将交流变为单向脉动的直流。

√81、滤波是将交流变为直流。

×82、在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半。

√二、选择题1、关于理想运算放大器错误的叙述是( A )。

A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零B.输入信号为零时,输出处于零电位C.频带宽度从零到无穷大D.开环电压放大倍数无穷大2、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是(A)。

A.反相输入端为虚地;B.输入电阻大;C.电流并联负反馈;D.电压串联负反馈。

3、欲将方波转换为三角波,应选用( D )。

A.反相比例运算电路B.同相比例运算电路C.求和运算电路D.积分运算电路4、当温度下降高时,二极管的反向饱和电流将()。

A.增大B.不变C.减少5、P型半导体主要靠( B )导电A.正电荷B.空穴C.自由电子D.负电荷6、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A.温度B.掺杂工艺的类型C.杂质浓度D.晶体中的缺陷7、PN结加正向电压时,空间电荷区将( A )。

A.变窄B.基本不变C.变宽D.不定8、外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将(A )。

A.增大B.减小C.不变9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的(A)。

A.大B.小C.相等10、对于稳压二极管,它正常工作时是处于(B )状态。

A.正向导通B.反向击穿C.截止D.随外加电压变化而变化11、根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B=-6.3V,V E=-7V,V C=-4V,可以判定此晶体管是 管,处于 。

( D )A . NPN 管,饱和区B . PNP 管, 放大区C . PNP 管,截止区D . NPN 管, 放大区12、 工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 ( C )。

A .83B .91C .10013、 一个晶体管的极限参数为P CM =100mW ,I CM =20mA ,U (BR)CEO =15V ,则下列( A )是正常工作状态。

A .U CE =3V ,I C =10mAB .U CE =2V ,IC =40mAC .U CE =6V ,I C =20mAD .U CE =16V ,I C =30mA14、 测得放大电路中三极管的各极电位如图所示,则该三极管为( C )。

A .NPN ,硅管B .PNP ,硅管C .NPN ,锗管D .PNP ,锗管15、 在同时比较三种基本放大电路的特点时,下列描述正确是( B )。

A . 共射电路的R i 最大B . 共集电路的A V 最小C . 共基电路的A V 最小D . 共射电路的R o 最小16、 在由NPN 晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为2KHz ,20mV 的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是 ( A )。

A .饱和失真B .截止失真C .频率失真D .交越失真17、 在由PNP 晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1KHz 、5mV 的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真。

这种失真是( A )。

A .饱和失真B .截止失真C .交越失真D .频率失真18、图2所示共射放大电路,设静态时I CQ =2mA ,晶体管饱和管压降U CES =0.6V ,当输入信号幅度增大到一定值时,电路将首先出现( )失真,其输出波形的( )将削去一部分。

A .饱和;底部B .饱和;顶部C .截止;底部D .截止;顶部 19、 在图2所示电路中,已知U T =26mV ,静态时I CQ =2mA ,晶体管参数:β=100,200bb r '=Ω,正弦交流输入电压i u t =ω,则交流输出u o 为( A )。

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