电力电子技术 复习题答案

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电力电子技术复习题及参考答案

电力电子技术复习题及参考答案

电力电子技术复习题及参考答案一、选择题(每小题10分,共20分)1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 A 度。

A、180°,B、60°, c、360°, D、120°2、α为 C 度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。

A,0度, B,60度, C,30度, D,120度,3、晶闸管触发电路中,若改变 B 的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。

A、同步电压,B、控制电压,C、脉冲变压器变比。

4、可实现有源逆变的电路为 A 。

A、三相半波可控整流电路,B、三相半控桥整流桥电路,C、单相全控桥接续流二极管电路,D、单相半控桥整流电路。

5、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理 A 。

A、30º-35º,B、10º-15º,C、0º-10º,D、0º。

6、在下面几种电路中,不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD 。

A、三相半波可控整流电路。

B、三相半控整流桥电路。

C、单相全控桥接续流二极管电路。

D、单相半控桥整流电路。

7、在有源逆变电路中,逆变角的移相范围应选 B 为最好。

A、=90º∽180º,B、=35º∽90º,C、=0º∽90º,8、晶闸管整流装置在换相时刻(例如:从U相换到V相时)的输出电压等于 C 。

A、U相换相时刻电压uU , B、V相换相时刻电压uV,C、等于uU +uV的一半即:9、三相全控整流桥电路,如采用双窄脉冲触发晶闸管时,下图中哪一种双窄脉冲间距相隔角度符合要求。

请选择 B 。

=0,改变 C 的大小,可使10、晶闸管触发电路中,若使控制电压UC=0,使触发角α=90º。

达到调定移相控制范围,实现整流、直流电动机负载电压Ud逆变的控制要求。

电力电子技术试题及答案

电力电子技术试题及答案

电力电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 电力电子技术主要研究的是()。

A. 电力系统的运行与控制B. 电力系统的规划与设计C. 电力电子器件及其应用D. 电力系统的保护与自动化答案:C2. 下列哪个不是电力电子技术中常用的电力电子器件?()A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管C. 继电器D. 功率场效应晶体管答案:C3. 电力电子变换器的主要功能是()。

A. 功率放大B. 电压变换C. 电流变换D. 以上都是答案:D4. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛?()A. 通信技术B. 电力系统C. 计算机技术D. 机械制造答案:B5. 晶闸管的导通条件是()。

A. 阳极电压高于阴极电压B. 门极电压高于阳极电压C. 阳极电流大于阴极电流D. 门极电流大于零答案:D二、多项选择题(每题3分,共15分)1. 电力电子技术在以下哪些领域有应用?()A. 电力系统B. 交通系统C. 工业自动化D. 家用电器答案:ABCD2. 电力电子变换器可以实现以下哪些功能?()A. 交直流转换B. 直流电压变换C. 交流电压变换D. 功率因数校正答案:ABCD3. 下列哪些是电力电子技术中常用的控制方式?()A. 脉宽调制B. 脉冲频率调制C. 恒压控制D. 恒流控制答案:ABD三、填空题(每题2分,共10分)1. 电力电子技术中,______是一种常用的交流-直流变换器。

答案:整流器2. 电力电子器件的开关特性决定了其在______电路中的应用。

答案:开关电源3. 电力电子技术在______领域可以实现能量的高效转换。

答案:新能源4. 电力电子变换器的输出电压与输入电压之间的关系可以通过______实现控制。

答案:调制技术5. 电力电子技术在______系统中可以实现对电机的精确控制。

答案:伺服驱动四、简答题(每题5分,共20分)1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。

答案:电力电子技术在电力系统中的应用主要包括电力系统的稳定控制、电能质量的改善、电力系统的自动化管理、以及电力系统的保护等。

《电力电子技术》课后复习题(附答案)

《电力电子技术》课后复习题(附答案)

电力电子技术课后复习题(全面)1、电力电子技术是一种利用电力电子器件对电能进行控制、转换、和传输的技术。

2、电力电子技术包括电力电子器件、电路和控制三大部分。

3、电力电子技术的基本转换形式和功能:整流电路----AC/DC----整流器直流斩波----DC/DC----斩波器逆变电路----DC/AC----逆变器交流电路----AC/AC----变频器4、电力电子器件是指在可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。

5、广义上,电力电子器件也可分为电真空器件和半导体器件。

6、按照器件能够被控制电路信号所控制的程度的程度进行分类:不可控器件---------电力二极管(功率二极管PD)半控型器件---------晶闸管(SCR)全控型器件---------电力晶体管(GTR)7、全控型器件也称自关断器件。

代表元件:门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)。

8、按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质进行分类:电流驱动型:晶闸管、门极可关断晶闸管、电力晶体管等。

电压驱动型:电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管等。

9、按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类:双极型器件:电力二极管、晶闸管、门极可关断晶闸管、电力晶体管单极型器件:电力场效应晶体管。

复合型器件:绝缘栅双极晶体管。

10、功率二极管(PD)又称电力二极管,也称半导体整流器。

其基本结构与普通二极管一样。

有螺栓型和平板型两种封装。

正平均电流I F(A V): 电流最大有效值I 11.功率二极管的测试:用万用表的Rx100或Rx1测量。

【注】严禁用兆欧表测试功率二极管。

选择二极管时要考虑耗散功率。

不可控器件------功率二极管(电力二极管)12、功率二极管的主要类型:普通二极管、快速恢复二极管、肖特基二极管。

13、半控型器件----晶闸管(SCR)是硅晶体闸流管的简称,又称为可控硅整流器。

电力电子技术 习题答案

电力电子技术 习题答案

3章 交流-直流变换电路 课后复习题 第1部分:填空题1.电阻负载的特点是 电压与电流波形、相位相同;只消耗电能,不储存、释放电能 ,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是 0︒ ≤a ≤ 180︒ 。

2.阻感负载的特点是 电感对电流变化有抗拒作用,使得流过电感的电流不发生突变 ,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是 0︒ ≤a ≤ 180︒ 2 ,2 (设U 2为相电压有效值)。

3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为 0︒ ≤a ≤ 180︒ ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2 和 22U ;带阻感负载时,α角移相范围为 0︒ ≤a ≤ 90︒ ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22U 2 ;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个 平波电抗器(大电感) 。

4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ = 180︒-2δ ; 当控制角α小于不导电角 δ 时,晶闸管的导通角 θ = 0︒ 。

5.从输入输出上看,单相桥式全控整流电路的波形与 单相全波可控整流电路 的波形基本相同,只是后者适用于 较低 输出电压的场合。

6.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中,空载时,输出电压为 22U ,随负载加重U d 逐渐趋近于0.9 U 2,通常设计时,应取RC≥ 1.5~2.5T ,此时输出电压为U d ≈ 1.2 U 2(U 2为相电压有效值)。

7.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压U Fm 2 ,晶闸管控制角α的最大移相范围是 0︒≤a ≤90︒ ,使负载电流连续的条件为 a ≤30︒ (U 2为相电压有效值)。

8.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差 120︒ ,当它带阻感负载时,α的移相范围为 0︒≤a ≤90︒ 。

电力电子技术试题20套及答案

电力电子技术试题20套及答案

1.考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。

4、面积等效原理指的是,_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是_____________,应用最为广泛的是___________。

6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。

8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内,电流的通路为________;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为_______;(3) t2~t3时间段内,电流的通路为_______;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为_______;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为_______;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是()A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是()A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有()晶闸管导通。

电力电子技术复习题 _含答案)

电力电子技术复习题 _含答案)

12、 在单相全控桥整流电路中,晶闸管的额定电压应取 U2()
13、 在单相桥式全控整流电路中,带大电感负载,不带续流二极管时,输出电压波形中没有负面积。
()
14、 单相全控晶闸管整流电路中,带电感性负载,没有续流二极管时,导通的晶闸管在电源电压过零时不关断。
()
15、 三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。( )
2 晶闸管整流电路
2、 给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。 ( )
3、 晶闸管导通后其电流趋向无穷大。
()
4、 已经导通的晶闸管恢复阻断的唯一条件是 AK 极电源电压降到零或反向。( )
5、 晶闸管并联使用时,必须采取均压措施。 ( )
6、 晶闸管串联使用时,必须注意均流问题。 ( )
7、 触发普通晶闸管的触发脉冲,也能触发可关断晶闸管。( )
合型 的 PWM 控制方法。 3、 正激电路和反激电路属于 13 励磁,半桥电路和全桥电路属于 14 励磁。 4、 开关电源大都采用 15 PWM 控制器.其原理方案分为 16 、 17 和 18 三类。 5、 试填写下列电路的名称
3 / 14
半桥电路 反激电路
正激电路 全桥电路
推挽电路
4、逆变电路
中,通常采用 规则采样法 来代替上述方法,在计算量大为减小的情况下得到的效果能够满足工程需要。
3. PWM 逆变电路3种目标控制: 7 电压、 8
电流和圆形磁链的 9 压 比较、 滞环电流比较 和 三角波比较。
5. 相电压正弦波叠加 3 次谐波构成 13 与三角波比较产生 PWM,可以提高 14 利用率并降低 15 。
2 / 14
致集电极电流增大,造成器件损坏。这种电流失控现象被称这 擎住 效应。 11、 IGBT 往往与 反并联 的快速二极管封装在一起,制成模块,成为逆导器件 。 12、电力电子器件是在电力电子电路中是作为可控开关来用。电力电子器件是一种半导体开关,实际上是一种单 向单极开关。它不是理想开关,存在开关时间和开关暂态过程。开关时间尤其是关断时间限制了电力电子器件的 开关频率。 13、电力电子应用系统一般由控制电路、驱动电路和主电路组成一个系统。为了提高系统可靠性,还应加入电 压、电流检测电路和过压、过流保护电路并构成反馈闭环控制。 14.几乎所有的电力半导体器件均为 单向极性 开关。电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可 关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(Power MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中, 在可控的器件中,功率范围最大的是 SCR 晶体管 ,开关频率最高的是_PMOS 电力场效应管

电力电子技术题库及答案整理版

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电力电子技术题库及答案整理版《电力电子技术》习题&答案一、填空题(每空1分,共50分)1、对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。

2、功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是______智能功率集成电路_________。

3、晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为,UDSM__小于__UBO。

4、电阻负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于_UFm为相电压有效值。

5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________120°_______。

6、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使用输出电压平均值_______下降______。

7、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是_____________静态均压________________措施。

8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有___Y形和△形___二种方式。

9、抑制过电压的方法之一是用_____储能元件_______吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。

10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路,其换相是在___同一相_的上、下二个开关元件之间进行。

11、改变SPWM逆变器中的调制比,可以改变_________________输出电压基波________的幅值。

12、为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是___________(一个)较大的负电流__________。

13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_________减小存储时间________________。

14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用___快速恢复__型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。

15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号,能维持通态所需要的最小阳极电流,称为:_____________________维持电流_______________________。

电力电子技术_复习题答案

电力电子技术_复习题答案

电⼒电⼦技术_复习题答案第⼆章:1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等,若du/dt过⼤,就会使晶闸管出现_ 误导通_,若di/dt过⼤,会导致晶闸管_损坏__。

2.⽬前常⽤的具有⾃关断能⼒的电⼒电⼦元件有电⼒晶体管、可关断晶闸管、功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管⼏种。

简述晶闸管的正向伏安特性?答: 晶闸管的伏安特性正向特性当IG=0时,如果在器件两端施加正向电压,则晶闸管处于正向阻断状态,只有很⼩的正向漏电流流过。

如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo,则漏电流急剧增⼤,器件开通。

随着门极电流幅值的增⼤,正向转折电压降低,晶闸管本⾝的压降很⼩,在1V左右。

如果门极电流为零,并且阳极电流降⾄接近于零的某⼀数值IH以下,则晶闸管⼜回到正向阻断状态,IH称为维持电流。

3.使晶闸管导通的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。

或:uAK>0且uGK>0。

4.在如下器件:电⼒⼆极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电⼒晶体管(GTR)、电⼒场效应管(电⼒MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于半控型器件的是 SCR 。

5.晶闸管的擎住电流I L答:晶闸管刚从断态转⼊通态并移除触发信号后,能维持导通所需的最⼩电流。

6.晶闸管通态平均电流I T(AV)答:晶闸管在环境温度为40 C和规定的冷却状态下,稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最⼤⼯频正弦半波电流的平均值。

标称其额定电流的参数。

7.晶闸管的控制⾓α(移相⾓)答:从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲⽌的电⾓度,⽤a表⽰,也称触发⾓或控制⾓。

8.常⽤电⼒电⼦器件有哪些?答:不可控器件:电⼒⼆极管。

半控型器件:晶闸管。

全控型器件:绝缘栅双极晶体管IGBT,电⼒场效应晶体管(电⼒MOSFET),门极可关断晶闸管(GTO),电⼒晶体管。

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第二章:1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等,若du/dt过大,就会使晶闸管出现_ 误导通_,若di/dt过大,会导致晶闸管_损坏__。

2.目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有电力晶体管、可关断晶闸管、功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管几种。

简述晶闸管的正向伏安特性答: 晶闸管的伏安特性正向特性当IG=0时,如果在器件两端施加正向电压,则晶闸管处于正向阻断状态,只有很小的正向漏电流流过。

如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo,则漏电流急剧增大,器件开通。

随着门极电流幅值的增大,正向转折电压降低,晶闸管本身的压降很小,在1V左右。

如果门极电流为零,并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下,则晶闸管又回到正向阻断状态,IH称为维持电流。

3.使晶闸管导通的条件是什么答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。

或:uAK>0且uGK>0。

4.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于半控型器件的是 SCR 。

5.晶闸管的擎住电流IL答:晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的最小电流。

6.晶闸管通态平均电流I T(AV)答:晶闸管在环境温度为40C和规定的冷却状态下,稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。

标称其额定电流的参数。

7.晶闸管的控制角α(移相角)答:从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度,用a表示,也称触发角或控制角。

8.常用电力电子器件有哪些答:不可控器件:电力二极管。

半控型器件:晶闸管。

全控型器件:绝缘栅双极晶体管IGBT,电力场效应晶体管(电力MOSFET),门极可关断晶闸管(GTO),电力晶体管。

9.电力电子器件有几种工作状态(电力电子器件有哪四种工作状态)答:四种,即开通、截止、反向击穿、正向击穿。

10.维持晶闸管导通的条件是什么怎样才能使晶闸管由导通变为关断答:维持晶闸管导通的条件是晶闸管的电流大于使晶闸管维持导通所必需的最小电流。

晶闸管由导通变为关断:去掉正向电压,施加反压,使晶闸管的电流低于维持电流。

11.简述晶闸管的正常工作时的特性。

答: 当晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。

当晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。

晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,不论门极触发电流是否还存在,晶闸管都保持导通。

若要使已导通的晶闸管关断,只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。

12.对同一只晶闸管,维持电流IH 与擎住电流IL在数值大小上有IH小于IL。

13.请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT 是MOSFET和GTR的复合管。

14.晶闸管触发电路的要求答:晶闸管触发电路应满足下列要求:1)触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通(结合擎住电流的概念)。

2)触发脉冲应有足够的幅度。

3)不超过门极电压、电流和功率定额,且在可靠触发区域之内。

4)应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。

16.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为单极型、双极型、复合型三17. 电力二极管的主要类型答:电力二极管的主要类型有 普通 、快恢复 、 肖特基 。

18. 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电流驱动和 电压驱动 两类第三章:1三相零式可控整流电路带电阻性负载工作时,在控制角α>30°时,负载电流出现 断续_。

2。

2 单相全控桥整流电路,其输出电压的脉动频率是100hz ,三相零式可控整流电路,其输出电压的脉动频率为 150hz 。

3 三相半波可控整流电路,带大电感负载,移相范围为( 90° )。

4三相全控桥整流电路,带电阻负载,控制角α=30°,试画出整流输出电压u d 的波形,画出晶闸管V11的电压u v11的波形;5单相半波可控整流电路接电阻负载。

α=30°,画出输出电压U d 和晶闸管承受的电压Uvt 波形。

7在单相半波可控整流大电感负载有续流二极管的电路中,晶闸管的控制角a 的最大移相范围是多少晶闸管的导通角、续流二极管的导通与a 关系如何答: a 的最大移相范围1800晶闸管的导通角=Л-a续流二极管的导通角=Л+a6 三相半波可控整流电路,变压器二次相电压为20V ,带大电感负载,无续流二极管,试计算O =45α时输出电压,如负载为200A ,求晶闸管上最高电压和晶闸管电流的平均值I dT 、有效值I T 。

解:8 单相全控桥式变流电路如图所示,工作于有源逆变状态,β=60°,变压器二次相电压有效值U2=220V ,Ed=-150V ,R=l Ω,L 足够大,试按要求完成下列各项:(1)画出输出电压ud 的波形;(2)画出输出电流id 的波形;(3)计算输出电流平均值Id ;(4)计算晶闸管电流的平均值IdV1和有效值IV1。

解:(3)v u u d 99cos 9.02==α A R u E Id d 51=-= (4)A 5.252I IdV1d == A 06.362I IV 1d ==9三相零式可控整流电路,在电阻性负载时,当控制角α≤30°,每个晶闸管的导通角θ= 120°。

10 有源逆变失败的原因答:逆变失败的原因1)触发电路工作不可靠,不能适时、准确地给各晶闸管分配脉冲,如脉冲丢失、脉冲延时等,致使晶闸管不能正常换相。

2)晶闸管发生故障,该断时不断,或该通时不通。

3)交流电源缺相或突然消失。

4)换相的裕量角不足,引起换相失败。

11 在三相全控桥式有源逆变电路中,以连接于A 相的共阴极组晶闸管V 1为例 ,说明其在一个周期中,导通及关断期两端承受电压波形的规律。

答:V 1导通期间为其正向管压降(≈0)为120°期间;V 1关断期间首先为承受线电压U AB 为120°期间;之后承受线电压U AC 为120°期间。

12 .在三相半波整流电路中,α=60°,如果a 相的触发脉冲消失,试绘出在电阻性负载整流电压ud 的波形和晶闸管V1的电压u v1的波形。

13有一个三相全控桥整流电路如图所示。

已知电感负载L=、α=75°、R=1Ω、变压器二次相电压U 2=100V 。

试画出u d 的波形,计算负载的平均整流电压U d 和负载电流平均值I d ,计算变压器二次电流的有效值I 2。

解:ωL=2πfL=×300×=Ω>>R,可视为大电感负载。

t O u d 0 E i dt=U d =U 2cos α≈α=×100×cos75°=I d = = =变压器二次电流的有效值I 2I 2=I d ≈=×= 14单相桥式全控整流电路接阻感负载。

α=30°,画出输出电压u d 和输出电流i d 的波形。

15 有源逆变产生的条件答: (1)在负载将产生负向电压,且|U d |<|E d |(2)β<90゜16 什么是逆变失败如何防止逆变失败答: 逆变运行时,一旦发生换流失败,外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路,或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联,由于逆变电路内阻很小,形成很大的短路电流,称为逆变失败或逆变颠覆。

防止逆变失败的方法有:采用精确可靠的触发电路,使用性能良好的晶闸管,保证交流电源的质量,留出充足的换向裕量角β等。

17有一单相半波相控整流电路,负载电阻R d =10Ω,直接接到交流220V 电源上,如图所示。

在控制角α=60°时,求输出电压平均值U d 、输出电流平均值I d ,并选择晶闸管元件(考虑两倍裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流)。

解:V u U d 25.742cos 145.02=+=α A R U I d d d 425.7== 晶闸管承受的最大电压311×2=622V 选800V×2= 选20A18 有一个三相半波可控整流电路如图所示。

已知带大电感负载,a=45°,R=2Ω变压器二次相电压U 2=380V 。

试(1) 计算负载的平均整流电压U d 和负载电流I d 。

(2) 计算晶闸管电流的有效值I V1。

(3) 按裕量系数2确定晶闸管的额定电压。

解:(1)V u u d 3.314cos 17.12==α(2)(3) V u 93162= V 18622931=⨯选晶闸管的额定电压为2000V19 在三相全控桥式有源逆变电路中,直流侧输出电流电压Ud= U 2__cos β。

(电路中电感L 足够大且电流连续,设变压器二次侧相电压有效值为U 2)20在三相桥式全控整流电路中,电阻负载,假设VT 1不能导通,画出0=α整流电压u d 波形。

(5分) 21单相全控桥式整流电路接大电感负载。

已知R=10Ω,a=45°,U 2=100V ,试回答:(1)计算输出整流电压U d ,输出电流平均值I d ;(2)计算晶闸管电流的有效值I V1;(3)按裕量系数2确定晶闸管的额定电流。

答: (1)V COS U U d 63.63459.02== )(363.6A RU I d d == (2) )(5.421A I I dv == (3) )(85.257.1A I I VI VIEAR ==2×=(A) 额定电流为10(A)的晶闸管。

22控制角α与逆变角β之间的关系为 β=л-α 。

23三相全控桥式整流电路在运行中,当晶闸管触发脉冲丢失或电源缺相,将会出现什么现象,如果是逆变电路又将如何答:(1)丢失一只晶闸管上的触发脉冲时;① 会使输出电压波形缺少2个波头,在电流连续的情况下输出电压约降低1/3。

② 某一已导通的晶闸管会关不断二失控,从而导致长期导通而可能过载损坏。

(2)电源缺一相时,A R U I d d 2.157==A 7.903I IV 1d ==①会使输出电压波形缺少四个波头。

②在电流连续的情况下输出电压约降低2/3。

如果是逆变电路,将造成短路故障,使逆变失败。

24分别画三相半波整流电路电感性负载α=0°和三相全控有源逆变电路电感性负载β=60°的输出电压u d波26在三相半波整流电路中,α=90°,试绘出在电阻性负载整流电压ud和电流id的波形;25对三相桥式全控变流电路实施触发时,如采用单宽脉冲触发,单宽脉冲的宽度一般取>60o度较合适;如采用双窄脉冲触发时,双窄脉冲的间隔应为60o度。

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