广西大学半导体变流技术期末考试复习题库
半导体变流练习题
《半导体变流技术》练习题一、判断题1、电力电子器件一般都工作在开关状态。
（ v ）2、电力电子器件自身损耗包括通态损耗、断态损耗、开通损耗和关断损耗四种。
（ v ）3、电压驱动型的电力电子器件有电力MOSFET 、电力晶体管。
//电流驱动型（ x ）4、全控型电力电子器件有电力二极管、电力晶体管、电力MOSFET 管和IGBT 。
（ x ）5、晶闸管的三个极分别为门极、阳极和阴极。
（ v ）//电流驱动型6、IGBT 的输出特性包含了截止区、有源区和非饱和区。
（ x ）//正向阻断区（关断状态），有源区，饱和区（开通状态）7、三相半波电阻性负载电流连续与断续的临界角为60度。
//30度（ x ）8、门极可关断晶闸管和电力晶体管是电压型驱动期间。
//电流驱动型( x )9、只要门极有触发电流，晶闸管就能正常导通。
（ x ）//阳极加正向电压，门极有适当的触发信号10、P-MOSFET 管的特性曲线分为有源阻断区、饱和区和非饱和区。
（ x ）//非饱和区（导通状态），饱和区，截止区（关断状态）电压驱动型11、单相半波可控整流电路电阻性负载输出直流平均电压αcos 45.02U U d =。
（ x ）//2/）cos 1（45.02α+=U U d 12、在整流电路中可能会发生失控现象的是单相半控桥整流电路电阻性负载。
（ x ）//阻感性负载14、晶闸管一旦导通，门极就失去了其控制作用。
（ v ）14、在选取晶闸管的额定电流时通常按照有效值相等的原则选取。
（ x ）//要有裕量15、单结晶体管有电压随着电流增加反而下降的负阻特性。
（ v ）//16、只要使得P-MOSFET 的栅源极的电压为零或小于零就能使器件关断。
( v )二、选择题1、对于选用晶闸管时，下列哪个说法是正确的（D ）（A ）晶闸管所承受正反向峰值电压中较小的2~3倍（B ）晶闸管所承受正反向峰值电压中较大的2~3倍（C ）断态重复峰值电压与反向重复峰值电压较大的2~3倍（D）断态重复峰值电压与反向重复峰值电压较小的2~3倍2、关于电力晶体管输出特性的三个区，哪种说法是正确的（C）（A）截止区、饱和区和非饱和区（B）正向阻断区、有源区和饱和区（C）截止区、放大区和饱和区（D）正向阻断区、饱和区和非饱和区3、晶闸管KP300—10G的额定电流是(C)（A）10A （B）1000A （C）300A （D）30A4、晶闸管的额定电流是指(A)（A）流经晶闸管的电流平均值（B）流经晶闸管的电流有效值（C）流经负载的电流平均值（D）流经负载的电流有效值5、触发电压（脉冲）加在晶闸管的哪两极之间(B)（A）阳极、门极（B）阴极、门极（C）控制极、门极（D）阴极、阳极6、单相半波可控整流电路电阻性负载时晶闸管承受的最大正反向峰值电压为(A)（A）2U2 （B）22U2（C）3U2（D）6U27、下面的四个选项中哪一种情况有可能发生整流失控现象(C)（A）单相半控桥电阻性负载不加续流管（B）单相全控桥电感性负载不加续流管（C）单相半控桥电感性负载不加续流管（D）单相全控桥电阻性负载不加续流管8、三相半波可控整流电路电阻性负载时移相范围为(B)（A）180o（B）150o（C）120o（D）90o9、三相半波可控整流电路电阻性负载时晶闸管承受的最大反向峰值电压为(D)（A）2U2Ф（B）22U2Ф（C）3U2Ф（D）6U2Ф10、关于IGBT特性曲线的三个区，哪种说法是正确的（B ）（A）截止区、饱和区和非饱和区（B）正向阻断区、有源区和饱和区（C）截止区、放大区和饱和区（D）正向阻断区、饱和区和非饱和区11、触发电压（脉冲）加在电力晶体管的哪两极之间( )//基极和发射极（A）集电极、门极（B）发射极、门极（C）控制极、基极（D）集电极、发射极12、电流有效值与电流平均值之比称为 (D)Kf=有效值/平均值=1.57（A ）负载系数 （B ）电流系数（C ）波纹系数 （D ）波形系数13、单相半控桥整流电路电阻性负载移相范围为(D )（A ）90o （B ）120o （C ）150o （D ）180o14、单相全控桥电阻性负载晶闸管所承受的正反向峰值电压分别为（C ）（A ）22U ，22U （B ）22U ，26U （C ）222U ，22U （D ）26U ，26U15、单相全控桥电阻性负载控制角移相范围是（D ）（A ）90o （B ）120o （C ）150o （D ）180o16、三相半波可控整流电路电阻性负载的输出直流电压波形在大于多少度时出现断续(D)（A ）90o （B ）60o （C ）45o （D ）30o17、三相半波可控整流电路电感性负载不带续流二极管时流经晶闸管的平均电流是负载平均电流的多少倍(C)（A ）1 （B ）21 （C ）31 （D ）41 18、三相半波可控整流电路的触发电路发送脉冲时，其脉冲间隔为(C)（A ）180o （B ）150o （C ）120o （D ）90o19、三相半波可控整流电路电感性负载不带续流二极管时移相范围为(A)（A ）90o （B ）150o （C ）120o （D ）180o20、单相桥式不可控整流电路带负载电容滤波输出的直流平均电压d U 为(D)（A ）22U （B ）29.0U （C ）245.0U （D ）22.1U21、设普通晶闸管构成的直流斩波电路的四种工作方式为①定频调宽式 ②定宽调频式 ③定频定宽式 ④调频调宽式其中正确工作方式的组合项是(D)（A ）①②③ （B ）①③④ （C ）②③④ （D ）①②④22、对于晶闸管出厂时确定其额定电压时，下列哪个说法是正确的（D ）（A ）晶闸管所承受正反向峰值电压中较小的2~3倍（B ）晶闸管所承受正反向峰值电压中较大的2~3倍（C ）断态重复峰值电压与反向重复峰值电压较大的2~3倍（D ）断态重复峰值电压与反向重复峰值电压较小的2~3倍23、关于电力晶体管输出特性的三个区，哪种说法是正确的（C ）（A ）截止区、饱和区和非饱和区 （B ）正向阻断区、有源区和饱和区（C ）截止区、放大区和饱和区 （D ）正向阻断区、饱和区和非饱和区24、晶闸管KP200—16G 的额定电流是(C)（A ）16A （B ）1600A （C ）200A （D ）20A25、晶闸管KP50—22G 的额定电压是(D)（A ）220V （B ）500V （C ）380V （D ）2200V26.单相桥式不可控整流电路不加滤波输出直流平均电压d U (B)（A ）245.0U （B ）29.0U （C ）217.1U （D ）以上均不对//√2U227、在三相相电压波形图的第一象限中，相邻两个自然换相点相距多少度(C)（A ）180o （B ）150o （C ）120o （D ）90o28、单相半控桥整流电路电阻性负载移相范围为(D)（A ）90o （B ）120o （C ）150o （D ）180o29、关于IGBT 的控制极，下面哪个正确(C)（A ）基极 （B ）发射极 （C ）栅极 （D ）集电极三、简答题1、说明下面图1电路是什么电路，并试着分析其工作原理。
半导体物理期末试卷(含部分答案
半导体物理期末试卷(含部分答案半导体物理,考试,复习,试卷一、填空题1．纯净半导体Si中掺错误！未找到引用源。
族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。
这种杂质称施主杂质；相应的半导体称N 型半导体。
2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做扩散运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做漂移运动。
3．nopo=ni2标志着半导体处于平衡状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？不变；当温度变化时，nopo改变否？改变。
4．非平衡载流子通过复合作用而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命τ与复合中心在禁带中的位置密切相关，对于强p型和强n型材料，小注入时寿命τn为，寿命τp为5．迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，扩散系数是反映有浓度梯度时载n爱因斯坦关系式。
6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射。
前者在电离施主或电离受主形成的库伦势场下起主要作用，后者在温度高下起主要作用。
7．半导体中浅能级杂质的主要作用是影响半导体中载流子浓度和导电类型；深能级杂质所起的主要作用对载流子进行复合作用。
8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲含铝1015cm-3 乙. 含硼和磷各1017 cm-3 丙含镓1017 cm-3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是乙甲丙。
样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙。
费米能级由高到低的顺序是乙甲丙。
9．对n型半导体，如果以EF和EC的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么EC EF 2k0T为非简并条件；0 EC EF 2k0T为弱简并条件；EC EF 010．当P-N结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为PN结击穿，其种类为：雪崩击穿、和齐纳击穿（或隧道击穿）。
11．指出下图各表示的是什么类型半导体？12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn与温度的-3/2 次方成正比13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的载流子的浓度梯度。
半导体物理期末试卷四参考答案
半导体物理试卷四参考答案及评分标准一、选择题（每小题1分，共15分）二、填空题（每空1分，共10分）1. p A ；N A − p A2. 1/e3. N i T −32⁄4. 1qN D μn ⁄5. r n n (N t −n t )；r p pn t6. qN D ；−qN A7. d 2V (x )d 2x =−qN D εr ε0⁄⁄三、简答题（每小题6分，共30分）1. 从实际硅晶体角度和能带角度说明，什么叫本征激发？产生本征激发所需的能量必须符合什么条件？ 参考答案：从实际硅晶体角度来说，本征激发就是共价键上的电子被激发成为自由电子的过程。
（2分）从能带角度来说，本征激发就是价带电子被激发成为导带电子的过程。
（2分） 产生本征激发所需的能量必须大于等于带隙宽度。
（2分）2. 以n 型半导体为例，与非简并半导体相比较，简述简并半导体及其特征，包括杂质浓度、费米能级位置、导带中电子服从的统计分布、杂质电离情况、杂质电离能和禁带宽度变化。
参考答案：简并半导体杂质浓度更大。
费米能级与导带底重合甚至进入导带。
导带中电子服从费米分布。
室温情况下杂质不能充分电离。
杂质电离能和禁带宽度都减小。
会出现杂质带导电。
（每要点1分）3. 简述最有效复合中心的特点及其对非平衡载流子寿命的影响。
若有杂质元素硼、铝、磷、砷、金、铜可供选择，在制造硅光电开关器件时，需选择哪些元素进行掺杂，并简要说明原因。
参考答案：最有效复合中心对电子和空穴的俘获系数相等（1分）。
能级位置接近禁带中线（1分）。
最有效复合中心的存在将缩短非平衡载流子寿命（1分）。
在制造硅光电开关器件时，通常选取金、铜进行掺杂，因为它们在硅的禁带中引入深能级，而其它杂质如硼、铝、磷、砷在禁带中产生浅能级（3分）。
4. 简述平衡p -n 结有哪些特征？参考答案：平衡p-n 结特征：流过p-n 结的净电流为零(1分)；这时空间电荷的数量一定(1分)；空间电荷区的厚度一定(1分)；内建电场大小一定(1分)；势垒高度一定(1分)；有统一的费米能级(1分)。
2015半导体物理器件期末考试试题(全)
半导体物理器件原理（期末试题大纲）指导老师: 陈建萍一、简答题（共6题, 每题4分）。
代表试卷已出的题目1、耗尽区: 半导体内部净正电荷与净负电荷区域, 因为它不存在任何可动的电荷, 为耗尽区（空间电荷区的另一种称呼）。
2、势垒电容: 由于耗尽区内的正负电荷在空间上分离而具有的电容充放电效应, 即反偏Fpn结的电容。
3、Pn结击穿：在特定的反偏电压下, 反偏电流迅速增大的现象。
4、欧姆接触：金属半导体接触电阻很低, 且在结两边都能形成电流的接触。
5、饱和电压: 栅结耗尽层在漏端刚好夹断时所加的漏源电压。
6、阈值电压: 达到阈值反型点所需的栅压。
7、基区宽度调制效应：随C-E结电压或C-B结电压的变化, 中性基区宽度的变化。
8、截止频率: 共发射极电流增益的幅值为1时的频率。
9、厄利效应: 基带宽度调制的另一种称呼（晶体管有效基区宽度随集电结偏置电压的变化而变化的一种现象）10、隧道效应: 粒子穿透薄层势垒的量子力学现象。
11、爱因斯坦关系: 扩散系数和迁移率的关系:12、扩散电容: 正偏pn结内由于少子的存储效应而形成的电容。
13、空间电荷区: 冶金结两侧由于n区内施主电离和p区内受主电离而形成的带净正电荷与净负电荷的区域。
14、单边突变结: 冶金结的一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的pn结。
15、界面态: 氧化层--半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态。
16、平带电压: 平带条件发生时所加的栅压, 此时在氧化层下面的半导体中没有空间电荷区。
17、阈值反型点: 反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形。
18、表面散射: 当载流子在源极和源漏极漂移时, 氧化层--半导体界面处载流子的电场吸引作用和库伦排斥作用。
19、雪崩击穿: 由雪崩倍增效应引起的反向电流的急剧增大, 称为雪崩击穿。
20、内建电场: n区和p区的净正电荷和负电荷在冶金结附近感生出的电场叫内建电场, 方向由正电荷区指向负电荷区, 就是由n区指向p区。
半导体制造技术期末题库参考答案
RVD 和 GILD 的原理， 它们的优缺点及应用方向。
答：快速气相掺杂(RVD, Rapid Vapor-phase Doping)是一种掺杂剂从气相直接向硅中扩散、 并能形成超浅结的快速掺杂工艺。 原理是利用快速热处理过程(RTP)将处在掺杂剂气氛中 的硅片快速均匀地加热至所需要的温度，同时掺杂剂发生反应产生杂质院子，杂质原子 直接从气态转变为被硅表面吸附的固态，然后进行固相扩散，完成掺杂目的。 RVD 技术的优势（与离子注入相比，特别是在浅结的应用上） ：RVD 技术并不受注入所 带来的一些效应的影响，如：沟道效应、晶格损伤或使硅片带电。 RVD 技术的劣势：对于选择扩散来说，采用 RVD 工艺仍需要掩膜。另外，RVD 仍然要在 较高温度下完成。杂质分布是非理想的指数形式，类似固态扩散，其峰值处于表面处。 应用方向：主要应用在 ULSI 工艺中，例如对 DRAM 中电容的掺杂，深沟侧墙的掺杂， 甚至在 CMOS 浅源漏结的制造中也采用 RVD 技术。 气体浸没激光掺杂(GILD： Gas Immersion Laser Doping)的工作原理：使用激光器照射处 于气态源中的硅表面，使硅表面因吸收能量而变为液体层，同时气态掺杂源由于热解或 光解作用产生杂质原子，杂质原子通过液相扩散进入很薄的硅液体层，当激光照射停止 后，掺有杂质的液体层通过固相外延转变为固态结晶体，从而完成掺杂。 GILD 的优点：杂质在液体中的扩散速度非常快，使得其分布均匀，因而可以形成陡峭的 杂质分布形式。由于有再结晶过程，所以不需要做进一步的热退火。掺杂仅限于表面， 不会发生向内扩散，体内的杂质分布没有任何扰动。可以用激光束的能量和脉冲时间决 定硅表面融化层的深度。在一个系统中相继完成掺杂，退火和形成图形，极大简化了工 艺，降低系统的工艺设备成本。 GILD 的缺点：集成工艺复杂，技术尚不成熟。 GILD 的应用：MOS 与双极器件的制造，可以制备突变型杂质分布，超浅深度和极低的 串联电阻。 2． 集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么特点？ 答：按照原始扩散杂质源在室温下的相态可将扩散分为三类：固态源扩散，液态源扩散 与气态源扩散。 (1) 固态源扩散：常见的主要有开管扩散、箱法扩散和涂源法扩散 a.开管扩散是把杂质源和硅片分开放置在扩散炉管中，通过惰性气体将杂质蒸汽输 运只硅片表面。其特点是温度对杂质浓度和杂质分布有着直接的影响，重复性与稳 定性都很好。 b.箱法扩散是把杂质源和硅片壮在由石英或者硅做成的箱内，在氮气或氩气的保护 下进行扩散。其特点是扩散源多为杂质的氧化物，箱子具有一定的密闭性。含有杂 质的蒸汽与硅表面反应，形成含有杂质的薄氧化层，杂质由氧化层直接向硅内扩散。 其硅表面浓度基本由扩散温度下杂质在硅中的固溶度决定，均匀性较好。 c.涂源法扩散是把溶于溶剂的杂质源直接涂在待扩散的硅片表面，在高温下由遁形 其他保护进行扩散。其特点是杂质源一般是杂质的氧化物或者杂质的氧化物与惰性 氧化物的混合物，当溶剂挥发后在硅表面形成一层杂质源。这种方法的表面浓度难 以控制，且不均匀。可以通过旋转涂源工艺或化学气象淀积法改善 (2) 液态源扩散是使用携带气体通过液态源，把杂质源蒸汽带入扩散炉管。其特点是载 气除了通过携带杂质气体进入扩散炉内之外，还有一部分直接进入炉管，起到稀释
半导体物理期末试卷 含部分答案
一、填空题1．纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。
这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。
2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。
3．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否 不变 ；当温度变化时，n o p o 改变否 改变 。
4．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 .5． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载 qn n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。
6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。
前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。
7．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。
8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。
样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。
费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。
9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。
10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ，其种类为： 雪崩击穿 、和 齐纳击穿（或隧道击穿） 。
半导体器件期末考试试题
半导体器件期末考试试题# 半导体器件期末考试试题## 一、选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间，这是因为： - A. 温度影响- B. 掺杂效应- C. 晶格结构- D. 电子空穴对2. PN结形成后，其两侧的电势差是：- A. 正值- B. 负值- C. 零- D. 无法确定3. 下列哪个不是半导体器件的特性参数：- A. 载流子浓度- B. 迁移率- C. 击穿电压- D. 频率响应4. MOSFET的全称是：- A. 金属-氧化物-半导体场效应晶体管- B. 金属-半导体-氧化物场效应晶体管- C. 金属-氧化物-半导体二极管- D. 金属-氧化物-半导体变容二极管5. 以下哪个是半导体器件的制造工艺：- A. 光刻- B. 焊接- C. 铸造- D. 热处理## 二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述PN结的工作原理及其在半导体器件中的应用。
2. 描述MOSFET的工作原理，并说明其在集成电路设计中的重要性。
3. 解释半导体材料的掺杂过程，并举例说明掺杂对半导体器件性能的影响。
## 三、计算题（每题25分，共50分）1. 假设一个N型半导体的掺杂浓度为\[10^{15}\] cm\[^{-3}\]，计算其在室温下的电子浓度。
假设电子的亲和力为0.7eV。
2. 给定一个PN结，其正向偏置电压为0.7V，反向击穿电压为100V。
若PN结处于反向偏置状态，计算其反向偏置电压为50V时的耗尽区宽度。
假设耗尽区宽度与电压的关系为线性。
## 四、论述题（共30分）1. 论述半导体器件在现代电子技术中的重要性，并展望其在未来技术发展中的潜在应用。
请注意，以上试题仅为示例，实际考试内容可能根据教学大纲和课程内容有所不同。
考生应根据所学知识和理解，认真作答。
半导体物理期末试卷(含部分答案
一、填空题1．纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。
这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。
2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。
3．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否 不变 ；当温度变化时，n o p o 改变否 改变 。
4．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 .5． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载 qn n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。
6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。
前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。
7．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。
8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。
样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。
费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。
9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。
10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ，其种类为： 雪崩击穿 、和 齐纳击穿（或隧道击穿） 。
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半导体变流技术期末考试复习题库一.单选题（共14题）1、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差（）度。
A180度B60度C360度D120度正确答案：A2、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )A0º-90°B0º-120°C0º-150°D0º-180°正确答案：D3、下面哪种功能不属于变流的功能（）A有源逆变B交流调压C变压器降压D直流斩波正确答案：C4、晶闸管触发电路中，若使控制电压UC=0，改变（）的大小，可使直流电动机负载电压Ud=0，使触发角α=90º。
达到调定移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。
A同步电压B控制电压C偏移调正电压正确答案：C5、在有源逆变电路中，逆变角的移相范围应选（）为最好。
A=90º∽180ºB=35º∽90ºC=0º∽90º正确答案：B6、三相半波可控整流电路的自然换相点是( )A交流相电压的过零点B本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处C比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°正确答案：B7、变流器工作在逆变状态时，控制角α必须在（）度。
A0°-90°B30°-120°C60°-150°D90°-150°正确答案：D8、变流装置的功率因数总是（）。
A大于1 B等于1 C小于1正确答案：C9、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）A700VB750VC800VD850V正确答案：B10、三相半波可控整流电阻性负载电路，如果三个晶闸管采用同一相触发脉冲，α的移相范围（）。
A0º--60ºB0º--90ºC0º--120ºD0º--150º正确答案：D11、α=（）度时，三相全控桥式整流电路带电阻负载电路，输出负载电压波形处于连续和断续的临界状态。
A0度B60度C30度D120度正确答案：B12、三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置来触发，α的移相范围是（）。
A0º--60ºB0º--90ºC0º--120ºD0º--150º正确答案：D13、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（）度？A180°B60°C360°D120°正确答案：A14、可实现有源逆变的电路为（）。
A三相半波可控整流电路B三相半控桥整流桥电路C单相全控桥接续流二极管电路D单相半控桥整流电路正确答案：A二.填空题（共11题）1、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
正确答案：第一空：维持；2、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率，电力电子器件一般都工作在，但是其自身的功率损耗通常任远大于信息电子器件，在其工作是一般都需要安装。
正确答案：第一空：开关状态第二空：散热器；3、在SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT中半控型器件有，全控型器件有，电流驱动器件有。
正确答案：第一空：SCR第二空：GTO、GTR、MOSFET、IGBT第三空：SCR、GTO、GTR；4、在调制信号上叠加可以提高直流电压利用率。
正确答案：第一空：直流分量（三次谐波）；5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大，电力电子器件总是工作在开关状态，其损耗包括三个方面：、和。
正确答案：第一空：通态损耗第二空：断态损耗第三空：开关损耗；6、三相电流型桥式逆变电路的换流一般为同一组桥臂组内换流，称为。
正确答案：第一空：横向换流；7、单相交流调压电阻性负载电路的移相范围在内，在阻感性负载时移相范围在内。
正确答案：第一空：0度～180度第二空：功率因素角～180度；8、普通晶闸管与双向晶闸管的额定电流定义不一样，的额定电流是用电流有效值来表示的。
正确答案：第一空：双向晶闸管；9、直流斩波电路的三种控制方式是PWM、、。
正确答案：第一空：频率调制型第二空：混合型；10、整流电路中，变压器的漏抗会产生换相重叠角，使整流输出的直流电压平均值。
正确答案：第一空：降低；11、PWM控制技术的理论基础是。
正确答案：第一空：面积等效原理；三.判断题（共32题）1、在单结晶体管触发电路中，稳压管削波的作用是为了扩大脉冲移相范围。
正确答案：×2、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。
正确答案：√3、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。
正确答案：×4、用稳压管削波的梯形波给单结晶体管自激振荡电路供电，目的是为了使触发脉冲与晶闸管主电路实现同步。
正确答案：√5、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。
正确答案：×6、双向晶闸管与普通晶闸管一样，额定电流也用通态电流平均值表示正确答案：×7、直流斩波电路只能实现降低输出直流电压的作用。
正确答案：×8、KP10—5表示的是额定电压1000V，额定电流500A的普通型晶闸管。
正确答案：×9、三相桥式半控整流电路，带大电感性负载，有续流二极管时，当电路出故障时会发生失控现象。
正确答案：×10、三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，则α的移相范围只有120o。
正确答案：√11、只要采用双窄脉冲触发三相桥式全控整流电路的晶闸管，电路就能正常工作。
正确答案：√12、三相桥式全控整流电路，输出电压波形的脉动频率是150HZ。
正确答案：×13、KP2—5表示的是额定电压200V，额定电流500A的普通型晶闸管。
正确答案：×14、电流型并联谐振逆变电路负载两端电压波形是很好的正弦波。
正确答案：×15、无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。
正确答案：×16、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。
正确答案：√17、晶闸管并联使用时，必须采取均压措施。
正确答案：×18、在普通晶闸管组成的全控整流电路中，带电感性负载，没有续流二极管时，导通的晶闸管在电源电压过零时不关断。
正确答案：√19、双向晶闸管的结构与普通晶闸管一样，也是由四层半导体（P1N1P2N2）材料构成的。
正确答案：×20、电压型逆变电路，为了反馈感性负载上的无功能量，必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。
正确答案：√21、有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
正确答案：√22、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
正确答案：×23、双向晶闸管额定电流的定义，与普通晶闸管的定义相同。
正确答案：×24、并联与串联谐振式逆变器属于负载换流方式，无需专门换流关断电路。
正确答案：√25、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。
正确答案：×26、变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质，无直接关系。
正确答案：√27、设置补偿电容可以提高变流装置的功率因数。
正确答案：√28、双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。
正确答案：√29、逆变角太大会造成逆变失败。
正确答案：×30、供电电源缺相、逆变桥元件损坏、逆变换流失败等故障。
也会引起逆变失败。
正确答案：√31、在三相全控桥电路中，晶闸管的额定电压应取U2。
正确答案：×32、并联谐振逆变电路采用负载换流方式时，谐振回路不一定要呈电容性。
正确答案：×四.简答题（共8题）1、如下图所示（L和R串联后作为负载），说明晶闸管导通的条件是什么？关断时和导通后晶闸管的端电压、流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?正确答案：答：晶闸管导通的条件是：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。
门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流IL以上。
导通后的晶闸管管压降很小。
晶闸管的关断时其两端电压大小由电源电压UA决定，电流近似为零。
导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定，负载上电压由输入阳极电压UA决定。
2、电压型逆变电路中反馈二极管的作用是什么？为什么电流型逆变电路中没有反馈二极管？正确答案：答：在电压型逆变电路中,当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率,直流侧电容起缓冲无功能量的作用。
为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道,逆变桥各臂都并联了反馈二极管。
当输出交流电压和电流的极性相同时,电流经电路中的可控开关器件流通，而当输出电压电流极性相反时,由反馈二极管提供电流通道。
在电流型逆变电路中,直流电流极性是一定的,无功能量由直流侧电感来缓冲。
当需要从交流侧向直流侧反馈无功能量时,电流并不反向,依然经电路中的可控开关器件流通,因此不需要并联反馈二极管。
3、简述PWM调制方式的同步调制和异步调制的定义及特点。
正确答案：答：载波频率fc与调制信号频率fr之比，N= fc / fr，根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况，PWM调制方式分为异步调制和同步调制。
异步调制：通常保持fc固定不变，当fr变化时，载波比N是变化的。
在信号波的半周期内，PWM波的脉冲个数不固定，相位也不固定，正负半周期的脉冲不对称，半周期内前后1/4周期的脉冲也不对称。
当fr较低时，N较大，一周期内脉冲数较多，脉冲不对称产生的不利影响都较小。
当fr增高时，N减小，一周期内的脉冲数减少，PWM脉冲不对称的影响就变大。
同步调制：fr变化时N不变，信号波一周期内输出脉冲数固定。
三相电路中公用一个三角波载波，且取N为3的整数倍，使三相输出对称；为使一相的PWM波正负半周镜对称，N应取奇数。
fr很低时，fc也很低，由调制带来的谐波不易滤除。
fr很高时，fc会过高，使开关器件难以承受。
4、SPWM调制方式是怎样实现变压功能的？又是怎样实现变频功能的？正确答案：答：改变调制比M可以改变输出电压uO基波的幅值，所以，SPWM调制是通过改变调制波ur的幅值实现变压功能的。
改变正弦调制波的频率时，可以改变输出电压u0的基波频率，所以，SPWM调制是通过改变调制波ur的频率实现变频功能的。
5、晶闸管的触发电路有哪些要求？正确答案：答：1电路发U的触发信号应具有足够大的功率2不该触发时，触发电路因漏电流产生的漏电压应小于控制极不触发电压3触发脉冲信号应有足够的宽度，4触发脉冲前沿要陡5触发脉冲应与主回路同步，且有足够的移相范围。