DRAM发展状况
DRAM的发展
DRAM的发展1. 简介DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种常见的半导体存储器，用于电子设备中的主存储器。
它具有高速读写、容量大和低功耗等优点，因此在计算机、手机、平板电脑和其他消费电子产品中广泛应用。
本文将详细介绍DRAM的发展历程。
2. DRAM的起源DRAM的起源可以追溯到上世纪60年代。
当时，计算机使用的主存储器是磁芯存储器，但它的成本高昂且容量有限。
为了解决这些问题，DRAM被发明出来。
它使用了电容器和晶体管来存储和读取数据，具有较高的集成度和较低的成本。
3. DRAM的发展历程3.1 第一代DRAM第一代DRAM于1970年代初问世，采用了单晶体管和电容器的结构。
它的容量较小，速度较慢，但相对于磁芯存储器来说，它的成本更低，因此得到了广泛应用。
3.2 第二代DRAM第二代DRAM于1970年代末和1980年代初出现。
它采用了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为存储单元，并引入了刷新技术，解决了电容器漏电的问题。
这使得DRAM的容量和速度都有了显著的提升。
3.3 第三代DRAM第三代DRAM于1990年代初问世，采用了存储单元中的多个电容器和晶体管，称为多晶体管DRAM（Multi-transistor DRAM）。
它的容量进一步增加，速度也有所提升。
3.4 第四代DRAM第四代DRAM于2000年代初出现，采用了新的存储单元结构和制造工艺。
其中最重要的是DDR（Double Data Rate）DRAM，它在同一时钟周期内进行两次数据传输，提高了数据传输速度。
DDR DRAM在计算机和消费电子产品中得到广泛应用。
3.5 当前的DRAM技术目前，DDR4和DDR5是最常见的DRAM技术。
DDR4于2014年发布，相对于DDR3，它提供了更高的频率、更低的功耗和更大的容量。
DDR5于2020年发布，进一步提升了频率和容量，为高性能计算和数据中心提供了更好的支持。
DRAM的发展
DRAM的发展概述：动态随机存取存储器（DRAM）是一种常见的计算机内存类型，用于存储和访问数据。
DRAM的发展经历了多个阶段，从最早的SDRAM（同步动态随机存取存储器）到现在的最新DDR4（双倍数据率第四代）和DDR5（双倍数据率第五代）。
1. SDRAM的发展：SDRAM是DRAM的一种改进型，它在1990年代初引入了同步接口和时钟信号，提高了数据传输速度和效率。
SDRAM的容量从最初的16MB逐渐增加到512MB，并在1996年推出了SDRAM的下一代DDR（双倍数据率）。
2. DDR的发展：DDR是SDRAM的进一步改进，它在数据传输上采用了双倍数据率技术，使得数据传输速度翻倍。
DDR的容量从最初的256MB逐渐增加到现在的DDR4和DDR5，容量可达数TB。
DDR4于2022年发布，提供更高的带宽和更低的功耗，而DDR5则在2022年发布，进一步提高了带宽和性能。
3. DRAM的技术进步：随着时间的推移，DRAM在技术方面也取得了巨大的进步。
例如，DRAM芯片的创造工艺从最初的130纳米逐渐缩小到现在的10纳米以下，这使得DRAM的密度和性能得到了显著提升。
此外，DRAM还采用了更高的时钟频率、更高的数据传输速度和更低的功耗，以满足不断增长的计算需求。
4. DRAM的应用领域：DRAM广泛应用于个人电脑、服务器、挪移设备和其他计算设备中。
它被用作主存储器，用于存储正在运行的程序和数据。
随着云计算、人工智能和大数据等技术的发展，对DRAM的需求也越来越大。
5. DRAM的未来发展趋势：随着计算需求的不断增长，DRAM的发展仍在继续。
未来的发展趋势包括更高的容量、更高的带宽、更低的功耗和更高的稳定性。
此外，新的存储技术如3D XPoint和氮化镓存储器也可能对DRAM的地位产生影响。
总结：DRAM作为一种常见的计算机内存类型，经历了从SDRAM到DDR4和DDR5的发展阶段。
随着技术的进步，DRAM在容量、速度和功耗等方面不断提升，广泛应用于各种计算设备中。
DRAM的发展
DRAM的发展一、简介动态随机存取存储器（DRAM）是一种常见的计算机内存技术，用于存储和读取数据。
自从20世纪70年代问世以来，DRAM经历了多次技术革新和发展，不断提高存储容量、速度和能效。
二、历史发展1. 早期DRAM早期的DRAM采用了基于电容的存储单元，每一个存储单元由一个电容和一个开关构成。
数据的存储和读取是通过对电容充放电来实现的。
这种DRAM具有较低的存储密度和较慢的访问速度。
2. SDRAM的浮现随着计算机技术的发展，需要更高的存储容量和更快的访问速度。
同步动态随机存取存储器（SDRAM）在20世纪90年代问世，引入了同步时钟来提高数据传输速度。
SDRAM具有更高的存储密度和更快的访问速度，成为主流的内存技术。
3. DDR和DDR2在SDRAM的基础上，双倍数据率（DDR）和DDR2技术相继问世。
DDR技术通过在时钟的上升沿和下降沿都传输数据，使得数据传输速度翻倍。
DDR2技术进一步提高了传输速度和存储密度，成为更高性能的内存选择。
4. DDR3和DDR4DDR3和DDR4技术是目前最常用的DRAM技术。
DDR3技术在传输速度和能效方面有所提升，同时支持更大的存储容量。
DDR4技术进一步提高了传输速度和能效，同时引入了更高的频率和更低的电压。
三、技术进步1. 存储容量的提升随着技术的进步，DRAM的存储容量不断提高。
从最早的几KB到现在的几十GB，DRAM的存储容量呈指数级增长。
这使得计算机可以处理更大规模的数据和更复杂的任务。
2. 传输速度的提高DRAM的传输速度也在不断提高。
从最早的几百KB/s到现在的几十GB/s，DRAM的传输速度大幅度增加。
这使得计算机可以更快地读取和写入数据，提高了系统的响应速度和计算能力。
3. 能效的改进随着节能环保意识的增强，DRAM的能效也得到了改进。
新一代的DRAM技术采用了更低的电压和更高的能效设计，减少了能源消耗和热量排放。
这有助于降低计算机系统的能耗和散热需求。
DRAM的发展
DRAM的发展概述：动态随机存取存储器（DRAM）是一种常见的计算机内存技术，它以其高密度和低成本而闻名。
本文将探讨DRAM的发展历程，包括其原理、发展趋势以及未来可能的创新。
一、DRAM的原理DRAM是一种基于电容的存储器技术。
每个DRAM存储单元由一个电容和一个访问晶体管组成。
电容用于存储数据位，而访问晶体管用于控制读取和写入操作。
当电容充电时，表示存储的是1，而当电容放电时，表示存储的是0。
由于电容会逐渐失去电荷，因此DRAM需要定期刷新以保持数据的完整性。
二、DRAM的发展历程1. 早期发展：DRAM最早出现在上世纪60年代，当时的DRAM容量较小，速度较慢，并且需要更高的电压。
然而，随着技术的进步，DRAM的容量逐渐增加，速度也得到了提升。
2. 增加容量和速度：随着DRAM技术的不断发展，DRAM的容量和速度得到了显著提升。
通过改进电路设计和制造工艺，DRAM的容量从最初的几千字节增加到了现在的几十兆字节甚至几百兆字节。
同时，DRAM的速度也从几十纳秒提高到了几纳秒。
3. 增加集成度：随着半导体技术的进步，DRAM的集成度也得到了大幅提高。
通过缩小电路元件的尺寸，DRAM芯片可以容纳更多的存储单元，从而增加了存储容量。
目前，DRAM芯片的集成度已经达到了千兆字节级别。
4. 降低功耗：随着节能意识的增强，DRAM制造商致力于降低DRAM的功耗。
通过改进电路设计和采用低功耗工艺，现代DRAM芯片在保持高性能的同时，能够降低功耗，延长电池寿命。
三、DRAM的发展趋势1. 增加存储容量：随着数据量的不断增加，对存储容量的需求也在增加。
未来，DRAM的存储容量将继续增加，以满足日益增长的数据存储需求。
2. 提高速度：随着计算机应用的需求不断增加，对内存访问速度的要求也在提高。
未来的DRAM技术将进一步提高存取速度，以满足高性能计算的需求。
3. 降低功耗：随着绿色环保理念的普及，DRAM制造商将继续努力降低功耗。
DRAM的发展
DRAM的发展DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种常见的计算机内存芯片，用于存储和读取数据。
随着科技的不断进步，DRAM的发展也在不断推进。
本文将详细介绍DRAM的发展历程、技术特点以及未来的发展趋势。
一、发展历程DRAM最早出现在上世纪70年代，当时的DRAM容量较小，速度较慢，且价格昂贵。
然而，随着集成电路技术的进步，DRAM开始逐渐发展壮大。
在80年代，DRAM容量得到了显著提升，速度也有了明显改善，成为了主流的计算机内存产品。
二、技术特点1. 容量：DRAM的容量不断增大，从最初的几KB到现在的几GB，甚至更高。
这使得计算机能够处理更多的数据，提高了系统的性能。
2. 速度：DRAM的速度也在不断提高。
随着技术的进步，DRAM的访问速度大幅度增加，从而提高了数据的读取和写入效率。
3. 功耗：DRAM的功耗逐渐降低。
随着制程工艺的改进，DRAM芯片的功耗越来越低，这有助于降低整个系统的能耗。
4. 可靠性：DRAM的可靠性也得到了提高。
通过引入纠错码（ECC）等技术，DRAM能够检测和纠正内存中的错误，提高系统的稳定性和可靠性。
5. 成本：DRAM的成本逐渐降低。
随着技术的成熟和市场的竞争，DRAM的价格逐渐下降，使得更多的用户能够购买到高性能的内存产品。
三、未来发展趋势1. 容量持续增加：随着计算机应用的不断扩大，对内存容量的需求也在不断增加。
未来，DRAM的容量将持续增加，以满足大数据处理、人工智能等领域的需求。
2. 速度进一步提升：随着计算机处理速度的提高，对内存速度的要求也越来越高。
未来，DRAM的速度将进一步提升，以满足高性能计算的需求。
3. 低功耗设计：随着节能环保意识的增强，DRAM的低功耗设计将成为未来的发展方向。
通过采用新的材料和结构设计，降低DRAM芯片的功耗，以提高系统的能效。
4. 新技术的应用：未来，随着新的技术的涌现，如3D堆叠技术、新型存储器技术等，将会对DRAM的发展产生重要影响。
DRAM的发展
DRAM的发展概述：动态随机存取存储器（DRAM）是一种常见的计算机内存类型，被广泛应用于个人电脑、服务器、挪移设备等各种计算设备中。
本文将详细介绍DRAM的发展历程、技术特点以及未来的发展趋势。
一、DRAM的历史发展：1. 早期DRAM的诞生：20世纪60年代末，美国IBM公司的研究人员发明了第一款DRAM芯片，其存储容量为1K位。
这标志着DRAM技术的诞生，为计算机存储领域带来了革命性的变革。
2. 发展阶段：1970年代，DRAM技术经历了多个发展阶段。
首先是DRAM存储容量的不断增加，从最初的几千位增加到了几十万位。
其次是DRAM存取时间的缩短，使得数据读写速度得到了显著提升。
此外，DRAM芯片的集成度也不断提高，从单片集成到多片集成，进一步提高了存储容量和性能。
3. 现代DRAM的发展：进入21世纪，DRAM技术继续取得了巨大的突破。
首先是DRAM存储容量的大幅增加，从几百兆字节增加到了数十兆字节。
其次是DRAM的能耗和成本的不断降低，使得DRAM成为了主流的计算机内存选择。
此外，DRAM的数据传输速率也得到了显著提升，满足了日益增长的计算需求。
二、DRAM的技术特点：1. 存储原理：DRAM采用电容存储原理，每一个存储单元由一个电容和一个开关构成，电容的充电状态表示存储的数据。
2. 数据刷新：由于电容会逐渐漏电，因此DRAM需要定期进行数据刷新，以保持数据的正确性。
数据刷新会带来额外的延迟，影响DRAM的访问速度。
3. 存取时间：DRAM的存取时间通常比静态随机存取存储器（SRAM）要长，这是由于DRAM需要经过一系列的行选通、列选通等操作才干读取或者写入数据。
4. 容量和集成度：DRAM的存储容量和集成度不断增加，目前已经发展到了数十兆字节的级别。
高集成度的DRAM芯片可以在较小的空间内实现更大的存储容量。
5. 数据传输速率：现代DRAM的数据传输速率已经达到了几千兆字节每秒的级别，可以满足高性能计算和大数据处理的需求。
DRAM的发展
DRAM的发展概述：动态随机存取存储器（DRAM）是一种常见的计算机内存类型，广泛应用于个人电脑、服务器和移动设备等领域。
本文将详细介绍DRAM的发展历程、技术特点以及未来的趋势。
发展历程：DRAM的发展可以追溯到上世纪60年代，当时的存储器主要采用磁芯存储器技术，但其成本高昂且容量有限。
1970年代初，Intel公司推出了第一款DRAM芯片，这标志着DRAM开始进入商业化阶段。
随着技术的不断进步，DRAM的容量不断增加，速度也得到了显著提升。
技术特点：1. 容量：DRAM的容量从最初的几千字节（KB）发展到现在的几十兆字节（MB）甚至几千兆字节（GB）。
这使得计算机能够同时处理更多的数据，提高了系统的性能。
2. 速度：DRAM的访问速度不断提高，从最初的几百纳秒（ns）到现在的几十纳秒甚至更低。
这使得计算机能够更快地读取和写入数据，提高了系统的响应速度。
3. 功耗：随着技术的进步，DRAM的功耗也得到了显著降低。
新一代的DRAM芯片采用了更低的电压供电，减少了能量消耗。
4. 可靠性：DRAM的可靠性也在不断提高。
新的错误检测和纠正技术使得DRAM能够自动检测和修复存储器中的错误，提高了系统的稳定性和可靠性。
未来趋势：1. 容量增加：随着计算机应用的不断扩大，对内存容量的需求也在不断增加。
未来的DRAM芯片将继续提高容量，以满足更多数据处理的需求。
2. 速度提升：随着计算机处理能力的不断提高，对内存访问速度的要求也越来越高。
未来的DRAM技术将继续提高速度，以满足系统对快速数据读写的需求。
3. 低功耗：随着节能环保意识的增强，DRAM芯片的功耗将继续降低。
新的低功耗技术将被应用于DRAM设计中，以减少能源消耗。
4. 新技术应用：未来的DRAM发展可能会涉及新的技术应用，如三维堆叠技术、非易失性存储器等。
这些技术将进一步提高DRAM的性能和可靠性。
总结：DRAM作为一种重要的计算机内存类型，经过多年的发展已经取得了显著的进步。
DRAM的发展
DRAM的发展概述：动态随机存取存储器（DRAM）是一种常用的计算机内存技术，它在计算机系统中起着至关重要的作用。
本文将详细介绍DRAM的发展历程，包括其原理、发展阶段和未来趋势。
一、DRAM的原理DRAM是一种基于电容的存储器技术，它通过电容的充放电来存储和读取数据。
每一个DRAM存储单元由一个电容和一个开关构成。
当电容被充电时，表示存储的是1；当电容被放电时，表示存储的是0。
为了保持数据的稳定性，DRAM需要定期进行刷新操作。
二、DRAM的发展阶段1. 早期DRAM早期的DRAM采用的是单个晶体管和电容的结构，存储密度较低，容量有限。
这种DRAM在20世纪60年代末至70年代初得到了广泛应用，但由于创造工艺的限制，无法进一步提高存储密度。
2. 高密度DRAM随着创造工艺的进步，高密度DRAM应运而生。
这种DRAM采用了多层结构，通过堆叠多个存储层来提高存储密度。
高密度DRAM在80年代初得到了商业化推广，并逐渐取代了早期的DRAM。
3. SDRAM同步动态随机存取存储器（SDRAM）是DRAM的一种改进型。
它在存储和读取数据时采用了同步时钟信号，提高了数据传输速度和带宽。
SDRAM在90年代初得到了广泛应用，成为主流的计算机内存技术。
4. DDR SDRAM双倍数据率同步动态随机存取存储器（DDR SDRAM）是SDRAM的进一步改进。
它在每一个时钟周期内能够传输两次数据，提高了数据传输速度和性能。
DDR SDRAM在2000年代初得到了广泛应用，成为主流的计算机内存技术。
5. DDR2、DDR3和DDR4随着技术的进步，DDR2、DDR3和DDR4相继问世。
这些新一代的DDR SDRAM在数据传输速度、能耗和稳定性方面都有所提升。
DDR4是目前最新的DDR SDRAM标准，已经广泛应用于高性能计算机和服务器领域。
三、DRAM的未来趋势1. 高带宽存储器随着数据中心、人工智能和大数据应用的快速发展，对存储器的带宽需求越来越高。
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D R A M芯片的发展态势江凌DRAM芯片在半导体产业中占有极其重要的地位,它不但市场份额大,而且技术更新换代快,是最具有代表性的集成电路产品。
近两年来,尽管DRAM市场供过于求,产品过剩,价。
韩国成为全球最大供应商韩国在开发和批量生产DRAM芯片方面已走在世界的前列。
尤其是近两年来,韩国加快了在美国、欧洲、亚洲等地建设64Mb/256Mb DRAM生产线的速度,以使其64Mb DRAM 芯片目前占全球30%以上的市场份额。
韩国三星电子公司是世界上最早开发和批量生产64Mb DRAM芯片的公司之一,它比原计划提前半年从16Mb向64Mb转移。
1996年底,该公司的64Mb DRAM芯片月产量达到50万片。
去年,他们又开始批量生产128Mb同步DRAM(SRAM)芯片,这种芯片采用0.23μm工艺技术制作,芯片大小与64Mb一样,因此,可以在目前的系统设计中采用。
去年,该公司还宣布已将其新一代256Mb DRAM的样片交给世界上最大的7家PC制造商,并在今年初开始批量生产这种芯片。
韩国LG半导体公司与日本日立公司合作于1997年在马来西亚建成了64Mb DRAM生产线,并在英国建设64Mb/256Mb DRAM生产线,计划今年竣工。
韩国现代电子公司在美国建设的64Mb/256Mb DRAM生产线于去年底竣工。
1996年,韩国三星电子公司独家开发成功1Gb DRAM样片。
据说这种芯片内含10.74亿工60b DRAM样片,片上集成度达到44亿个元件的高水平,存储量可与CD-ROM相匹敌。
这标志着半导体存储器技术又登上了新的台阶。
日立公司去年1月率先推出128Mb DRAM芯片。
为了研制1Gb DRAM芯片,该公司于1992 年由其中央研究所着手进行开发工作,1997年宣布在实验室开发出样片。
这种样片采用了三维器件结构方式和0.1μm工艺技术,预计2000年可望投入批量生产。
到那时,可以说半导体存储器芯片迎来了千兆位级时代。
富士通公司正在努力开发多种先进的存储器技术。
该公司在去年6月底推出其第一个双数据速率的DRAM(DDR DRAM),并在去年底开始大批量生产。
该公司还将在今年初首次推出Rambus DRAM(RDAM)芯片,并积极参与开发SL DRAM芯片。
尽管目前DDR DRAM、RDAM和SL DRAM都尚未形成规模生产,但它们已被业界专家看作是下一代存储器芯片中的三种最有希望的存储技术。
这三种存储器结构将从1999年开始为争夺PC、工作站、笔记本电脑以及服务器等领域的存储器市场展开激烈竞争。
日本通产省从1993年初开始实施一项称为"原子·分子极限操作技术"的开发计划,打算在21世纪的前几年内利用原子技术开发16Gb DRAM芯片。
参加这项研究工作的有日本、美国和德国的46家公司。
日本政府为这项计划提供了250亿日元的研究费用。
如果这项产品研究成功,它将使千兆位级DRAM芯片的发展进入更加崭新的时代。
,IB,,主芯嵌入式DRAM芯片越来越普遍去年3月,西门子公司宣布其最新嵌入式DRAM技术首次允许超过128Mb,并于夏季开始批量生产。
据该公司称,以前的嵌入式存储器芯片在采用0.35μm工艺技术时,上限只达到12Mb,而现在人们只用一个芯片就可以运行整个PDA,在这种芯片上能集成多达40万个门电路。
它可使嵌入式系统的应用范围更广,因为这种系统所要求的越来越多的存储器特性不需要依靠外部DRAM芯片。
目前,嵌入式DRAM芯片越来越普遍。
例如,东芝公司宣布将推出128Mb嵌入式DRAM芯片;NEC公司也称能将64Mb DRAM芯片用于ASIC上。
同步DRAM技术趋向成熟近几年来,尽管DRAM的速度和吞吐量已有很大提高,但是,随着高性能微处理器的时钟频率已普遍超过300MHz(甚至达到600MHz)以上,而使速度相对较慢的存储器芯片成为系统的瓶颈,严重地影响了系统性能的提高。
为此,需要开发速度更快、数据吞吐量更大和廉价的存储器芯片。
同步DRAM(SDRAM)具有满足这种要求的特性,它能支持同步速度在100MHz以上的微处理器系统,而且目前性能已趋向成熟。
例如,日立公司已抽样出业界第一个能完全遵循Intel PC-100规范的256Mb SDRAM样片,它可以满足最新一代Intel兼容母板对高速存储器的要求。
目前,SDRAM芯片已广泛应用于各种系统中,快速地消除了原先存在于,,,---- DRAM的发展方向有两个，一是高集成度、大容量、低成本，二是高速度、专用化。
---- 从1970年Intel公司推出第一块1K DRAM芯片后，其存储容量基本上是按每三年翻两番的速度发展。
1995年12月韩国三星公司率先宣布利用0.16μm工艺研制成功集成度达1 0亿以上的1000M位的高速（3lns）同步DRAM。
这个领域的竞争非常激烈，为了解决巨额投资和共担市场风险问题，世界范围内的各大半导体厂商纷纷联合，已形成若干合作开发的集团格局。
---- 1996年市场上主推的是4位和16位DRAM芯片，1997年以16M位为主，1998年64M 位大量上市。
64M DRAM的市场占有率达52%；16M DRAM的市场占有率为45%。
今年64MDRAM市场占有率将提高到78%，16M DRAM占1%。
128M DRAM已经出现，明年将出现256M DRAM。
---- 高性能RISC微处理器的时钟已达到100MHz～500MHz，这种情况下，处理器对存储器的带宽要求越来越高。
为了适应高速CPU构成高性能系统的需要，DRAM技术在不断发展。
在市场需求的驱动，出现了一系列新型结构的高速DRAM。
有些厂商把注意力集中在存储器芯片的片外附加逻辑电路上，试图在片外组织连续数据流来提高单位时间内数据流量，即增加存储器的带宽。
有的半导体厂商已开发出能提高存储器存取速度的新产品，例如EDRAM、CDRAM、SDRAM、RDRAM、SLDRAM、DDR DRAM、DRDRAM等。
---- 动态读写存储器的发展---- 为了提高动态读写存储器访问速度而采用不同技术实现的DRAM不断在发展。
存---- SDRAM（Synchronous DRAM）是通过同步时钟对控制接口的操作和安排片内隔行突发方式地址发生器来提高存储器的性能。
不象传统的DRAM那样，需要系统来产生各别的地址对存储器中存放的每个数据字进行访问，它仅需要一个首地址就可以对一个存储块进行访问。
所有的输入采样如输出有效都在同一个系统时钟的上升沿。
所使用的与CPU同步的时钟频率可以高达66MHz～100MHz。
它比一般DRAM增加一个可编程方式寄存器。
采用SDRAM可大大改善内存条的速度和性能，系统设计者可根据处理器要求，灵活地采用交错或顺序脉冲。
---- Samsung半导体公司推出了两种都是16位的典型SDRAM芯片KM48SH2000，采用单一+3.3V电源电压，低电压TTL输入输出电平。
这种芯片可以以100MHz的速率对突发信息进行读和写操作。
采用敏感电平的RAS和单体结构。
RAS线在激活工作和预充电期间都应该保持有效电平而不是给出一个周期的脉冲。
这类似于标准的DRAM芯片的RAS。
采用单体结构可以简化设计和芯片的操作，而且可以减少功耗和成本。
---- Infineon Technologies(原Siemens半导体)今年已批量供应256Mit SDRAM。
其SDRAM用0.2μm技术生产，主要符合PC的标准，主要用于服务器和工作站。
---- 日本NEC公司推出的16位（4M×4、2M×8、1M×6、2M×9、1M×18）流水线双体结构的SDRAM芯片μ PD42116x允许用一个时钟脉冲完成多地址的处理，并在数据输出之前，几个时钟脉冲使列地址有效被送到译码器。
在第一个存储体被访问期间同时对第二个7D时把下一个Cache行读入Cache中。
在某些情况下，128位宽的数据转换缓冲器允许反写周期的写部分是被隐含的。
---- 如果对某个存储单元的写周期没有被映射到当前的SRAM Cache中（未能写命中），数据可能要用15ns的时间被送到数据缓冲器中，然后用150ns写周期写入DRAM。
CDRAM 使用同步时钟去控制所有的操作。
所有控制和地址信号都在同步时钟的边沿之前被建立，并且测量同步时钟的访问的次数。
在对Cache进行突发读或写操作期间，当使用两片CDR AM且其最大突发数据率为267Mbytes/s、32位字宽的情况下新的数据可以每15ns被转换一次。
---- CDRAM有一个同步输出寄存器，它工作在透明、锁定和自动记录模式，时钟屏蔽输入可以使时钟无效以减少功率消耗。
---- 目前三菱公司可以提供的CDRAM为4Mb和16Mb，其片内Cache为16KB，与128位内部总线配合工作，可以实现100MHz的数据访问。
流水线式存取时间为7ns。
---- （6）增强型动态读写存储器EDRAM（Enhanced DRAM）---- 由Ramtron跨国公司推出的带有高速缓冲存储器的DRAM产品称作增强型动态读写存储器EDRAM（Enhanced DRAM），它采用异步操作方式，单一+5V工作电源，CMOS或TTL 输入输出电平。
由于采用一种改进的DRAM 0.76μm CMOS工艺和可以减小寄生电容和提高晶体管增益的结构技术，其性能大大提高，行访问时间为35ns，读/写访问时间可以提高到对这年是量的存储器有相同的引脚并连接在同一组总线上。
Rambus公司开发了这种新型结构的DR AM，但是它本身并不生产，而是通过发放许可证的方式转让它的技术，已经得到生产许可的半导体公司有NEC、Fujitsu、Toshiba、Hitachi和LG等。
---- 下一代新型DRAM---- 被业界看好的下一代新型DRAM有三种：双数据传输率同步动态读写存储器（DDR S DRAM）、同步链动态读写存储器（SLDRAM）和Rambus接口DRAM（RDRAM）。
---- （1）DDR DRAM（Double Data Rate DRAM）---- 在同步动态读写存储器SDRAM的基础上，采用延时锁定环（Delay-locked Loop）技术提供数据选通信号对数据进行精确定位，在时钟脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据（而不是第一代SDRAM仅在时钟脉冲的下降沿传输数据），这样就在不提高时钟频率的情况下，使数据传输率提高一倍，故称作双数据传输率（DDR）DRAM，它实际上是第二代S DRAM。
由于DDR DRAM需要新的高速时钟同步电路和符合JEDEC标准的存储器模块，所以主板和芯片组的成本较高，一般只能用于高档服务器和工作站上，其价格在中低档PC机上可能难以接受。