√半导体存储器——分类、结构和性能
汇编语言设计-半导体存储器

I/O4∽1
1K4
数据线、读/写控制线并联,
A9∽0
由片选信号来区分各芯片的
CS WE
CS
地址范围。
I/O4∽1
1K4
A9∽0 CS WE
WR
当把容量较小的芯片组成容量较大的存储器时, 需要用 到地址译码器, 以便将地址码翻译成相应的控制信号, 且 用它去控制芯片的片选信号CS。 例如: 试用16K8位的SRAM芯片构成一个64KB的RAM 系统。
片经多次拔插后, 容易损坏管脚; 而且擦除后重写的次数
也是有限的, 多次的拔插降低了芯片的使用寿命。 E2PROM则是一种不需要从电路板上拔下, 而直接在线
用电信号进行擦除的EPROM芯片, 对它的编程也在线操
作,因此, 使用寿命长、改写操作步骤简单。 2、不挥发RAM-NV RAM NV RAM的性能同RAM类似, 但掉电后信息不会丢失(挥
第二节 读写存储器RAM
一、静态MOS RAM 1、基本存储电路 思考:静态MOS六管基本存储电路的结构特点及读写
工作原理。
2、RAM的组成原理(存储器的结构)
AA10 AN-1
•••
地址 译码器
•••
存储矩阵 2NM
•••
三态数据 缓冲器
•••
D0 D1 DM-1
R/W CS
控制逻辑
⑴、存储矩阵
数据线分别单独引出。
例:将1K4位的SRAM芯片组合成1KB的存储器。
分析:采用两块1K4位的RAM芯片,其中一片的数据线
与CPU数据线的低4位相连,另一块的数据线与数据总线
的高4位相连。如图示:
D0
说明:WE通常由CPU的WR
• •
信号控制;CS由地址译码控制。 •
半导体存储器的分类

半导体存储器的分类作者去者日期 2010-3-20 14:27:002推荐1.按制造工艺分类半导体存储器可以分为双极型和金属氧化物半导体型两类。
双极型(bipolar)由TTL晶体管逻辑电路构成。
该类存储器件的工作速度快,与CPU处在同一量级,但集成度低,功耗大,价格偏高,在微机系统中常用做高速缓冲存储器cache。
金属氧化物半导体型,简称MOS型。
该类存储器有多种制造工艺,如NMOS, HMOS, CMOS, CHMOS等,可用来制造多种半导体存储器件,如静态RAM、动态RAM、EPROM等。
该类存储器的集成度高,功耗低,价格便宜,但速度较双极型器件慢。
微机的内存主要由MOS型半导体构成。
2.按存取方式分类半导体存储器可分为只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM)两大类。
ROM是一种非易失性存储器,其特点是信息一旦写入,就固定不变,掉电后,信息也不会丢失。
在使用过程中,只能读出,一般不能修改,常用于保存无须修改就可长期使用的程序和数据,如主板上的基本输入/输出系统程序BIOS、打印机中的汉字库、外部设备的驱动程序等,也可作为I/O数据缓冲存储器、堆栈等。
RAM是一种易失性存储器,其特点是在使用过程中,信息可以随机写入或读出,使用灵活,但信息不能永久保存,一旦掉电,信息就会自动丢失,常用做内存,存放正在运行的程序和数据。
(1)ROM的类型根据不同的编程写入方式,ROM分为以下几种。
① 掩膜ROM掩膜ROM存储的信息是由生产厂家根据用户的要求,在生产过程中采用掩膜工艺(即光刻图形技术)一次性直接写入的。
掩膜ROM一旦制成后,其内容不能再改写,因此它只适合于存储永久性保存的程序和数据。
② PROMPROM(programmable ROM)为一次编程ROM。
它的编程逻辑器件靠存储单元中熔丝的断开与接通来表示存储的信息:当熔丝被烧断时,表示信息“0”;当熔丝接通时,表示信息“1”。
由于存储单元的熔丝一旦被烧断就不能恢复,因此PROM存储的信息只能写入一次,不能擦除和改写。
半导体存储器的组成与基本结构

半导体存储器的组成与基本结构
半导体存储器的组成与基本结构
1 半导体存储器是由多种元件以及组件组成的,包括:
(1) 存储元件:用于空间上存储信息的元件,包括行选择元件、门电极、存取道和存储单元;
(2) 读写元件:与存储元件有关的元件,用于读取或写入存储元件中
的信息,包括数据信号电极和控制信号电极;
(3) 连接元件:用于彼此连接存储元件、读写元件和外部接口的元件,包括连接电路和接口;
(4) 功能组件:控制与调节半导体存储器工作的元件,包括电源、锁
存器和计时器;
(5) 封装元件:用于保护内部机构结构,提供与外界连接的元件,包
括封装、连接器和防火片;
2 半导体存储器的基本结构有:
(1) 存储元件:存储元件通常包括门电极、存取道和存储单元,采用
多位或多级结构空间上存储信息;
(2) 读写元件:读写元件与存储元件有关,利用电声的静电双向效应
实现存取动作,包括数据信号电极和控制信号电极;
(3) 连接元件:连接元件用于连接存储元件与读写元件,以及外部的
接口,包括连接电路和接口;
(4) 功能组件:功能组件用于控制与调节半导体存储器的工作,包括
电源、锁存器和计时器;
(5) 封装元件:封装元件用于提供与外界连接,保护内部机构结构,常见的封装元件有封装、连接器和防火片。
半导体存储器分类

半导体存储器分类
半导体存储器分类
1、按功能分为
(1)随机存取存储器(RAM)特点:包括DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器),当关机或断电时,其中的信息都会随之丢失。
DRAM主要用于主存(内存的主体部分),SRAM主要用于高速缓存存储器。
(2)只读存储器(ROM)特点:只读存储器的特点是只能读出不能随意写入信息,在主板上的ROM里面固化了一个基本输入/输出系统,称为BIOS(基本输入输出系统)。
其主要作用是完成对系统的加电自检、系统中各功能模块的初始化、系统的基本输入/输出的驱动程序及引导操作系统。
2、按其制造工艺可分为
(1)双极型存储器特点:运算速度比磁芯存储器速度约快3个数量级,而且与双极型逻辑电路型式相同,使接口大为简化。
半导体存储器的分类及应用

半导体存储器的分类及应用半导体存储器主要分为随机存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两大类。
1. 随机存储器(RAM):RAM是一种易失性存储器,其中存储的数据在断电后会丢失。
RAM主要用于临时存储计算机的运行数据和程序。
根据存储单元的结构,RAM可分为静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)。
- 静态随机存储器(SRAM):SRAM由触发器构成,每个存储单元需要多个晶体管和电容器来存储一个位。
SRAM具有快速访问速度和较低的功耗,常用于高速缓存、寄存器文件和缓冲存储器等。
- 动态随机存储器(DRAM):DRAM由电容器和晶体管构成,每个存储单元只需要一个电容器和一个晶体管来存储一个位。
DRAM的存储单元较小,但在每次读取数据后需要刷新电容器,因此访问速度相对较慢。
DRAM广泛应用于主存储器(内存)和图形存储缓冲区等。
2. 只读存储器(ROM):ROM是一种非易失性存储器,其中存储的数据在断电后不会丢失。
ROM主要用于存储不需要频繁修改的固定数据,例如计算机的固件程序、启动代码和存储器初始化信息等。
根据存储单元的可编程性,ROM可分为可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)和电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。
- 可编程只读存储器(PROM):PROM的存储单元由固定的晶体管和电容器组成,存储内容不能被修改。
- 可擦除可编程只读存储器(EPROM):EPROM的存储单元由浮栅晶体管(FET)和电容器组成,可以通过曝光紫外光擦除并重新编程。
EPROM的擦除程序相对麻烦。
- 电可擦除可编程只读存储器(EEPROM):EEPROM的存储单元由浮栅晶体管(FET)和电容器组成,可以通过电信号擦除和编程。
EEPROM的擦除和编程过程相对容易,且可以单独对存储单元进行操作。
半导体存储器广泛应用于计算机、通信、嵌入式系统等领域,包括但不限于以下几个应用:- 主存储器(内存):作为计算机的主要存储器,用于存储正在执行的程序和运行数据。
半导体存储器的分类和特点

半导体存储器的分类和特点
1. 嘿,咱先来说说半导体存储器里的随机存储器(RAM)呀。
就好比
你的书桌,随时能放东西上去,也能随时拿走,可方便啦!比如你的手机运行程序时,这些数据就可以随时被读写,快速得很呢!
2. 然后呢,还有只读存储器(ROM)哦。
这就像是一本固定的百科全书,
里面的知识是预先存好的,不能随便改,但是却能一直被读取。
像电脑的BIOS 就是用它呢,稳定得很呐!
3. 再说说闪存(Flash)呀。
这个可厉害啦,就像一个超灵活的小仓库!比
如我们的 U 盘,能存好多东西,随时携带,随时用,多棒呀!
4. 静态随机存储器(SRAM)也不能忽略呀!它的速度那叫一个快,就像短跑运动员一样迅猛。
像一些高速缓存就常用它,是不是很了不起?
5. 动态随机存储器(DRAM)呢,虽然速度比SRAM 慢点,但它容量大呀,像个大容量的储存箱。
电脑的内存很多就是用的它呢!
6. 还有一种叫可编程只读存储器(PROM)呢,就好比一个可以自己设定规则的小天地。
一旦设定好,就按照你的想法来,多有意思!
7. 最后是电可擦可编程只读存储器(EEPROM)呀,它就像一个可以反复
修改的笔记,想怎么改就怎么改。
像一些需要经常更新数据的地方就常用它啦!
总之啊,半导体存储器的分类可多啦,每种都有自己独特的特点和用处,真的是超级厉害呢!。
半导体存储器分类

半导体存储器分类1. 引言半导体存储器是一种用于存储和检索数据的电子设备,广泛应用于计算机、通信设备、嵌入式系统等领域。
根据存储原理和结构特点,半导体存储器可以分为多种不同类型。
本文将对半导体存储器进行分类,并对每种类型进行详细介绍。
2. 分类根据存储原理和结构特点,半导体存储器可以分为以下几种类型:2.1 随机存取存储器(RAM)随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)是一种能够随机访问任意存储单元的存储器。
RAM可以分为静态随机存取存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存取存储器(Dynamic RAM,DRAM)两种类型。
2.1.1 静态随机存取存储器(SRAM)静态随机存取存储器使用触发器作为存储单元,每个存储单元由6个晶体管构成。
SRAM的速度快、可靠性高,但功耗较高,存储密度较低。
2.1.2 动态随机存取存储器(DRAM)动态随机存取存储器使用电容作为存储单元,每个存储单元由一个电容和一个访问晶体管构成。
DRAM具有较高的存储密度和较低的成本,但需要定期刷新以保持数据的稳定性。
2.2 只读存储器(ROM)只读存储器(Read-Only Memory,ROM)是一种无法进行写操作的存储器,其中的数据在制造过程中被烧录,并在使用过程中保持不变。
ROM可以分为可编程只读存储器(Programmable ROM,PROM)、可擦写只读存储器(Erasable Programmable ROM,EPROM)和闪存(Flash)等类型。
2.2.1 可编程只读存储器(PROM)可编程只读存储器是一种可以被用户编程的只读存储器。
在制造过程中,PROM的存储单元被烧录为1或0,用户可以使用特殊的设备将某些存储单元从1改为0,但无法反向操作。
2.2.2 可擦写只读存储器(EPROM)可擦写只读存储器可以被用户多次擦除和编程的只读存储器。
EPROM在制造过程中被烧录,但用户可以使用紫外线辐射将其擦除,并重新编程。
半导体存储器全解

静态随机读写存储器(SRAM)
动态随机读写存储器(DRAM)
掩模只读存储器MROM 一次性可编程只读存储器(OTP) 紫外线可擦除可编程只读存储器(EPROM) 电可擦除可编程只读存储器(E2PROM)
闪烁存储器(FLASH E2PROM)
RAM: 随机读写存储器(Random Access Memory) 数据可以随时存入(写)或取出(读)。断电数据会丢失。 ROM: 只读存储器(Read Only Memory) 存放固定数据,事先写入,工作中可随时读取。断电数据不会丢失 MROM:掩模只读存储器 (Masked ROM) 制造时固化数据,工作中只读,得不改写,适用于大批量产品。 OTP:一次性可编程只读存储器(One Time Programmble ROM) 使用前,用户一次性写入数据,不得改写。适用于小批量产品。 EPROM:紫外线可擦除可编程只读存储器(Erasable PROM) 数据写入后,可用紫外线照射擦除 。擦除后可重写。 E2PROM:电可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable PROM) 数据写入后,可施加电信号将数据擦除,并写入新数据 ,可反复擦 写上百次,适用于开发阶段或小批量产品的生产。可在线读写。 FLASH E2PROM:闪烁存储器。 具有E2PROM的擦写特点,擦除速度快得多,擦写次数达上千次。 按制造工艺分类, 双极型存储器:工作速度快,但功耗大、集成度不高; MOS型存储器:制作工艺简单,集成度高,功耗耗,容量大,成本低。 工作速度得到极大地提高,得到广泛应用。
5.2
5.2.1 SRAM
随机读写存储器RAM
行选择 X 存储 单元
MOS六管存储单元 T1~T4构成基本RS触发器 。 读取数据:使X、Y有效,T5~T8 开通,触发器的两个互补输出端分 别向 D、 D 端传出数据; 写入数据:先将待写入的数据送 到 D、 D 端上,再使X、Y有效, T5~T8开通,外来数据强行使触发器 置位或复位。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
半导体存储器(解说)——分类、结构和性能——作者:Xie M. X. (UESTC,成都市)计算机等许多系统中都离不开存储器。
存储器就是能够存储数据、并且根据地址码还可以读出其中数据的一种器件。
存储器有两大类:磁存储器和半导体存储器。
(1)半导体存储器的分类和基本结构:半导体存储器是一种大规模集成电路,它的分类如图1所示。
半导体存储器根据其在切断电源以后能否保存数据的特性,可区分为不挥发性存储器和易挥发性存储器两大类。
磁存储器也都是不挥发性存储器。
半导体存储器也可根据其存储数据的方式不同,区分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两大类。
RAM可以对任意一个存储单元、以任意的次序来存/取(即读出/写入)数据,并且存/取的时间都相等。
ROM则是在制造时即已经存储好了数据,一般不具备写入功能,只能读出数据(现在已经发展出了多种既可读出、又可写入的ROM)。
半导体存储器还可以根据其所采用工艺技术的不同,区分为MOS存储器和双极型存储器两种。
采用MOS工艺制造的称为MOS存储器;MOS存储器具有密度高、功耗低、输入阻抗高和价格便宜等优点,用得最多。
采用双极型工艺制造的,称为双极型存储器;双极型存储器的优点就是工作速度高。
图1 半导体存储器的分类半导体存储器的基本结构就是存储器阵列及其它电路。
存储器阵列(memory array)是半导体存储器的主体,用以存储数据;其他就是输入端的地址码缓存器、行译码器、读出放大器、列译码器和输出缓冲器等组成。
各个存储单元处在字线(WL,word line)与位线(BL,bit line)的交点上。
如果存储器有N个地址码输入端,则该存储器就具有2N比特的存储容量;若存储器阵列有2n根字线,那么相应的就有2N n条位线(相互交叉排列)。
在存储器读出其中的数据时,首先需通过地址码缓存器把地址码信号送入到行译码器、并进入到字线,再由行译码器选出一个WL,然后把一个位线上得到的数据(微小信号)通过读出放大器进行放大,并由列译码器选出其中一个读出放大器,把放大了的信号通过多路输出缓冲器而输出。
在写入数据时,首先需要把数据送给由列译码器选出的位线,然后再存入到位线与字线相交的存储单元中。
当然,对于不必写入数据的ROM(只读存储器)而言,就不需要写入电路。
(2)RAM和ROM的比较:RAM(随机存取存储器)中的每一个单元都有x-y地址,这不同于其他串行存储器(如磁存储器)。
RAM大体上可分为SRAM(静态RAM)和DRAM(动态RAM)两种,SRAM 是能够长期保留数据的存储器(只要不断开电源),而DRAM则是需要不断“刷新”(即不断进行存储动作)的存储器。
ROM(只读存储器)的体系结构与RAM类似,则ROM也具有随机存取的能力;ROM 又称为读写存储器。
RAM和ROM的读出过程完全相同,但是其读出(取)和写入(存)的频率不同:RAM 的读/写机会几乎相等;而ROM的读出频率一般要远高于其写入频率。
ROM具有定向写入能力(可从没有任何写入能力的纯ROM写入到EEPROM);ROM 的寿命(写入/擦除的次数)在104次以上。
此外,ROM比RAM的尺寸小、性价比高。
因此,只要是没有繁琐写入时都可采用ROM,例如查表(代码转换、字符发生、三角函数等);也可用于存储逻辑功能(如可编程逻辑器件)和例行程序。
(3)典型的半导体存储器:①SRAM(静态RAM):“静态”即表示只要电源不断,就能够稳定地保存数据。
SRAM在实质上就是一个双稳态的触发器。
在图2中示出了由双稳态触发器构成的一种SRAM阵列。
BL上面的横线表示互补。
图2 2×2的CMOS-SRAM阵列存储单元的构成:在图2的每一个单元中都包含有两个反向并联的倒相器和两个传输门晶体管,即为六个晶体管的单元(6T存储单元)。
这里采用了CMOS器件,故这种6T存储单元也称为CMOS 型存储单元。
6T存储单元中的p-MOSFET为负载管,因为该负载管的电流大小不是关键因素,故可用面积较小的TFT(薄膜晶体管)来代替,也可以采用电阻来代替。
若采用电阻负载的存储单元,则称为高阻负载型存储单元(或称为4T存储单元);实际上这里的电阻负载往往采用耗尽型MOS二极管来代替。
●两种存储单元的比较:CMOS型存储单元包括两个反相器和两个传输门,共有两种型式(p型和n型)的6个晶体管,因此结构较复杂。
但是,CMOS型存储单元的功耗小(直流电流<0.1pA)、动态范围大和工作温度范围宽,从而在SRAM存储单元的周围电路中也都采用CMOS;于是,因待机时的耗电<0.1pA,所以在利用电池工作时可以保存数据达十年以上。
高阻负载型存储单元的结构较简单,其负载电阻可以采用堆积在晶体管上的多晶硅布线层来构成,因此是一种立体结构。
通过加大负载电阻,可以把存储单元消耗的电流降低到1pA数量级,并且通过采用CMOS的周围电路可以获得待机时的耗电为1μA数量级;因此,利用电池可以把数据保存两年左右。
然而由于负载电阻较大,则这种双稳态电路难以确保在保持和读出数据时的稳定性。
●SRAM的特点和应用:与DRAM相比,虽然SRAM存储单元所需要的晶体管数目较多(6T或者4T),故不利于大规模集成。
但是SRAM读出数据的速度较快(因为在读出时不会破坏存储单元本身的数据),并且保存数据所需要的耗电也较小,所以SRAM通常用作为与高速处理器之间传递数据的存储器——超高速缓冲存储器(cache memory)或者携带式电子设备的存储器。
②DRAM(动态RAM):DRAM的存储单元由一个电容器和一个晶体管(1Tr/1Cap)组成,这里的电容器用以存储数据电荷,而晶体管起着电荷传输门的作用(晶体管采用共栅接法,速度较快)。
图3示出的是由单管单元构成的DRAM阵列。
●工作原理和基本特性:DRAM的工作:当电容器与晶体管连接的记忆节点上的电位为电源电压(V CC)时,存储单元的数据即对应于“1”,当记忆节点上的电位为地电位(0V)时,存储单元的数据即对应于“0”。
加在电容器多晶硅电极上的电压为恒定值(即设定为记忆节点上的最大电位的一半,大约为V CC/2),以使得作用在电容器氧化层上的电场尽量小。
存储电荷数量的估算(以1Mbit的DRAM为例):为了防止存储器集成电路发生因α粒子的电离作用而引起的软击穿(soft-error),往往就要求电容器存储有一定数量的电荷,即要求电容器具有一定的电容量(大约为图3 单管单元的DRAM阵列30fF)。
因此,可设电容器的有效面积为A=6μm2,氧化层厚度为t ox=7nm,则电容器的电容量为C S = A×(εox / t ox) = 6μm2×[(3.9×8.85×10-14F/cm)/7nm] ≈30 fF如果电源电压V CC=5V,则得到电容器中存储电荷的数量为Q C = C S×V CC/2 =30 fF×2.5V=75×10-15C≈(47×104)×(1.6×10-19C)即电容器中存储有大约47万个电子。
由于电容器总有一定的漏电流,则为了让数据电荷保存较长的时间,就要求氧化层质较好;并且还要定期地刷新——恢复数据(再生)。
如果要求数据电荷保存1秒钟,那么就必须把漏电的速度控制在ΔQ/Δt= Q C/1秒=0.075pA≈1个电子/2微秒以下。
DRAM的读出:因为当读出存储单元中的微量电荷时,将使得存储在存储单元中的数据受到破坏,故DRAM的读出是一种破坏性的过程;并从而必须要对微小的数据电压进行放大之后才能实现读出,这就需要一定的时间(读出时间),该读出时间至少也得要30ns。
而SRAM的读出时间很短,因为它在读出时并不破坏存储的数据。
● DRAM 的结构设计:虽然DRAM 的单元都是1Tr/1Cap ,但是其具体结构却是多种多样的。
因为DRAM 存储的数据都是用电荷的数量来表示的,所以如何采用最小的硅片面积来获得最大的电容量,这就是设计DRAM 时所需要考虑的重要问题。
在存储容量小于1Mbit 的DRAM 中,通常采用“平面型存储单元”的结构,它的横截面如图4所示。
这里采用了三层多晶硅,即晶体管栅极、电容器电极和存储单元的位线都采用掺杂多晶硅来制作,故称这种结构为三层多晶硅结构。
多晶硅的使用,不仅减小了存储单元的面积,而且也使得存储单元结构的改变更加自由。
在存储容量更大的DRAM 中,为了在很小面积的存储单元上确保具有一定的电容量,就采用了立体式的存储单元结构。
一种就是沟槽型结构,即是在硅片表面上首先刻出沟槽,然后再在沟槽的内表面上形成绝缘层,以增大电容器极板的面积;另外一种就是堆积型结构,即是首先形成晶体管,然后再在上面覆盖多晶硅层(作为电容器的电极)以增大电容器极板面积。
● 数据的读出和写入:因为DRAM 在读出时往往会使数据信号丧失,所以需要读出再生放大器。
由于DRAM 的存储单元所需要的元器件数目较少,故适合于大规模集成,并且每一个bit 的成本较低,所以,尽管DRAM 在工作时需要不断刷新,但它仍然是随机存取存储器中用得最多的一种形式。
③ MROM (掩模只读存储器,mask ROM ):MROM 的存储单元由一个晶体管构成,如图5所示。
MROM 中晶体管的状态(“0”和“1”)由漏极和位线之间的内部连接(接通或者断开)来决定。
MROM 在制作时就已经把信息固定在存储单元中了,所以不能重新改写其中的数据(即不能再编程)。
信息的写入是在工艺中、通过一块存储有数据的掩模来实现的;可采用三种工艺方式来写入:利用扩散或形成电极的工艺来切断电流通路,或者利用离子注入工艺来改变晶体管的阈值电压以使得成为常通的耗尽型晶体管。
有时把MROM 就简称为ROM 。
MROM 的数据写入时间(TA T )较长,因为需要通过掩模和某种工艺来实现。
一般,采用离子注入工艺的TA T 最长,但是这种方式对应的单元面积较小;采用电极工艺的TA T 较短,但是存储单元的面积较大。
④ FPROM (熔丝可编程只读存储器或现场可编程只读存储器,Fuse PROM ):PROM 是用户自己可以进行自由写入数据(编程)的一种只读存储器——可编程ROM 。
其中的FPROM 则是用户可采用熔丝技术或者反熔丝技术来实现写入(编程)的PROM ;这种存储器阵列的结构类似于图5,所不同的是阵列之间的内部连接(即编程)由用户自己来完成。
当FPROM 一旦写入了数据之后,该存储器就不能再更改其中的数据,因为写入数据时,需要通过较大的电流(利用双极型技术)才能把熔丝熔断或者熔接起来。
⑤ EPROM (可擦除、可编程只读存储器,Erasable图5 MROM 阵列 图4 平面型DRAM 存储单元PROM):EPROM是采用带有控制栅极的浮置栅雪崩注入MOS晶体管(FAMOS)来作为存储器件的一种PROM。