第9.1-10(多学时全部1)

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元素化学大纲

元素化学大纲

无机化学(化学专业)(Inorganic Chemistry)基本内容及学时分配第一章化学的基本概念(4学时,自学)1.1溶液浓度的计算1.2液体的蒸气压1.3理想气体定律1.4国际单位制第二章化学热力学初步(6学时)2.1 热力学第一定律: 功;热;内能。

2.2 热化学:化学反应热效应;焓变;恒容反应热;恒压反应热。

2.3 熵的初步概念:物理意义;标准熵;反应熵变。

2.3 化学反应方向:自由能变;吉布斯-赫姆霍兹方程。

第三章化学平衡原理(4学时)3.1 道尔顿气体分压定律3.2 平衡常数及其应用:表达式;标准平衡常数;经验平衡常数。

3.3 平衡常数与自由能变3.4 化学平衡的移动第四章弱酸弱碱电离平衡、酸碱理论、沉淀溶解平衡(10学时)4.1 弱酸弱碱电离平衡:一元弱酸弱碱电离平衡;多元弱酸电离平衡;同离子效应;缓冲溶液;盐的水解。

4.2 溶液酸碱性:水的电离;pH值。

4.3 酸碱理论简介:质子理论;电子理论;软硬酸碱理论。

4.4 沉淀溶解平衡:溶度积常数;多重平衡计算。

第五章氧化还原反应(10学时)5.1氧化还原反应基本知识:离子-电子法配平。

5.2电池电动势:原电池及其表示;电极电势;电动势与反应自由能变化关系;标准电极电势表应用;Nernst方程式;复杂电极电势计算。

5.3 电解5.4 化学电源第六章原子结构(8学时)6.1原子核外电子运动状态:氢光谱;玻尔理论;波粒二象性;测不准原理;波函数基本概念;几率;几率密度;四个量子数;波函数和几率密度函数的角度分布。

6.2原子核外电子排布与元素周期律:多电子原子的能级;电子组态构造;元素周期表。

6.3元素基本性质的周期性第七章化学键和分子结构(14学时)7.1离子键:形成与本质;晶格能;玻恩-哈伯循环;晶格能与离子型化合物熔点沸点的关系。

7.2共价键与分子结构:现代价键理论;杂化轨道理论;价电子对互斥理论;离域大Π键;分子轨道理论。

7.3分子间作用力:偶极;诱导偶极;色散力;氢键。

C催化剂催化氢化αβ-不饱和醛酮的碳-陇东学院化学化工学院

C催化剂催化氢化αβ-不饱和醛酮的碳-陇东学院化学化工学院
O
Pd/ C ,1% Na2C O3 5% 348K, 4h, H2
O
镁和甲醇在回流中催化还原α,β-不饱和酯可定量给出α, β-碳-碳 双键还原产物
CO2Et
Mg/MeOH
H OH
CO2Et H
H HO
化学化工学院
9.2催化氢化反应
在相转移催化条件下,可催化选择还原 α,β-不 饱和酮的碳-碳双键,且具有高立体选择性。
B6
催化氢解反应
和杂原子如氧原子、氮原子、硫原子等相连接的芐基型化 合物或钯催化剂的作用下容易发生氢解
RNHC H 2Ar RO C H 2Ar RS C H2Ar RNH2 + ArC H3 RO H + ArC H 3 RS H + ArC H 3
在多肽合成中,应用苯甲氧酰基保护氨基,当完成保护作 用之后,可以用催化氢解法除去。反应式如下
O + 2Na-Hg O H2O C HO H
O HC O O C O2H Zn -Hg, HC l Me Δ O CH 3 Zn (Hg) HC l O C O2H OH OH O CH 3
C H(C H 2)10C O2R 异油酸酯
化学化工学院
9.2催化氢化反应
烯烃化合物中,双键上的取代基不同,其被还 原的速率不同,取代基数目越多,就越难被还原, 因而产生如下由易到难的反应活性顺序:
化学化工学院
9.2催化氢化反应
各类烃化物在第Ⅷ族金属表面上的吸附能力有如下顺序: 炔烃>双烯烃>烯烃>烷烃 当烯烃和炔烃共存时,催化剂的表面首先吸附炔烃 ,从而炔烃被活化,能与吸附在催化剂表面上的氢发生 反应。只有当其中的炔烃被全部氢化之后,烯烃才有可 能被吸附在催化剂的表面,开始进行氢化反应。这种高 度的选择性,在工业上具有重大意义

电路分析(第4版)——教学大纲、授课计划

电路分析(第4版)——教学大纲、授课计划

《电路分析(第4版)》教学大纲一、课程信息课程名称M电路分析(第4版)课程类别,素质选修课/专业基础课课程性质:选修/必修计划学时:72计划学分:4先修课程M无选用教材:《电路分析(第4版)》,刘良成、陈波、刘冬梅主编,2023年,电子工业出版社教材。

适用专业,本课程可作为高等学校电气、电子、自动化等专业本科的课程,以及考研复习课程,也可供相关专业工程技术人员自学参考。

课程负责人:二、课程简介该课程主要内容有:电路的基本概念和基本定律,电阻电路的―一般分析方法和基本定理及应用,动态电路,正弦稳态电路,三相电路,耦合电感电路,非正弦周期信号及电路的谐波分析,频率响应与谐振电路,拉氏变换及其应用,二端口网络及多端元件,非线性电路基础。

附录A中介绍了当前国际流行的电路仿真分析软件三、课程教学要求求与相关教学要求的具体描述。

“关联程度”栏中字母表示二者关联程度。

关联程度按高关联、中关联、低关联三档分别表示为“H”或"1”。

“课程教学要求”及“关联程度”中的空白栏表示该课程与所对应的专业毕业要求条目不相关。

四、课程教学内容五、考核要求及成绩评定六、学生学习建议(-)学习方法建议1.通过开展课堂讨论、实践活动,增强的团队交流能力,学会如何与他人合作、沟通、协调等等。

2.通过思考,加深自己的兴趣,巩固知识点。

3.进行练习和实践,提高自己的技能和应用能力,加深对知识的理解和记忆。

(-)学生课外阅读参考资料《电路分析(第4版)》,刘良成、陈波、刘冬梅主编,2023年,电子工业出版社教材。

七、课程改革与建设课程在系统介绍理论知识的同时,结合当前行业的现状进行具象化实践,通过完整的案例串联数字信息、硬件结构与软件实现,帮助学生对数字信息与逻辑的本质建立更直观、更立体的思维模型。

使操作过程更加实时,鼓励学生在动手操作的过程中提出问题并给出解决方案。

平时对学生的考核内容包括出勤情况、学生的课后作业、课堂讨论等方面,占期末总评的50%。

《物理化学》课程教学大纲

《物理化学》课程教学大纲

物理化学Physical Chemistry一、课程基本情况课程类别:学科基础课课程学分:3学分课程总学时:48 学时,其中讲课:48 学时课程性质:必修开课学期:第3学期先修课程:高等数学、大学物理、材料化学适用专业:应用化学,材料物理等教材:沈文霞编,《物理化学核心教程》,科学出版社,2009年。

开课单位:物理与光电工程学院材料物理系二、课程性质、教学目标和任务本课程是适用于应用化学,材料物理等相关专业的学科基础课,本课程主要解决化学反应的方向和限度、化学反应的速率和机理等方面的问题,着重研究学科内更具普遍性的、更本质的化学运动内在规律,研究化学中的物质运动基本规律。

通过本课程的学习,要求学生了解和理解物理化学中重要的基本概念和基本知识,掌握各基本原理、定律、规则,并能进行计算和综合运用,解决一些实际问题,使学生在今后的实际工作中能有意识的运用化学观点去思考、认识和解决问题。

该课程的任务是激发学生学习化学的兴趣,将化学知识体系和思维方法传授给学生,培养学生分析和解决一般化学问题的能力,提高学生的化学素质,从而为后继课程以及今后从事生产和科研打下一定的化学基础。

三、教学内容和要求第1章绪论(1学时)(1)明确为什么要学习物理化学,了解物理化学课程内容;(2)掌握物理化学研究与学习的方法;(3)掌握物理量的表示与运算。

重点:物理量的表示难点:物理量的表示与运算第2章气体(2学时)(1)了解低压气体的经验定律、真实气体的状态方程;(2)理解液体的饱和蒸汽压和临界状态;(3)理解道尔顿分压定律和阿马格分体积定律(4)掌握理想气体的状态方程、混合物组成表示法;重点:混合物组成表示法;难点:液体的饱和蒸汽压和临界状态;道尔顿分压定律和阿马格分体积定律;第3章热力学第一定律(7学时)3.1 热力学概论(0.5学时)(1)了解热力学的研究对象;热力学的研究方法和(2)理解热力学研究方法的局限性;(3)掌握热力学研究方法;重点:热力学研究方法;难点:热力学研究方法的局限性;3.2 热力学的一些基本概念(0.5学时)(1)掌握热力学的一些基本概念;(2)掌握状态函数的特点;重点:热力学的一些基本概念;难点:状态函数的特点;3.3 热力学第一定律(1学时)(1)理解内能(U )和焓(H)都是状态函数、热(Q)和功(W )都是与途径有关的过程量。

本科专业认证《程序设计、算法与数据结构(一)》教学大纲

本科专业认证《程序设计、算法与数据结构(一)》教学大纲

《程序设计、算法与数据结构(一)》教学大纲课程编号:0812000217课程名称:程序设计、算法与数据结构(一)英文名称:Programming,Algorithm and Data Structure I学分:3 课程性质:必修总学时:48 其中,讲授48学时,实验0学时,上机0学时,实训0学时适用专业:网络工程建议开设学期: 1先修课程:无开课单位:计算机与通信工程学院一、课程简介《程序设计、算法与数据结构(一)》是计算机科学与技术、软件工程、网络工程、通信工程专业基础课程,是课程群的启蒙课,也是学生进入大学后的第一门程序设计类课程,其目的是以C语言程序设计为基础,使学生熟悉C程序设计的基本语法,通过大量的编程练习,引导学生进入程序设计的殿堂,培养学生基本的数据结构和算法分析能力,为后续课程的学习打下基础。

二、课程目标与毕业要求依据2017培养方案中的毕业要求,考虑本课程与专业毕业要求的支撑关系,制定本课程学习目标。

课程目标1:通过程序三种基本控制结构,函数等知识点的学习,要求学生掌握结构化程序设计的基本思想,深入领会自顶向下、逐步求精的设计方法,识别网络工程项目的设计与开发过程中功能模块划分的问题。

(支持毕业要求 2.1能运用数学、自然科学及网络工程的基本原理,识别和判断网络工程问题的关键环节。

)课程目标2:在程序设计C语言后阶段学习过程中,针对成绩管理信息系统大作业的要求,将同学分组了解系统功能与应用背景,对具体的开发任务进行分工联调并编程实现。

通过系统实现强化个体的角色意识和团队意识。

(支撑毕业要求9.1:能够理解多学科背景下的团队中每个角色的定位与责任,具有团队合作意识,能够胜任个体、团队成员的角色任务。

)课程目标3:通过学习标准的C语言程序设计语法,运用函数、线性表、字符串、链表等基本知识,通过学习算法的描述方法,使学生能将实际问题转换成计算机描述的算法问题,培养学生运用程序算法的描述方法进行交流的能力。

《运筹学》教案汇总

《运筹学》教案汇总

《运筹学》教案授课专业:信息管理、工程管理任课教师:黄健南通大学商学院2007.2教案用纸第 1 次课 3 学时上次课复习:无一、本次课题(或教材章节题目):绪论1、运筹学的性质和特点2、运筹学的模型与工作步骤3、运筹学的应用与展望教学要求: 1、了解运筹学的性质和特点、运筹学的应用与展望2、运筹学的模型与工作步骤重点:运筹学工作步骤难点:无教学手段及教具:讲授讲授内容:1、运筹学的性质和特点2、运筹学的模型与工作步骤3、运筹学的应用与展望课后作业无同济大学出版社:运筹学教程参考资料高等教育出版社:管理运筹学注:本页为每次课教案首页教案用纸第 2 次课 3 学时上次课复习:运筹学的学科性质和发展概况运筹学的模型与工作步骤本次课题(或教材章节题目):二、线性规划与目标规划第一章线性规划及单纯形法1、线性规划问题及其数学模型教学要求:1、通过实际问题引入线性规划模型,初步掌握建立线性规划模型的方法;2、通过图解法直观地理解线性规划解的状态和线性规划的基本性质;3、熟练掌握线性规划问题的标准化方法;4、理解基、基解,基可行解的概念。

重点:线性规划问题及其数学模型、标准形式难点:线性规划问题及其数学模型、线性规划问题解的概念教学手段及教具:讲授讲授内容:1、线性规划模型的建立2、线性规划问题的图解法3、线性规划问题的标准形式4、线性规划问题解的概念课后作业P44: 1.1、1.2、1.3、1.10同济大学出版社:运筹学教程参考资料高等教育出版社:管理运筹学注:本页为每次课教案首页教案用纸第 3 次课 3 学时上次课复习:1、线性规划模型的建立2、线性规划问题的图解法3、线性规划问题的标准形式4、线性规划问题解的概念本次课题(或教材章节题目):2、线性规划问题的几何意义3、单纯形法4、单纯形法的计算步骤教学要求:1、了解线性规划问题的几何意义和基本性质2、理解单纯形法的理论基础,熟练掌握可行条件和优化条件;3、熟练掌握单纯形法的计算步骤重点:可行条件与优化条件。

继续教育形式及学时计算标准

继续教育形式及学时计算标准

继续教育形式及学时计算标准专业技术人员通过下列形式参加继续教育的,按相应标准计入本人当年继续教育学时,原则上按照每天不超过8学时计算:(一)参加各级人力资源社会保障行政部门或行业主管部门确认接入的网络培训平台网授学习,公需科目或专业科目学时由网络培训平台自动统计计算。

(二)参加各级人力资源社会保障行政部门、各级行业主管部门和各级继续教育基地组织的面授学习,含进修班、研修班、培训班等,公需科目或专业科目学时由主办单位确定。

(三)参加行业主管部门、行业组织、高等院校、科研院所、大中型企业施教机构等组织的面授学习(含进修班、研修班、培训班等)或参加国家部委、省级行业主管部门举办或委办的活动,专业科目学时由主办单位或选派单位的主管部门确定。

(四)参加经各级人力资源社会保障行政部门或行业主管部门同意的,由用人单位结合本单位发展战略和岗位要求举办的继续教育活动,公需科目或专业科目学时由同级人力资源社会保障行政部门或行业主管部门确定。

(五)由用人单位派出并经行业主管部门批准到教学、科研、医疗、生产单位实践或进修的,专业科目学时由行业主管部门确定。

(六)在任职年限内参加相同或相近专业在职学历教育,在规定的学制年限内完成学习任务的,凭其所读院校的考试合格成绩单,计算完成当年的继续教育学时。

(七)参加设区市级以上的学术会议、学术讲座、学术访问等活动,专业科目学时由主办单位确定。

(八)在科研、技术推广或教学等活动中取得专业技术成果;正式发表出版与本业务相关的专著、译著、论文、译文等作品;参加省(部)级以上正式立项课题的研究工作;以上主创人员(第一作者)计算完成当年专业科目继续教育60学时,非主创人员(第二作者及以下)计算完成当年专业科目继续教育30学时。

(九)设区市级以上的人力资源社会保障行政部门或省级行业主管部门确认的其他继续教育形式及学时计算标准。

培训大纲学时安排表c1

培训大纲学时安排表c1

培训大纲学时安排表c1培训大纲学时安排表C1是一份详细规划培训课程的学时表。

在这份学时表中,我们将详细列出每个培训课程的学时安排,以确保培训的高效性和有效性。

第一部分:课程介绍(2学时)在这个部分,我们将介绍整个培训课程的目标和内容,以及培训的重要性和意义。

我们还将向学员介绍培训的学习方法和评估方式。

第二部分:基础知识讲解(10学时)在这个部分,我们将详细讲解与培训主题相关的基础知识。

我们将介绍相关概念、原理和理论,并提供实际案例和示例来帮助学员更好地理解和应用这些知识。

第三部分:实践操作(20学时)在这个部分,我们将组织学员进行实践操作,以巩固他们所学的知识和技能。

我们将提供实际案例和模拟场景,让学员亲自动手解决问题和应对挑战。

第四部分:案例分析(15学时)在这个部分,我们将分析和讨论一些实际案例,以帮助学员更好地理解和应用所学的知识和技能。

我们将引导学员分析案例中的问题和挑战,并提供解决方案和建议。

第五部分:团队合作(8学时)在这个部分,我们将组织学员进行团队合作活动,以培养他们的团队合作能力和沟通技巧。

我们将提供一系列团队合作任务和项目,让学员在实践中学习如何与他人合作和协调。

第六部分:总结和评估(5学时)在这个部分,我们将对整个培训课程进行总结和评估。

我们将回顾所学的知识和技能,并进行学员的综合评估。

我们还将提供反馈和建议,以帮助学员进一步提升自己。

通过这份学时安排表C1,我们可以清晰地了解整个培训课程的学时安排和内容安排。

这将有助于学员更好地组织学习时间和计划学习进度。

同时,这份学时安排表也可以作为培训师的指导,帮助他们更好地组织和管理培训课程。

总之,培训大纲学时安排表C1是一份非常重要的文件,它为培训课程的顺利进行提供了指导和支持。

通过合理安排学时和内容,我们可以确保培训的高效性和有效性,帮助学员更好地学习和应用所学的知识和技能。

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电子技术
第 9 章 基本放大电路
9.1 9.2 9.3 9.4 双极型晶体管 放大电路的工作原理 放大电路的静态分析 放大电路的动态分析
9.5 双极型晶体管基本放大电路 9.6 多级放大电路 9.7 差分放大电路 作业: 作业:8.4.1 8.4.2 9.3.1 9.4.3 9.4.4 9.4.6 9.6.2 9.7.1
目录
9.3 放大电路的静态分析 IC(mA)
IC
电子技术
UCC 3 RC
2 1.5 1
U CC 1 = − U CE + RC RC 80µA µ
Q1 Q Q2
CE CC C C
目录
9.3 放大电路的静态分析 直流通路法(计算法) 一、直流通路法(计算法) 二、图解法 +UCC RC RB IC IB + UBE + UCE IE 直流负载线
大连理工大学电气系
电子技术
UCE =UCC − IC RC
或写成: 或写成:
UCC 1 IC = − UCE + RC RC
大连理工大学电气系
目录
C2
9.2 放大电路的工作原理 ui 二、放大电路的工作原理 o
+UCC
电子技术
t t t t t t
t
目录
uBE iB
o
IB
RB C1 iB + R u+
SS
RC iC +
C2
共射极接法的单管放大电路
大连理工大学电气系
倒相放大 倒相放大 倒相放大 倒相放大
ui
+ uCE + uBE - RL - iE
电子技术
UCC −UBE U+UCC CC IB = RC ≈ C 2 RB RB
RB + iC ) UBE ≈ 0.7V (硅管 , C1
直流通路 大连理工大学电气系
iB T + 直流通路 + 忽略不计。 + uCE + + uBE RS RL uo IC = βIB iE + ui uS U- -=U − I R
大连理工大学电气系
目录
9.1 双极型晶体管
1、放大状态 C B RB UBB
+ - 输入回路
电子技术
E
输出回路
RC
+ -
Ucc
(3)放大状态的特征: )放大状态的特征: 较大的变化; ① IB微小变化会引起 IC较大的变化; ② IC = β IB ; ③ UCE=UCC -RC IC, 晶体管相当于通路。 ④ 晶体管相当于通路。 大连理工大学电气系
大连理工大学电气系
目录
9.2 放大电路的工作原理
电子技术
扩音器示意图
双极型三极管的主要用途之一是利用它的电流放 大作用组成各种放大电路。其种类很多: 大作用组成各种放大电路。其种类很多: 电压(电流) 电压(电流)放大电路 按放大电路的用途来分 功率放大电路 直流放大电路 根据工作频率来分 交流放大电路 分立元件放大电路 根据电路结构来分 集成放大电路
9.8 功率放大电路 9.9 场效晶体管 9.10 场效晶体管基本放大电路
大连理工大学电气系
目录
9.1 双极型晶体管
电子技术
(一)基本结构
图 9.1.1 晶体管的结构示意图和图形符号
图 9.1.2 晶体管实物图片
目录
大连理工大学电气系
9.1 双极型晶体管 (二)工作状态
1、放大状态 发射结正偏, 发射结正偏 (1)条件 ——发射结正偏, 集电结反偏 集电结反偏 IC C RB UBB
目录
9.1 双极型晶体管
电子技术
图示电路中,晶体管为硅管, 合向a、 、 例9.1.1 图示电路中,晶体管为硅管,β=100,求开关 合向 、b、 ,求开关S合向 c时的 B、 IC、 IE 、 UCE ,并指出晶体管的工作状态。 时的I 并指出晶体管的工作状态。 时的 解: S合向 时, 合向b时 合向 UBB1 - UBE IB = RB1 5-0.7 = 50 = 86µA 若IC= βIB =100×86=8.6mA >ICm × 显然此时晶体管已处于饱和状态: 显然此时晶体管已处于饱和状态: IC= UCC /RC=3mA UCE=0 IE=IB+IC=3.086mA 大连理工大学电气系
+ 电源U 电源 CC使三极管工作于 C1 放大区; 放大区;同时为输出信号 + T 提供能量; 提供能量; R uo RL RC将集电极电流的变化 S ui 变换为电压的变化, 变换为电压的变化,以实 u+ 现电压放大; 现电压放大; SRB和UCC共同作用,使发 共同作用, 射结处于正向偏置, 射结处于正向偏置,并为 共射极接法的单管放大电路 T提供大小适当的基极电 提供大小适当的基极电 流,使放大电路获得合适 的工作点; 的工作点; 耦合电容C 隔直通交”作用。 耦合电容 1、C2起“隔直通交”作用。
大连理工大学电气系
目录
9.1 双极型晶体管
电子技术
(4) 集电极最大允许耗散功率 PCM :PCM = UCE ⋅ IC 若超过 PCM 则晶体管易烧坏。 则晶体管易烧坏。 (5) 反向击穿电压 U(BR)CEO : 基极开路时,C、E 基极开路时, 、 ) 承受的最大反向电压。 之间允许 承受的最大反向电压。
IC − ICEO IC ≈ 直流电流放大系数: ◆直流电流放大系数: β = IB IB 交流电流放大系数: ◆交流电流放大系数: β = ∂IC U =C ≈ ∆IC ∆IB ∂IB
CE
β与β一般不等,且不为常数,但工作于放大状态时,二者 一般不等,且不为常数,但工作于放大状态时,
数值相近,可近似认为二者相等且为一常数,都用 表示 数值相近,可近似认为二者相等且为一常数,都用β表示
该区I 该区 B=0, IC=ICEO, 12 U (V) 称为截止区。 称为截止区。 CE
目录
大连理工大学电气系
9.1 双极型晶体管 (四)主要参数
电子技术
(1) 电流放大系数 β(hFE)、 β(hfe):同一型号的晶 ):同一型号的晶 值有较大差别; 有关, 体管β 值有较大差别;β 值与 IC有关,一般 β 值为 100 左 右为宜。 右为宜。 (2) 穿透电流 ICEO : ICEO 大的晶体管其温度稳定性差。 大的晶体管其温度稳定性差。 (3) 集电极最大允许电流 ICM : IC = ICM 时, β 将下降到正常值的 2/3。 / 。
大连理工大学电气系
目录
9.2 放大电路的工作原理
IC C RB UBB
+ -
电子技术
B IB
பைடு நூலகம்
E IE
RC
+ -
UCC
UCC RB RC + UCC RB RC
大连理工大学电气系
目录
9.2 放大电路的工作原理 一、放大电路的组成
三极管T是放大元件; 三极管 是放大元件; 是放大元件 RB RC
电子技术 +UCC
40 20
大连理工大学电气系
0
0.4
9.1 双极型晶体管 (2)三极管输出特性曲线 )
B RB UBB IC(mA ) 4 3 2 1 O 3 6 9 100µA µ 80µA µ 60µA µ 40µA µ 20µA µ IB=0
+ - 输入回路
电子技术 C E
输出回路
RC
+ -
UCC
该区满足IC=βIB称为 该区满足 β 线性区(放大区)。 线性区(放大区)。 该区中I 该区中 C=UCC /RC, , UCE ≈ 0, 称为饱和区。 称为饱和区。
目录
即0<UCE<UCC;
9.1 双极型晶体管
2、饱和状态 发射结正偏 发射结正偏, (1)条件 ——发射结正偏, 集电结正偏 集电结正偏 IC C RB UBB
+ -
电子技术
B IB
E IE
RC
+ -
只要U 则发射结、 只要 CE<UBE,则发射结、集 电结均正偏, 电结均正偏,晶体管就处于 饱和状态
+ - 输入回路
电子技术 C B E
输出回路
RC
+ -
UCC
IB(µA) µ 80 60
UCE≥1V 令UCE=常数 常数 IB=f(UBE) (
工作压降: 工作压降: UBE≈0.6~0.7V,硅管 硅管 UBE≈0.2~0.3V,锗管 锗管 UBE(V) 0.8
目录
死区电压: 死区电压 硅管0.5V, 硅管 , 锗管0.2V。 锗管 。
+UCC
RB C1 iB + R u+
S
RC iC +
C2
ui
+ uCE + uBE - RL - iE
uo
静态分析
直流通路法 图解法
S-
大连理工大学电气系
目录
9.3 放大电路的静态分析 直流通路法(计算法) 一、直流通路法(计算法) +UCC RC RB IC IB + UBE + UCE IE
目录
9.1 双极型晶体管
电子技术
图示电路中,晶体管为硅管, 合向a、 、 例9.1.1 图示电路中,晶体管为硅管,β=100,求开关 合向 、b、 ,求开关S合向 c时的 B、 IC、 IE 、 UCE ,并指出晶体管的工作状态。 时的I 并指出晶体管的工作状态。 时的 解: S合向 时, 合向c时 合向 因为发射结、集电结均反偏, 因为发射结、集电结均反偏, 所以晶体管处于截止状态 IB= IC =IE=0 UCE=UCC=15V
iC uo
o
IC
uRC uCE
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