多芯片LED与恒流源一体化混合集成设计
LED照明用恒流电源的实现方案
LED照明用恒流电源的实现方案恒流电源是一种用于驱动LED照明的电源装置，主要用于保证LED照明灯具工作时的电流稳定，从而提高照明效果和延长LED的使用寿命。
以下是实现恒流电源的一种方案。
1.恒流源原理及工作原理：恒流源原理是通过反馈控制的方式，根据LED的电压变化和设定的恒流值，调整输出电流的大小，始终保持恒定的电流流过LED。
工作原理如下：a.输入电源经过整流滤波电路，将交流电转换为直流电；b.启动电路将直流电转换为恒定的电流源，并经过反馈控制；c.反馈控制电路感知到LED电压的变化，将信号传递给恒流源；d.恒流源调整输出电流的大小，以保持设定的恒流值；e.恒流源输出的电流经过降压电路后驱动LED照明。
2.恒流源的设计要点：a.恒流源的电流稳定性：恒流源必须具备较高的电流稳定性，以确保输出的电流能够保持恒定，避免过大或过小的电流对LED造成损坏。
b.反馈控制电路的设计：反馈控制电路感知LED电压的变化，并将信号传递给恒流源进行调整。
合理设计反馈控制电路能够提高恒流源的精度和稳定性。
c.整流滤波电路：恒流源需要采用整流滤波电路将交流电转换为直流电，同时保证输出的直流电的质量，以保证恒流源的工作效果。
d.输出端的降压电路：恒流源需要通过降压电路将输出的电压调整至LED的工作电压范围，以保证输出电流能够恒定地流过LED。
e.温度控制：恒流源需要具备温度控制功能，以确保在高温环境下恒流源工作稳定，避免过热损坏。
3.具体实现方案：a.选择合适的恒流源芯片：根据实际应用需求选择具有良好性能的恒流源芯片，例如：AP8801芯片。
b.设计整流滤波电路：根据输入电压范围和质量要求设计合适的整流滤波电路，例如：桥式整流电路和电容滤波电路。
c.设计反馈控制电路：选择合适的反馈电路，例如：基准电压源和比较器构成的反馈控制电路，用于感知LED电压的变化并传递给恒流源芯片。
d.设计降压电路：根据LED的工作电压范围，选择合适的降压电路，例如：线性稳压芯片或开关稳压电路。
恒流源芯片9910
控制电压为低电平时，MOSFET关断，储能电感通过整流肖特基二极管释放能量，从而点这LED灯串。
由于高压供电，MOSFET应选用耐高压产品，RCS为电流检测电阻，MOSFET的电流流过RCS时，全产生一个电压降UCS，当VSC达到约250mV 阀值电压时，MOSFET关断，从而控制MOSFET管的开通/关断，使储能电感周期性的充电放电，完成对LED的恒流驱动，LED灯驱动的占空比为D=Vout／Vin。
通过储能电感的最大电流为I LM A X=250／R C S(mA)，通过LED的平均电流ILED约为3R×I L M AX。
RCS阻值不同，就可设置通过LED的驱动电流，R C S越小，输出电流越大。
R C S的选择公式如下：Rcs=250mV（I LED+0.5×I L）IL E D 为通过LED灯的电流；IL为通过电感L的峰值电流例如：IL ＝150mA IL E D=500mA 则RC S=0.43Ω（1）电感的选择电感的电感量的选用原则是确保流过电感的电流变化值，远小于通过电感的最大电流值。
在正常工作中，电感处于一个充电放电的状态，当输入电压和输出电压的压差较大时，应相应加大电感的值，当压差小时可以用较小的电感。
一般取值在几百微享到十几毫享，视实际应用而定。
（２）MOS 管的选择在220V交流供电情况下，首先要考虑MOSFET的耐压，一般要求MOSFET的耐压高于600V。
其次，根据驱动LED灯电流的大小，选择MOSFET的ID S最大电流。
一般情况下，应选用MOSFET的ID S最大电流是LED灯驱动电流的5倍以上。
另外MOSFET的内阻要小；RD S 应小于0.5欧以下，RD S越小，在MOS管上面的功率损耗越小，电路的变换效率就越高。
在12V/24V直流供电情况下，首先考虑的是ID S 最大电流值和RD S值，RD S越小越好，选择小于0.2欧以下的MOSFET管。
LED串并方式及恒压源恒流源的选择分析
LED串并方式及恒压源、恒流源的选择分析第一局部：根底分析篇考虑选用什么样的LED驱动器，以及LED作为负载采用的串并联方式，合理的配合设计，才能保证LED正常工作。
例如，驱动28盏LED时，可以设想的连接方法有六种。
一种是先串联14个LED〔LED串〕然后并联两条这样串联而成的LED串〔14串联×2并联〕。
除此之外，还有7串联×4并联、4串联×7并联、2串联×14并联、28串联×1并联、1串联×28并联等连接方式。
终究哪种连接方法最正确呢？【附：通常情况下，很多的朋友拿到LED电源，不知道怎么样区分恒压源和恒流源。
拿到一个LED电源，查看铭牌，找到输出电压这个关键参数：如果它的电压标称是一个恒定值，那么是恒压源。
如果是一个范围值，那么是恒流源。
例如：有一个电源它的输出电压是12V，我们那么确定这个是恒压源，如果它标称的是30-70V呢，那么这个电源一定是够恒流源。
】1、LED采用全部串联方式要求LED驱动器输出较高的电压〔如图1〕。
当LED的一致性差异较大时，分配在不同的LED两端电压不同，通过每颗LED的电流一样，LED的亮度一致。
图1图2当某一颗LED品质不良短路时，如果采用稳压式驱动〔如常用的阻容降压方式〕，由于驱动器输出电压不变，那么分配在剩余的LED两端电压将升高，驱动器输出电流将增大，导致容易损坏余下的所有LED。
如采用恒流式LED驱动，当某一颗LED品质不良短路时，由于驱动器输出电流保持不变，不影响余下所有LED正常工作。
当某一颗LED品质不良断开后，串联在一起的LED将全部不亮。
解决的方法是在每个LED两端并联一个稳压管，当然稳压管的导通电压需要比LED的导通电压高，否那么LED就不亮了。
2、LED采用全部并联方式要求LED驱动器输出较大的电流，负载电压较低〔如图3〕。
分配在所有LED 两端电压一样，当LED的一致性差异较大时，而通过每颗LED的电流不一致，LED的亮度也不同。
大功率led恒流源芯片
大功率led恒流源芯片LED（Light-Emitting Diode）是一种半导体光源，具有高效、节能、寿命长等优点，在照明、显示和信息传输等领域得到广泛应用。
为了驱动高功率LED，需要使用恒流源芯片来提供稳定的电流。
一、大功率LED恒流源芯片的原理大功率LED恒流源芯片的主要原理是通过反馈控制，保持LED电流的恒定。
它通常由一个电流检测电阻、一个比较器和一个功率驱动器组成。
1. 电流检测电阻：将LED串联电路中的电流转化成电压信号。
电流检测电阻的阻值大小直接影响到电流的测量精度。
2. 比较器：将电流检测电阻输出的电压信号与参考电压进行比较，生成一个误差信号。
误差信号表示实际电流与设定电流之间的差异。
3. 功率驱动器：根据比较器输出的误差信号，调整输出电流，使其接近设定电流。
功率驱动器通常采用PWM（脉宽调制）技术，通过调节脉冲宽度来控制输出电流。
二、大功率LED恒流源芯片的特点1. 高精度恒流输出：大功率LED恒流源芯片具有高精度的电流输出能力，能够保持恒定的电流，确保LED的亮度稳定。
2. 宽输入电压范围：大功率LED恒流源芯片通常能够适应宽范围的输入电压，从几伏到几十伏都可以正常工作。
3. 温度保护功能：大功率LED恒流源芯片通常内置了温度保护功能，当芯片温度超过一定阈值时，会降低输出电流，以保护芯片的安全性和寿命。
4. 高效率：大功率LED恒流源芯片通常具有高效率的功率转换能力，能够最大限度地减少能量损耗。
5. 可编程性：一些大功率LED恒流源芯片具有可编程功能，可以通过外部接口进行参数设置和调节，以满足不同应用的需求。
三、大功率LED恒流源芯片的应用大功率LED恒流源芯片广泛应用于以下领域：1. 照明应用：大功率LED恒流源芯片可以驱动高功率LED灯具，用于室内照明、道路照明、景观照明等。
2. 显示应用：大功率LED恒流源芯片可以用于驱动LED显示屏、大屏幕电视等，提供稳定的亮度和色彩效果。
精密恒流源芯片
精密恒流源芯片精密恒流源芯片（Precision Constant Current Source Chip）是一种集成电路芯片，用于提供稳定的恒定电流输出。
它可以广泛应用于各种需要恒定电流供应的电路和系统中，如LED照明、激光驱动、电池充放电管理等领域。
一、精密恒流源芯片的原理和特点精密恒流源芯片基于负反馈原理工作，通过对输入电压进行精准调节和控制，使得输出电流始终保持恒定。
其主要特点包括以下几个方面：1. 高精度：精密恒流源芯片具有很高的电流输出精度，可实现毫安级别甚至微安级别的恒流输出，满足对电流精度要求较高的应用场景。
2. 宽输入电压范围：精密恒流源芯片能够适应不同的输入电压范围，通常可以支持从几伏到几十伏的输入电压，并能在这个范围内保持恒定的输出电流。
3. 温度稳定性好：精密恒流源芯片在不同的温度环境下，能够保持输出电流的稳定性，不受环境温度的影响。
4. 低功耗：精密恒流源芯片在工作时消耗的功率较低，能够提高系统的能效。
精密恒流源芯片具有广泛的应用前景，在许多领域都有重要的作用。
1. LED照明：精密恒流源芯片可以用于LED照明系统中，通过提供恒定的电流，确保LED的亮度和颜色的稳定性，提高照明效果和寿命。
2. 激光驱动：精密恒流源芯片可以用于激光器的驱动电路中，通过提供恒定的电流，确保激光器输出的功率和波长的稳定性。
3. 电池充放电管理：精密恒流源芯片可以用于电池充放电管理系统中，通过提供恒定的充电或放电电流，实现对电池的精确管理和保护。
4. 传感器驱动：精密恒流源芯片可以用于传感器的驱动电路中，通过提供恒定的电流，保证传感器的工作稳定性和精度。
5. 仪器仪表：精密恒流源芯片可以用于各种仪器仪表中，如电流源、电压源等，通过提供稳定的电流输出，实现对被测量对象的准确测量。
三、精密恒流源芯片的发展趋势随着科技的不断进步和需求的不断增加，精密恒流源芯片的发展也呈现出一些新的趋势。
1. 集成度提高：精密恒流源芯片的集成度将不断提高，功能更加丰富，体积更小，功耗更低，以满足对集成度要求越来越高的应用需求。
LED恒流驱动芯片及系统应用方案0112
LED恒流驱动芯片及系统应用方案颜重光高工北京大学上海微电子研究院兼职研究员2010年12月18日13:30—16:30深圳华侨城海景奥思廷酒店西翼楼三楼一品厅LED照亮2010上海世博会LED绿色照明灯具高亮度LED驱动主要市场LED恒流驱动芯片及系统应用方案1）LED光源的工作原理；2）LED恒流源低压大电流驱动芯片及典型应用；3）LED恒流源非隔离驱动芯片及典型应用；4）LED恒流源隔离驱动芯片及典型应用；5）LED灯具可控硅调光方案；6）LED日光灯驱动电源方案；7）LED照明系统应用方案;8）各国对LED驱动器的PFC或THD要求。
要求LED灯具驱动工作原理LED光源工作原理•LED光源工作的主要参数是V F/I F，其它相关的是颜色/波长/亮度/发光角度/效率/功耗。
•V F正向电压是为LED发光建立一个正常的工作状态。
发光建立个正常的工作状态•I F正向电流是促使LED发光，发光亮度与流过的电流成正比例。
•LED V F标称电压：3.4V±0.2V （WLED）。
工作电流按应用需要选用各挡不能混用•LED I F工作电流按应用需要选用，各挡不能混用。
LED Lamp用各档LED电流：照明用LED 光源功率LED 灯具常用WLED 二极管:1）小功率W LED ：I F =15‐25mA草帽灯如I F =20mA 草帽灯、SMT 。
2）大功率W LED ：I F =200‐1000mA如高亮功率W LED ，1W/ I F =350mA ，大功率照明用LED其封装从成品来看是单颗芯片3W/ I F =700mA ；3）功率LED 管芯按特殊要求绑装从成品来看是单颗片的，其实是用N 颗LED管芯封装在一个单位里的。
它们的排列组合是串并定的W LED ；联，它们是N个串联，再N个并联，然后由二点联接电源。
室内LED 照明驱动基本方案LED 灯电源驱动基本方案如右所示。
驱动电源有内置在灯杯内的，如MR16、E27、PAR30 、PAR38 、日光灯等；也有外置在LED 光源灯具周边的，如嵌灯、筒灯、格栅灯、投光灯等。
3款LED显示屏驱动芯片比较
专用芯片的主要参数和发展现状
专用芯片具有输出电流大、恒流等基本特点,比较适用于要求大电流、画质高的场合,如户外全彩屏、室内全彩屏等。专用芯片的关键性能参数有最大输出电流、恒流源输出路数、电流输出误差(bittobit,chiptochip和数据移位时钟等。
1 最大输出电流
目前主流的恒流源芯片最大输出电流多定义为单路最大输出电流,一般90mA 左右。电流恒定是专用芯片的基本特性,也是得到高画质的基础。而每个通道同时输出恒定电流的最大值(即最大恒定输出电流)对显示屏更有意义,因为在白平衡状态下,要求每一路都同时输出恒流电流。一般最大恒流输出电流小于允许的最大输出电流。
2 恒流输出通道
恒流源输出路数有8位(8路恒源)和16位(16路恒源)两种规格,现在16位源占主流,其主要优势在于减少了芯片尺寸,便于LED驱动板 PCB布线,特别是对于点间距较小的LED驱动板更有利。
3 电流输出误差
电流输出误差分为两种,一种是位间电流误差,即同一个芯片每路输出之间的误差;另一种是片间电流误差,即不同芯片之间输出电流的误差。电流输出误差是个很关键的参数,对显示屏的均匀性影响很大。误差越大,显示屏的均匀性越差,很难使屏体达到白平衡。目前主流恒流源芯片的位间电流误差(bittobit一般在±6%以内,chiptochip片间电流误差在±15%以内。
MBI5028驱动芯片
MBI5028台湾MBI聚积科技)公司推出的一款有可编程电流增益功能的LED屏驱动芯片。内置串并移位寄存器和输出锁存器,且采用 PrecisionDr技术以得到更优良的电气特性。MBl5028最大串行时钟频率为25MHz,片间电流误差一般在±6%以内,位间电流误差一般在±3%以内,最大输出电流为90mA
OC6701升压型LED恒流驱动器
典型应用电路图概述 OC6701 是一款高效率、高精度的升压型大功率LED 恒流驱动控制芯片。
OC6701内置高精度误差放大器，固定关断时间控制电路，恒流驱动电路等，特别适合大功率、多个高亮度LED 灯串恒流驱动。
OC6701采用固定关断时间的控制方式，关断时间可通过外部电容进行调节，工作频率可根据用户要求而改变。
OC6701通过调节外置的电流采样电阻，能控制高亮度LED 灯的驱动电流，使LED 灯亮度达到预期恒定亮度。
在EN 端加PWM 信号，还可以进行LED 灯调光。
OC6701内部集成了VDD 稳压管，软启动以及过温保护电路，减少外围元件并提高系统可靠性。
OC6701采用SOP8封装。
特点 宽输入电压范围：3.6V~100V 高效率：可高达95% 最大工作频率：1MHz CS 限流保护电压：250mV FB 电流采样电压：250mV芯片供电欠压保护：3.2V 关断时间可调 智能过温保护 软启动内置VDD 稳压管 应用LED 灯杯电池供电的LED 灯串 平板显示LED 背光 大功率LED 照明封装及管脚分配管脚定义管脚号管脚名描述1 GND 接地2 EN芯片使能，高电平有效；可做PWM调光脚。
3 COMP 频率补偿脚4 FB 输出电流检测反馈脚5 DRV 驱动端，接外部MOS管栅极6 CS 输入限流检测脚7 TOFF 关断时间设置8 VDD 芯片电源极限参数（注1）符号描述参数范围单位VDD VDD端最大电压 5.5 V-0.3~VDD+0.3 VV MAX EN、DRV、COMP、FB、TOFF和CS脚的电压P SOP8SOP8封装最大功耗0.8 WT A工作温度范围-20~85 o CT STG存储温度范围-40~120 o CT SD焊接温度范围（时间小于30秒）240 o CV ESD静电耐压值（人体模型）2000 V注1：极限参数是指超过上表中规定的工作范围可能会导致器件损坏。
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第34卷第2期福州大学学报(自然科学版)V ol.34N o.2 2006年4月Journal of Fuzhou University(Natural Science)Apr.2006文章编号:1000-2243(2006)02-0229-03多芯片LED与恒流源一体化混合集成设计王亚盛1,陈建中2(1.威海职业技术学院,山东威海 264200;2.福州大学化学化工学院,福建福州 350002)摘要:将多芯片LE D与恒流源电路进行一体化混合集成电路工艺设计,保证了3～10W的多芯片集成LE D在低于100mA的驱动电流下正常工作.恒流源采用跟随浮压技术进行设计,使集成LE D的工作电压在2～200V,恒定工作电流在10～100mA选择.其恒流温度漂移小于5μA/℃,发光效率大于17Lm/W,同时简化了工频驱动电源电路的设计,减少远距离供电线路损耗.关键词:多芯片LE D;恒流;热阻;热沉;硅基板中图分类号:T N248文献标识码:AH ybrid integrated design of the more LE D chips with gatherconstant current diode IC circuitW ANG Y a-sheng1,CHE N Jian-zhong2(1.C ollege of Weihai V ocational T echnology,Weihai,Shandong264200,China;2.C ollege of Chemistry andChemical Enginering,Fuzhou University,Fuzhou,Fujian350002,China)Abstract:It’s designed by the hybrid microcircuit processing,with gather the m ore LE D chips andconstant current diode IC circuit proceeds the integral on the Si-substrate,guaranteed the3～10Wintegrated LE D at lower than100mA drive current that is operation in long time.The constant currentdiode IC are by the float v oltage technique proceeding designed,insure the operating in long time of highpower LE D with the v oltage between2V and200V and drive current at10～100mA.The constantcurrent drift is than smaller5μA/℃at the tem purature.Light efficiency is than m ore17Lm/W.Thin,supply power circuit is by sim plied,with long-distance leave the power supply circuit exhaust.K eyw ords:m ore LE D chips;constant current;heat resistance;heat-sink slug;Si-substrate1 主要参数设计采用单晶硅片作为基板,用双极型集成电路工艺方法在硅片上制作二氧化硅绝缘层、铝导电反光层,将多个LE D芯片、S MD电容元件和DIS1xxx系列浮压恒流集成芯片集成在基板上.通过光刻和扩散工艺,在单晶硅层形成反向稳压二极管,用于泄放静电,提高LE D的抗静电能力.设计的5W功率级集成LE D,采用80个0.3mm×0.3mm的LE D蓝光芯片,通过涂敷Y AG荧光粉后发出白光.主要技术参数为:输入电压范围V in:DC150±5V;恒定工作电流I o:20×2mA;电流稳定误差ΔI o<±5%;恒流温度漂移ΔI T<5μA/℃;抗静电电压:V E DS≥1500V;电功率:P m≥5W(加散热片);光效≥17Lm/W;热阻:R≤16K/W(包括硅基板和铜热沉).2 电路结构设计2.1 电路原理设计收稿日期:2005-02-17作者简介:王亚盛(1959-),男,研究员.基金项目:科技部科技攻关资助项目(2003BA316A02-01-04) 电路原理设计如图1所示,使用了两个DIS1020A 浮压恒流集成二极管分为两路恒流驱动各40个串联LE D ,每路的工作电流为20mA.在硅基板上,采用半导体扩散工艺制作了16个56V/10mA 的稳压二极管以吸收、泄放静电,保护LE D 不会受到静电的击穿而失效.电路中,设计的电容、二极管主要为了吸收来自外部供电电源的谐波、脉冲和其它干扰信号,减少这些干扰信号对产品的影响,提高产品的可靠性和工作环境适应性.图1 电路结构示意图Fig.1 Diagram of electric circuit constructionDIS1020A 浮压恒流集成二极管的主要参数为:输入电压V in :7～220V ;输出电压V out :2～200V (LE D 工作电压);跟随浮压差ΔV :4～50V ;电流稳定误差ΔI 0<±5%;输出恒定工作电流I out :20mA.图2 集成LE D 平面布局图Fig.2 Diagram of integrate LE D lay out designed 2.2 混合集成设计采用硅基板与铜热沉结构设计,80个LE D 设计为10×8矩阵结构,每10个LE D 与一组2个稳压二极管构成一个单元,硅基片的底面为稳压二极管的P 区,N 区通过铝导电反光层与每组LE D 的正、负极分别连接在一起,通过合金工艺实现欧姆接触.S MD 电容C 1、C 2、C 3和二极管D 1设计在外围区域,减少对光的吸收和遮光等不良影响,如图2所示.2.3 温度梯度设计为了提高产品的可靠性,采用直径为25μm 的金丝进行键合球焊,由于LE D 数量较多,硅基板的面积较大,导致硅基板中心部位的热量不能及时传至热沉上,致使LE D 芯片的温度升高造成中心部位的LE D 发光效率降低.为此,采用了新的合金技术进行铜热沉结构设计,减少了热沉的热阻R 和温度梯度d t (x ,y )/d L ,使硅基板中心部位的热量能够及时传导至热沉上,再通过热沉和外壳进行快速散热,以提高产品的可靠性.硅基板为矩形结构,厚度为0.3mm ,其热阻可以用下列公式进行描述[1]:R ={ln [(a/b )(a +2x )/(b +2x )]}/2k (a -b )其中:a 、b 分别为硅基板的长和宽;x 为硅基板的厚度;k 为硅基板的热导率.3 主要参数测试结果3.1 热阻与温度梯度试验和小批量生产的产品经过测试、试验和使用证明能够达到设计要求.表1是热阻R 、位置x ,y 和温度梯度d t (x ,y )/d L x 、d t (x ,y )/d L y ,采用光热阻扫描方法[2]测试的结果,以硅基板中心为原点,分别测试X 、-X 、Y 和-Y 4个坐标轴直线方向上等距离为1mm 的温度.・032・福州大学学报(自然科学版)第34卷表1 热阻和温度梯度测试结果T ab.1 R and d t /d L test results参数X-X Y -Y 平均R 0/K ・W -11515151515R 1/K ・W -114.714.714.814.814.75R 2/K ・W -114.114.114.214.214.15R 3/K ・W -113.513.613.613.613.59t 0/℃76.376.376.476.476.35t 1/℃74.174.274.374.371.23t 2/℃7171.271.271.271.18t 3/℃68.268.268.468.468.3d t ・d L -1/℃・mm -1 2.702.702.672.672.69图3 恒定工作电流I o 与温度t 关系曲线图Fig.3 Diagram of the I o and t corraletioncurve3.2 温度漂移恒定工作电流I o 与LE D 铜热沉温度t 关系的试验在-50～100℃条件下进行,以25℃/(40mA )为参考基准,每间隔10℃稳定5min 后测试一次温度和电流,绘制的恒定工作电流I o 与温度t 的关系曲线如图3所示.通过对测试数据计算可知,100℃时的最大温度漂移为1.64μA/℃,-50℃时的最大温度漂移为1.49μA/℃.在正常环境条件(-25～50℃)下使用,其平均温度漂移为0.94μA/℃,完全满足设计指标和实际使用的要求.3.3 发光效率与抗静电由于多芯片集成后的发光面积较大,LE D 工作时产生的高温难以及时传导出去,使LE D 芯片及PN 结的温度过高,导致发光效率随着功率、温度的增加而急剧下降.因此,在多芯片集成LE D 设计时,采取了高导热率的硅基板结构设计和铜合金技术的热沉设计,使其热阻大幅度降低.通过使用改进型远方LE D630光电色综合性能测试仪测试,产品的发光效率平均为18～20Lm/W.防静电设计的效果比较明显.采用3M -609型静电探测器每间隔1h 对环境静电测试一次,在产品工作周围1m 3范围内每次测试8个点的静电电压.使50只产品置于静电为1600～1800V 的环境中,连续工作48h ,无发生静电击穿现象.3.4 远距离供电与线路损耗由于采用了小电流高工作电压设计方案,使产品在远距离供电条件下使用,线路损耗很小.通过对比试验,供电距离为200m ,采用截面积0.5mm 2的多芯普通铜导线作为电源线,产品的工作电流为40mA ,功率损耗平均为27mW ,电压降平均为0.65V ,相对于150V 的供电电源来说,损耗仅为0.5%左右.同样为5W 的美国某公司产品,工作电流为480mA ,线路损耗高达3.1W ,线路电压降6.3V ,按照产品标称的10V 电源供电导致LE D 不能工作.4 结语产品的设计成功,使多芯片大功率LE D 在照明工程应用中减少了对恒流驱动电源的要求,可以直接使用稳压电源进行驱动,而且对稳压电源的要求也比较宽松,供电电压在标称值的±10%以内变化时,LE D 能够保证在恒流状态下正常工作,提高了LE D 的可靠性.同时,产品在实际使用过程中,可以简化其AC/DC 驱动电源电路的设计.由于采用很小的驱动工作电流,使远距离供电线路的损耗降低,适用于在远距离供电情况下使用.参考文献:[1]James Licari ,Leonard R Enlow.混合微电路技术手册[M].朱瑞廉译.北京:电子工业出版社,2004:272-278.[2]冯士维,谢雪松,吕长治,等.半导体器件热特性的电学法测量与分析[J ].半导体学报,1999,20(5):358-364.・132・第2期王亚盛,等:多芯片LE D 与恒流源一体化混合集成设计。