暨南大学材料化学期末总复习 含有必考题目
材料化学期末复习参考题

试卷总结材料化学一、选择(每题2分)1. 晶体的特性是(B )(A)有确定的熔点,无各向异性;(B)有确定的熔点,有各向异性;(C)无确定的熔点,有各向异性;(D)无确定的熔点,无各向异性;2. 在一般情况下,若金属的晶粒细,则(A )。
(A)金属的强度高,塑性好,韧性好。
(B)金属的强度高,塑性好,韧性差。
(C)金属的强度高,塑性差,韧性好。
(D)金属的强度低,塑性好,韧性好。
3. 高温下从熔融的盐溶剂中生长晶体的方法称为( C )。
A、溶液法B、水热法C、溶剂法D、熔体法4. 根据晶体对称度的不同,可把晶体分成(D )大晶系。
A、32B、14C、11D、75. 晶胞一定是一个:(C )。
A、八面体B、六方柱体C、平行六面体D、体6. 某晶体外型为正三棱柱,问该晶体属于( D )晶系A. 立方B. 三方C. 四方D.六方7、从我国商遗址出土的司母戊鼎重8750N,是世界上最古老的大型(C )。
(A)石器(B)瓷器(C)青铜器(D)铁器8、晶体中的位错是一种(B )。
(A)点缺陷(B)线缺陷(C)面缺陷(D)间隙原子9. 工程材料一般可分为(D)等四大类。
(A)金属、陶瓷、塑料、复合材料(B)金属、陶瓷、塑料、非金属材料(C)钢、陶瓷、塑料、复合材料(D)金属、陶瓷、高分子材料、复合材料10.用特殊方法把固体物质加工到纳米级(1-100nm)的超细粉末粒子,然后制得纳米材料。
下列分散系中的分散质的微粒直径和这种粒子具有相同数量级的是(C )A.溶液B.悬浊液C.胶体D.乳浊液11.美国《科学》杂志评出了2001年十大科技成就,名列榜首的是纳米电子学,其中美国的IBM公司科学家制造了第一批纳米碳管晶体管,发明了利用电子的波性来传递信息的“导线”,已知纳米材料是指微粒直径在1nm~100nm的材料。
下列叙述正确的是(B)A.纳米碳管是一种新型的高分子化合物B.纳米碳管的化学性质稳定C.纳米碳管导电属于化学变化D.纳米碳管的结构和性质与金刚石相同12. 晶行沉淀化的目的是(C )A沉淀完全B去除混晶C小颗粒长大,是沉淀更纯净D形成更细小的晶体13. 晶族、晶系、点群、布拉菲格子、空间群的数目分别是(A )A 3,7,32,14,230B 3,720,15,200C 3,5,32,14,230D 3,7,32,14,20014. 晶体与非晶体的根本区别是:( A )A.晶体具有长程有序,而非晶体长程无序、短程有序。
材料化学复习题

材料化学第二章化学基础知识一、填空题1.热力学第三定律的具体表述为纯物质完美晶体在0K时的熵值为零,数学表达式为S*(T)=0 J·K-1。
2.理想稀溶液存在依数性质,即溶剂的蒸气压下降、凝固点降低、沸点升高、渗透压的量值均与溶液中溶质的数量有关,而与溶质的种类无关。
3.人们将存在于两相间厚度为几个分子大小的薄层称为界面层,简称界面,有液-气、固-气、固-液、液-液、固-固界面,通常把固-气界面及液-气界面称为表面。
4.表面张力一般随温度和压力的增加而降低。
5.按照氧化态、还原态物质的状态不同,一般将电极分成第一类电极(金属电极、气体电极)、第二类电极(金属-难溶盐电极、金属-难溶氧化物电极)、氧化还原电极三类。
6.相律是描述相平衡系统中自由度、组分数、相数之间关系的法则。
其有多种形式,其中最基本的是吉布斯相律,其通式为f=c-p+2。
二、名词解释1.拉乌尔定律气液平衡时,稀溶液中溶剂A在气相中的蒸气压pA等于同一温度下该纯溶剂的饱和蒸气压与溶液中溶剂的摩尔分数xA的乘积2.基元反应反应物生成生成物的中间步骤反应称为基元反应3.稳态近似处理假设中间物浓度不随时间变化而改变的处理方法4.相图相图(phase diagram)又称平衡状态图,是用几何(图解)的方式来描述处于平衡状态下,物质的成分、相和外界条件相互关系的示意图三、简答题1.简述物理吸附与化学吸附的区别。
第三章材料的制备一、填空题1.熔体生长法主要有提拉法、坩埚下降法、区熔法、焰熔法等。
2.物理气体沉积法是利用高温热源将原料加热,使之汽化或形成等离子体,在基体上冷却凝聚成各种形态的材料(如晶须、薄膜、晶粒等)的方法。
其中以阴极溅射法、真空蒸镀较为常用。
3.PECVD所采用的等离子种类有辉光放电等离子体、射频等离子体、电弧等离子体。
4.固相反应按反应物状态不同为纯固相反应、气固相反应、液固相反应及气液固相反应,按反应机理不同分为扩散控制过程、化学反应速度控制过程、晶核成核速率控制过程和升华控制过程等,按反应性质分为为氧化反应、还原反应、加成反应、置换反应和分解反应。
材料化学期末考试试卷

202X年材料化学期末考试卷子及答案1、材料按化学组成与结构一般可分为金属材料、无机非金属材料、聚合物材料和复合材料四大类。
2、材料化学是关于材料的结构、性能、制备和应用的化学。
3、材料的结构一般可分为微观结构、介观结构和宏观结构三个层次来研究。
4、元素的原子之间通过化学键相结合,不同元素由于电子结构不同结合的强弱也不同。
其中离子键、共价键和金属键较强;范德华键为较弱的物理键;氢键归于次价键。
5、范德华力有三种来源分别是取向力、诱导力和色散力。
6、晶体包含有金属晶体、离子晶体、原子晶体和分子晶体。
7、硅酸盐的根本结构单元为[SiO4] 四面体,其结构类型为岛装、环状、链状、层状与架状等。
8、晶体的缺陷按几何维度可划分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。
其中点缺陷又可分为热缺陷和杂质缺陷。
9、力对材料的作用方法为拉伸、压缩、弯曲和剪切等;而力学性能表征为强度、韧性和硬度等。
10、材料的电性能是材料被施加电场时所产生的响应行为。
主要包含导电性、介电性、铁电性和压电性等。
11、晶体生长技术包含有融体生长法和溶液生长法;其中融体生长法主要有提拉法、坩埚下降法、区融法和焰融法。
12、气相沉积法分为物理沉积法和化学沉积法;化学沉积法按反响的能源可分为热能化学气相沉积、等离子增加强学气相沉积与光化学沉积。
13、金属通常可分为黑色金属和有色金属;黑色金属是指铁、铬、锰金属与它们的合金。
14、铁碳合金的形态包含有奥氏体、马氏体、铁素体、渗碳体、与珠光体等。
15、无机非金属材料一般为某些元素的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、硫化物和硅酸盐、钛酸盐、铝酸盐、磷酸盐等含氧酸盐组成。
16、玻璃按主要成分可分为氧化物玻璃和非氧化物玻璃;氧化物玻璃包含石英玻璃、硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、氟钙玻璃;非氧化物玻璃主要有硫系玻璃和卤化物玻璃。
17、半导体可分为元素半导体、化合物半导体和固溶体半导体;按价电子数可分为n-型和p-型。
18、聚合物通常是由许多简单的结构单元通过共价键重复连接而成。
材料化学期末总结复习

• 强度
典型的应力-应变曲线分析 应力-应变曲线的特征点 弹性极限、屈服强度、极限拉伸强度、断裂应力 相关公式应用:课后思考题(p65)
• 硬度
常用的三种硬度测试方法:布氏、洛氏、维氏 材料结构与硬度的关系: 无机非金属材料、金属材料、高分子材料 提高金属材料硬度的方法:形成固溶体或合金
• 疲劳
第3章 材料的性能
3.3 热性能
• 热容 定压热容 定容热容 • 热膨胀
用势能图解释热膨胀现象及不同材料的热膨胀性能差异
• 热传导
不同材料的热传导源于:
金属:自由电子 无机陶瓷及其他绝缘材料:晶格振动(声子) 半导体材料:电子和声子共同贡献 高分子材料:分子链节及链段运动
第3章 材料的性能
6.6 储氢合金
储氢原理及吸释氢过程:吸氢放热、吸热放氢
第7章 无机非金属材料
7.1 无机非金属材料分类及特点
• 分类 传统(普通)、新型(特种) • 结构特点
多数是离子键和共价键的混合体 组成元素间电负性差越大,离子键比例越高
第7章 无机非金属材料
7.2 水泥
• 水泥:一种水硬性胶凝材料,即一种细磨的无机材料,
• 原子间的键合方式及其特点
金属键、离子键、共价键 氢键、范德华力
第2章 材料的结构
2.2 晶体学基本概念
• 晶体与非晶体的典型区别
晶体:长程有序、短程有序 非晶体:短程有序、长程无序
• 晶格、晶胞、晶格参数、晶系 • 晶向指数和晶面指数 (课后思考题 p44 )
晶向指数:后点坐标与前点坐标相减最小整数
第3章 材料的性能
3.5 磁性能
• 反磁性与顺磁性 • 铁磁性
外磁场去除后,仍保持部分极化状态(磁滞回线) 存在一临界温度点(居里温度),高于此温度, 铁磁性消失而变为正常的顺磁性
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说明下列符号的含义:
V
' Na
Na+空位
V
• Cl
C
a
• K
C
a
•• i
Ca2+填隙
Si中掺入P, Psi。
试写出下列缺陷方程
a 2 T 2 A i 2 O 3 O l2 T A • O l i i 3 O O
3 T i2 O A 2 O 3 l3 T A • V l i A l 6 O O
请标出立方晶系中晶向A、B的晶向指数及晶面P的 晶面指数。
晶向A 【111】 , B 【122】 ; 晶面P (632) 。
根据离子半径比推测晶体离子的配位数和晶体 结构形式。
离子半径比 晶体类型 (R+/R-)
CsBr
0.852
正离子配位数 晶体结构 形式
正负离子半径比与配位数及负离子堆积结构的关系
四、计 算
• 计算尖晶石MgAl2O4晶体中Mg2+、Al3+离子静电 键强度,说明MgAl2O4的结构是否达到稳定。已 知O2-作面心立方最紧密堆积,Mg2+进入四面体空 隙,Al3+则占有八面体空隙,一个氧离子同时与 一个镁离子和三个铝离子相连。
因为一个氧离子同时与一个镁离子和三个铝离子相连,且 四面体空隙对应着配位数为4,八面体空隙对应着配位数为6.
所以2/4x1+3/6x3=2,刚好等于氧的价数,因此是稳定结构。
正负离子半径比与配位数及负离子堆积结构的关系
正负离子半径比
配位数
堆积结构
<0.155
2
Hale Waihona Puke 0.155~0.2253
材料化学考试试题重点

材料化学考试试题重点 The latest revision on November 22, 20201、什么是材料化学其主要特点是什么答:材料化学是与材料相关的化学学科的一个分支,是与材料的结构、性质、制备及应用相关的化学。
材料化学的主要特点是跨学科性和实践性2、一些物理量在元素周期表中规律,答:电离势同一周期的主族元素从左到右增大,稀有气体最大;同一周期的副族元素从左到右略有增加。
同一主族,从上到下减小;同一副族从上到下呈无规则变化。
电子亲和势同周期从左到右大体上增加,同族元素变化不大。
电负性同周期从左到右变大,同主族从上到下减小。
材料中的结合键有哪几种各自的特点如何对材料的特性有何影响3、原子间结合键有哪些,怎么分类答:依据键的强弱可分为主价键和次价键。
主价键是指两个或多个原子之间通过电子转移或电子共享而形成的键合,即化学键;主要包括离子键、共价键和金属键。
次价键如范德华键是一种弱的键合力,是物理键,氢键也是次价键。
4、谈谈化学锈蚀和电化学锈蚀的各自特点和机理。
答:化学锈蚀是指金属与非电解质接触时,介质中的分子被金属表面所吸附并分解成原子,然后与金属原子化合,生成锈蚀产物。
可以利用致密氧化膜的保护特性。
电化学锈蚀原理与金属原电池的原理相同。
即当两种金属在电解质溶液中构成原电池时,作为原电池负极的金属就会被锈蚀。
在金属材料上外加较活泼的金属作为阳极,而金属材料作为阴极,电化学腐蚀时阳极被腐蚀金属材料主体得以保护。
5、如何防止或减轻高分子材料的老化答:在制造成品时通常都要加入适当的抗氧化剂和光稳定剂(光屏蔽剂、紫外线吸收剂、猝灭剂)可提高其抗氧化能力。
6、试解释为何铝材不易生锈,而铁则较易生锈答:铝在空气中可以生成致密得氧化物膜,阻止与空气得进一步接触,所以不易生锈;铁在空气中生成疏松得氧化物膜,不能隔绝空气,特别是铁在潮湿得空气中能够发生电化学反应,因此加大了锈蚀,所以铁较易生锈。
7、谈谈热膨胀系数相关知识。
《材料化学》期末复习资料

《材料化学》期末复习资料1)液体和溶液试样除了可以用红外显微镜或多次衰减全反射(ATR)附件测试外,一般地,液体样品可装在红外液体池里测试。
液体池的种类很多,可以从红外仪器公司直接购买,也可以自己加工制作。
液体池大体可以分为:可拆式液池,固定厚度液池和可变厚度液池。
红外光谱实验室测试有机液体红外光谱,最常用的液池窗片材料是溴化钾和氯化钠。
这两种晶片都是无色透明的。
测试有机液体最适合的窗片材料是溴化钾。
用于水溶液测试的窗片材料必须不溶于水,最常用的是氟化钡晶,其次是氟化钙晶片2)气体试样在玻璃气体池内测定,玻璃气体池两端粘有红外透光的NaCl或KBr窗片,先将气体池抽真空,再注入试样气体即可。
3)固体试样固体样品的测试方法有:常规透射光谱法,显微红外光谱法,ATR光谱法,漫反射光谱法,光声光谱法,高压红外光谱法等。
其中常用的常规透射光谱法制样方法有:压片法、糊状法和薄膜法。
2.能谱仪与波谱仪的比较优点:(1)探测效率高。
(2)灵敏度高。
(3)分析效率高。
(4)能谱仪的结构简单,使用方便,稳定性好。
缺点:(1)分辨率低。
(2)能谱仪的Si(Li)窗口影响对超轻元素的检测。
(3)维护成本高。
3.高分辨电子显微镜(HRTEM)与透射电子显微镜(TEM)存在以下区别:1)成像束:HRTEM为多电子束成像,而 TEM则为单电子束成像。
2)结构要求:HRTEM 对极靴、光阑要求高于 TEM。
3)成像:HRTEM 仅有成像分析,包括一维、二维的晶格像和结构像,而 TEM除了成像分析还可衍射分析。
4)试样要求:HRTEM 试样厚度一般小于 10 nm,可视为弱相位体,即电子束通过试样时振幅几乎无变化,只发生相位改变,而TEM试样厚度通常为50~200 nm。
5)像衬度:HRTEM像衬度主要为相位衬度,而 TEM则主要是振幅衬度。
4.景深焦长的定义意义景深是指像平面固定,在保证像清晰的前提下,物平面沿光轴可以前后移动的最大距离。
大学课程《材料化学》专业期末试题A卷及答案

(1)CH 2CH 2nCH 2nO(2)CH 2nCH(3)材料化学考试试卷A适用专业: 考试日期:考试所需时间:120分钟(闭卷) 试卷总分:100分一、选择题(每空2分,共20分)1、萤石(CaF 2)晶体属于立方晶系,萤石中每个Ca 2+被8个F -所包围,则每个F -周围最近距离的Ca 2+数目为( ) A .2B .4C .6D .82、下列说法正确的是 ( )A .原子晶体中只存在非极性共价键B .稀有气体形成的晶体属于分子晶体C .干冰升华时,分子内共价键会发生断裂D .金属元素和非金属元素形成的化合物一定是离子化合物 3、下列模型中哪一个不是高分子聚合物的结构模型( ) A. 无规线团模型 B. 折叠链结晶模型 C. 网状结构模型 D. 缨状胶束粒子模型 4、高分子材料成型加工温度要在怎样的温度范围内进行选择?A. Tb 和Tg 之间B. Tg 和Tf 之间C. Tg 和Tm 之间D. Tf 以上 5、C 60与现代足球有很相似的结构,它与石墨互为( )A .同位素B .同素异构体C .同分异构体D .同系物 6、当A ,B 两种金属形成固溶体,则固溶体的晶体结构( ) A. 与A 相同 B. 与B 相同C. 与A ,B 都不相同D. 可能与A 相同,也可能与B 相同 7、晶体中的位错是一种( )A .点缺陷 B.线缺陷 C. 面缺陷 D. 间隙原子8、NaCl 晶体中与每个Na +距离等同且最近的几个Cl -所围成的空间构型为( )A .正四面体 B .正六面体 C .正八面体 D .正十二面体 9、下列晶体中,其中任何一个原子都被相邻四个原子包围,以共价键形成正多面体,并向空间伸展成网状结构的是( ) A .四氯化碳B .石墨C .金刚石D .水晶(SiO 2)10、下列各组物质的晶体中,化学键类型相同,晶体类型也相同的是 ( ) A .SO 2 和 SiO 2 B .CO 2 和 H 2O C .NaCl 和 HCl D .CCl 4 和 KCl 二、填空题(每空1分,共25分)1、晶体的对称元素中点对称元素有_____、_____、_____、_____;含有平移操作的对称元素有___________和___________。
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四方底心格子,但在该格子中可以选出一个体积更小的四 方原始格子,所以不存在四方底心格子。
二、第一个问题:并不是每个角 度都有峰?
2dsinθ=n λ
X 射线在晶体中的衍射实质上是晶体中各原
子散射波之间的干涉结果。只有当 λ 、θ 和 d 三
者之间满足布拉格方程时才能发生衍射。 X射线
只在满足布拉格方程的若干个特殊的角度上才能
五、简 答
一、为什么有立方面心点阵而无四方面心点阵?
答:因为立方面心点阵若取成素晶胞,不再满 足立方晶系4个三重轴的特征对称元素的需要。 而四方面心点阵可取成更简单的四方体心格子, 所以没有四方面心点阵。
三斜面心格子,然而该格子中可以选出一个体积更小的 三斜原始格子,所以三斜面心是不可能存在的。
b
2 VO CaO ThO CaTh OO
2 Cai 2OO 2CaO ThO CaTh
c
d
3OO Y2O3 MgO 2YMg VMg Y2O3 MgO 2YMg Oi 2OO
(a)计算Fex0 的面心立方晶胞参数。 (b)求 x 值。 (c)计算Fe2 +和Fe3+各占总铁质量的质量分数。 (d)写出表明铁的价态的化学式。
1 h2 k 2 l 2 d2 a2
2dsinθ=λ
晶胞参数 a = 427.8 pm 分子量M = 67.35 x = 0.92
用ZrO2和0.25 mol CaO 制成固溶体,测得晶胞参数 a0= 0.5153nm,密度=5.184 g/cm3, 已知ZrO2为萤石结构, 问主要缺陷形式是填隙型还是缺位型?
请标出立方晶系中晶向A、B的晶向指数及晶面P的 晶面指数。
晶向A 【111】 , B 【122】 ; 晶面P (632) 。
根据离子半径比推测晶体离子的配位数和晶体 结构形式。
离子半径比 (R+/R-) 晶体类型 CsBr 0.852 正离子配位数 晶体结构 形式
正负离子半径比与配位数及负离子堆积结构的关系
2、已知氧化铁Fex0(富士体)为氯化钠型结构,在实际晶体中,由 于存在缺陷,x <1。今有一批氧化铁,测得其密度为 5.7g/cm3,用MoKα射线 (λ=71.07pm)测得其面心立方晶胞衍射指标为 200 的衍射角 θ=9.56°(sinθ=0.1661,Fe的相对原子质量为 55.85)。
此时,电子将源源不断的从N区扩散到P 区,空穴则从P区扩散到N区。
PN结的单向导电性
2. PN结加反向电压时的导电情况 P区的电位低于N区的电位,称为加反向电压,简称反偏; 外电场与PN结内电场方向 外
相同,增强内电场。内电场对
在X射线衍射分析中,一些面网虽然也符合布拉格方程, 但在反射系统中其衍射强度为0,这种现象称为消光。
系统消光条件 空间格子类型 简单P 底心C 体心Ⅰ 面心F 反射存在条件 全部都存在 h+k为偶数 h+k+l为偶数 h、k、l全偶或全奇 反射消失条件 无 h+k为奇数 h+k+l为奇数 h、k、l奇偶混杂
“消光规则” 可用来判断晶体格子类型和所属空间群。
三、鲍林法则
鲍林第一规则── 在离子晶体中,正离子周围形成一 个负离子多面体,正负离子之间的距离取决于离子半 径之和,正离子的配位数取决于正负离子半径比。
鲍林第二规则——在离子的堆积结构中必须 保持局域的电中性。 鲍林第三规则——稳定结构倾向于共顶连接 鲍林第四规则──若晶体结构中含有一种以上
分析:写出可能的缺陷反应式及固溶体分子式,然后计算相应的 理论密度,最后把计算密度与实测密度相比确定缺陷形式。
补充: 1、用ZrO2和0.25molCaO 制成固溶体,测得晶胞参数 a0=0.5153nm,密度为=5.184g/cm3, ZrO2为萤石结构,问主要缺陷形式是何种?
分析:写出可能的缺陷反应式及固溶体分子式,然后计算相应的理论密度,最后把计 算密度与实测密度相比确定缺陷形式。
2r++2r -
a0 = 2r+ + 2r- = 2(0.133) + 2(0.181) = 0.628 nm a0 = 0.363 nm 4 4 4 4 ( r )3 ( r )3 (0.133)3 (0.181)3 3 3 堆积系数 3 3 0.725 3 3 a0 (0.363)
的正离子,则高电价、低配位的多面体之间有尽 可能彼此互不连接的趋势
鲍林第五规则──同一结构中倾向于较少的组分
差异,也就是说,晶体中配位多面体类型倾向于 最少。
正负离子半径比与配位数及负离子堆积结构的关系
正负离子半径比 <0.155 0.155~0.225 0.225~0.414 0.414~0.732 0.732~1.000 配位数 2 堆积结构
2 4 4 2 2 12 6
例:已知K+和Cl-的半径分别为0.133 nm 和0.181 nm,试分析 KCl的晶体结构,并计算堆积系数。
解:晶体结构:因为r+/ r- = 0.133/0.181 = 0.735,其值处于0.732和1.000之间,所以 正离子配位数应为8,处于负离子立方体的 中心。也就是属于CsCl型结构。 堆积系数计算:每个晶胞含有一个正离子和 一个负离子Cl-,晶格参数a0可通过如下计 算得到:
固溶分子式: Zr0.75Ca0.25O1.75
d 计算1=
ZM 1 3 a0 N 0
d 计算2=
ZM 2 3 a0 N 0
比较d与,看谁与接近即为所对应的缺陷类型。
补充:
1、用ZrO2和0.15mol的CaO 制成固溶体,测得晶胞参数
a0=0.5131nm,密度为=5.477g/cm3, ZrO2为萤石结构,问主要 缺陷形式是何种?
1 0.15
:
1 :
1
: 0.15 : 0.15
固溶分子式: Zr0.85Ca0.15O1.85
ZM 2 d 计算2= 3 a0 N 0
1.85 4 0.85 91.22 4 0.15 40.08 8 16 2 23 3 6.02 10 5.564 g / cm (0.5131107 )3
产生反射,其它角度上则不发生反射。
6000 5000
4000
Intensity/a.u.
3000
2000
1000
0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
2/degree
第二个问题:峰有高低强弱之分?
影响衍射强度的结构因子Fhkl
Fhkl f j e
j 1
n
i 2 ( hx j kyi lz j )
分析:写出可能的缺陷反应式及固溶体分子式,然后计算相应的 理论密度,最后把计算密度与实测密度相比确定缺陷形式。 解:缺陷反应式 ZrO2 2 或 CaO Ca 2CaO ZrO Ca Ca 2 O Zr VO OO Zr i O
2 0.15 : : 1 : 1 1 : 1 : 1 0.075 : 0.075
3
4
6
8
~1.000
12
15
r 0.75 0.732~1,CN=8, r
例:在CaF2结构中,Ca2+离子的配位数为8。 Ca2+离子的静电键强为2/8=1/4,F-离子是一价负 离子,则每个F-同时与四个Ca2+形成静电键,F在Ca2+的四面体中心
2 4 1 8
例:在CaTiO3结构中,Ca2+、Ti4+、O2-配位数分 别为12、6、6。O2-配位多面体是[OCa4Ti2],则 O2-的电荷数,与O2-的电价相等,故晶体结构稳 定。
正负离子半径比 <0.155 0.155~0.225 0.225~0.414 0.414~0.732 0.732~1.000 配位数 2 堆积结构
3
4
6
8
~1.000
12
8
结论:
• 两种最紧密堆积方式中,每个球周围有6个八面体空 隙和8个四面体空隙。
• 由于每个四面体空隙由4个球构成,每个八面体空隙
因为一个氧离子同时与一个镁离子和三个铝离子相连,且 四面体空隙对应着配位数为4,八面体空隙对应着配位数为6. 所以2/4x1+3/6x3=2,刚好等于氧的价数,因此是稳定结构。
正负离子半径比与配位数及负离子堆积结构的关系
正负离子半径比 <0.155 0.155~0.225 0.225~0.414 0.414~0.732 0.732~1.000 配位数 2 堆积结构
解:缺陷反应式
2 或 2CaO ZrO Ca Zr Cai 2OO 2 CaO ZrO Ca Zr VO OO
2 0.25
: :
1
:
1
1 0.25
: :
1
:
1
0.125 : 0.125
0.25 : 0.25
固溶分子式: Zr0.875Ca0.25O2
0.15
: 0.15 : 0.15
固溶分子式: Zr0.925Ca0.15O2
d 计算1= ZM 1 3 a0 N 0
固溶分子式: Zr0.85Ca0.15O1.85
d 计算2= ZM 2 3 a0 N 0
比较d与,看谁与接近即为所对应的缺陷类型。
2 CaO ZrO Ca Zr VO OO
2 Al2O3 ZrO 2 Al V Zr O 3OO 2 2 Al2O3 ZrO 3 Al Al 6OO Zr i
四、计 算
• 计算尖晶石MgAl2O4晶体中Mg2+、Al3+离子静电 键强度,说明MgAl2O4的结构是否达到稳定。已 知O2-作面心立方最紧密堆积,Mg2+进入四面体空 隙,Al3+则占有八面体空隙,一个氧离子同时与 一个镁离子和三个铝离子相连。