场电子发射研究现状及理论概述.
浅谈关于我国当代广播电视无线电发射技术的几点认识
浅谈关于我国当代广播电视无线电发射技术的几点认识1. 引言1.1 我国当代广播电视无线电发射技术的重要性当代广播电视无线电发射技术在我国的重要性不言而喻。
随着科技的迅速发展和社会的不断进步，广播电视已经成为人们日常生活中不可或缺的重要部分。
而广播电视无线电发射技术作为广播电视传输的核心技术，起着连接信息传递与接收的桥梁作用，具有至关重要的地位。
广播电视无线电发射技术的发展直接影响着广播电视节目的传播质量和覆盖范围。
广播电视无线电发射技术的先进与否，直接决定了广播电视节目的清晰度、稳定性和覆盖面积，而这些又关系到广大观众能否及时、准确地获取信息和享受文化产品。
广播电视无线电发射技术的现代化是国家文化软实力的重要组成部分。
随着国际间文化交流的日益频繁，我国必须不断提升广播电视传输技术水平，以增强自身文化软实力，提升国际影响力。
我国当代广播电视无线电发射技术的重要性体现在它对广播电视传输质量、频谱资源利用、文化软实力等方面的直接影响。
只有不断提升技术水平，推动广播电视行业的发展，才能更好地满足人们对信息和文化的需求，促进社会和谐稳定发展。
2. 正文2.1 我国广播电视无线电发射技术的现状我国广播电视无线电发射技术的现状可以从多个方面进行分析。
我国的广播电视无线电发射技术在硬件设备和技术水平上已经取得了长足的进步。
各级广播电视台和无线电发射机构配备了先进的发射设备，能够满足各类广播电视节目的传输需求。
我国在数字化、高清化方面也有了很大的突破，提高了广播电视的传输质量和覆盖范围。
我国广播电视无线电发射技术在覆盖面积和信号稳定性上也有了显著提升。
随着技术的不断更新换代，广播电视信号的覆盖范围已经遍布全国各个地区，包括一些偏远地区和山区，让更多的人能够接收到清晰稳定的广播电视节目。
我国广播电视无线电发射技术在节目内容和多样性上也在不断丰富和完善。
各级广播电视媒体不断推出各类丰富多彩的节目内容，包括新闻、娱乐、体育、纪录片等，满足不同观众群体的需求，提高了广播电视的影响力和吸引力。
光电效应的电子发射研究
光电效应的电子发射研究背景介绍光电效应是指光照射到金属表面或半导体材料时，使得电子从材料中被发射出来的现象。
这一现象的发现对于量子力学的发展起着重要作用。
而在近代物理学的研究中，光电效应的电子发射研究一直是热门的课题之一。
历史沿革尽管光电效应在现代物理学中具有重要的地位，但对于这一现象的研究却始于19世纪末。
1899年，欧根·戈耳发现电极作为光电晶体的成分。
1900年，德国物理学家恩斯特·路德维希·法斯特发现了光电效应，他发现金属表面接收到光的能量后会发射出电子，且其动能与光的能量有关。
这一发现对光电效应的研究起到了开创性的作用。
光电效应的经典理论在相对论和量子力学发展之前，科学家对于光电效应的解释主要依靠经典电动力学的理论。
光电效应的经典理论基于麦克斯韦方程组，假设电子受到电磁波的作用，表面电子被激发后从材料中发射出来。
然而，这一理论无法解释光电效应中存在的几个重要现象，如光电子动能与光照强度无关和存在截止频率等。
量子理论的光电效应解释带领进入量子力学的诞生，对于光电效应的解释也发生了重大的转变。
爱因斯坦在1905年提出光子概念，认为光是由光子组成的。
根据光子的能量公式E=hf，爱因斯坦解释了光电效应中动能与光的频率有关的现象。
而后，根据波粒二象性的原则，对光子和电子进行了统一的描述，即将光子看作是微观粒子，同时将电子也视为微粒子。
这一量子力学的解释完美地解释了经典理论无法解释的几个重要现象。
光电效应的应用由于光电效应的特殊性质和量子力学的解释，光电效应在科学和技术应用中具有重要的地位。
一方面，光电效应广泛应用于光电器件的研发，例如太阳能电池、光电二极管等。
太阳能电池将光能转化为电能，成为可再生能源的重要来源。
另一方面，光电效应在光谱学、电子学和半导体器件等领域具有广泛的应用。
通过研究光电效应，科学家能够更好地了解材料的电子结构和性质，从而为新型器件的开发提供基础。
浅谈关于我国当代广播电视无线电发射技术的几点认识
浅谈关于我国当代广播电视无线电发射技术的几点认识
随着科技的发展和广播电视无线电发射技术的进步，我国的广播电视行业正在获得很
大的发展。
在这个过程中，我们需要深入了解当前我国广播电视无线电发射技术的现状和
未来发展趋势，以适应新时代的需要。
首先，我国广播电视行业的发展已经趋于成熟，技术也逐渐成熟，如数字化广播电视、高清广播电视和互联网电视等，这些技术的出现大大提升了广播电视媒体的质量和体验。
同时，广播电视无线电发射技术也在不断升级，如数字广播电视无线电发射技术、数字电
视机顶盒技术和高清无线电发射技术等，这些新技术能够更好地满足人民群众对广播电视
的需求。
其次，由于广播电视业务的特殊性，广播电视无线电发射技术的安全性和可靠性都非
常重要。
而现在的发射系统已经实现了远程监控和维护，通过可视化监控、远程参数调整
和故障诊断等手段，可以快速解决发射设备问题，保障广播电视的正常运行。
同时，也应
该注重网络安全，加强信息安全管理。
第三，我国广播电视无线电发射技术仍存在一些不足。
如大功率高容错广播电视无线
电发射技术、数字电视机顶盒节目向用户端的网络传输技术等，这些技术存在一定的不足，需要我们在未来的发展中不断完善和改进。
最后，未来广播电视无线电发射技术的发展将面临更多的挑战和机遇。
如新兴技术的
出现、广播电视行业的竞争、用户需求变化等，这些都需要我们不断地学习和适应。
通过
推进技术创新、提高设备质量和服务水平，我国的广播电视无线电发射技术将更好地服务
于人民群众，持续弘扬中华民族的优秀文化和传统价值观。
场发射扫描电镜工作原理
场发射扫描电镜工作原理
场发射扫描电镜（FE-SEM，Field Emission Scanning Electron Microscope）工作原理如下：
1. 电子发射：FE-SEM使用一个称为电子枪的器件产生高能电
子束。
电子枪包含一个钨丝或碳纳米管的尖端，通过加热尖端，电子从尖端发射出来。
2. 调制和聚焦：电子束经过一系列的电场调制和聚焦透镜，以使电子束具有足够的能量和焦点来进行扫描。
3. 扫描和信号采集：电子束被聚焦到一个非常小的尖端，称为扫描线圈。
扫描线圈通过控制电子束的位置和速度，将电子束在样品表面上进行快速的扫描。
当电子束与样品表面相互作用时，会有多种信号产生，如二次电子、反射电子、特征X射
线等。
4. 信号检测：上述信号被检测器捕获，并由电子光学系统将其转换成图像或谱图。
典型的信号检测器包括二次电子探测器、透射电子探测器、X射线能谱仪等。
5. 数据显示和处理：捕获的信号通过计算机进行处理和显示，生成高分辨率的扫描电子显微图像。
计算机还可以对图像进行后期处理，如增强、标记、量化等。
总的来说，FE-SEM利用电子束的显微特性来对样品进行高分
辨率的表面观察，并可获取丰富的样品性质信息。
场致发射原理范文
场致发射原理范文场致发射（Field Emission）是一种利用电场高强度的原理，从密集的金属尖端（例如钨尖、铕尖等）发射出电子的现象。
它是一种重要的电子发射机制，广泛应用于电子显微镜、射频微波器件、荧光显示器等领域。
本文将详细介绍场致发射的基本原理及其应用。
场致发射的原理基于量子力学的隧道效应。
当金属中存在一个极强的电场时，电子将被束缚在金属表面的费米能级附近。
如果金属尖端存在几何形状的尖缘，尖缘周围的电场会进一步增强，使得费米能级在尖端附近弯曲。
当电场强度超过一些阈值（一般为10^7～10^8V/m），电子有足够的能量穿过势垒，从金属尖端逸出发射。
场致发射的电子具有高速、高亮度和稳定性的特点，适用于要求高分辨率和高灵敏度的应用。
场致发射的机理可以通过费米面的形变来解释。
当金属尖端附近的电场强度增加时，费米面在尖端附近形成一个“弯曲”，即费米能级随距离的变化而变化。
这个费米面的弯曲导致了能态在空间上的重叠，即形成了一系列的波函数。
根据波函数的正交性，这些波函数中的一部分将趋向无穷大，使电子能够隧道穿过势垒，从而实现发射。
为了实现场致发射，需要满足一定的条件。
首先，金属尖端的半径应该尽量小，以增大周围的电场强度。
其次，金属尖端的表面应该尽量光滑，以防止电子被表面缺陷散射。
同时，正常的材料表面都会存在气体吸附，吸附的气体会降低电子隧穿经过的概率，因此需要对尖端进行氧化处理等，减少气体吸附。
最后，为了保证金属尖端之间形成足够的电场强度，通常需要对尖端进行高电压的加速。
场致发射在电子技术中有着广泛的应用。
最常见的应用之一是电子显微镜。
电子显微镜利用场致发射的高能电子来替代传统的光学显微镜，可以获得更高的分辨率和放大倍数。
此外，场致发射还用于制造射频微波器件，例如场发射管和冷阴极管。
在场发射管中，电场强度被用于控制电子的发射和加速；而在冷阴极管中，场致发射的电子作为多个发射源之一，被用于激发荧光屏。
此外，场致发射还用于荧光显示器和光电倍增管等领域。
关于无线发射项目情况汇报
关于无线发射项目情况汇报
首先，我要感谢各位对无线发射项目的关注和支持。
在过去的一段时间里，我
们团队一直在努力推进这个项目，取得了一些进展，现在我来向大家做一个详细的汇报。
首先，我们在项目启动之初就确定了项目目标和时间表，经过团队的共同努力，目前已经完成了项目的需求分析和技术方案的制定。
我们针对无线发射的特点和需求，结合市场调研和用户反馈，制定了一套科学合理的技术方案，以确保项目能够顺利推进。
其次，我们的研发团队在技术方案的基础上，已经完成了无线发射设备的原型
设计和制作。
经过多次的实验和测试，我们不断优化和改进设备的性能，确保其在无线信号传输方面具有较高的稳定性和可靠性。
同时，我们也在不断提高设备的节能环保性能，以满足现代社会对于节能减排的要求。
另外，我们的市场团队也在积极开展市场调研和推广工作，与潜在客户进行深
入沟通，了解他们的需求和反馈。
同时，我们也在不断寻求合作伙伴，拓展销售渠道，以确保项目能够在市场上取得良好的表现。
最后，我们也意识到在项目推进过程中可能会遇到的困难和挑战，但我们有信
心和能力克服这些困难，确保项目能够按时按质完成。
同时，我们也将继续保持团队的合作和沟通，确保项目的顺利推进。
总的来说，无线发射项目目前进展顺利，我们团队将继续努力，确保项目能够
取得更好的成绩。
同时，我们也欢迎大家对项目提出宝贵意见和建议，共同推动项目向前发展。
谢谢大家的支持和关注！。
电子发射和光电效应的物理学原理
电子发射和光电效应的物理学原理电子发射和光电效应是物理学界中极为常见的现象，它们也是现代电子学和光学等学科的基础之一。
在此，我将结合具体的实验过程，来介绍电子发射和光电效应的物理学原理。
一、电子发射的物理学原理电子的发射是指从物质表面或内部出射的电子。
发射电子的机理可以分为热发射、场发射、光电发射等不同类型。
其中，场发射是指在电场的作用下，电子从固体表面发射出来的情况。
光电发射是指当光线照射在物质表面时，高能光子打击材料自身电子，使其脱离固体表面并引起电子发射。
以光电发射为例，我们可以通过实验研究光电子的物理特性。
在实验中，我们先将增压汞灯放在导轨上，增压汞灯通过高压电击使得气体中的水银原子激发成高能态，释放出紫外线。
然后，将金属片片放在导轨中央，再以不同的电压将其加速，当金属片表面受到光子的冲击时，部分电子会受到光电子的束缚，被打到空间中，从而引起电流的产生。
从电子发射实验的结果可以看出，电子的发射与光子能量有很直接的关系。
当光子能量小于一定值时，无论光子的强度和入射面积如何，都不会发生电子发射现象。
而当光子连续增加其能量时，会发现电子的发射速度明显增加，可以证明光电系存在特定的最低光子能量，我们称之为“逸出功”。
逸出功是光电发射实验的关键参数，它指的是从金属表面脱离时必须进行的最低能量。
由此可知，逸出功是材料内部电子状态的一个重要指标，在材料表面上的设计和制造过程中，控制和设计材料表面的逸出功也成为了一门研究热点。
二、光电效应的物理学原理光电效应是指在光子的作用下，金属表面电子从束缚态到自由态的转变过程。
由于电子发射时必须克服逸出功，因此这个过程是一个不可逆的过程。
此外，光子的入射及反射和吸收与金属表面的形貌、表面沉积物等都会产生不同程度的影响。
实验中，我们同样可以利用光电效应现象，研究光子能量、入射角度、逸出功等因素对光电效应的影响。
在实验过程中，我们可以使用不同波长下的激光，或者在太阳能电池等装置上进行实验，以上实验结果均可以用来研究光电效应学中的参数及材料等性质。
浅谈关于我国当代广播电视无线电发射技术的几点认识
浅谈关于我国当代广播电视无线电发射技术的几点认识1. 引言1.1 我国当代广播电视无线电发射技术的重要性我国当代广播电视无线电发射技术的重要性在当前社会中不可忽视。
广播电视作为传播信息、宣传政策、促进文化交流的重要媒介，扮演着举足轻重的角色。
无线电发射技术作为广播电视传输的基础技术，直接影响着信号的传输质量和覆盖范围。
在信息时代的今天，广播电视无线电发射技术的重要性更加凸显。
广播电视无线电发射技术是信息传播的重要手段。
通过广播电视无线电发射技术，各地的信息可以实现远距离的传播，让更多的人了解到即时的资讯，促进社会各界之间的信息交流和互动。
广播电视无线电发射技术是文化传承的重要途径。
通过广播电视节目的传输，可以实现不同地区、不同文化之间的交流，促进文化多样性的传播和保护。
广播电视无线电发射技术是政策宣传的有力支撑。
政府可以通过广播电视无线电发射技术，向广大民众传达政策信息，引导社会舆论，促进社会稳定和发展。
我国当代广播电视无线电发射技术的重要性不容忽视，它牵扯着信息传播、文化传承、政策宣传等多个方面，对于社会的发展起着至关重要的作用。
我们应该重视广播电视无线电发射技术的发展，不断推动技术创新，提升传输质量，更好地满足社会需求。
【字数：350】1.2 当前我国广播电视无线电发射技术的现状当前我国广播电视无线电发射技术的现状，可以说是处于快速发展的阶段。
随着信息化和数字化技术的不断推进，广播电视无线电发射技术在我国的应用范围和技术水平都得到了显著提升。
在广播电视领域，我国已经实现了全国范围内的数字化覆盖，数字广播和数字电视的普及率不断增加。
通过数字技术，广播电视信号的传输质量和覆盖范围都有了大幅提升，观众能够享受到更清晰、更丰富的节目内容。
在无线电发射技术方面，我国积极推动无线电网络建设，向高密度、高容量、高效率的通信网络发展。
5G技术的快速部署和应用，使无线电发射技术更加快捷、稳定，为广播电视传输提供了更多可能性。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
DEVELOPMENT AND THEORETICAL MODELS OF EL ECTRON FIELD EMISSION
WANG Ru2Zhi WANG Bo YAN Hui
( Key Laboratory of Advanced Functional Materials of Education Ministry of China , Beijing Polytechnic University , Beijing 100022 , China)
Abstract In view of its increasing importance the origin and current status of field emission theory are sum2 marized. Several models of electron field emission in different materials and the intrinsic problems encountered in tra2 ditional theories are reviewed , with emphasis on the problems and their possible solutions. Key words electron field emission , field emission theory , F2N theory
3 2
qΦB -
( EF -
Ec )
1Π2 , B
=
4
3
2m qhε
.
(4)
·85 ·
在此 ,ε为所加电场强度. 在高电场及低温下 ,
(3) 式中 CπΠsin ( Cπ) 一项的值约为 1 ,因而可忽略这
一项. 对 (3) 式两边分别取对数 ,可得 log( JΠε2 ) - 1Πε
的曲线为一直线关系 ,被称为 Fowler - Nordheim 图 ,
场电子发射研究现状及理论概述 3
王如志 王 波 严 辉
(北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室 北京 100022)
摘 要 由于场发射研究日趋重要 ,文章就场发射理论的起源 、研究现状进行了总结 ,介绍了电子在几种不同类 型材料的场发射理论模型 ,并对理论本身存在的问题进行了述评 ,着重指出其理论缺陷的实质及完善的可能性. 关键词 场电子发射 ,场发射理论 ,F - N 理论
对 vy 和 vz 积分 ,可得更详细的隧穿表达式 :
∫ J
=
4πqmt kB
h3
T
T ( Ex ) ln[ 1 + e - ( Ex - EF)ΠkB T ] d Ex
∫ = J ( Ex ) d Ex .
(2)
在此 , mt 为电子横向有效质量 , kB 是玻尔兹曼常
数 , T 是温 度 , h 是 普 朗 克 常 数 , EF 为 费 米 能 级.
2 场发射理论模型起源及进展
211 传统金属场发射
3 北京市科技新星资助项目 2001 - 05 - 09 收到初稿 ,2001 - 06 - 28 修回
物理
金属场发射理论研究始于 1928 年的 Fowler 和 Nordheim[16] ,在假设电子从金属电极发射及表面势 为三角势的基础上 ,采用自由电子近似及 WKB 法 , 得到 Fowler - Nordheim( F - N) 公式 ,此公式一直沿用 至今 ,F - N 图也常被视为场发射研究的标准图. 1956 年 ,Murohy 和 Good[17] 通过提出有名的经典镜像 势 ,部分地修正了 F - N 理论 ,但问题并未得到根本 的解决 ,在求解中依然存在着许多物理假设及数学 近似 ,如无限大金属平面的假设 ,求解电子隧穿表面 势垒的 WKB 近似. 以后 ,场发射理论的进展一直不 大. 金属的场发射理论存在着两种不同的理论体系 : 一种 是 沿 用 F - N 理 论 的 自 由 电 子 近 似. 最 近 Jensen[18] 从 F - N 理论出发 ,非自洽地分析表面三角 势的电子分布 ,考虑了镜像平面的漂移 ,更进一步地 完善了关于基于镜像势的 F - N 理论. 然而 Jensen 的工作并没有考虑有效势可能引起表面电子的重新 分布. 另一种理论体系是在考虑有效势引起电子在 发射表面重新分布的情况下 ,根据密度泛函理论[19] 自洽地计算场发射电流[20] ,因其涉及到表面势的重 新分布 ,似乎更接近于实际情况 ,而成为一种较好的 方法 ,也是目前场发射理论发展的一种趋势 ,其思想 源于扫描隧道显微镜 ( STM) 的基本原理. 此方法的 最大优点在于它能通过实验验证 ,但不足之处也是 明显的 ,因为它仅仅涉及到单个发射阴极尖端作用 在样品表面 ,其模型并不完全适合于场发射. 另外 , STM 阴极尖端与样品表面如此靠近 ,STM 过大的电 流密度引起的发热问题 ,还可能引起其他的负面效 应 (如可能导致表面化学反应) . 最近 , Gohda 等[21] 发 展了一种基于密度泛函理论的全自洽方法 ,部分地 修正了自洽方法的不足 ,发现电场具有显著的影响 , 将导致势垒降低及 F - N 图斜率变小. 212 半导体场发射
3 场发射理论模型
311 基于金属的 F - N 理论 设发射电子电荷为 q ,隧穿发射表面电子密度
为 n ,垂直表面势垒的电子速度为 vx ,则场发射电流 密度可表述为
∫ ∫ J
=
q
vx n ( vx ) d vx
=
q mx
n ( E) d Ex .
(1)
将隧穿系数表示为 T ( E) ,在平行发射面方向
表达. 基于半导体场发射的特殊性 ,他们重新考虑了
积分区域及导带的实际偏移 ,因而 (2) 式可改写为
J
=
4πqmt
h3
kB
T
∫Байду номын сангаас Ec ,0 = 0
T(
Ex ) ln
1 + e - ( Ex - EF)ΠkB T
d Ex
=
4πqmt kB
h3
T exp
-
B ( qΦB ) 3Π2
+
3 2
B
(
EF
-
Ec ,0 )
∫ ( qΦB ) 1Π2
v1 v- C′- 1 ln (1 + v) d v ,
(5)
0
因为
C′=
B kB T
3 2
( qΦB ) 1Π2 , v1
= exp [ ( Ef -
Ec ,0 ) ΠkB T] ,
(6)
可以得到
∫v1 v- C′- 1 ln (1 + 0
v) d v ≈
1π C′ sin ( C′π)
1 场发射研究意义 、现状
21 世纪信息化技术将会高度发展 ,在信息处理 中最重要的是图像与文字的处理 ,这就离不开显示 设备 ,使得显示技术成为信息化社会中一个很重要 的技术. 随着人们的需求不断提高 ,显示器将趋向于 超薄 、超轻 ,且有丰富的色彩特性. 而目前市场上常 用的阴极射线管 (CRT) 与液晶显示器 (LCD) 已不能 满足信息显示的要求 ,于是人们将目光投向于场发 射显示器 ( FED) . 近年来 ,场发射平板显示器技术已 取得了很大的进展[1] ,但距离大规模的应用依然存 在不小差距. 其原因在于尚未找到一种具有很好发 射特性的场发射材料 ,而现有的场发射材料在性能 、 制备及加工工艺上也存在许多尚需解决的问题. 此 外 ,场电子发射材料在其他真空微电子器件中也有 很重要的应用 ,如微波放大器等[2] . 因而 ,近年来场 发射材料已成为微电子材料研究中的一个热点领 域[3 —5 ] .
31 卷 (2002 年) 2 期
射中并不适用. 213 纳米结构材料场发射理论
在一些特殊条件下 ,纳米场发射将局域于发射 尖端的最后一个原子. 目前 ,纳米场发射引起了人们 的极大兴趣 ,尽管其理论研究起步较晚 ,但进展迅 速. 在纳米结构材料场发射中 ,量子尺寸效应的存在 将严重影响场发射特性 ,因此 ,F - N 理论模型显然 是不适合的. 目前对纳米场发射理论研究存在着两 种方案 :一是首先从第一性原理出发得出电子在纳 米管尖端的分布 ,然后依照 F - N 理论求其场发射 特性 ,阐述纳米管适合于场发射的理论机制[23] . 注 意到这仅是一种假设 ,并不能说明局域态对发射过 程的影响. 另一种方案是从 Lippmann - Schwinger (L - S) 方程[24] 出发的考虑原子吸附及散射的一种全 自洽方法[25] ,此方法较好地解决了局域态对场发射 的影响问题. 最近 ,Adessi 等[12] 使用此方法研究单壁 纳米管的场发射 ,证实了局域态在纳米场发射中的 作用 ,得到各种形式碳纳米管发射电子的能态分布.
其斜率与势垒高度 ( qΦB = [ qΦ - ( EF - Ec ) ]) 有关.
312 半导体场发射理论
由于半导体中禁带的存在 ,金属场发射理论用
来处理半导体场发射将是不合适的. Waters 等[22] 在
考虑了能带对半导体场发射的实际影响后 ,从 F - N
理论出发 ,推导出从半导体基底场发射的一种解析
Fowler 和 Nordheim 采用简单三角形势垒和金属电
极 ,通过 WKB 近似法求解隧穿系数. 最后积分简化
得:
J FN
= 8πhm [ qΦB
-
q2 mtε2 ( EF - Ec ) ]sin ( Cπ)
exp - B [ qΦB - ( EF - Ec ) ]3Π2 , (3)
其中
C
=
B kB T
金刚石 、类金刚石以及一些新型半导体薄膜 ,由 于其具有良好的高温 、高频 、大功率半导体性能 ,而 且其宽带隙可能导致负的电子亲和势 ,有利于降低 场发射阈值电压及增大场发射电流 ,为场发射器件 的实用化提供了一条可行的途径 ,因此对其场发射 研究也是当前的主要潮流. 但是 ,因为半导体的电子 输运的特殊性 ,场发射理论的建立极为不易 ,所以其 场发射理论大都沿用金属的 F - N 理论 ,而在实际 应用中涉及到了场渗透及表面态的影响. 最近 ,Wa2 ters 等[22] 给出了一种半导体基底场发射的解析表达 式 ,部分地修正了 F - N 理论. 理论研究表明 ,实际 上金属 F - N 图中的斜率不变性可能在半导体场发