K9F1208在DS87C520单片机系统中的应用
K9F1208的介绍
ZigBee技术无线传感器网络节点 MCl3192 LPC2138摘要：以Samsung NAND Flash器件K9F1208为例，对比NAND Flash和NOR Flash的异同;介绍大容量NAND Flash在uPSD3234A增强型单片机系统中的应用，完成了硬件接口设计和软件设计，并给出硬件连接图和部分程序代码。
关键词：NAND，Flash，uPSD3234A单片机，嵌入式系统1 NAND Flash和NOR Flash闪存(Flash Memory)由于其具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、低功耗等特点，被广泛地应用于手机、MP3、数码相机、笔记本电脑等数据存储设备中。
NAND Flash 和NOR Flash是目前市场上两种主要的非易失闪存芯片。
与NOR F1ash相比，NAND Flash 在容量、功耗、使用寿命等方面的优势使其成为高数据存储密度的理想解决方案。
NOR Flash 的传输效率很高，但写入和擦除速度较低;而NAND Flash以容量大、写速度快、芯片面积小、单元密度高、擦除速度快、成本低等特点，在非易失性类存储设备中显现出强劲的市场竞争力。
结构：NOR Flash为并行，NAND Flash为串行。
总线：NOR Flash为分离的地址线和数据线，而NANDFlash为复用的。
尺寸：典型的NAND Flash尺寸为NOR Flash尺寸的1/8。
坏块：NAND器件中的坏块是随机分布的，需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。
位交换：NAND Flash中发生的次数要比NOR Flash多，建议使用NAND闪存时，同时使用EDC/ECC算法。
使用方法：NOR Flash是可在芯片内执行(XIP，eXecute In Place)，应用程序可以直接在Flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中;而NAND Flash则需I/O接口，因此使用时需要写入驱动程序。
闪速存储器K9F1208UOM在图像采集系统中的应用
闪速存储器K9F1208UOM在图像采集系统中的应用
刘智;薛旭成
【期刊名称】《单片机与嵌入式系统应用》
【年(卷),期】2004(000)002
【摘要】闪速存储器具有结构简单、控制灵活、编程可靠、擦除快捷的优点,而且集成度可以做得很高,因此获得了较广泛的应用.本文详细介绍Samsung公司生产的64M×8位闪速存储器K9F1 208UOM的主要特性、应用方法和接口技术;介绍采用K9F1208UOM作为图像存储介质的图像采集记录系统的组成原理和具体实现方法.
【总页数】4页(P60-63)
【作者】刘智;薛旭成
【作者单位】长春理工大学;长春理工大学
【正文语种】中文
【中图分类】TP3
【相关文献】
1.基于ARM的图像采集与图像处理在太阳光跟踪系统中的实际应用 [J], 谢渊;陶宇;郭文成
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单片机智能化消防设备控制技术应用
单片机智能化消防设备控制技术应用消防设备在防止火灾和保护人们生命财产方面起着至关重要的作用。
然而，传统的消防设备控制技术存在一些局限性，如操作复杂、反应速度慢等。
为了提高消防设备的性能和效率，单片机智能化控制技术被引入到消防设备中。
本文将探讨单片机智能化消防设备控制技术的应用。
一、单片机智能化消防设备控制技术介绍单片机是一种高集成、低功耗的微型计算机芯片，具有控制、处理、存储功能。
单片机智能化消防设备控制技术是将单片机应用到消防设备的控制系统中，实现设备的智能化控制和管理。
二、单片机智能化消防设备控制技术的优势1. 快速反应能力：单片机智能化控制系统具有较高的响应速度，可以快速检测到火灾信号并进行相应的控制操作，有效减少火灾扩散的时间。
2. 高集成度：单片机集成电路的特点使得控制器可以在一个芯片上实现多个功能，比传统的逻辑门电路更为简洁高效。
3. 稳定可靠性：单片机智能化控制系统具有较强的抗干扰能力和稳定性，可以在恶劣环境下正常工作，确保消防设备的正常运行。
4. 灵活性：单片机智能化控制系统可以根据实际需要进行编程调整，符合不同场景的消防设备控制要求。
三、单片机智能化消防设备控制技术的应用1. 智能报警系统：单片机可以实时检测火灾信号，并通过网络传输到报警中心，提供及时的火灾信息，方便救援人员采取相应措施。
2. 智能灭火系统：单片机可以根据火灾信号控制灭火器的喷射时间和剂量，提高灭火效率并降低灭火风险。
3. 火灾预警系统：单片机可以通过温湿度传感器等设备实时监测环境变化，当检测到异常情况时，及时发出警报并采取相应措施，提前预防火灾的发生。
4. 智能逃生导引系统：单片机可以通过导航传感器等设备实时计算出逃生路线，并通过LED灯等设备指示人们快速逃生。
四、单片机智能化消防设备控制技术的应用前景单片机智能化消防设备控制技术的应用前景广阔。
随着物联网技术的发展和单片机技术的提升，消防设备的控制系统将更加智能化、高效化。
DS87C520单片机的开发及其在数字式彩条信号发生器中 …
DS87C520单片机的开发及其在数字式彩条信号发生器中…顾欣;陈浩
【期刊名称】《北京广播学院学报：自然科学版》
【年(卷),期】2000(000)003
【摘要】本文介绍了一种以ＤＳ８７Ｃ５２０单片机作为控制核心的电视信号发生器的设计思想和工作原理，利用“直接生成法”产生符合时序且满足编码器要求的三基色信号和标准的复合同步信号。
单片机的引入使信号发生器具有电路简单，产生的信号精确等特点。
【总页数】7页(P47-53)
【作者】顾欣;陈浩
【作者单位】北京广播学院通信工程系;电视工程系
【正文语种】中文
【中图分类】TN941
【相关文献】
1.K9F1208在DS87C520单片机系统中的应用 [J], 赵振华;刘芳
2.基于单片机和CPLD的数字式移相信号发生器的设计 [J], 彭建亮;朱凡
3.80C196KC单片机在层流流量计数字式仪表开发中的应用 [J], 李过房
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Nandflash的寻址
（1）我是在网上看到的一片关于SAMSUNG的K9F1208U0B的NandFlash读取操作的文章这个NAND是有4096个block 每个block分32page 每个page是512Byte大小（不包括Spare Field)Nand Flash的寻址：Nand Flash的地址寄存器把一个完整的Nand Flash地址分解成Column Address与Page Address 进行寻址。
Column Address: 列地址。
Column Address其实就是指定Page上的某个Byte，指定这个Byte其实也就是指定此页的读写起始地址。
Page Address：页地址。
由于页地址总是以512Bytes对齐的，所以它的低9位总是0。
确定读写操作是在Flash上的哪个页进行的。
Read1命令：当我们得到一个Nand Flash地址src_addr时，我们可以分解出Column Address和Page Address.我的板子上使用的是SAMSUNG的K9F1208U0B，下面我将对此型号的NandFlash读取操作做一个讲解。
首先我们先从物理结构上来了解这颗芯片，结构图如下所示:正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又被分为若干扇区，一块Nand Flash被分为若干Block, 每个Block又被分为若干Page。
由上图我们可以知道Flash中Byte(字节)，Page(页)，Block （块）3个单位之间的关系为1 Page = 512 Bytes Data Field + 16 Bytes Spare Field，1 Blcok = 32 Pages。
我们讨论的K9F1208U0B总共有4096 个Blocks，故我们可以知道这块Flash的容量为4096 *(32 *528) = 69206016 Bytes = 66 MB 。
但事实上每个Page上的最后16 Bytes是用于存贮检验码用的，并不能存放实际的数据，所以实际上我们可以操作的芯片容量为4096 *(32 *512) = 67108864 Bytes = 64 MB。
DS87C520
DS87C520/DS83C520EPROM/ROM High-Speed Micro 特征●80C52-兼容性- 与８０５１单片机的管脚和指令集完全兼容- 四个8 位I／O端口- 三个16位定时/计数器- 256 片内RAM●大容量闪速存储器- 16 kB 程序存储器- 1 kB 额外的SRAM- ●ROMSIZE 特征- 选择来自0-16 kB 的内在的ROM 大小- 对整个的外部记忆让通路地图- 可用软件设定访问速度-有用的如长靴为外部的闪光阻塞●高速内核- 4个时钟/机器周期(8051=12)- 最高时钟频率33MHZ- ３３ＭＨｚ，执行一个单字节指令的速度最快可达到１２１ｎｓ- 双数据指针- 可选择的可变长度MOVX 存取斋戒/减慢随机存取储存器/外围设备●电源管理模式- 可设计的时钟来源解救力量- 处理器跑从(晶振/64) 或(晶振/1024)- 提供自动的硬件和软件出口●EMI 减少模式使ALE失去能力●二个全双式串行通信口●高的整合控制器包括:- 电源电压下降复位- 电源电压下降中断- 可编程看门狗定时器●13个中断源其中6 个外部中断描述DS87C520/DS83C520 EPROM/ROM 高速的微是快速的8051-可并立的微控制器。
没有浪费的时钟和记忆周期，它以一个被重新设计的处理器核心为特色。
结果，它运行比给相同的水晶最初者更快速地的在 1.5 和 3 次之间的每个8051个指导。
典型的申请将会使用相同的密码和相同的水晶见到 2.5 的速度进步次。
DS87C520/DS83C520 提议33个百万赫兹的最大水晶速度, 造成明显的实行82.5个百万赫兹的速度.(大约 2.5X)DS87C520/DS83C520 是大头针-与所有的三包标准的8051 相容而且包括标准的资源，像是三个定时器/柜台, 序列移植, 和四个8 一点点输入／输出港口。
它以16 kB 为特色用数据随机存取储存器的额外 1 kB 的EPROM 或面具ROM。
关于DS18B20在单片机中的应用
关于DS18B20在单片机中的应用摘要：DS18820是美国DALLAS半导体公司生产的单总线数字温度传感器,它可直接实现数字化输出和测试，具有控制功能强,高精度,传输距离远,抗干扰能力强,微型化和微功耗等特点.本文介绍了单线数字温度传感器DS18820的结构,特点和工作原理；在蓝桥杯CT107D开发平台了上利用DS18820测量正负范围内带小数的实时温度并显示，测量系统的硬件结构及设计C51程序所注意事项。
关键词：DS18820实时测温正负温度Abstract：DS18820 is a single bus digital temperature sensor produced by DALLAS Semiconductor Company in the United States. It can directly realize digital output and test, with strong control function, high precision, long transmission distance, strong anti-interference ability, miniaturization and micro-power consumption. This paper introduces the structure, characteristics and working principle of single-wire digital temperature sensor DS18820. On the development platform of Lanqiao CT107D, DS18820 is used to measure the real-time temperature with decimal in the range of positive and negative and display the hardware structure of the measurement system and thematters for attention in the design of C51 program..Keywords:DS18820,real-time temperature measuring,the positive and negative temperature温度传感器是比较常用的一种传感器，早期多使用模拟式温度传感器，如热敏电阻；随着科技进步，现在温度传感器多用数字式的，如DS18B20。
Nandflash_K9F1208U0B中文学习资料
Nandflash中文资料1. 引脚描述I/O0 ~ I/O7-----data inputs/outputs通过这8个I/O引脚，可以输入命令，地址和数据，也可以在读操作时输出数据。
CLE-----command latch enableCLE输入控制了发送到命令寄存器的命令。
CLE为高电平时激活，在nWE的上升沿，命令通过I/O端口被锁存到命令寄存器中，结合datasheet的相关时序图来理解更为深刻ALE-----address latch enableALE输入控制了地址发送到内部地址寄存器中，在nWE的上升沿和ALE为高电平时，地址被锁存到地址寄存器中。
nCE-----chip enablenCE是设备选择控制引脚。
nWE-----write enable写使能，在nWE的上升沿，命令，地址和数据被锁存。
nWP -----write protect写保护，当此引脚为低电平激活，也即内部高压发生器复位。
R/B-----ready/busy output就绪/忙输出引脚，通过这个引脚可以知道设备操作的状态。
低电平时，表示编程或擦除或随机读操作在进行，并且根据完成情况来返回高状态。
2. K9F1208U0B的存储结构和存储特点2.1 K9F1208U0B的存储结构一片K9F1208U0B总共有4096blocks，每个block包含32pages，每个page包含528bytes，关系如下：1 device = 4096 blocks1 block = 32 pages1 page = 512 Bytes data field + 16 bytes spare field所以一片K9F1208U0B的容量为4096*32*528=66MB，但是事实上每个page上的最后16bytes 是用于存储校验码用的，并不能存放实际的数据，所以实际上我们可以操作的芯片容量为4096*32*512=64MB由上图可知，1个page总共由528 bytes组成，这528 bytes安顺序由上到下以列为单位进行排列(1列代表一个byte，第0行为第0 byte，第1行为第1 byte)。
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Ｆ ｇ １ Ｔｈ ｕ ｃ ｉ ｎ ｄ ａ ｒ ｍ ｆＫ９ ２ ８ ｉ． ｅ｛ ｎ ｔ ｉｇ ａ ｏ Ｆ１ ０ ｏ
列 、 入输 出缓 冲 及锁 存 、 令 寄存 器 （ 存 外 部 输 命 保 设 备 对存 储器 操 作 的类 型 ） 地址 锁 存 与 译 码 （ 、 保 存被 访 问的地址并 产 生相 应 的译 码选 通信 号 ） 控 、 制 逻辑 及 高 电压发 生 器 等 五 部 分组 成 ， 结 构 如 其
Ｋ９ １ ８在 Ｄ ８ Ｃ 单 片机 系 统 中 的 应 用 Ｆ２ ０ Ｓ ５ ７ ２ ０
赵振华， 芳 刘
（ 汉 工程 大学 电气信 息学院 ， 武 湖北 武 汉 ４ ０ ７ ） ３ ０ ４
摘 要 ： 绍 了 Ｓｍｓｎ 介 ａ ｕ ｇ公 司 生 产 的 ＮＡＮ ｌｓ Ｆ１０ Ｄ ＦａｈＫ９ ２ ８的特 性 ： 存储 结 构 为 ５８字 节 ×３ ２ ２页 ×４ ９ ０ ６块 ， 工作 电压 为 ２ ７ ３ ６Ｖ， 实 现 页 的 读 取 、 入 、 除 等 操 作 ； 合 时 序 讨 论 了 Ｋ９ ２ ８的 页 读 取 ／ 写 入 操 ． ～ ． 可 写 擦 结 Ｆ１０ 页 作 模 式 ； 析 了单 片机 ＤＳ ７ ５ ０的 特 点 ： 速 ， 数 据 指 针 ，３ 中 断 源 ， 源 电压 下 降 自动 复 位 ， 编 程 看 分 ８Ｃ ２ 高 双 １个 电 可 门狗 定 时 器 ； 出 了 Ｋ９ ２ ８与 Ｄ ８ Ｃ ２ 给 Ｆ１０ Ｓ ７ ５ ０的 硬 件 连 接 、 序 框 图 和部 分 程 序 代 码 ． 出 了任 何 一 款 数 据 总 程 提 线 宽 度 在 ８ 及 ８ 以上 的计 算 机 系统 都 能使 用 Ｋ９ ２ ８的方 法 ， 而 实 现 大 容 量 存 储 系 统 的扩 展 ． 位 位 Ｆ１０ 从
“ ” 忙 状态 时 ， Ｅ 的变 高将 被 忽 略 ， Ｃ 不会 返 回到备
用 状态 ．
有效引脚 只有 １ ７个 ， 功 能如下 ． 其 Ｃ Ｅ： 令 允 许 （ 存 ） 平 时 为 低 电平 ． Ｌ 命 锁 ， 当
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图 １ 示． 所 外部 电 路通 过 ８位 ＩＯ 端 口分 时访 问 ／
Ａ Ｅ： 址 锁 存 ， 时 为低 电平 ． ＡＩ 为 Ｌ 地 平 当 Ｅ
高 电平 时 ， ｗＥ 的上 升沿 将 ＩＯ 端 口上 的地址 在 ／
信 息输入并 锁 存 到地址 寄存 器．
Ｃ 片 选 ， 电 平 有 效 ， 于 器 件 的选 择控 Ｅ： 低 用
制． Ｃ 当 Ｅ变 为 高 电平 时 ， 件 返 回 到备 用 （ 器 未选
中） 态． 意 ： 器件 处 于 写 操 作 或擦 除操 作 的 状 注 当
Ｋｇ １ ０ Ｆ ２ ８的命 令 寄存 器 、 址 寄 存 器 和 数据 寄 存 地
器， 完成 对芯片 内部存 储体 的访 问．
Ｋ９ ２ ８采 用 ４ Ｆ１ ０ ８一Ｐ Ｎ Ｔ ＯＰ封 装 形 式 ， Ｉ Ｓ 但
的命 令信 息 输入并 锁 存 到命 令 寄存器 ．
－
缓 冲 器
５ Ｍ＋１ Ｍ ｂＮＡＮＤ １ ２ ６
可擦 除 性 、 重 复 编 程 以 及 高 密 度 、 功 耗 等 特 可 低
点， 已被 广泛 应用 于手 机 、 ３ 数码 相 机 、 记本 ＭＰ 、 笔
Ｆ ａ ｈ存 储 阵 列 （ １ ｌｓ ５２
＋ １ ） Ｂ× １ ０ ２ ６ ３１ ７
电脑 、 掌上 产 品等数据 存储 设备 中．
市 场 上 的 非 易 失 闪 存 芯 片 主 要 有 ＮＡ ＮＤ Ｆａｈ和 Ｎ ａｈ两 种 类 型 ． Ｎ ｌ ｈ相 ｌ ｓ ０Ｒ Ｆ ｓ 与 ＯＲ Ｆａ ｓ
篙凳存 锁
命 令 命 令 寄 存 器
关键 词 ： ＡＮ ｌｓ ； ８ Ｃ５ ０单 片机 ； 口 Ｎ Ｄ Ｆａ ｈ Ｄ￥ ７ ２ 接 中图 分类 号 ： ３ ＴＰ ３ ３ 文献标识码 ： Ａ
Ｏ 引 言
由于 闪存 （ ｌ ｈ Ｍｅ ｒ ） 有 非 易 失 性 、 Ｆａ ｍｏｙ 具 ｓ 电
Ｃ 为高 电平 时 ， ｗＥ的 上 升沿将 ［Ｏ端 口上 Ｉ Ｅ 在 ／
维普资讯
第 ２ 卷 第 ３期 ９
２０ ０ ７年 Ｏ ５月
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Ｖｏ ． ９ Ｎｏ ３ Ｉ２ ．
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文 章 编 号 ：０ ４ ７ ６ ２ ０ ） ３ ｏ １ ０ １０ —４ ３ （０ ７０ 一ｏｙ — ５
压 发 生 器
非易 失性存储 设备 中显 现 出强 劲 的市 场竞争 力．
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全局缓冲ｌ输出驱动 ｌ
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１ Ｋ９ ８介 绍 Ｆ１ ０ ２
Ｋ９ １ ０ Ｆ ２ ８是 三 星 公 司 生 产 的 ６ Ｍ ＊８ ｉ ４ ｂｔ
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ＮＡ ｌ ｈ存储 器 ， ＮＤ Ｆａ ｓ 工作 电压 为 ２ ７ ． 内 ． ～３ ６Ｖ， 部存 储结构 为 ５ ８字节 ×３ ２ ２页 ×４ ９ ０ ６块 ， 实现 可 页 的读 取 、 入 、 除 等 操 作． Ｆ ２ ８由存 储 阵 写 擦 Ｋｇ １ ０
页 丽 寄 存 器
Ｙ 选 通 一
比， ＮＤ Ｆａｈ在单 片 容 量 、 元 密 度 、 入 速 ＮＡ ｌ ｓ 单 写 度 、 除速度 、 擦 功耗 、 本等 方面 具 有更 大优 势 ， 成 选 用它 成为大容 量 、 高密 度数 据存 储 的理 想方 案 ， 在
ＣＥ
制 逻 辑 及 高
ＩＯ端 口上 的命 令 、 址 和 数据 信 息 分 别输 入 到 ／ 地