模拟电子技术试卷2

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电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案

电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案
3.放大区 、 、
七、
1.电容C的位置错,可去掉或改动 的位置
2.去掉电容C2
3. 的极性错
八、画出下面电路的直流通路和微变等效电路。
直流通路:
微变等效电路:
九、解:
1. 、 、
2.交流负载线:过Q点,与横轴的焦点是
3.到饱和区的最大 ;到截止区的最大 。因此这道题要出现失真,应该是饱和失真,答同时出现也可以。
二、选择题
1.B,A,A2.B,A3.A,B,C
三、填空题
1.放大区、截止区、饱和区、放大区
2.电源、直流信号、交流信号源、交流信号、电容、交流信号源、电容、电源
3.电压放大倍数、输入电阻、带宽
4.静态工作点、交流负载线、交流负载线的中间、基极电阻、增大
四、
1. X——发射极、Y——集电极、Z——基极、
负反馈自激振荡的条件是:
观察放大电路的波特图。当 时,若幅频响应曲线在零点以下,则电路稳定;否则可能产生自激振荡。
2.选择正确答案填空
A电压串联负反馈B电压并联负反馈
C电流串联负反馈D电流并联负反馈
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应引入C
(2)为了实现电流-电压转换,应引入B
(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载能力,应引入A
(4)为了实现电流放大,应引入D。
三、判断图示电路引入了何种反馈?
模2第五章练习题答案
一、判断题
1 .√ 2. √ 3.X4. X 5. X
二、填空题
1. F D C A B E A C
2. C B A D
三、判断图示电路引入了何种反馈?
电流并联负反馈电压串联负反馈
电压并联正反馈电流并联负反馈

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子技术中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是:A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用?A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中,若要实现电压跟随器,应该使用运算放大器的哪种配置?A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时,其导通电压是:A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是:A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中,为了减少噪声,通常采用以下哪种方法?A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案:1-5 D A C B B;6-10 B D D C B二、填空题(每空1分,共10分)1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。

2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。

3. 一个理想的二极管在反向偏置时,其电流是_________。

4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。

5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。

答案:1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。

模拟电子技术试卷2附答案

模拟电子技术试卷2附答案

考试科目 《模拟电子技术》 专业 (A 类B 卷)学号 姓名 考试日期: 年 月 日一、选择题(8小题,每空2分,共20分)1.电路如图所示,()V sin 05.0i t u ω=,当直流电源电压V 增大时,二极管V D 的动态电阻将__ __。

A .增大,B .减小,C .保持不变2.已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的)GS(th U =4V 。

GS u =3V ,DS u =10V ,判断管子工作在 。

A .恒流区,B .可变电阻区 ,C .截止区3. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时,输出电压为 4V ;输入电压为 0.2V 时,输出电压为 8V (均指直流电压)。

则该放大电路的电压放大倍数为________________。

A .80 ,B .40,C .-40,D .20 4. 在某双极型晶体管放大电路中,测得)m V 20sin (680BE t u ω+=,A μ)10sin (20B t i ω+=,则该放大电路中晶体管的_ ___。

A .2,B .34,C .0.4,D .15. 差分放大电路如图所示。

设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。

若R e 增加,差模电压放大倍数d u A 。

A .增大,B .减小,C .基本不变6. 为使其构成OCL 电路,V 2CES ≈U ,正常工作时,三极管可能承受的最大管压降≈CEmax U 。

A .36VB .34VC .32VD .18V(-18V)7. 已知图示放大电路中晶体管的=50,=1k 。

该放大电路的中频电压放大倍数约为___ _ _(A .50, B .100, C .200);下限截止频率约为___ __Hz(A .16, B .160, C .1.6k );当输入信号频率f =时,输出电压与输入电压相位差约为 _ _(A .45°, B .-45°, C .-135°, D .-225°)。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、选择题1. 在模拟电子技术中,以下哪种元件不是基本的模拟电路元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案:D2. 运算放大器的主要作用是什么?A. 信号放大B. 信号整形C. 信号转换D. 信号滤波答案:A3. 以下哪种滤波器能够通过高频信号而阻止低频信号?A. 高通滤波器B. 低通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:A4. 在模拟电路设计中,为了减小温度对电路性能的影响,通常采用哪种方法?A. 温度补偿B. 自动增益控制C. 负反馈D. 电源滤波答案:A5. 哪种类型的半导体材料具有P型半导体的特性?A. 锗(Ge)B. 硅(Si)C. 氮化镓(GaN)D. 氧化锌(ZnO)答案:B二、填空题1. 在模拟电子技术中,______和______是构成振荡器的基本元件。

答案:电阻、电容2. 为了实现信号的放大,通常需要在电路中引入______。

答案:负反馈3. 在模拟信号处理中,______是用来描述信号频率内容的工具。

答案:傅里叶变换4. 电流放大器的主要功能是放大______信号。

答案:低频5. 在模拟电路中,为了提高电路的稳定性和可靠性,常常使用______电源。

答案:稳压三、简答题1. 请简述晶体管的主要工作原理及其在模拟电路中的应用。

晶体管是一种半导体器件,主要通过控制基极电流来调节集电极与发射极之间的电流。

在模拟电路中,晶体管可以作为放大器使用,通过小信号控制大信号的放大过程,实现信号的增益。

同时,晶体管还可以用作开关,控制电路的导通与截止。

2. 描述运算放大器的基本特性及其在模拟电路设计中的重要性。

运算放大器是一种高增益、高输入阻抗、低输出阻抗的放大器。

其基本特性包括开环增益高、输入阻抗大、输出阻抗小、频率响应宽等。

在模拟电路设计中,运算放大器因其优良的放大性能和灵活性,被广泛应用于信号放大、滤波、积分、微分等电路中,是模拟电路设计中不可或缺的核心组件。

模拟电子技术习题2及答案

模拟电子技术习题2及答案

习题2 解答2.1 选择正确答案填入空内。

(1)有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的情况下,测得电路A 的输出电压小。

这说明电路A 的 ( )。

A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小(2)有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一理想电压源信号进行放大。

在连接相同负载的情况下,测得电路A 的输出电压小。

这说明电路A 的 ( )。

A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小(3)在电压放大电路的上限截止频率点或下限截止频率点,电压增益比中频区增益下降3dB ,这时在相同输入电压条件下,与中频区比较,输出电压下降为( )倍。

A .1B .10C .1.414D .0.707(4)当负载电阻R L = 1k Ω时,电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%,该放大电路的输出电阻R o 为( )。

A .0.25 k ΩB .0.5 k ΩC .1 k ΩD .1.5k ΩΩ==-=-=----k R V V V V R V V R V V o oo oo OL oo LOLooo OL oo 25.045)2.01()1(负载电压开路电压设:(5)电路如题图2.1.5所示,放大电路的输出端直接与输入端相连,则输出电阻R o ( )。

A .R 1 B .(1+β)R 1 C .R 1/ 1+β D .R 1/ β E .0(6)差模输入信号是两个输入端信号的( ),共模信号是两个输入端信号的( )。

A .差 B .和 C .平均值答案 (1)B (2)C (3)D (4)A (5)E (6)ACo s V2.2 将正确答案填入空内。

(1)在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰-峰值分别为5μA 和5 mV ,它们的相位相同;此时,输出端接2k Ω电阻负载,测量到正弦电压信号峰-峰值为1V ,则该放大电路的电压增益A v 等于 ,电流增益A i 等于 ,功率增益A p 等于 。

模拟电子技术试卷

模拟电子技术试卷

模拟电子技术测验 试卷二一、 填空题:将正确的答案填入空格中。

(本大题分15小题,每小题2分,共30分)1. 在分析BJT 放大电路高频响应时,常应用BJT 的__________________________模型对放大电路进行分析。

2. 稳压管反向击穿区的特性曲线越陡,管子的动态电阻就越_____________,稳压性能就越_____________。

3. P N 结在外加正向电压作用下,扩散电流____________漂移电流。

PN 结在外加反向电压作用下,扩散电流_____________漂移电流。

4. 在图示电路中,D 1和D 2均为理想二极管,则当v i >12V 时,v o =_____________V 。

5. 电路如图所示,当v i = 3V 时,v o =_____________V 。

vv i v o6. 功率放大电路是在大信号下工作。

研究的重点是如何在允许的失真情况下,尽可能提高__________________________和__________________________。

7. 乙类双电源互补对称功放电路如下图所示,v i 为正弦波。

在BJT 的饱和压降V CES 忽略不计的条件下,负载R L 上能得到的最大输出功率P om =_____________W 。

8. 理想运算放大器的共模抑制比等于_____________,输出电阻等于_____________。

9. 根据相位平衡条件,判断下图所示电路是否可能振荡。

答:_____________。

v o v i 12 VR B2R B110.电路如图所示,,已知R 1=5k Ω,R 2=15k Ω,R 3=10k Ω,R C=2k Ω,R E =,该电路中的晶体管状态。

11.一单级阻容耦合放大电路的通频带是50Hz ~50kHz ,中频电压增益dB 40=VMA ,最大不失真交流输出电压峰值范围是-3V ~+3V 。

《模拟电子技术基础》试题2

《模拟电子技术基础》试题2

机电3+2《模拟电子技术基础》试题库2考生须知:1.本试卷分问卷和答卷两部分,满分100分,考试时间90分钟。

2.在答题卷密封区内请写明校名、姓名和学籍号。

3.全部答案都请做在答题卷标定的位置上,务必注意试题序号与答题序号相对应,直接做一、填空题(每空1分,共30分)1.根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为、和三类。

2.PN结正偏时,P区接电源的极,N区接电源的极。

3. 三极管按内部结构分为型和型,前者的图形符号是,后者的图形符号是。

4. 硅二极管导通时的正向管压降约 V,锗二极管导通时的正向管压降约 V。

5. 三极管工作在饱和状态的外部电压条件是:发射结,集电结。

6.当测得晶体三极管的集电极对地电压V C接近电源电压V CC时,表明该三极管处于________状态。

7.一放大器无反馈时的放大倍数A=120,加入负反馈后,放大倍数下降为A f=20,它的反馈深度1+AF= ,反馈系数F= 。

8.某工作在放大区的三极管,如果当I B从22μA增大到42μA,I C从1mA变为2mA,则它的放大倍数β为__________。

9.负反馈能使放大器的通频带__________,非线性失真__________。

10.在低通滤波电路中,电容器与负载联,电感与负载联。

11.通常使用法判断反馈放大器的反馈极性。

根据反馈信号是交流还是直流来分,可分为反馈和反馈。

12.由NPN三极管组成的放大电路中,输出电压波形的正半周失真,则产生了失真,它的静态工作点位置。

13.放大器的输出电阻,放大器能力越强。

14.单级共射极放大电路中,输入电压和输出电压的频率,相位。

二、单项选择题(每小题3分,共30分)1.对三极管放大作用的实质,下面说法正确的是( ) A.三极管可以把小能量放大成大能量 B.三极管可以把小电流放大成大电流C.三极管可以把小电压放大成大电压D.三极管可用较小的电流控制较大的电流2. 交流电源电压V 2=11伏的单相桥式整流电路,直流负载电阻RL=5欧,每个二极管通过的电流约为( )安。

电力电子技术模拟试题及答案

电力电子技术模拟试题及答案

XX学院 20XX年秋季学期电力电子技术模拟试题2(开卷,时间:120分钟)(所有答案必须写在答题纸上)一、填空题(40分,每空1分)1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似,但是可以通过在门极使其关断。

3. GTO导通过程与普通晶闸管一样,只是导通时饱和程度,导通时管压降。

4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称为, 该值一般很小,只有左右,这是GTO的一个主要缺点。

5. GTR导通的条件是:且。

6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中,在区和区之间过渡时,要经过放大区。

7. 电力MOSFET导通的条件是:且。

8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。

9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。

10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理,即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

11.根据“面积等效原理”,SPWM控制用一组的脉冲(宽度按规律变化)来等效一个正弦波。

12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术;直流斩波电路得到的PWM波是等效波形,SPWM控制得到的是等效波形。

13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式,PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式,三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。

14.SPWM波形的控制方法:改变调制信号u r的可改变基波幅值;改变调制信号u r的可改变基波频率;15.得到PWM波形的方法一般有两种,即和,实际中主要采用。

16.根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况,PWM调制方式可分为和。

一般为综合两种方法的优点,在低频输出时采用方法,在高频输出时采用方法。

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昆明理工大学试卷(A)
考试科目:电子技术考试日期:命题教师:集体
学院:专业班级:学生姓名:学号:
任课教师:课序号:040304032 考试座位号:
一.填空题:(30分)
1、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。

(2分)
2、半导体二极管由一个PN结构成,它基本特性是正向,反向。

(4分)
3、稳压管的稳压区是其工作在状态。

(2分)
4、当三极管的发射结正偏,集电结反偏时,三极管处于工作状态。

(2分)
5、双极型晶体管和场效应晶体管相比,放大能力较强的是,输入电阻较高的是。

(2分)
6、差动放大电路的主要优点是,因此通常作为集成运算放大电路的输入级。

(3分)
7、稳压电源一般由变压、、、四部分电路构成。

(4分)
8、振荡电路自激振荡的幅度条件是,相位条件
是。

(4分)
9、若要增大放大电路输入电阻,需引入负反馈;若要减小放大电路输出电阻,需引入负反馈。

(4分)
10、(11011)B=()D=()H=( )8421BCD (3分)
二、电路如图(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。

画出输出电压u O的波形,标出幅值,写出u O与u I1、u I2的逻辑关系。

(10分)
三、化简,方法不限。

(12分)
四、设计一个检测电路,检测四位二进制数中“1”的个数是否为偶数,若为偶数,输出为“1”,否则为“0”(全部为“0”视为偶数)。

(12分)
∑∑+=+++=)
15,9,3()14,11,8,7,5,,1,0(),,,(21d m D C B A Y D
C A
D B AD AB Y 、、
五、电路如图所示,晶体管的β=80,r be =1k Ω,U BE =0.7V 。

1、求出Q 点;
2、分别求出R L =∞和R L =3k Ω时电路的 和R i ;
3、求出R o 。

(12分)
六、电路如图所示,R F =100K Ω,R p =9.27K Ω,R 1=25K Ω,R 2=20K Ω,R 3=125K Ω,求电路的输出电压U o 与输入电压U 1、U 2、U 3之间的运算关系。

(12分)
u A
七、用2-5-10进制异步计数器74LS290和少量门电路设计一个9进制计数器。

在给出的74LS290的逻辑符号图上画出设计电路图,列出状态转换表。

(12分)。

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