半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考点(最新版).doc
半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考试题及答案(最新版).doc
半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考试题及答案（最新版）考试时间：120分钟 考试总分：100分遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
l4、单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由（ ）来实现。
A.掩膜版 B.扩散 C.光刻 本题答案： 5、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（ ）控制。
本题答案： 6、单项选择题pn 结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（ ）的重要标志。
A.扩散层质量 B.设计 C.光刻 本题答案： 7、单项选择题溅射法是由（ ）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
A.电子 B.中性粒子姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------C.带能离子本题答案：8、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。
A.塑料B.玻璃C.金属本题答案：9、判断题没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请，经党支部委员会同意，可以少交或免交。
本题答案：10、填空题气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。
本题答案：11、单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。
半导体器件的粘封工艺一般选用（）。
A.热塑性树脂B.热固性或橡胶型胶粘剂本题答案：12、填空题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
半导体芯片制造中级工试题
1、单项选择题半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。
外壳应有小的（），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。
A.热阻B.阻抗C.结构参数2、填空题热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
3、单项选择题反应离子腐蚀是（）。
A.化学刻蚀机理B.物理刻蚀机理C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合4、单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
B.扩散C.光刻5、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。
6、单项选择题pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。
A.扩散层质量B.设计C.光刻7、单项选择题溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
B.中性粒子C.带能离子8、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。
A.塑料B.玻璃C.金属9、判断题没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请，经党支部委员会同意，可以少交或免交。
10、填空题气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。
11、单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。
半导体器件的粘封工艺一般选用（）。
A.热塑性树脂B.热固性或橡胶型胶粘剂12、填空题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
13、填空题芯片焊接质量通常进行镜检和（）两项试验。
14、问答题什么叫晶体缺陷？15、问答题简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工艺质量？16、问答题简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？17、单项选择题双极晶体管的高频参数是（）。
半导体芯片制造工：半导体制造技术考点模拟考试练习.doc
半导体芯片制造工：半导体制造技术考点模拟考试练习考试时间：120分钟 考试总分：100分题号 一 二 三 四 五 总分 分数遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
1、问答题画出侧墙转移工艺和self-aligned double patterning （SADP ）的工艺流程图。
本题答案：2、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line ，姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
本题答案：寄生电阻和寄生电容造成的延迟。
电子在导电过程中会撞击导本题解析：寄生电阻和寄生电容造成的延迟。
电子在导电过程中会撞击导体中的离子，将动量转移给离子从而推动离子发生缓慢移动。
该现象称为电迁移。
在导电过程中，电迁移不断积累，并最终在导体中产生分散的缺陷。
这些缺陷随后集合成大的空洞，造成断路。
因此，电迁移直接影响电路的可靠性。
采用铜互连可大幅降低金属互连线的电阻从而减少互连造成的延迟。
铜的电迁移比铝材料小很多：铜的晶格扩散的激活能为2.2eV，晶界扩散结合能在0.7到1.2eV之间；而铝分别为1.4eV和0.4-0.8eV.采用低介电常数材料填充平行导线之间的空间可降低金属互连线之间的电容从而减少延迟。
采用铜/low-k互连可大幅减小互连pitch，从而减少互连金属层数。
3、问答题简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。
本题答案：APCVD一些最早的CVD工艺是在大气压下进行的，由于反应速率快，CVD 系统简单，适于较厚的介质淀积。
半导体芯片制造高级工题库4-2-10
半导体芯片制造高级工题库4-2-10问题：[单选]双极晶体管的高频参数是（）。
A.hFEVcesB.BVceC.ftfm问题：[单选]金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。
A.塑料B.玻璃C.金属问题：[单选]外壳设计包括（）设计、热性能设计和结构设计三部分，而可靠性设计也包含在这三部分中间。
A.电性能B.电阻C.电感/ 家具品牌问题：[单选]金属封装主要用于混合集成电路封装，外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。
底盘、管帽和引线的材料常常是（）。
A.合金A-42B.4J29可伐C.4J34可伐问题：[单选]超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接，焊接处依靠（）封接，因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。
A.管帽变形B.镀金层的变形C.底座变形问题：[单选]在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2％（质量比）的硝化纤维素溶解于98％（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中制得，再将20％的运载剂与（）的玻璃料均匀混合，配成印刷浆料。
A.80％～90％B.10％～20％C.40％-50％问题：[单选]常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。
半导体器件的粘封工艺一般选用（）。
A.热塑性树脂B.热固性或橡胶型胶粘剂问题：[单选]恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。
A.高斯B.余误差C.指数。
半导体工艺及芯片制造复习资料简答题与答案
半导体工艺及芯片制造复习资料简答题与答案第一章、半导体产业介绍1 .什么叫集成电路？写出集成电路发展的五个时代及晶体管的数量？（15分）集成电路：将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能。
集成电路芯片/元件数 无集成1 小规模（SSI ）2到50 中规模（MSI ）50到5000 大规模（LSI ）5000到10万 超大规模（VLSI ） 10万至U100万 甚大规模（ULSI ） 大于100万 产业周期1960年前 20世纪60年代前期 20世纪60年代到70年代前期 20世纪70年代前期到后期 20世纪70年代后期到80年代后期 20世纪90年代后期到现在2 .写出IC 制造的5个步骤？（15分）Wafer preparation （硅片准备）Wafer fabrication （硅片制造）Wafer test/sort （硅片测试和拣选）Assembly and packaging （装配和封装）Final test （终测）3 .写出半导体产业发展方向？什么是摩尔定律？（15分）发展方向：提高芯片性能一提升速度（关键尺寸降低，集成度提高，研发采用新材料），降低功耗。
提高芯片可靠性一严格控制污染。
降低成本——线宽降低、晶片直径增加。
摩尔定律指：IC 的集成度将每隔一年翻一番。
1975年被修改为：IC 的集成度将每隔一年半翻一番。
4 .什么是特征尺寸CD ？ （10分）最小特征尺寸，称为关键尺寸（Critical Dimension, CD ） CD 常用于衡量工艺难易的标志。
5.什么是 More moore 定律和 More than Moore 定律？（10 分）“More Moore”指的是芯片特征尺寸的不断缩小。
从几何学角度指的是为了提高密度、性能和可靠性在晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸的继续缩小。
与此关联的3D结构改善等非几何学工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能。
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案
招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体器件中，以下哪个材料是制作晶体管的最佳选择？A、硅（Si）B、锗（Ge）C、砷化镓（GaAs）D、碳化硅（SiC）2、在半导体工艺中，以下哪个步骤用于形成晶体管的有源区？A、光刻B、扩散C、蚀刻D、离子注入3、题干：在半导体制造过程中，下列哪种设备用于在硅片上形成绝缘层？A. 溶胶-凝胶法B. 气相沉积法C. 化学气相沉积法D. 离子注入法4、题干：下列哪种材料在制造芯片时用作硅片的基板？B. 蓝宝石C. 硅D. 玻璃5、题干：在半导体制造过程中，以下哪个步骤是用于形成晶体管的沟道区域？A. 源极/栅极/漏极扩散B. 化学气相沉积（CVD）C. 光刻D. 离子注入6、题干：以下哪个选项不是半导体器件性能退化的主要因素？A. 氧化B. 金属污染C. 温度D. 磁场7、以下哪种技术不属于半导体制造中的光刻技术？A. 具有曝光光源的接触式光刻B. 具有投影光源的接触式光刻C. 具有曝光光源的投影式光刻D. 具有投影光源的扫描式光刻8、在半导体制造过程中，以下哪种工艺是用来形成半导体器件中的掺杂层的？A. 离子注入B. 化学气相沉积D. 硅烷刻蚀9、在半导体制造过程中，下列哪一种工艺主要用于晶体管的掺杂？A. 离子注入B. 化学气相沉积C. 蚀刻D. 光刻 10、以下哪一项不是半导体芯片制造过程中的关键环节？A. 材料制备B. 设备测试C. 晶圆加工D. 封装测试二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？（）A. 光刻B. 沉积C. 刻蚀D. 化学气相沉积E. 离子注入2、以下哪些是影响芯片性能的关键因素？（）A. 电路设计B. 材料选择C. 制造工艺D. 封装技术E. 电源电压3、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？A. 光刻B. 溅射C. 化学气相沉积D. 离子注入E. 硅片切割4、以下哪些是影响半导体器件性能的主要因素？A. 杂质浓度B. 静电放电C. 温度D. 电压E. 射线辐照5、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 硅片切割E. 激光打标6、在芯片设计过程中，以下哪些工具或方法有助于提高设计效率？A. 逻辑综合B. 硅基模拟C. 动态仿真D. FPGA原型E. 硅验证7、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？（）A. 光刻B. 刻蚀C. 化学气相沉积D. 离子注入E. 线宽控制8、以下哪些因素会影响芯片的性能？（）A. 集成度B. 电压C. 温度D. 材料E. 制造工艺9、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？（）A. 光刻B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 晶圆切割E. 热处理 10、以下哪些是影响半导体器件性能的关键参数？（）A. 集电极电压B. 跨导C. 开关速度D. 噪声电压E. 耗散功率三、判断题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体制造过程中，光刻是直接在硅片上形成电路图案的关键步骤。
半导体芯片制造工考试试题
半导体芯片制造工考试试题半导体芯片制造高级工考试试题•一、填空题•1.禁带宽度的大小决定着（电子从价带跳到导带）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
•2.硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。
砷化镓片用( 硫酸 )系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
•3. 铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（氧化物），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。
•4. 在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（组装）。
•5.钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（导电胶粘接）、( 银浆烧•（不够）；反应室漏气；外延层的晶体（质量差）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
•14.离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（平均投影射程）和（平均投影标准差）。
•15、二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（氧化）、（气相）淀积、PECVD淀积。
•16、半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（Pn结介质）（Pn结隔离）（Pn 结介质混合）隔离等三种基本方法. •17、最常用的金属膜制备方法有（电阻）加热蒸发、（电子束）蒸发、（溅射）。
•18、热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（含有硅的化合物）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
•19 杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（替位）扩散和（间隙）扩散两种。
•20 半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。
比较通用的则是根据其化学组成可分为（元素）半导体、（化合物）半导体、固溶半导体三大类。
•延生长方法比较多，其中主要的有（化学气相）外延、（液相）外延、金属有机化学气相外延、（分子束）外延、原子束外延、固相外延等。
半导体制造技术考试答案(考试必看
1、问答题热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
2、问答题什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？3、问答题说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
4、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
5、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。
6、问答题说明影响氧化速率的因素。
7、问答题CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？8、问答题假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
9、问答题什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
10、问答题以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
11、问答题简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
12、问答题什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？13、问答题简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。
14、问答题简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
15、问答题下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写出a-g 各段的名称。
可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段？试解释其工作原理。
16、问答题简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
17、问答题典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。
18、问答题简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温炉管它有什么优势？19、问答题简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
20、问答题简述几种典型真空泵的工作原理。
21、问答题影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？22、问答题下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反应的方程式，并简述其中1～5各步的含义。
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半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考点（最
新版）
考试时间：120分钟 考试总分：100分
遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
1、问答题
洁净区工作人员应注意些什么？ 本题答案： 2、单项选择题
变容二极管的电容量随（ ）变化。
A.正偏电流 B.反偏电压 C.结温 本题答案： 3、问答题 什么叫晶体缺陷？ 本题答案： 4、单项选择题
在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2％（质量比）的硝化纤维素溶解于98％（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中制得，再将20％的运载剂与（ ）的玻璃料均匀混合，配成印刷浆料。
A.80％～90％ B.10％～20％ C.40％-50％ 本题答案： 5、单项选择题
姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________
--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------
厚膜元件烧结时，浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能（），从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。
A.降低
B.升高
C.保持不变
本题答案：
6、填空题
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
本题答案：
7、填空题
杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（
）扩散两种。
本题答案：
8、单项选择题
非接触式厚膜电路丝网印刷时，丝网与基片之间有一定的距离，称为间隙，通常为（）。
A.小于0.1mm
B.0.5～2.0mm
C.大于2.0mm
本题答案：
9、填空题
禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
本题答案：
10、单项选择题
双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。
A.基区宽度
B.外延层厚度
C.表面界面状态
本题答案：
11、单项选择题
pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。
A.扩散层质量
B.设计
C.光刻
本题答案：
12、单项选择题
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。
A.越不容易受
B.越容易受
C.基本不受
本题答案：
13、填空题
硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。
砷化镓片用（）系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
本题答案：
14、填空题
金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般（）同类电极系统的楔刀焊接。
本题答案：
15、填空题
钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。
本题答案：
16、单项选择题
常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。
半导体器件的粘封工艺一般选用（）。
A.热塑性树脂
B.热固性或橡胶型胶粘剂
本题答案：
17、问答题
简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工艺质量？
本题答案：
18、填空题
半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。
比较通用的则是根据其化学组成可分为（）半导体、（）半导体、固溶半导体三大类。
本题答案：
19、问答题
简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？
本题答案：
20、单项选择题
溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
A.电子
B.中性粒子
C.带能离子
本题答案：
21、填空题
离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。
本题答案：
22、单项选择题
恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。
A.高斯
B.余误差
C.指数
本题答案：
23、填空题
气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。
本题答案：
24、填空题
外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而（）设计也包含在这三部分中间。
本题答案：
25、问答题
单晶片切割的质量要求有哪些？
本题答案：
26、问答题
引线焊接有哪些质量要求？
本题答案：
27、填空题
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
本题答案：
28、单项选择题
金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（
）做绝缘和密封。
A.塑料
B.玻璃
C.金属
本题答案：
29、单项选择题
塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有（）、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间。
A.准备工具
B.准备模塑料
C.模塑料预热
本题答案：
30、填空题
钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（）、（）等。
本题答案：
31、单项选择题
双极晶体管的高频参数是（）。
A.hFEVces
B.BVce
C.ftfm
本题答案：
32、单项选择题
器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
A.掩膜版
B.扩散
C.光刻
本题答案：
33、问答题
粘封工艺中，常用的材料有哪几类？
本题答案：
34、单项选择题
反应离子腐蚀是（）。
A.化学刻蚀机理
B.物理刻蚀机理
C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
本题答案：
35、单项选择题
平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、焊轮压力和焊轮椎顶角。
焊轮压力影响盖板和焊环之间高阻点的（）。
压力太大，电阻值下降，对形成焊点不利，焊轮压力太小，则造成接触不良，不但形不成良好点。
A.电流值
B.电阻值
C.电压值
本题答案：
36、填空题
半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（）（）（）隔离等三种基本方法.
本题答案：
37、填空题
如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合（）。
本题答案：
38、填空题
厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，（），氮化铝（A1N）陶瓷。
本题答案：
39、填空题
芯片焊接质量通常进行镜检和（）两项试验。
本题答案：
40、单项选择题
在突缘电阻焊工艺中，要获得良好的焊接质量，必须确定的基本规范包括（
）A.焊接电流、焊接电压和电极压力
B.焊接电流、焊接时间和电极压力
C.焊接电流、焊接电压和焊接时间
本题答案：
41、判断题
没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请，经党支部委员会同意，可以少交或免交。
本题答案：
42、问答题
简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？
本题答案：
43、填空题
最常用的金属膜制备方法有（）加热蒸发、（）蒸发、（）。
本题答案：
44、填空题
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
本题答案：
45、问答题
有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
本题答案：
46、填空题
铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。
本题答案：
47、单项选择题
外壳设计包括（）设计、热性能设计和结构设计三部分，而可靠性设计也包含在这三部分中间。
A.电性能
B.电阻
C.电感
本题答案：
48、填空题
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
本题答案：
49、单项选择题
金属封装主要用于混合集成电路封装，外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。
底盘、管帽和引线的材料常常是（）。
A.合金A-42
B.4J29可伐
C.4J34可伐
本题答案：
50、单项选择题
半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。
外壳应有小的（），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。
A.热阻
B.阻抗
C.结构参数
本题答案：
51、单项选择题
超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接，焊接处依靠（）封接，因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。
A.管帽变形
B.镀金层的变形
C.底座变形
本题答案：。