半导体芯片制造中级工题库6-1-8
半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考试题及答案(最新版).doc
半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考试题及答案（最新版）考试时间：120分钟 考试总分：100分遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
l4、单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由（ ）来实现。
A.掩膜版 B.扩散 C.光刻 本题答案： 5、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（ ）控制。
本题答案： 6、单项选择题pn 结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（ ）的重要标志。
A.扩散层质量 B.设计 C.光刻 本题答案： 7、单项选择题溅射法是由（ ）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
A.电子 B.中性粒子姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------C.带能离子本题答案：8、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。
A.塑料B.玻璃C.金属本题答案：9、判断题没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请，经党支部委员会同意，可以少交或免交。
本题答案：10、填空题气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。
本题答案：11、单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。
半导体器件的粘封工艺一般选用（）。
A.热塑性树脂B.热固性或橡胶型胶粘剂本题答案：12、填空题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案2025年
2025年招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、在半导体工艺中，使用多种类型的光刻胶，其中最常用于大规模集成电路生产的是（）。
A. GRI-45B. GRI-25C. GRI-46D. GRI-422、MOS（金属-氧化物-半导体）制作技术中，晶体管结构所采用的材料中不包括（）。
A. 金属B. 绝缘体C. 导电材料D. 电阻体3.在半导体制造工艺中，以下哪个步骤不属于典型的半导体制造流程？A. 氧化B.光刻C. 薄膜沉积D. 清洗4.下列哪种材料是用于制作半导体器件的理想材料？A. 铜B. 锌C. 石墨D. 硅5、以下哪个半导体工艺技术能够实现更小的晶体管尺寸？A、传统CMOS工艺B、FinFET工艺C、GAAFET工艺D、平面晶体管工艺6、在半导体制造过程中，以下哪个步骤是为了提高硅片的纯度？A、扩散B、蚀刻C、清洗D、热处理7、半导体材料中最常用的材料是什么？（）A. 硅（Si）B. 铜（Cu）C. 金（Au）D. 镁（Mg）8、在芯片制造过程中，光刻技术的主要作用是什么？（）A. 去除不需要的材料B. 增加材料的功能性C. 将电路设计图案转移到硅片上D. 加热固化硅片结构9.在半导体制造工艺中，以下哪个步骤不属于典型的CMOS工艺流程？A. 氧化硅膜沉积B. 光刻C. 切割D. 离子注入 10.在半导体器件中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的主要组成部分包括：A. 沟道区B. 源极C. 栅极D. 上述全部二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪个物理现象通常用于提高晶体管开关速度？（）A、短沟道效应B、量子隧道效应C、沟道极化D、多晶硅栅极2、在数字电路中，一种常见的数字缓冲器是 _ 。
（）A、反馈触发器B、D触发器C、三态缓冲器D、差分放大器3.以下关于半导体材料的说法正确的是（）：A. SiC的禁带宽度比 Si 更宽B. GaN的发光效率比 Si 更高C. InGaAs 的电子迁移率比 Si 更快D. ZnSe可以用于制造红光 LED4.在半导体器件制造中，对于离子注入工艺，正确的工作原则包括（）：A. 离子注入可以形成三维空间中的杂质分布B. 注入离子可以改变晶格特性，增强材料强度C. 注入离子能量过高，可能导致晶体缺陷D. 离子注入温度应当尽可能高，以提高注入效率5.半导体芯片制造过程中，哪些步骤通常需要使用光刻技术？A. 芯片设计B. 光刻C. 薄膜沉积D. 金属化6.在半导体器件中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的主要组成部分包括：A. 沟道区B. 源极C. 次沟道区D. 栅极7、在半导体的制造过程中，以下哪个工艺步骤不用于清洗晶圆？A. 刻蚀B. 化学机械抛光C. 清洁去毛刺D.湿法沉积8、在半导体制造过程中，以下哪种类型的晶圆对齐是用来确保图案精确地转移到光罩上的？A. 接触式对准B. 深亚微米对准C. 缩放对准D. 光学对准9.在半导体行业中，晶体管通常分为两种类型：双极型晶体管（BJTs）和场效应晶体管（FETs）。
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案(某大型国企)
招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(某大型国企)(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、以下哪个选项不属于半导体制造过程中的关键步骤？A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、组装2、在半导体行业中，以下哪个术语用来描述晶体管中用于控制电流流动的导电区域？A、源极B、栅极C、漏极D、基区3、题干：以下关于半导体制造工艺的描述，正确的是：A、光刻工艺是将光刻胶图案转移到硅片上的过程。
B、蚀刻工艺是利用光刻胶保护硅片，通过化学或物理方法去除硅片表面不需要的层。
C、离子注入是将离子直接注入硅片表面，用于掺杂的过程。
D、扩散工艺是通过在硅片表面形成一层光刻胶，然后利用高温使杂质原子扩散到硅片中。
4、题干：在半导体制造过程中，以下哪种缺陷类型对芯片性能影响最为严重？A、表面缺陷B、体缺陷C、界面缺陷D、晶格缺陷5、在半导体制造过程中，以下哪种材料通常用于制造晶圆的基板？A. 石英玻璃B. 单晶硅C. 聚酰亚胺D. 氧化铝6、以下哪种技术用于在半导体器件中实现三维结构，从而提高器件的集成度和性能？A. 厚膜技术B. 硅片减薄技术C. 三维封装技术D. 双极型晶体管技术7、在半导体制造过程中，下列哪种缺陷类型是指由于光刻胶在曝光和显影过程中产生的缺陷？A. 逻辑缺陷B. 光刻缺陷C. 杂质缺陷D. 损伤缺陷8、下列哪种技术用于在硅片上形成纳米级结构的半导体器件？A. 溶胶-凝胶法B. 化学气相沉积法（CVD）C. 离子束刻蚀D. 电子束刻蚀9、以下哪项不属于半导体制造过程中的关键步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、焊接二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、化学气相沉积E、掺杂2、以下哪些是影响芯片性能的关键因素？（）A、晶体管结构B、工艺节点C、材料选择D、功耗控制E、封装设计3、以下哪些技术是现代半导体制造中常用的光刻技术？A. 干法光刻B. 湿法光刻C. 电子束光刻D. 紫外光刻E. 激光直接成像4、下列关于半导体材料掺杂的描述，正确的是：A. N型半导体通过加入五价元素如磷（P）或砷（As）来制造B. P型半导体通过加入三价元素如硼（B）或铟（In）来制造C. 掺杂的目的是增加半导体的导电性D. 杂质原子在半导体中的浓度被称为掺杂浓度E. 掺杂过程会改变半导体的电学性质5、以下哪些技术属于半导体制造过程中常用的光刻技术？（）A. 光刻胶技术B. 具有纳米级分辨率的电子束光刻C. 紫外光光刻D. 平板印刷技术E. 双光束干涉光刻6、以下哪些因素会影响半导体器件的可靠性？（）A. 热稳定性B. 电压应力C. 材料纯度D. 封装设计E. 环境因素7、以下哪些是半导体制造过程中常见的缺陷类型？（）A. 晶圆划痕B. 氧化层破裂C. 线路短路D. 热应力裂纹E. 杂质沾污8、在半导体器件的测试与表征中，以下哪些方法用于评估器件的电气特性？（）A. 频域分析B. 温度特性测试C. 噪声分析D. 瞬态响应测试E. 微观结构分析9、以下哪些是半导体制造过程中常用的物理或化学方法？（）A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 磨光E. 蚀刻三、判断题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体制造过程中，光刻是直接将电路图案转移到硅片上的关键步骤。
集成电路制造中级工考试资料
半导体芯片制造中级工职业鉴定职业概况一、职业名称半导体芯片制造工二、职业定义本职业含有一下工种：外延工、氧化扩散工、离子注入工、化学气相淀积工、光刻工、台面成型工、电镀工。
三、职业等级中级（国家职业资格四级）、高级（国家职业资格三级）、技师（国家职业资格二级）、高级技师（国家职业资格一级）。
基本要求职业道德和职业守则1、敬业爱岗，实事求是。
2、努力学习，不断提高理论水平和操作能力。
3、工作热情、主动。
4、严守纪律、不谋私利。
5、自觉遵守工艺纪律和劳动纪律。
6、遵守操作规程、注意安全。
基础知识（1）半导体材料基础知识；（2）晶体管原理基本知识；（3）半导体集成电路基本知识；（4）半导体器件工艺原理基本知识；（5）半导体常用设备、仪器、仪表的基本知识；（6）安全防护知识；（7）产品质量法、环境保护法相关知识；中级部分专业知识一、材料部分1.第一代半导体材料：硅、锗；硅是现代最主要的半导体材料，锗是现代最重要的半导体材料之一。
目前商用硅单晶片直径为12~16英寸（300~400mm)。
第二代半导体材料：砷化镓、磷化铟。
特点：更高的频率、更高的增益、更低的噪声；用途：数字移动通信、光纤通信、导航领域等；缺点：化合物半导体至少由两种元素组成，故杂质缺陷比单质半导体要多，而且结构更加复杂。
同时由于磷化铟单晶的制备工艺还不够成熟，磷化铟所具备的超高频率、超高速度和低噪声的性能还没有得到很好的发挥，如何控制化合物半导体材料的化学配比是提高第二代半导体材料质量的关键。
2.导体、绝缘体、半导体导体：金属、石墨、人体、大地及各种酸、碱、盐的水溶液；绝缘体：橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷、纯水、油、空气等；半导体：硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等；注：云母是含锂、钠、钾、镁、铝、锌、铁、钒等金属元素并具有层状结构的含水铝硅酸盐族矿物的总称。
3.半导体材料特征（1）导电能力介于导体与绝缘体之间；（2）其纯度较高时，温度系数为正；金属导体则相反，电导率温度系数为负；（3）有电子和空穴参与导电；（4）晶体各向异性；4.N型半导体半导体中掺有施主杂质时，主要靠施主提供的电子导电；如：硅中掺有Ⅴ族元素杂质磷、砷、锑、铋；砷化镓中掺有Ⅳ和Ⅵ族元素杂质硅、硒等；磷化铟中掺杂质硫、锡等；氮化镓中掺杂质氮、硒等；5.P型半导体半导体中掺有受主杂质时，主要靠受主提供空穴导电；如：硅中掺有Ⅲ族元素硼、铝、镓、铟等；砷化镓中掺有杂质锌、镉、镁等；磷化铟中掺有杂质锌、镉（Cd）等；氮化镓中掺有杂质锌、镉、镁、铍、碳等；碳化硅中掺有杂质铝、镓、铍等；6.单晶、多晶单晶：原子或离子沿着三个不同方向按一定的周期有规则地排列，并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体；多晶：有多个单晶晶粒组成的晶体，在其晶界处的颗粒间的晶体学取向彼此不同，其周期性与规则性也在此处受到破坏；当前半导体生产和科研主要使用的是单晶材料。
半导体制造技术真题题库
半导体制造技术真题题库1、问答题（江南博哥）从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
解析：寄生电阻和寄生电容造成的延迟。
电子在导电过程中会撞击导体中的离子，将动量转移给离子从而推动离子发生缓慢移动。
该现象称为电迁移。
在导电过程中，电迁移不断积累，并最终在导体中产生分散的缺陷。
这些缺陷随后集合成大的空洞，造成断路。
因此，电迁移直接影响电路的可靠性。
采用铜互连可大幅降低金属互连线的电阻从而减少互连造成的延迟。
铜的电迁移比铝材料小很多：铜的晶格扩散的激活能为2.2eV，晶界扩散结合能在0.7到1.2eV之间；而铝分别为1.4eV和0.4-0.8eV.采用低介电常数材料填充平行导线之间的空间可降低金属互连线之间的电容从而减少延迟。
采用铜/low-k互连可大幅减小互连pitch，从而减少互连金属层数。
2、问答题什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？解析：表面反射——穿过光刻胶的光会从晶圆片表面反射出来，从而改变投入光刻胶的光学能量。
当晶圆片表面有高度差时，表面反射会导致线条的缺失，无法控制图形。
针对表面反射效应的解决办法：①改变沉积速率以控制薄膜的反射率②避免薄膜表面高度差，表面平坦化处理（CMP）③光刻胶下涂覆抗反射的聚合物（Anti-reflectcoating，ARC.驻波效应——在微细图形光刻时，一般曝光光源为单色或窄带光源，在由基片、氧化物层和抗蚀剂等组成的多层膜系情况下，由于膜系各层折射率不同，曝光时在基底表面产生的反射光和入射光相互干涉而形成驻波。
抗蚀剂在曝光过程中由于其折射率和基底材料折射率不匹配，入射光将在各层膜的界面处发生多次反射，在光致抗蚀剂中形成驻波。
应用抗反射涂层（ARC.可以完全消除驻波图形。
3、问答题什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题？解析：固相外延是指半导体单晶上的非晶层在低于该材料的熔点或共晶点温度下外延再结晶的过程。
半导体芯片制造工：半导体制造技术考点模拟考试卷.doc
半导体芯片制造工：半导体制造技术考点模拟考试卷考试时间：120分钟 考试总分：100分遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
1、问答题说明影响氧化速率的因素。
本题答案： 2、问答题个投影曝光系统采用ArF 光源，数值孔径为0.6，设k1=0.6，n=0.5，计算其理论分辨率和焦深。
本题答案： 3、填空题研究细胞结构和功能异常与疾病关系的细胞生物学分支称为（ ）。
本题答案： 4、问答题什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？ 本题答案： 5、问答题说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
本题答案： 6、问答题典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。
本题答案： 7、问答题姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
本题答案：8、问答题分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。
本题答案：9、问答题简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。
本题答案：10、问答题下图为一个典型的离子注入系统。
（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。
（2）阐述部件2的工作原理。
本题答案：11、问答题采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？本题答案：12、问答题离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？本题答案：13、问答题下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反l18、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。
(完整版)半导体芯片制造中级复习题A
半导体芯片制造中级工复习题一判断题：1.单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列，并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。
( √)2.迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。
掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。
同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。
(√)3.点缺陷，如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它们构成的复合体。
(√)4.位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。
(√)5.抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。
(×)6.液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。
( √)7.离子源是产生离子的装置。
（√）8.半导体芯片制造工艺对水质的要求一般. （×）9.光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。
（√）10.设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁处理，可直接进入净化区。
（×）11.干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。
（√）12.光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。
（×）13.在半导体集成电路中，各元器件都是制作在同一晶片内。
因此要使它们起着预定的作用而不互相影响，就必须使它们在电性能上相互绝缘。
（√）14.金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把胶膜上的金属一起去除干净。
（√）15.表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜，使器件的表面与周围气氛隔离。
（√）二选择题1.下列材料属于N型半导体是AC 。
A 硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As) B．硅中掺有元素杂质硼(B)、铝(Al)C 砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(Te) D．砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁2.属于绝缘体的正确答案是 B 。
给工作人士用的--集成电路制造中级工程师考试资料
给工作人士用的--集成电路制造中级工程师考试资料半导体芯片制造中级工程师职业鉴定目录半导体芯片制造中级工程师职业鉴定 (1)基础知识 (4)1.第一代半导体材料：硅、锗； (4)2.导体、绝缘体、半导体 (4)3.半导体材料特征 (4)4.N型半导体 (5)5.P型半导体 (5)6.单晶、多晶 (5)7.半导体晶体结构 (5)8.常用半导体材料的晶体生长方向 (5)9.电导率和电阻率 (6)10.迁移率 (6)11.方块电阻 (6)12.晶体缺陷 (6)13.弹性形变 (7)14.范性形变 (7)15.位错 (7)16.层错 (7)17.半导体材料表征参数 (7)18.单晶材料制备方法 (8)19.化合物半导体制备方法 (8)20.砷化镓单晶材料的应用 (8)21.InP单晶的主要应用 (8)22.常用清洗剂的配方 (8)23.衬底清洗过程 (8)24.石英器具清洗过程 (9)25.抛光片检测项目 (9)26.抛光片质量要求 (9)27.砷化镓抛光片的清洗 (9)28.InP抛光片的清洗 (9)29.外延片优点及用途 (10)30.外延片检测项目 (10)31.外延生长 (10)32.同质外延 (10)33.异质外延 (10)34.外延生长种类 (10)35.化学气相外延概述 (11)36.硅化学气相外延概述 (11)37.硅外延生长工艺 (11)38.原位气相腐蚀抛光 (11)39.硅外延片质量要求 (11)40.硅外延反应源 (12)35.影响外延生长速度因素 (12)36.影响反应速度因素 (12)37.硅外延片应用 (12)38.离子概念 (13)39.离子注入概念 (13)40.离子注入优点 (13)41.离子注入能量损失机构 (13)42.沟道效应 (13)43.沟道离子、非沟道离子、准沟道离子 (14)44.离子注入机主要组成部分及相应作用 (14)45.离子注入的能量和能量单位 (14)47.半导体芯片制造厂对厂房洁净度的要求（见教材31页）。
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半导体芯片制造中级工题库6-1-8
问题：
[判断题]晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。
（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装后销售，一般不能再退火，一经退火反而坏了性能。
（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]退火处理能使金丝和硅铝丝的抗断强度下降。
（）
A.正确
B.错误
/ 郑多燕瘦身操
问题：
[判断题]设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度的50％。
（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]钯．银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。
（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂，比表面积就越大，则表面自由能也就越高，对烧结越有利。
（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]厚膜浆料属于牛顿流体，因此其粘度属于正常黏度。
（）
A.正确
B.错误。