第9章习题答案

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大学物理(肖剑荣主编)-习题答案-第9章

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第九章 课后习题解答桂林理工大学 理学院 胡光辉(《大学物理·下册》主编:肖剑荣 梁业广 陈鼎汉 李明)9-1一个沿轴作简谐振动的弹簧振子,振幅为,周期为,其振动方程用余弦函数表示.如果时质点的状态分别是:(1);(2)过平衡位置向正向运动;(3)过处向负向运动; (4)过处向正向运动.试求出相应的初位相,并写出振动方程.解:因为 将以上初值条件代入上式,使两式同时成立之值即为该条件下的初位相.故有 9-2一质点沿x 轴做简谐振动,振幅为0.12m ,周期为2s ,当t=0时,质点的位置在0.06m 处,且向x 轴正方向运动,求; (1)质点振动的运动方程;(2)t=0.5s 时,质点的位置、速度、加速度;(3)质点x=-0.06m 处,且向x 轴负方向运动,在回到平衡位置所需最短的时间。

解 (1)由题意可知:可求得(初速度为零),所以质点的运动方程为 x A T 0=t A x -=02A x =2Ax -=îíì-==0000sin cos f w f A v A x )2cos(1p p p f +==t T A x )232cos(232p p p f +==t T A x )32cos(33p p pf +==t T A x )452cos(454p p pf +==t T A x 0020.12,,cos A m x A Tp w p j ====03p j =-(2) 任意时刻的速度为所以 任意时刻的加速度为所以(3)根据题意画旋转矢量图。

由图可知,质点在x=-0.06m 处,且向x 轴负方向运动,再回到平衡位置相位的变化为所以9-3 质量为的小球与轻弹簧组成的系统,按的规律作谐振动,求:(1)振动的周期、振幅和初位相及速度与加速度的最大值;(2)最大的回复力、振动能量、平均动能和平均势能,在哪些位置上动能与势能相等?0.12cos 3x t p p æö=-ç÷èø0.50.12cos 0.50.1()3t x m p p =æö=-=ç÷èø0.12sin 3v t p p p æö=--ç÷èø10.50.12cos 0.50.19()3t v m s p p p -=æö=--=-•ç÷èø20.12cos 3a t p p p æö=--ç÷èø()220.50.12cos 0.5 1.03t a m s p p p -=æö=--=-•ç÷èø325236j p p p D =-=()50.8336t s jw D D ==»kg 10103-´)SI ()328cos(1.0p p +=x(3)与两个时刻的位相差;解:(1)设谐振动的标准方程为,则知:又(2)当时,有,即 ∴ (3)9-4 原长为0.50m 的弹簧,上端固定,下端挂一质量为0.1kg 的砝码。

大学物理(少学时)第9章电磁感应与电磁场课后习题答案

大学物理(少学时)第9章电磁感应与电磁场课后习题答案

9-1两个半径分别为R 和r 的同轴圆形线圈相距x ,且R >>r ,x >>R .若大线圈通有电流I 而小线圈沿x 轴方向以速率v 运动,试求小线圈回路中产生的感应电动势的大小. 解:在轴线上的磁场()()22003322222IR IR B x R x R xμμ=≈>>+32202xr IR BS πμφ==v xr IR dt dx x r IR dt d 422042202332πμπμφε=--=-=9-2如图所示,有一弯成θ 角的金属架COD 放在磁场中,磁感强度B ϖ的方向垂直于金属架COD 所在平面.一导体杆MN 垂直于OD 边,并在金属架上以恒定速度v ϖ向右滑动,v ϖ与MN 垂直.设t =0时,x = 0.求当磁场分布均匀,且B ϖ不随时间改变,框架内的感应电动势i ε.解:12m B S B xy Φ=⋅=⋅,θtg x y ⋅=,vt x =22212/()/i d dt d Bv t tg dt Bv t tg εϕθθ=-=-=⋅,电动势方向:由M 指向N9-3 真空中,一无限长直导线,通有电流I ,一个与之共面的直角三角形线圈ABC 放置在此长直导线右侧。

已知AC 边长为b ,且与长直导线平行,BC 边长为a ,如图所示。

若线圈以垂直于导线方向的速度v 向右平移,当B 点与直导线的距离为d 时,求线圈ABC 内的感应电动势的大小和方向。

解:当线圈ABC 向右平移时,AB 和AC 边中会产生动生电动势。

当C 点与长直导线的距离为d 时,AC 边所在位置磁感应强度大小为:02()IB a d μπ=+AC 中产生的动生电动势大小为:xr IRx vC DOxMθBϖv ϖ02()AC AC IbvBl v a d μεπ==+,方向沿CA 方向如图所示,在AB 边上取微分元dl ,微分元dl 中的动生电动势为,()AB d v B dl ε=⨯⋅v v v其方向沿BA 方向。

第9章羧酸及衍生物习题答案

第9章羧酸及衍生物习题答案
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4. 将下列各组化合物按酸性由强到弱排列成序
B>A>C
C>A>B
B>A
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A>C>B
C>A>B
B>A>C
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5. 回答下列问题:
(1)常温时乙酸甲酯在水中的溶解度是33g/(100 g 水),乙酸乙酯是 8.5g/(100g水),为什么? 答:乙酸乙酯的相对分子质量比乙酸甲酯大。故在 水中的溶解度较低。酯在水中溶与不溶的分界线是分子 中的碳原子数≤3~5。 (2)在 分子中,哪一个羟基容
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7. 鉴别下列各组化合物:
(1)乙二醇和乙二酸(均为水溶液)
答:将乙二醇和乙二酸分别通入高碘酸水溶液中再 加入硝酸银有碘酸银白色沉淀生成者为乙二醇,乙二酸 则无此现象。
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(2)甲醇、乙醇、甲醛、乙醛、丙酮、甲酸和 乙酸(均为水溶液)
NH3
Cl
Mg
干醚
(CH3)3CCOOH
(CH3)3CCONH2
(CH3)3CCN
(3)以苯、甲苯为主要原料合成:4-硝基-2-氯苯甲 酸、3,5-二硝基苯甲酰氯、对甲苯甲酸苄酯、对甲基苯乙 酸苯脂。 COOH
CH3 CH3
HNO3 H2SO4 Cl2 Fe
Cl
Cl
KMnO4 H+
NO2
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(1)乙酸(相对分子质量60)和乙酰氯(相对分子质量 78.5)。
乙酸高。因乙酸两分子间能形成两个氢键,而乙酰氯则不能。
(2)乙酐(相对分子质量102)和戊酸(相对分子质量 102)o

第九章 货币需求 习题与答案

第九章 货币需求 习题与答案

A.通讯条件B运输条件C社会信用制度
D人口密度E人们的支付习惯
7、影响人们实际持币量的因素( )。
A总财富B财富构成C影响货币需求的其他因素
D持有货币和持有其他资产的预期收益E宏观变量
8、中央银行对基础货币的控制主要受以下各因素的影响( )。
A财政收支状况B商业银行的再贴现行为
9、恒久收入——恒久收入是弗里德曼分析货币需求中提出的概念是指一个人拥有的各种财富在长期内获得的收入流量,相当于可观察到的长期平均收入。也可以理解为预期未来收入的折现值。
4、简述弗里德曼的现代货币数量说。
5、我国货币需求主要受哪些因素影响?
第八章 习题答案
一、填空题
1、数量 2、商品的价格水平 流通中的商品量 货币的流通速度3、交易方程式 剑桥方程式 4、马歇尔 庇古
5、持币动机 持币行为
6、收入状况 价格水平 利率 信用的发达程度
7、流通中的现金 银行体系准备金 8、公开市场
A多B少C不受影响D不变E等比变化
4、影响居民资产选择行为的因素有( )。
A收入水平B金融市场的发达程度
C人们的预期和心理偏好D市场利率E保值
5、凯恩斯的货币需求理论认为,人们的货币需求行为取决于( )。
A交易动机B盈利动机C预防动机
D投机动机E持币动机
6、费雪认为货币流通速度是由制度因素决定的。具体地说,它取决于( )。
3、交易方程式——即 MV=PT,它认为,流通中的货币数量对物价具有决定性作用,而全社会一定时期一定物价水平下的总交易量与所需要的名义货币量之间也存在着一个比例关系1/V。
4、剑桥方程式——即M = KPY,这一理论认为货币需求是一种资产选择行为,它与人们的财富或名义收入之间保持一定的比率,并假设整个经济中的货币供求会自动趋于均衡。

第9章时序逻辑电路习题解答

第9章时序逻辑电路习题解答

第九章习题参考答案9-1对应于图9-la 逻辑图,若输入波形如图9-54所示,试分别画出原态为0和原 态为1对应时刻得Q 和◎波形。

3D 八图9-54逆9-1图解得到的波形如题9-1解图所示。

9-2逻辑图如图9-55所示,试分析它们的逻辑功能,分别画出逻辑符号,列出逻辑 真值表,说明它们是什么类型的触发器。

解 对于(a ):由图可写出该触发器的输出与输入的逻辑关系式为:(9-1)原态为•丿京态为a) b)图9-55题9-2图下面按输入的不同组合,分析该触发器的逻辑功能。

(1) R n =1、S D =0若触发器原状态为0,由式(9-1)可得Q=0、Q =1 ;若触发器原状态为1,由式(9-1) 同样可得Q =0、Q = 1。

即不论触发器原状态如何,只要R D =1、S° =0,触发器将置成0态。

(2) R D=0、S°=l用同样分析可得知,无论触发器原状态是什么 > 新状态总为:Q =1・Q=0,即触发器被置成1态。

(3) R[)=Sj)=0按类似分析可知,触发器将保持原状态不变。

⑷= s° = 1两个“与非”门的输出端Q和Q全为0,这破坏了触发器的逻辑关系,在两个输入信号同时消失后,由于“或非”门延迟时间不可能完全相等,故不能确定触发器处于何种状态。

因此这种情况是不允许出现的。

逻辑真值表如表9-1所示,这是一类用或非门实现的基本RS触发器,逻辑符号如題9-2(a) 的逻辑符号所示。

对于(b):此图与(a)图相比,只是多加了一个时钟脉冲信号,所以该逻辑电路在CP =1时的功能与(a)相同,真值表与表9-1相同;而在CP=0时相当于(a)中(3)的情况,触发器保持原状态不变。

逻辑符号见趣9-2 (b)逻辑符号。

这是一类同步RS触发器。

Q1000]表9」題9・2 (a)真值表00不变1 1 不定题9・2 (a)的逻辑符号9-3同步RS 触发器的原状态为1,R 、S 和CP 端的输入波形如图9-56所示,试画出 对应的Q 和。

计算机操作系统课后答案第9章习题解答

计算机操作系统课后答案第9章习题解答

第9章习题解答一、填空1.MS-DOS操作系统由BOOT、IO.SYS、MSDOS.SYS以及 所组成。

2.MS-DOS的一个进程,由程序(包括代码、数据和堆栈)、程序段前缀以及环境块三部分组成。

3.MS-DOS向用户提供了两种控制作业运行的方式,一种是批处理方式,一种是命令处理方式。

4.MS-DOS存储管理规定,从地址0开始每16个字节为一个“节”,它是进行存储分配的单位。

5.MS-DOS在每个内存分区的前面都开辟一个16个字节的区域,在它里面存放该分区的尺寸和使用信息。

这个区域被称为是一个内存分区所对应的内存控制块。

6.MS-DOS有4个存储区域,它们是:常规内存区、上位内存区、高端内存区和扩充内存区。

7.“簇”是MS-DOS进行磁盘存储空间分配的单位,它所含扇区数必须是2的整数次方。

8.当一个目录表里仅包含“.”和“..”时,意味该目录表为空。

9.在MS-DOS里,用文件名打开文件,随后就通过句柄来访问该文件了。

10.在MS-DOS里,把字符设备视为设备文件。

二、选择1.下面对DOS的说法中,B 是正确的。

A.内、外部命令都常驻内存B.内部命令常驻内存,外部命令非常驻内存C.内、外部命令都非常驻内存D.内部命令非常驻内存,外部命令常驻内存2.DOS进程的程序,在内存里 D 存放在一起。

A.总是和程序段前缀以及环境块B.和谁都不C.总是和进程的环境块D.总是和程序段前缀3.MS-DOS启动时能够自动执行的批处理文件名是: C 。

A.CONFIG.SYS B.MSDOS.SYSC.AUTOEXEC.BAT D.4.下面所列的内存分配算法, D 不是MS-DOS采用的。

A.最佳适应法B.最先适应法C.最后适应法D.最坏适应法5.在MS-DOS里,从1024K到1088K的存储区域被称为 D 区。

A.上位内存B.扩展内存C.扩充内存D.高端内存6.MS-DOS的存储管理是对A的管理。

A.常规内存B.常规内存和上位内存C.常规内存和扩展内存D.常规内存和扩充内存7.在下面给出的MS-DOS常用扩展名中,B 不表示一个可执行文件。

自动控制原理第9章 习题及解析

自动控制原理第9章 习题及解析

第9章 习题参考答案9-1 设一阶非线性系统的微分方程为3x x x =-+试确定系统有几个平衡状态,分析各平衡状态的稳定性,并作出系统的相轨迹。

解 3x x x =-+由30x x -+=解得1230, 1, 1e e e x x x ===-。

作出系统的相轨迹图如下:平衡状态(0, 0)稳定,平衡状态(1, 0), (1, 0)-不稳定。

9-2 已知非线性系统的微分方程为(1) 320x x x ++= (2) 0x xx x ++= (3) 0x x x ++= (4) 2(1)0x x x x --+= 试确定系统的奇点及其类型,并概略绘制系统的相轨迹图。

解 (1) 奇点(0, 0)。

特征方程为2320λλ++=两个特征根为1,21, 2λ=--平衡点(0, 0)为稳定节点。

在奇点附近的概略相轨迹图:x(2) 奇点(0, 0)。

在平衡点(0, 0)的邻域内线性化,得到的线性化模型为0x x +=其特征方程为210λ+=两个特征根为1,2j λ=±平衡点(0, 0)为中心点。

在奇点附近的概略相轨迹图:x(3) 奇点(0, 0)。

原方程可改写为0000x x x x x x x x ++=≥⎧⎨+-=<⎩其特征方程、特征根和类型为21,221,2100.50.866 10 1.618, 0.618 j λλλλλλ⎧++==-±⎪⎨+-==-⎪⎩稳定焦点鞍点 在奇点附近的概略相轨迹图:(4) 奇点(0, 0)。

在平衡点(0, 0)的邻域内线性化,得到的线性化模型为x x x-+=其特征方程为210λλ-+=两个特征根为1,20.50.866jλ=±平衡点(0, 0)为不稳定焦点。

在奇点附近的概略相轨迹图:xx9-3 非线性系统的结构图如图9-48所示。

系统开始是静止的,输入信号r(t)=4·1(t),试写出开关线方程,确定奇点的位置和类型,在e-e平面上画出该系统的相平面图,并分析系统的运动特点。

第九章复习题答案

第九章复习题答案

第九章一、判断正误1、烧结中始终可以只有一相是固态。

2、液相烧结与固相烧结的推动力都是表面能。

3、二次再结晶对坯体致密化有利。

4、扩散传质中压应力区空位浓度<无应力区空位浓度<张应力区空位浓度。

5、晶粒长大源于小晶体的相互粘结。

6、一般来说,晶界是气孔通向烧结体外的主要扩散通道。

一般来说,晶界是杂质的富集之地。

二、填空烧结的主要传质方式有:蒸发-凝聚传质、扩散传质、流动传质和溶解-沉淀传质_四种,这四种传质过程的坯体线收缩ΔL/L与烧结时间的关系依次为ΔL/L=0、ΔL/L~t2/5、ΔL/L~t和ΔL/L~t1/3。

三、选择1、在烧结过程中,只改变气孔形状不引起坯体收缩的传质方式是()。

a.表面扩散b.流动传质c.蒸发-凝聚d.晶界扩散2、在烧结过程中只改变坯体中气孔的形状而不引起坯体致密化的传质方式是()。

a. 流动传质b. 蒸发—凝聚传质c. 溶解—沉淀d. 扩散传质四、问答题1、典型的传质过程有哪些?各采用什么烧结模型?分析产生的原因是什么?典型的传质过程有:固相烧结的蒸发-凝聚传质、扩散传质,液相烧结的流动传质、溶解-沉淀传质。

固相烧结的蒸发-凝聚传质过程采用中心距不变的双球模型。

固相烧结的扩散传质、液相烧结的流动传质、溶解-沉淀传质过程采用中心距缩短的双球模型。

2、试述烧结的推动力和晶粒生长的推动力。

并比较两者的大小?解:烧结推动力是粉状物料的表面能(γsv)大于多晶烧结体的晶界能(γgb),即γsv>γgb。

晶粒生长的推动力是晶界两侧物质的自由焓差,使界面向晶界曲率半径小的晶粒中心推进。

烧结的推动力较大,约为4~20J/g。

晶粒生长的推动力较小,约为0.4~2J/g,因而烧结推动力比晶粒生长推动力约大十倍。

3、在制造透明Al2O3材料时,原始粉料粒度为2μm,烧结至最高温度保温半小时,测得晶粒尺寸为10μm,试问保温2小时,晶粒尺寸多大?为抑制晶粒生长加入0.1%MgO,此时若保温2小时,晶粒尺寸又有多大?解:(1)G2-G02=kt 102-22 =k.0.5 得k=192 G2-G02=192*2 G≈20μm(2) G3-G03=kt k=1984 G3 –8=1984*2 G≈15.84μm4、在烧结期间,晶粒长大能促进胚体致密化吗?晶粒长大能够影响烧结速率吗?试说明之解:晶粒生长是界面移动的结果,并不是原子定向向颈部迁移得传质过程,因而不能促进胚体致密化。

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第4篇电磁学第9章静电场9.1 基本要求1掌握静电场的电场强度和电势的概念以及电场强度叠加原理和电势叠加原理。

掌 握电势与电场强度的积分关系。

能计算一些简单问题中的电场强度和电势。

了解电场强度 与电势的微分关系。

2理解静电场的规律:高斯定理和环路定理。

理解用高斯定理计算电场强度的条件和 方法。

3了解导体的静电平衡条件,了解介质的极化现象及其微观解释。

了解各向同性介质 中D和E之间的关系。

了解介质中的高斯定理。

4了解电容和电能密度的概念。

9.2 基本概念 1电场强度E:试验电荷0q 所受到的电场力F 与0q 之比,即0q =F E 2电位移D:电位移矢量是描述电场性质的辅助量。

在各向同性介质中,它与场强成正比,即ε=D E 3电场强度通量e Φ:e Sd Φ=⎰g E S电位移通量:D Sd Φ=⎰g D S4电势能p a E :0pa aE q d ∞=⎰g E l (设0p E ∞=)5电势a V :0pa a aE V d q ∞==⎰g E l (设0V ∞=)电势差ab U :ab a b U V V =- 6场强与电势的关系(1)积分关系 a aV d ∞=⎰g E l(2)微分关系 = -V ∇=-E gradV7电容C:描述导体或导体组(电容器)容纳电荷能力的物理量。

孤立导体的电容:Q C V =;电容器的电容:Q C U= 8静电场的能量:静电场中所贮存的能量。

电容器所贮存的电能:22222CU Q QUW C === 电场能量密度e w :单位体积的电场中所贮存的能量,即22e E w ε=9.3 基本规律 1库仑定律:12204rq q rπε=F e 2叠加原理(1)电场强度叠加原理:在点电荷系产生的电场中任一点的场强等于每个点电荷单独 存在时在该点产生的场强的矢量和。

(2)电势叠加原理:在点电荷系产生的电场中,某点的电势等于每个点电荷单独存在时 在该点产生的电势的代数和。

3高斯定理:真空中静电场内,通过任意闭合曲面的电场强度通量等于该曲面所包围的电量的代数和的1/ε 0倍。

1i Sd q ε⋅=∑⎰Ñ内E S在有电介质的静电场中,通过任意闭合曲面的电位移通量等于该曲面所包围的自由电荷的代数和.Sd q⋅=∑⎰Ñ内D S (0q 为闭合曲面S内的自由电荷)高斯定理表明静电场是有源场,电荷是产生静电场的源。

4环路定理:0ld =⎰g ÑE l ,说明静电场是保守场。

5导体的静电平衡条件(1)导体内部的场强处处为零;(2)导体表面的场强处处与导体表面垂直。

6静电平衡时导体上的电荷分布规律:电荷只分布在导体的表面,体内净电荷为零。

7静电平衡时导体的电势分布规律:导体为等势体,其表面为等势面。

9.4 学习指导1电场强度的计算方法(1)根据点电荷的场强公式,利用叠加原理,求和(场源为点电荷系)或积分(场源为带 电体)。

在应用此法时,应尽量采用投影式,将矢量运算化成标量运算。

(2)利用高斯定理来计算。

这种方法只有当场源的电荷分布具有某种对称性时才较为 简便。

因此,利用此法时,首先要判别场源电场是否具有某种对称性,其次是要选好高斯面: (a)要使待求的场点位于高斯面上;(b)要使高斯面上的E处处相等,或使高斯面上某些部分的E为零,另一些部分的E相等。

(3)已知电势分布,利用场强与电势的微分关系= -V ∇=-E gradV 来计算。

2电势的计算方法(1)根据点电荷的电势公式,利用叠加原理,求和(场源为点电荷系)或积分(场源为带 电体)。

(2)利用电势的定义式来计算。

3电容的计算:先假定电容器上带有电荷,再求其场强和电势差,最后代入电容的定 义式。

4 介质中场强的计算:(1)确定带电体和电介质是否具有对称性. (2)根据场的对称性,选取合适的高斯面.(3) 利用介质中的高斯定理求出D 的分布. (4) 由ε=D E ,求出E 的分布. 5电场能量的计算:先要弄清场强的空间分布,找出电能密度的表达式,再代入公式求积分。

以上仅为一般情况,实际问题尚需根据具体情况灵活处理。

例1 长l 米的直导线AB 均匀地分布着线密度为λ的电荷。

求:在导线的垂直平分线上与导线中点相距a 处P 点的场强。

解 以导线AB 中心为坐标原点,如图所示建立坐标系。

dx 线元在P 点产生的电场强度为22014()dxdE x a λπε=+(方向如图所示)由于对称性,其叠加场强沿y 轴正方向,水平方向场强相互抵消。

在P 点的场强为212222221cos 4()()ll P dxaE dE x a x a λθπε-==⋅⋅++⎰⎰22223/22221/20024()2()l l a dx a xx a a a x λλπεπε==⋅++⎰()12220142l a a l λπε=⋅⎡⎤+⎣⎦方向沿y 轴正方向。

当导线l 为无限长时,由上式可求得场强为0/(2)E a λπε=。

例2 一带电细线弯成半径为R 的半圆形,其电荷线密度为0sin λλθ=,式中θ为半径R 与处的电x 轴所成的夹角,0λ为一常数,如图所示,试求环心O场强度。

PdEθ例1图y xBdx alo例2图oxyθdEydE xdE dq解 在θ处取电荷元,其电量为dq dl λ=θθλd R sin 0=它在O 点处产生的场强为204R dqdE πε=R d 004sin πεθθλ=在 x 、y 轴上的两个分量cos x dE dE θ=-, sin y dE dE θ=- 000sin cos 04x E d Rπλθθθπε=-=⎰ 200000sin 48y E d R Rπλλθθπεε=-=-⎰所以 x y E E =+E i j j Rλ008ε-= 例3 一半径为R 的无限长带电细棒,其内部的电荷均匀分布,电荷体密度为ρ.现取棒表面为零电势,求空间电势分布并画出电势分布曲线.解 无限长均匀带电细棒电荷分布呈轴对称,其电场和电势的分布也呈轴对称分布.取高度为l ,半径为r 且与带电棒同轴的圆柱面为高斯面,由高斯定理知当r R ≤时 202/E rl r l ππρε⋅=得 0()2rE r ρε=当r R ≥时 202/E rl R l ππρε⋅=得 20()2R E r rρε=取棒表面为零电势,空间电势的分布为 当r R ≤时 2200()()24Rrr V r dr R r ρρεε==-⎰例3 图OV当r R ≥时 2200()ln 22RrR R RV r dr r rρρεε==⎰例3图是电势V 随空间位置r 的分布曲线. 9.5 习题详解9.1 某电场的电场线分布情况如图所示,一负电荷从M 点移到N 点。

有人根据这个图作出下列几点结论,其中哪点是正确的?( ) (A )电场强度E M < E N (B )电势V M < V N(C )电势能E PM < E PN (D )电场力的功W > 0。

解:正确答案(C )。

电场线的疏密程度反映了场强的强弱,由图可见,M 点处电场线密度较N 点处电场线密度大,故有E M > E N ;电场线的性质告诉我们,沿着电场线方向电势是逐点降低的,应有V M > V N ;电势能PM M E qV =-,PN N E qV =-,故PM PN E E <,答案(C )正确;电场力作功()0M N W q V V =--<。

9.2 下列叙述中正确的是( ) (A )等势面上各点的场强大小一定相等 (B )场强指向电势降落的方向 (C )电势高处,电势能也一定高 (D )场强大处,电势一定高 解:正确答案(B )。

等势面上各点只有电势相等的结论,没有各点场强大小相等的结论;场强方向是沿着电场线的方向,也就是电势降落的方向,答案(B )正确;电势能P E qV =,电势能与q 和V习题9.1图均有关,若电势V 高,而q 为负电荷时,其电势能就低;场强大处,只能反映该处电场线密度大,不能说明该处电场一定高,比如,在负点电荷的电场中,靠近点电荷处的电场线密度大,场强大,但是电势却低。

9.3 半径为R 的均匀带电球面,总电量为Q ,如图所示设无穷远处的电势为零,则球内距离球心为r 的P 点处的电场强度的大小和电势为( ) (A )E =0,04Q V r πε=(B )E =0,04Q V Rπε=(C )204r Q E πε=,04Q V rπε=(D )204r Q E πε=,04Q V Rπε=解:正确答案(B )。

由电荷分布的球面对称性可知,其电场分布亦具有球面对称性,即以O 点为球心的球面上各点电场强度大小均相等。

由高斯定理可得P 点场强E=0,带点球面外电场分布为204Q E rπε=,故P 点电势20044R rrRRQ Q V d d d dr rRπεπε∞∞∞==+==⎰⎰⎰⎰g g g E l E l E l9.4下面列出的真空中静电场的电场强度公式,试判断哪种表述是正确的( ) (A) 点电荷q 周围空间的电场强度为 240qεr=πE (r 为点电荷到场点的距离) (B)电荷线密度为λ 的无限长均匀带电直线周围空间的电场强度为202πr r λε=E e (r e 为带电直线到场点并且垂直于带电直线的单位矢量)(C)电荷面密度为σ 的无限大均匀带电平面周围空间的电场强度为02σε=E 习题9.3图(D)电荷面密度为σ半径为R 的均匀带电球面外的电场强度为220rR rσε=E e (r e 为球心指向场点的单位矢量) 解:正确答案 (D )(A )中场强表达式,等号左侧是矢量,等号右侧是标量,等式不成立;(B )中正确结果应为02πr rλε=E e ;(C )中等式两边分别是矢量和标量,等式不成立;(D )由高斯定理可求得电场强度为222220444r r r00q R R εr εr rπσσε===ππE e e e 9.5 如图所示,闭合面S内有点电荷Q,P为S面上的一点,在S面外A点有另一电荷q ,若将q 移到S面外另一点B处,则下列说法正确的是( )(A )S面的电场强度通量改变,P点场强不变 (B )S面的电场强度通量不变,P点场强改变(C )S面的电场强度通量不变,P点场强不变 (D )S面的电场强度通量改变,P点场强改变 解:正确答案(B )S面内的电荷量没变,故S面的电场强度通量不改变,又由于q 点的移动,改变了空间电荷的分布,故P 点场强要改变。

9.6 一个未带电的空腔导体球壳内半径为R 。

在腔内离球心的距离为d 处 (d < R ) 固定一电量为+q 的点电荷,用导线把球壳接地后,再把地线撤去,选无穷远处为电势零点,则球心O 处的电势为( ) (A) 0 (B)dq 04πεq A g习题9.5图(C)Rq 04πε (D))11(40Rd q -πε 解: 正确答案(D )由于静电感应,在没有接地前,球壳内表面产生感应电荷q -,外表面产生感应电荷q +。

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