(工艺技术)干膜光成像工艺规范

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底片干膜工艺技术资料

底片干膜工艺技术资料

底片干膜工艺技术资料一、底片干膜工艺概述底片干膜工艺是一种常用于光刻技术中的工艺方法。

在硅片制造过程中,光刻技术用于制造集成电路中的微细图案。

底片干膜工艺是光刻技术的一个重要环节,其主要作用是在硅片表面形成一层薄膜,用于保护或增强光刻图案。

二、底片干膜工艺流程底片干膜工艺流程包括以下几个步骤:1. 底片准备在进行底片干膜工艺之前,需要先准备好底片。

底片是一种透明平板,通常由玻璃或石英制成。

底片表面应保持干净无尘,以免影响后续的工艺步骤。

2. 底片清洁底片在使用前需要进行清洁处理,以去除底片表面的杂质和污染物。

清洁方法可以采用化学溶液浸泡或超声波清洗。

3. 干膜涂覆底片清洁完毕后,需要进行干膜涂覆的过程。

干膜是指一种特殊的聚合物材料,可以在底片表面形成一层均匀的薄膜。

干膜涂覆可以采用旋涂法或喷涂法,在涂布的过程中需要控制好涂布速度和涂布厚度,以保证干膜的质量。

4. 烘烤干膜涂覆完成后,需要进行烘烤处理。

烘烤的目的是将干膜固化,并使其与底片表面紧密结合。

烘烤的温度和时间根据具体的干膜材料而定,需要严格控制参数,以确保烘烤效果良好。

5. 剥膜经过烘烤后,干膜与底片表面形成了牢固的结合。

为了制作光刻图案,需要将部分干膜剥离,留下所需的图案。

剥膜的方法可以采用化学溶解或机械剥离,需要根据具体情况选择合适的方法。

6. 检验剥膜完成后,需要对底片进行检验,确保干膜工艺的质量符合要求。

检验的内容可以包括干膜的厚度、表面光洁度等指标。

三、底片干膜工艺的应用底片干膜工艺广泛应用于集成电路的制造过程中。

其主要作用有:1. 保护硅片表面底片干膜可以形成一层保护膜,用于保护硅片表面不被污染或损坏。

在后续的工艺步骤中,底片上的干膜可以起到保护的作用,确保光刻图案的准确传递。

2. 增强光刻图案对比度在光刻过程中,底片上的干膜可以增强光刻图案的对比度,使其更容易识别和处理。

干膜的颜色和透明度可以根据需求来选择,以提高图案的可见度。

干膜光成像工艺规范

干膜光成像工艺规范

个磨板系统是否正常,磨出来的板是否干燥洁净,有无污渍、水迹、氧化点,合格后方
可批量生产。
5.6.2 接板员工将检查合格的板先插架放置 3-6min,再叠板放置(0.6mm 以下的薄板可直接
叠板放置),为了防止板子放置时间太长、板面氧化导致贴膜不牢,原则上要求现磨现贴,
但积板数量不许超过 100 块且存板时间不可超过一小时。否则需重新磨板。
迹、氧化点。 5.5.2 磨痕试验:
取一块未经钻孔或已钻孔但未作图形的且与生产板同厚度的覆铜板作试板。 5.5.2.1 打开输送→放板入上(下)刷位置→关闭输送→调动磨刷进给压力到设定值→打
开上(下)刷喷啉并磨板 8-10 秒→关闭磨刷→打开输送→取出试板。 5.5.2.2 将板子传送出来,检查上(下)刷的磨痕是否均匀,宽度在 10-15mm 之间,过窄
干膜光成像工艺规范
目录
1.目的---------------------------------------------------------------------------------4 2.范围---------------------------------------------------------------------------------4 3.定义---------------------------------------------------------------------------------4 4.操作方法-------------------------------------------------------------------------4-5 5.磨板-------------------------------------------------------------------------------6-9 6.贴膜------------------------------------------------------------------------------9-11 7.曝光-----------------------------------------------------------------------------11-13 8.显影-----------------------------------------------------------------------------13-17 9.检查-----------------------------------------------------------------------------17-18 10. 故障与排除---------------------------------------------------------------------18-19

感光干膜法制造工艺

感光干膜法制造工艺

感光干膜法制造工艺感光干膜法制造工艺(1)贴膜制板工艺流程。

贴膜前处理一吹干或烘干一贴膜一对孔一定位一曝光一显影一晾干一修板。

1.)贴膜前处理。

在贴膜前将板材刷洗干净,去除氧化膜、油污等,以增加干膜与铜箔表面的结合力,否则将会引起干膜脱落与边缘起翘等。

刷洗一般用刷板机。

2)贴膜。

贴膜主要借助贴膜机进行。

贴膜温度对贴膜质量影响比较大。

温度过高,易使子膜流胶和发脆。

因此,要严格控制贴膜温度。

温度的选择与干膜性能、气候条件有关,一般为90-130℃,夏季要再低13 ---20℃。

选择适当的贴膜压力也是非常重要的。

压力过小,干膜与铜箔结合不牢,影响制板质量;反之,膜易变形起皱。

在生产过程中,要根据经验选择压力大卟。

贴膜速度太快,膜易起皱,无法制出合格图形;反之,会使贴膜不牢。

3)曝光。

曝光对印制电路板质量影响很大。

光源类型、曝光时间的长短、光源的强弱,对制成图形线条的粗细及精度产生直接影响。

若曝光过量,会造成显影困难,甚至细线条显不出影;反之,线条边缘发毛,会出现渗镀现象。

曝光时,应严格控制曝光量。

曝光量与光源的强弱、灯距的远近、曝光时间长短等有关。

在光源选定的情况下,决定曝光量的因素有灯距和时间。

若灯距远,曝光时间就要相应加长;反之,曝光时间要短。

但光源距离过近,会对干膜显影带来困难。

因此,光源的距离要合适,一般通过实验来确定。

4)显影。

显影一般在显影机里进行。

显影溶液采用无水碳酸钠,浓度为1% '--,20200操作程序是:曝光后的印制电路板去掉聚酯膜,放在显影机里进行显影,印制电路板首先进入喷淋2070稀碳酸钠溶液段中显影,然后进入水中冲洗干净,最后在盛有1%的碳酸钠溶液的容器中再次显影。

显影的时间不能太长,时间太长会造成过显,使边线不整齐;时间太短会使显影不彻底,密集线条部分显不出图像。

显影溶液的浓度要严格地控制,浓度太低,显影速度慢,不易显示出图像;浓度太高,显影速度过快,~易造成导绒边缘不整齐。

干膜光刻胶技术

干膜光刻胶技术

干膜光刻胶技术一、介绍干膜光刻胶技术1.1 定义干膜光刻胶技术是一种常用于电子器件制造中的光刻工艺。

它是一种逐层涂覆光刻胶的过程,通过光刻胶的暴光和显影来实现对电路或器件的精确定义。

1.2 原理干膜光刻胶技术的基本原理是在待光刻的物体表面上涂覆一层光刻胶,并通过暴光和显影等步骤来实现对光刻胶的处理。

在光刻过程中,光刻胶会形成一个薄膜,保护待光刻物体的某些区域,其余区域则暴露出来以供后续处理。

二、干膜光刻胶的制备2.1 材料准备•光刻胶:选择适合的光刻胶,一般根据需要的分辨率和显影的要求来选择。

•基片:选择质量良好的基片材料。

2.2 胶液制备1.将光刻胶放入特定容器中。

2.按照比例向容器中加入相应的稀释剂。

3.严格按照工艺要求搅拌混合,直至光刻胶和稀释剂均匀混合。

2.3 胶液过滤1.准备一个过滤器。

2.将混合好的胶液通过过滤器,去除杂质和颗粒,以保证胶液的纯净度。

2.4 胶液涂覆1.准备好基片。

2.将过滤好的胶液均匀涂覆在基片表面。

3.使用旋涂机等设备,控制涂覆的厚度和均匀性。

三、干膜光刻胶的光刻步骤3.1 掩膜制备1.选择合适的掩膜材料。

2.利用曝光设备将掩膜图案转移到光刻胶上。

3.2 暴光1.使用光刻机将掩膜上的图案通过紫外线或激光照射到光刻胶上。

2.光刻胶中的光敏化剂会发生反应,产生化学变化。

3.3 烘烤1.将暴光过的光刻胶放入烘烤机中。

2.控制温度和时间,使光刻胶中的物质发生凝聚和固化的过程。

3.4 显影1.准备好显影液。

2.将烘烤后的光刻胶浸泡在显影液中,使显影液与未固化的光刻胶发生化学反应。

3.反应后,使用去离子水清洗光刻胶,去除显影液和剩余的光刻胶。

四、干膜光刻胶技术的应用领域4.1 电子器件制造干膜光刻胶技术广泛应用于电子器件制造过程中。

在集成电路制造中,通过干膜光刻胶技术可以实现对电路结构的精确定义,从而保证电路的正常工作。

4.2 晶体管制造在晶体管的制造过程中,干膜光刻胶技术可用于控制晶体管的栅极和源/漏极区域的尺寸和形状,从而影响晶体管的电性能。

干膜介绍及干膜工艺详解(40页)

干膜介绍及干膜工艺详解(40页)
曝光后静置时间: 15min~24H
工序注意事项
? 曝曝光光能量均匀性≥ 90%;
每4H测定曝光能量; 抽真空时间不能太短,防止曝光不良; 曝光台面温度太高会造成底片变形; 板面、底片或曝光台面不能有脏点; 干膜、底片小心操作,防止划伤; 曝光机空气过滤芯定期清洁或更换。
?SES 工艺流程详显细影介:绍
全板电镀铜
基铜 玻璃纤维底料 曝光原件
曝光
干膜
显影
蚀板
电镀铜/锡或锡/铅
去膜
碱性蚀板 脱锡或锡/铅
2. 线路板图形制作工艺
?SES 流程基本工艺
贴膜 曝光
全板电镀铜
基铜 玻璃纤维底料 曝光原件
脱锡或锡/铅
显影
电镀铜+锡 或铜+锡/铅
碱性蚀板 去膜
?SES工艺流程详细介绍
前处理:
? 前处理的作用:去除铜表面的氧化 ,油污,清洁、 粗化铜面,以增大干膜在铜面上的附着力。
干膜介绍及干膜工艺详解
2013-01
主要内容安排:
1.干膜介绍及发展趋势 2.线路板图形制作工艺(以SES流程为例) 3.基本工艺要求 4.各工序注意事项 5.常见缺陷图片及成因 6.讨论
1. 干膜介绍及发展趋势
?干膜(Dry Film)的用途: 干膜是一种感光材料,是PCB生产中的重要 物料,用于线路板图形的转移制作。近几 年也开始广泛应用于选择性化金、电镀金 工艺。
曝光: 曝光的作用是曝光机的紫外线通过底片使干膜 上部分图形感光,从而使图形转移到铜面上。
底片 干膜 Cu
基材
?SES 工艺流程详细介绍
曝光反应机理
COOH
COOH
COOH
COOH
COOH COOH

底片干膜工艺技术资料

底片干膜工艺技术资料
底片干膜工艺技术资料
2024年8月15日星期四
电路图形转移材料的演变
电路图形转移材料的演变
v 印制电路图形的转移所使用的原材料,自出现印制电路 以来,原材料的研制与开发科学攻关工作从未停止过。 从原始阶段设计采用抗蚀油漆或虫胶漆手工描绘简单的 线路图形转移工艺技术的需要。但随着微电子技术的飞 速发展,大规模集成电路和超大规模集成电路的广泛应 用,要求印制电路板的制造技术,必须适应高密度、高 精度、细导线、窄间距及小孔径电路图形转移需要。几 十年来,研制与开发出新型的光致抗蚀剂与电路图形转 移技术: 如光致抗蚀干膜、湿法贴膜技术、电泳光致抗 蚀膜和直接成像技术,都逐步地被制造印制电路板商家 所采用,使电路图形的转移品质大幅度的提高。为叙述 简便,就印制电路板制造过程中,所采用的电路图形转 移原材料,按顺序加以简单论述:
v 以上两种工艺过过程概括如下:
v 印制蚀刻工艺流程:
v 下料→板面清洁处理→涂湿膜→曝光→显影(贴干膜→ 曝光→显影)→蚀刻→去膜→进入下工序
v 畋形电镀工艺过程概括如下:
v 下料→钻孔→孔金属化→预镀铜→板面清洁→涂湿膜→ 曝光→显影(贴干膜→曝光→显影)→形成负相图象 →图形镀铜→图形电镀金属抗蚀层→去膜→蚀刻→进入 下工序
v 6)热阻聚剂 在干膜的生产及应用过程中, 很多步骤需要接受热能, 为阻止 热能对干膜的聚合作用加入 热阻聚剂。如甲氧基酚、对苯二 酚等均可作为热阻聚剂。
v 7)色料 为使干膜呈现鲜艳的颜色, 便于修版和检查而添加色料。如 加入孔雀石绿、苏丹三等色料 使干膜呈现鲜艳的绿色、兰色 等。
v 8)溶剂 为溶解上述各组份必须使用溶剂。通常采用丙酮、酒精作溶 剂。 此外有些种类的干膜还加入光致变色剂, 使之在曝光后 增色或减色, 以鉴别是否曝光, 这 种干膜又叫变色于膜。

干膜光刻胶技术的应用与发展

干膜光刻胶技术的应用与发展

干膜光刻胶技术的应用与发展干膜光刻胶技术的应用与发展1. 引言在现代科技的快速发展中,干膜光刻胶技术作为一种重要的微电子制造工艺,发挥着越来越重要的作用。

本文将从基本原理、应用领域、发展趋势等方面深入探讨干膜光刻胶技术。

2. 基本原理干膜光刻胶技术是一种通过光敏感材料形成图案,实现微细结构制备的方法。

该技术主要包括以下几个步骤:(1)干膜涂布:将光刻胶均匀涂布于待加工的基片上;(2)热压:将干膜与基片通过热压粘附在一起;(3)曝光和显影:使用紫外光对所需图案进行曝光,然后通过显影去除未曝光的区域,形成所需图案。

3. 应用领域干膜光刻胶技术在多个领域有着广泛的应用,下面重点介绍其中几个主要领域:(1)微电子制造:干膜光刻胶技术在集成电路、光电子器件等微电子制造中应用广泛。

通过该技术可以实现微细、高精度的图案制备,满足现代电子器件对结构精度的要求。

(2)光学器件制备:干膜光刻胶技术在光学器件的制备中也得到了广泛的应用。

在光通信领域,可以利用该技术制备光波导器件、光耦合器等光学器件。

(3)生物芯片制备:生物芯片作为生物学与微电子学相结合的产物,干膜光刻胶技术在其制备中具有重要的应用。

通过该技术可以在芯片上制备出微细的通道和微井,实现基因分析、蛋白质分析等生物实验。

4. 发展趋势干膜光刻胶技术在不断发展壮大的也面临着一些挑战。

下面将就其发展趋势进行探讨:(1)高分辨率:随着微电子技术和纳米技术的不断进步,对于高分辨率的需求也越来越大。

干膜光刻胶技术在未来将继续提高其分辨率,以满足更加精细的微细结构制备需求。

(2)新材料开发:目前干膜光刻胶技术主要采用光敏剂与树脂的组合,而新材料的开发将为该技术带来更多的可能性。

利用纳米材料、功能高分子等新材料,可以进一步提高干膜光刻胶技术在微电子等领域的应用性能。

(3)工艺改进:干膜光刻胶技术在涂布、热压等环节仍存在一些难点和缺陷,需要通过工艺改进来解决。

提高涂布均匀性、降低热压温度等,都是未来该技术需要解决的问题。

干膜的技术性能要求

干膜的技术性能要求
在光源强度及灯距固定的情况下感光速度表现为光时间的长短曝光时间短即为感光速度快从提高生产效率和保证印制板精度方面考虑希望选用感光速度快干膜曝光一段时间后经显影光致抗蚀层已全部或大部分聚合一般来说所形成的图像可以使用该时间称为最曝光时间
干膜的技术性能要求
2008-9-23作者:来源::
干膜光致抗蚀剂的技术条件
外观
使用干膜时,首先应进行外观检查。质量好的干膜必须无气泡、颗粒、杂质;抗蚀膜厚度均匀;颜色均匀一致;无胶层流动。如果干膜存在上述要求中的缺陷,就会增加图像转移后的修版量,严重者根本无法使用。膜卷必须卷绕紧密、整齐,层间对准误差应小于1mm,这是为了防止在贴膜时因卷绕误差而弄脏热压辊,也不会因卷绕不紧而出现连续贴膜的故障。聚酯薄膜应尽可能薄,聚酯膜太厚会造成曝光时光线严重散射,而使图像失真,降低干膜分辨率。聚酯薄膜必须透明度高,否则会增加曝光时间。聚乙烯保护膜厚度应均匀,如厚度不均匀将造成光致抗蚀层胶层流动,严重影响干膜的质量。干膜外观具体技术指标如表7—1所述:
◎其它性能
在生产操作过程中为避免漏曝光和重曝光,干膜在曝光前后颜色应有明显的变化,这就是干膜的变色性能。当使用于膜作为掩孔蚀刻时,要求干膜具有足够的柔韧性,以能够承受显影过程、蚀刻过程液体压力的冲击而不破裂,这就是干膜的掩蔽性能。
◎光谱特性
在紫外——可见光自动记录分光光度计上制作光谱吸收曲线(揭去聚乙烯保护膜,以聚酯薄膜作参比,光谱波长为横坐标,吸收率即光密度D作纵坐标),确定光谱吸收区域波长及安全光区域。技术要求规定,干膜光谱吸收区域波长为310~440毫微M(nm),安全光区域波长为≥460毫微M(nm)。
高压汞灯及卤化物灯在近紫外区附近辐射强度较大,均可作为干膜曝光的光源。低压钠灯主要幅射能量在波长为589.0~589.6nm的范围,且单色性好,所发出的黄光对人眼睛较敏感、明亮,便于操作。故可选用低压钠灯作为干膜操作的安全光。
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干膜光成像工艺规范目录1.目的---------------------------------------------------------------------------------42.范围---------------------------------------------------------------------------------43.定义---------------------------------------------------------------------------------44.操作方法-------------------------------------------------------------------------4-5 5.磨板-------------------------------------------------------------------------------6-9 6.贴膜------------------------------------------------------------------------------9-11 7.曝光-----------------------------------------------------------------------------11-13 8.显影-----------------------------------------------------------------------------13-17 9.检查-----------------------------------------------------------------------------17-1810.故障与排除---------------------------------------------------------------------18-19注意:以下所有数据建议参考,与你公司如有相同实属巧合。

1.目的:本文旨在建立干膜光成像工艺之操作规范及工艺控制要求、设备之日常维护方法和要求。

2.范围: 适用于线路板光成像工艺过程之干膜、曝光、显影工序。

3.定义:光成像——指将底片的线路图像移到覆铜板上,形成一种抗蚀或抗电镀的掩膜图像。

4.操作方法4.1安全。

4.1.1化学溶液加入槽中时,应戴橡胶手套,必要时戴上安全眼镜,眼睛和皮肤避免与其接触,如果化学溶液溅到皮肤上,需立即用自来水进行冲洗, 并报告领班。

4.1.2溅到地上的化学药品须立即擦净。

4.1.3操作时不要观看紫外光源。

4.1.5酒精、丙酮等易燃品使用完后应盖好盖子。

4.2主要设备4.3主要物品4.4制程能力4.5工艺流程图4.5.1双面板制作过程4.5.2内层板制作过程:内层底片铆合4.6 工艺环境及要求4.6.1 生产前对所有设备和周围环境进行约30分钟的擦拭或吸尘等清洁工作,所有工作区域都必须保持干净整洁。

4.6.2 贴膜、曝光间属四级空调区,环境要求:温度21±2℃,湿度55+8-5%,该区照明灯为安全黄光灯,室内不得漏白光。

4.6.3 进入贴膜、曝光间必须穿防静电服(防尘服),并经风淋门风淋10秒以上,风淋时应将两侧门关紧,将风淋嘴对准防静电服全身风淋。

4.6.4 防静电服的着装方法:先戴帽,将头发置于帽内,再穿衣、以裤束紧上衣,以袜束紧裤脚,防静电服只能在指定范围内穿着,并要保持整洁。

4.6.5 风淋门不允许开着或半掩着,不允许两道门同时是开启状态,否则有过量的灰尘和污物进入,不许将有灰尘的物品(如纸箱)带入工作区域内。

风淋门前面的过道每天必须进行清洁。

4.6.6 除了对位、曝光人员不戴手套取放板子外,工序的其它工位(磨板、贴膜、显影、检板)取放、接收板子的人员一律要戴洁净干燥的白细纱手套取放板子,磨板接板贴膜放板人员戴指套操作。

并要做到轻拿轻放,手指不得触及线路图形,板角不得碰伤其它板的铜面或干膜线路。

5. 磨板5.1目的:保证贴膜前的板面干燥清洁无氧化、胶渍等污物。

5.1.1 物料:硫酸(工业)、尼龙磨刷(第1对为320目,第2对为500目)。

5.1.2 工具:吸管、胶手套、无毛白纱手套。

5.2工序流程:5.3 工艺条件5.4操作方法5.4.1开机:依次打开下列开关。

5.4.2配制药水5.4.2.1先放掉旧药水、清洗缸内残渣。

5.4.2.2加入100升自来水,用虹吸管吸取2升硫酸,缓缓加入水中。

5.4.2.3开机循环3-5min即可投入使用,一般要求每班要换一次药水。

5.4.3关机:依开机的相反顺序进行。

5.5检测判断方法5.5.1一般通过磨痕试验和水膜破裂试验来检测磨板效果,要求磨出来的板干燥洁净,无污迹、氧化点。

5.5.2磨痕试验:取一块未经钻孔或已钻孔但未作图形的且与生产板同厚度的覆铜板作试板。

5.5.2.1打开输送→放板入上(下)刷位置→关闭输送→调动磨刷进给压力到设定值→打开上(下)刷喷啉并磨板8-10秒→关闭磨刷→打开输送→取出试板。

5.5.2.2将板子传送出来,检查上(下)刷的磨痕是否均匀,宽度在10-15mm之间,过窄则顺时针方向旋转调压手柄调大进给压力,过宽则逆时针方向旋转调压手柄减少进给压力,直到磨痕宽度在要求范围内,同时查相应的电表头指示值是否正确,并要求工作员工在试板上作记录(时间、板子厚度、磨刷压力,磨痕宽度)。

5.5.3水膜破裂试验将刚磨出来的板,浸入干净的水中,然后取出竖直放置,若水膜能保持15秒以上,说明此板合格,否则重新调试直到符合要求为止。

5.6安全生产5.6.1当调整好磨板各参数后,先做磨痕试验和水膜破裂试验,然后试刷3-5块板,检查整个磨板系统是否正常,磨出来的板是否干燥洁净,有无污渍、水迹、氧化点,合格后方可批量生产。

5.6.2接板员工将检查合格的板先插架放置3-6min,再叠板放置(0.6mm以下的薄板可直接叠板放置),为了防止板子放置时间太长、板面氧化导致贴膜不牢,原则上要求现磨现贴,但积板数量不许超过100块且存板时间不可超过一小时。

否则需重新磨板。

5.6.3为了防止磨刷不均匀磨损成腰鼓形,批量磨板时,放板要左右均匀放置,通常每个月用80目砂纸将磨刷整平一次。

5.6.4磨刷使用寿命每道磨刷通过板子的长度累积达4万至5万米,要求更换该道磨刷,并作相关的运行记录。

5.6.5吸水辊应以清水充分润湿,不许让吸水辊干燥工作,一般要求2个月换一次吸水辊。

5.7注意事项:5.7.1取硫酸时,需戴手套,用吸管吸取,以免发生意外。

5.7.2为防止磨板时叠板,放板时要求板与板的间距约10mm。

5.8维护与保养5.8.1日保养5.8.2周保养,除日保养以外,每周周末进行一次大保养。

5.8.3月保养:除日保养、周保养以外,由维修负责人负责安排人员每月月底进行一次大保养。

a.将各输送轮、压轮、吸水辊、过滤网、风刀、喷管、喷咀,拆出进行全面保养,整机大清洁,同时保养课安排人员对机器作全面检修,并作维护记录。

b.清洗方法:3%-5%的NaOH溶液浸泡约30的H2SO4洗20-30分钟→清水冲洗干净(除风刀和钢制压辊外)。

c.风刀和钢制压辊,先用吸尘器吸风刀口内的灰尘杂物,再用清水冲洗干净。

d.各喷咀保持畅通,有堵塞现象的用牙签穿透,以确保喷出的水呈扇形,且与磨刷轴向平行,同时磨刷处之喷淋必须均匀喷在磨刷上。

e.保养完毕、安装后要先试运转,试磨一块废板,合格后方可生产。

6.贴膜6.1目的:通过热压方式将干膜抗蚀剂贴附在清洁的铜面上。

6.2工具:介膜刀片、刮胶擦、框架。

6.2.1物料:干膜、无毛白纱手套、指套、压辘。

6.3流程:6.4工艺条件:6.4.1压辘(上/下)温度:100-120℃,最佳范围:110±5℃6.4.2气压:40-55psi一般金板:45-50psi,喷锡板:40-50psi6.4.3速度:1.0-1.5m/min,最佳1.1-1.3m/min。

一般大压辘机2.0-2.7格,最佳2.5格,小压辘机4.5-6格,最佳5格,用秒表测出一块已知长度的板经过压辘所需的时间再用已知长度(m)与所需时间(min)的比值即为速度。

6.4.4贴膜出板表面温度:40-65℃,最佳50±5℃(一般用接触式电子测温仪轻轻接触板面即可测得)6.5操作规程6.5.1开机:依次打开下列开关6.5.2打开机后先预热15min左右。

6.5.3戴指套对板面进行检查,必须保证压膜前的板面干燥清洁无氧化、无污渍、磨痕均匀。

6.5.4待机器进入正常待压干膜状态,将板子平放在上、下两压辘的输送口间,后试压膜一块。

6.5.5检查试压膜的板,若板面无气泡、无起皱、无干膜碎、无流胶、颜色均匀,且单边露铜不大于3-5mm,则可批量生产。

6.5.6贴膜合格的板不允许平叠,要求先插架冷却之后,再竖直叠板放置于专用架子上,静置15min后再转下工序。

6.5.7关机:依开机的相反顺序进行。

6.5.8换干膜:6.5.8.1根据所要生产的板来选择对应尺寸的干膜,一般生产板的大小和干膜大小基本一致或略小于板宽4-6mm最佳,但单边露铜不能超过5mm。

6.5.8.2关掉转动开关,去掉剩的旧干膜(不允许超过三英尺即91.5cm)。

6.5.8.3用刮胶擦或酒精擦洗压辘上的干膜碎等杂物。

6.5.8.4装上新干膜,将上、下两卷干膜对齐调试合格后方可生产。

6.5.8.5换干膜后的左视图如下:1,4表示上、下压辘2,5表示干膜3,6表示保护膜6.6安全、注意事项:6.6.1为了防止贴膜起皱、起泡,要求气压保持充足,不低于40psi,上、下压辘轴向平行、贴紧无空隙,均速运转。

6.6.2为了防止板边干膜碎介膜不净,引起开短路,通常要求磨板前的板子均须磨斜边。

6.6.3不允许用刀片、指甲或硬的工具清理压辘,以防划伤、损坏压辘,通常压辘无划痕、凹坑则不需要换。

贴膜人员要注意手或衣袖不要距压辘太近,以防卷入。

6.6.4控制好压辘的温度、气压、速度,随时观察是否在控制范围之内,若有异常现象,按急停开关,及时向领班或课长汇报。

6.6.5贴膜放板时,要求板与板之间距离保持5±2mm,防止板子重叠损坏压辘,距离过大则浪费干膜,造成不必要的损失。

6.6.6介膜时不允许刀片伤及板面,如聚酯膜被拉起或破裂,并经常检查压辘是否清洁。

6.6.7贴膜后合格的板最好在48小时之内完成曝光。

6.6.8为了追溯品质问题,每次将干膜拆箱后要求将商标贴在干膜卷桶内。

6.7维护与保养6.7.1日保养6.7.2每班一次由当班领班负责用测温仪检测压辘实际温度,若有异常及时通知保养课人员及时校正或修理。

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