四探针操作手册
四探针作业指导书
四探针作业指导书嘿，朋友们！今天咱们来好好聊聊四探针这个神奇的家伙，以及如何玩转它的作业流程。
先来说说啥是四探针吧。
想象一下，你面前有一块神秘的材料，就像一块藏着无数秘密的宝藏。
而四探针呢，就是我们打开这个宝藏大门的钥匙。
它由四根细细的探针组成，就像四个勇敢的小探险家，准备深入材料内部去探索其中的奥秘。
咱们开始实际操作前，得先把准备工作做好。
首先，确保工作台上干净整洁，可别让乱七八糟的东西干扰了咱们的探险之旅。
然后，把四探针仪器小心地拿出来，检查一下探针是不是完好无损，有没有弯曲或者损坏的地方。
这就好比战士上战场前要检查自己的武器一样重要！接下来，就是连接电源和测量线啦。
这一步可别马虎，一定要插紧插对，不然四探针可就闹脾气不好好工作了。
我记得有一次，我一个同事在操作的时候，电源没插紧，结果测量的数据那叫一个乱七八糟，可把他急坏了。
最后发现就是这么一个小细节没注意，白白浪费了好多时间。
所以呀，大家可别犯这种低级错误。
好了，准备工作就绪，咱们开始测量。
把样品平稳地放在测试台上，让四探针的针尖轻轻接触样品表面。
这时候，要注意探针接触的位置要均匀，不能有偏差。
然后，打开仪器，读取数据。
这里有个小窍门，读取数据的时候，眼睛要平视仪器的显示屏，这样才能保证数据的准确性。
测量完成后，别着急收拾走人。
要先关闭仪器，拔掉电源和测量线，然后把四探针仪器小心地放回原处。
这就像是完成了一次冒险，要把工具收拾好，为下一次的探险做好准备。
总之，操作四探针虽然看起来不难，但每个步骤都需要我们认真仔细，不能有丝毫的马虎。
只有这样，我们才能得到准确可靠的数据，解开材料的神秘面纱。
希望这份作业指导书能帮助大家顺利地完成四探针的操作，让我们一起在科学的海洋里畅游，探索更多的未知吧！。
KEITHLEY四探针操作手册
第1章 引言
1. 目的
本说明书主要介绍用四探针法测试薄膜方块电阻及电阻率的原理及具体操作方法。
3. KEITHLEY 2400 高压源表设置指南
连接设备数据线，电源，开关。 设备显示如错误!未找到引用源。所示。
Figure 3-2 按 CONFIG 键 按 CONFIG 键，设备显示如错误!未找到引用源。所示。 按 Ω 键，设备显示如错误!未找到引用源。所示。 先按 ► 键，选中 SENSE-MODE 模式，按 ENTER 键，设备显示如错误!未找到引用源。 所示。
上的 S 值)； W— 样品厚度，单位：cm，在 F(W/S)中注意与 S 单位一致； Fsp— 探针间距修正系数(四探针头合格证上的 F 值)；
F(D/S)— 样品直径修正因子。当 D→∞时，F(D/S)=，有限直径下的 F(D/S)由错误! 未找到引用源。查出：
F(W/S)— 样品厚度修正因子。W/S<时，F(W/S)=1；W/S>时，F(W/S)值由错误!未找到 引用源。查出；
Figure 3-3 按 Ω 键
Figure 3-4 先按 ► 键，选中 SENSE-MODE 模式，按 ENTER 键。 先按 ► 键，选中 4-WIRE 模式，按 ENTER 键，再按 EXIT 键，退出到测量窗口。 如错误!未找到引用源。所示，可看见上方 4W AUTO 字样，设置完成。
Figure 3-5 先按 ► 键，选中 4-WIRE 模式，按 ENTER 键。
四探针测试仪测试说明
四探针测试仪测试说明
1.抽样：用真空吸笔在每炉中等间距抽取5片扩散后的硅片，充分冷却后放在四探针测试台上。
2.选择电流“10×”档，EXCH。
I亮显。
按“下降”键使探针接触硅片中心点，换到I档，校准工作电流后按“上升”键使探针脱离硅片，换到R档。
3.测试电流(156×156为
4.532mA）。
4.测量硅片四角及中心方块电阻。
按“下降”键，待显示数字稳定后记录所测硅片位置的方块电阻，按“上升”键使探针脱离硅片，移动硅片换一个位置测量。
中心点方块电阻的测量要在中心附近，不准漏出台面上的方格图样，多取几个点求平均值。
确认扩散后方块电阻及其均匀性是否在检验要求规定的范围内。
因偏磷酸滴落或其它原因使硅片表面有明显痕迹或色差的硅片必须百分之百检测，直接返工。
5.为避免测试误差，边缘处的测试位置应离硅片边缘(1~2)cm，切不可在同一点上反复测量。
6.每4h校准一次工作电流，遇电流不稳情况，需多次校验。
每班上班后由负责扩散工序的工艺员人对每条线的四探针进行相互校准，判断每条线之间的四探针是否存在差异，如有通知计量人员对其进行校准。
7.为了减小测试值与实际值的差异，测试必须在较暗的环境下进行。
8.测得的数据应写在纸上，再输入电脑，按照时间，日期，管号排列。
9.测试完成后，工艺员将按照测试值与标准值的偏差调节工艺。
KEITHLEY四探针操作手册
南开大学硅光电子学与储能实验室四探针操作手册Four-Point Probe Operation | 2011四探针操作说明书Four-Point Probe Operation 第1章引言 (1)1. 目的 (1)2. 应用范围 (1)3. 测试设备 (1)➢四探针 (1)➢数字电压源表 (2)第2章原理简述 (3)1. 薄膜(厚度≤4mm)电阻率： (3)2. 薄膜方块电阻 (3)第3章操作方法 (5)1. 引言 (5)2. 测试线连接方式 (5)3. KEITHLEY 2400高压源表设置指南 (6)4. 探针接触方式 (8)5. 数据测试指南 (8)第4章注意事项........................................................................................错误!未定义书签。
附表 ...................................................................................................................错误!未定义书签。
第1章引言1.目的本说明书主要介绍用四探针法测试薄膜方块电阻及电阻率的原理及具体操作方法。
2.应用范围测量参数：方块电阻，电阻率测量样品：均匀薄膜，均匀薄片方块电阻测试范围：0.01Ω～500MΩ电阻率测试范围：10-5Ω∙cm～103Ω∙cm样品大小：直径>1cm精度：<±5%3.测试设备➢四探针生产厂商：广州四探针有限公司RTS-2型基本指标：间距：1±0.01mm；针间绝缘电阻: ≥1000MΩ；机械游移率: ≤0.3％；探针：碳化钨或高速钢材质，探针直径Ф0.5mm；探针压力：5～16 牛顿(总力)；使用环境：温度:：23±2℃；相对湿度：≤65％；无高频干扰；无强光直射；基本参数：Fsp=0.1探针间距：1.0mm➢数字电压源表生产厂商：KEITHLEY 2400高压源表技术参数：准确度：0.012％功率：20w型号：2400品牌：吉时利测量范围：可选高电压（1100V）或大电流（3A）源/测量（A）KEITHLEY2400通用型源表,最大可测量200V的电流和1A的电流，输出功率20W.主要特点及优点:设计用于高速直流参数测度2400系列提供宽动态范围：10pA to 10A, 1μV to1100V, 20W to 1000W四象限工作0.012%的精确度，5 1/2 的分辨率可程控电流驱动和电压测量钳位的6位线电阻测量在4 1/2 数位时通过GPIB达1700读数/秒内置快速失败/通过测试比较器可选接触式检查功能数字I/O提供快速分选与机械手连接GPIB, RS-232, 和触发式连接面板TestPoint and LabVIEW驱动第2章 原理简述将四根排成一条直线的探针以一定的压力垂直地压在被测样品表面上，在 1、4 探针间通以电流 I(mA)，2、3 探针间就产生一定的电压 V(mV)(如图1)。
四探针测试仪作业指导书
目录一. 目的 (003)二. 范围 (003)三. 职责 (003)四. 名词定义 (003)五. 内容 (003)六. 安全 (005)七．设备材料 (005)八. 相关文件 (005)九. 记录 (005)1. 目的：规范四探针测试仪的操作与维修保养工作。
2. 范围：适用于车间内四探针测试仪的操作与维修保养工作。
3. 职责：3.1 负责扩散后方块电阻的测试。
3.2 规范操作，为测试数据规范化提供依据。
3.3 负责发现扩散后硅片质量、工艺异常状况时的反映。
4名词定义：4.1 SDY-4型四探针测试仪5.内容:5.1 仪器介绍：SDY-4型四探针测试仪是根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准设计的半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)测试专用仪器.仪器以大规模集成电路为核心部件,采用平面轻触式开关控制,及各种工作状态LED指示.应用微计算机技术，利用HQ－710E型测量数据处理器，使得测量读数更加直观、快速，整套仪器体积小、功耗低、测量精度高、测试速度快、稳定性好、易操作。
本仪器可满足半导体材料、器件的研究生产单位对材料(棒材、片材)电阻率及扩散层、离子注入层、异型外延层和导电薄膜方块电阻测量的需要。
5.2 仪器电气原理如图（1）所示：电流选档 A/D 显示换相控制图(1)仪器电气原理框图5.3 SDY-4型四探针测量原理如图（2)所示：将四根排成一条直线的探针以一定的压力垂直地压在被测样品表面上，在l、4探针间通以电流I(mA)，2、3探针间就产生一定的电压V(mV)(如图1)。
测量此电压并根据测量方式和样品的尺寸不同，计算样品的电阻率或方块电阻:图（2）直线四探针法测试原理图5.4 仪器面板说明如图（3）所示：SDY-4型四探针测试仪主要由主机（电气测量装置）和测试台组成，两部分独立放置，通过连接线联接。
⑨⑩①②③④⑤⑥⑦⑧图（3）主机前面板说明按键和旋钮说明如下：①---主机数字及状态显示器；②、③、④、⑤---测量电流量程选择按键，共四个量程（0.1mA、1mA、 10mA、 100mA）；⑥---R□/ρ测量选择按键，开机时自动设置在“R□”位；⑦---测量电流方式选择按键，开机时自动设置在“I”（电流）位；⑧---电流换向按键；⑨---电流粗调电位器；⑩---电流细调电位器；5.5 使用方法仪器：首先按照说明连接四探针探头与SDY-4主机，接上电源，再按以下步骤进行操作：5.5.1 开启主电源开关，此时“R□”和“I”指示灯亮，预热约5分钟；5.5.2 估计所测样品方块电阻的范围，按表1选择电流量程，按下②、③、④、⑤中相应的键（如无法估计样品方块电阻的范围，则可以以“0.1mA”量程进行测试，再以该测试值作为估计值按表1选择量程）；方块电阻（Ω/□）电流量程（mA)< 2.5 1002.0—2.5 1020 — 250 1>200 0.1表1方块电阻测量时电流量程选择表5.5.3 放置样品压下探针，使样品接通电流。
四探针测试仪操作规程
四探针测试仪操作规程1.仪器准备a.将四探针测试仪放置在平坦的工作台上，确保没有杂物或水平度不平。
c.检查仪器电源是否连接稳定，确保电源电压适宜。
d.选择合适的探针和电缆，并将其连接到仪器上。
e.确保测试样品干净、光滑无划伤，并且与探针接触良好。
2.仪器校准a.在进行正式测试之前，需要对四探针测试仪进行校准。
b.使用已知电阻或电导率标准样品，进行测量并与标准值对比，以确保仪器准确度。
c.根据仪器使用手册中的操作指导，调整仪器的参数、零点和校准。
3.连接样品和探针a.连接电缆到测试仪的探针插座上，并确保插头连接牢固。
b.将探针的四个针尖轻轻插入待测试样品的表面，保持垂直入穿，并确保良好接触。
c.注意避免误触其他部位，以免引起误差。
4.进行测试a.开启四探针测试仪电源，并选择合适的测试模式（电阻、电导率等）。
b.根据实际需求设定测试参数，如测试范围、测量精度等。
c.手动或自动触发仪器进行测试，并等待测量结果显示。
d.根据需要记录测试结果，并确保测试过程中避免外界干扰。
5.结果分析a.对测试结果进行分析和解释，判断样品的电学性能是否符合要求。
b.如果测试结果有异常或不符合预期，可以进行多次测试以确认结果的可信度。
c.对测试结果进行记录和整理，以备后续分析和参考。
6.关闭仪器a.测试完成后，关闭四探针测试仪的电源。
b.清理测试环境，确保仪器和测试样品的存放安全。
7.日常维护a.定期清理仪器表面的灰尘和污垢，以保持仪器的正常工作状态。
b.不使用时，应将仪器放置在干燥、通风的地方，避免阳光直射和高温环境。
c.定期检查仪器的电源线、连接线和探针，确保无损坏或老化现象。
d.定期校准仪器，以确保测量结果的准确性。
以上是四探针测试仪的基本操作规程，坚持按照规程操作，能够确保测试结果的准确性和工作安全。
同时，根据具体的仪器型号和使用手册，还需遵循厂商提供的更详细的操作规程。
四探针使用手册
1.仪器结构与原理1.1结构仪器适用于测量片状半导体材料电阻率以及硅扩散层、离子注入层、异型外延层等半导体器件和液晶玻璃镀膜层、电热膜……等导电膜的方块电阻(或称簿层电阻和面电阻)。
仪器由四探针测试仪主机、探针测试台、四探针探头、计算机等部分组成，通过RTS-9双电测四探针软件测试系统对四探针测试仪主机发出控制指令来获得用户需要的测量数据，主机在接收到指令后按照测量程序进行测量(如四探针头探头电流探针和电压探针的组合变换测量、电流量程切换、采集测量数据回主机等），并把采集到的数据反馈回计算机中加以运算、分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。
1.2原理双电测组合四探针法采用了以下二种组合的测量模式（见图1）。
图1将直线四探针垂直压在被测样品表面上分别进行I 14V 23和I 13V 24组合测量，测量过程如下： 1. 进行I 14V 23组合测量：电流Ｉ从１针→４针，从２、３针测得电压V23+；电流换向，Ｉ从４针→１针，从２、３针测得电压V23-；计算正反向测量平均值：V23＝(V23+ ＋V23- )／2；2. 进行I 13V 24组合测量：电流Ｉ从１针→３针，从２、４针测得电压 V24+；电流换向，Ｉ从３针→１针，从２、４针测得电压 V24-； 计算正反向测量平均值：V24＝(V24+ ＋V24- )／2；3. 计算（V23／V24）值；（以上V23、V24均以 mV 为单位）；4. 按以下两公式计算几何修正因子Ｋ：若 1.18＜（V23 ／V24）≤1.38 时；K ＝－14.696＋25.173(V23／V24)－7.872(V23／V24)2 ； (1)若 1.10≤（V23／V24）≤1.18 时；I 14V 23组合↓V1 2 3 4 ↑I 13V 24组合↓V1 2 3 4↑K＝－15.85＋26.15(V23／V24)－7.872(V23／V24)2； (2)5.计算方块电阻R□：Ｒ□＝Ｋ.(V23／Ｉ) (单位：Ω／□) ； (3)其中：Ｉ为测试电流，单位：mA；V23为从２、３针测得电压V23+和V23-的平均值，单位：mV；6.若已知样品厚度W，可按下式计算样品体电阻率ρ：ρ＝R□.W.F(W/S)／10 (单位：Ω.cm)； (4)其中：Ｒ□为方块电阻值，单位：Ω／□；W为样片厚度，单位：mm（W ≤3mm）；S为探针平均间距，单位：mm；F(W/S) 为厚度修正系数；7.计算百分变化率（以测试样品电阻率ρ为例）：ρM －ρm最大百分变化（％）＝─────×100％ (5)ρm│ρa －ρc │平均百分变化（％）＝─────────×100％ (6)ρc２（ρM －ρm ）径向不均匀度Ｅ（％）＝──────────×100％ (7)ρM ＋ρm以上式中：ρM 、ρm 分别为测量的电阻率最大值与最小值，单位：Ω.cm；ρc 为第1、2 点（即圆片中心测量点）测量平均值，单位：Ω.cm；ρa 为除第1、2 点外其余各点的测量平均值，单位：Ω.cm；（若测量样品的方块电阻值,则将(5)、(6)、(7)式中的ρM 、ρm 、ρa 、ρc 分别改成ＲM 、Ｒm 、Ｒa 、和Ｒc 。
四探针操作规范
编号：XN/WI021-ZG-2009第 1 页共 3 页生效日期：2009.08版本/修改:A/0四探针操作规程1．目的测试薄膜电阻率及方块电阻。
2．范围：新能研发中心实验室3．责任实验室设备负责人，负责设备的使用及日常维护与点检并填写设备使用记录。
4．操作流程4.1 测试前的准备：4.1.1将电源插头插入仪器背面的电源插座,电源开关置于断开位置；4.1.2将手动测试架的插头与电气箱的输入插座连接好；4.1.3将电源开关至开启位置，数字显示，仪器通电预热10分钟；4.1.4对测试样品进行一定的处理；4.1.5 测试样品置于样品架上，放下测试架使探针能与样品表面良好接触，并保持一定压力；4.1.6调节室内温度及湿度使之达到测试要求。
4.2 测试:4.2.1打开四探针仪，电脑开机，打开四探针操作软件RTS-9操作系统；4.2.2放置样品在测试台，操作探针太下压探针和待测表面接触良好，使用过程中注意保护探头，样品接通后通电流；4.2.3选择测试方阻还是电阻率，若是对样品电阻率以及方阻没有大致的估计，则进入自动测量；4.2.4自动测量，按照提示调节界面上的电流量程为10μA，调节测试仪主机右上角旋钮，显示电流为10.000μA；4.2.5点击【自动测量】进入测量，【统计测试数据】窗口显示样品测试点的测量数据；编号：XN/WI021-ZG-2009第 2 页共 3 页四探针操作规程4.2.6手动测量，若是知道大致的数据或者已经进行了自动测量以后进行精确验证，可以进行手动测量，根据量程决定电流大小；4.2.7点击【测量】开始输出结果，【统计测试数据】窗口显示样品测试点的测试数据；4.2.8调整测试点的位置，重复测试步骤；4.2.9然后对测量的数据进行打印，保存，生成EXCEL文件；4.2.10测量完毕，升起测试架，套上探针保护套，关断电源，清洁整理。
5．注意事项:5.1 电阻率、方块电阻测量时选择合适的电流量程。
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南开大学 硅光电子学与储能实验室
Four-Point Probe Operation | 2011
四探针操作手册
四探针操作说明书
Four-Point Probe Operation 第1章引言 (1)
1. 目的 (1)
2. 应用范围 (1)
3. 测试设备 (1)
四探针 (1)
数字电压源表 (2)
第2章原理简述 (3)
1. 薄膜(厚度≤4mm)电阻率： (3)
2. 薄膜方块电阻 (3)
第3章操作方法 (5)
1. 引言 (5)
2. 测试线连接方式 (5)
3. KEITHLEY 2400高压源表设置指南 (6)
4. 探针接触方式 (8)
5. 数据测试指南 (8)
第4章注意事项 (10)
附表 (I)
第1章引言
1.目的
本说明书主要介绍用四探针法测试薄膜方块电阻及电阻率的原理及具体操作方法。
2.应用范围
测量参数：方块电阻，电阻率
测量样品：均匀薄膜，均匀薄片
方块电阻测试范围：0.01Ω～500MΩ
电阻率测试范围：10-5Ω∙cm～103Ω∙cm
样品大小：直径>1cm
精度：<±5%
3.测试设备
四探针
生产厂商：
广州四探针有限公司RTS-2型
基本指标：
间距：1±0.01mm；
针间绝缘电阻: ≥1000MΩ；
机械游移率: ≤0.3％；
探针：碳化钨或高速钢材质，探针直径Ф0.5mm；
探针压力：5～16 牛顿(总力)；
使用环境：
温度:：23±2℃；
相对湿度：≤65％；
无高频干扰；
无强光直射；
基本参数：
Fsp=0.1
探针间距：1.0mm
数字电压源表
生产厂商：
KEITHLEY 2400高压源表
技术参数：
准确度：0.012％
功率：20w
型号：2400
品牌：吉时利
测量范围：可选高电压（1100V）或大电流（3A）源/测量（A）
KEITHLEY2400通用型源表,最大可测量200V的电流和1A的电流，输出功率20W.
主要特点及优点:
设计用于高速直流参数测度
2400系列提供宽动态范围：10pA to 10A, 1μV to
1100V, 20W to 1000W
四象限工作
0.012%的精确度，51/2 的分辨率
可程控电流驱动和电压测量钳位的6位线电阻测量
在4 1/2 数位时通过GPIB达1700读数/秒
内置快速失败/通过测试比较器
可选接触式检查功能
数字I/O提供快速分选与机械手连接
GPIB, RS-232, 和触发式连接面板
TestPoint and LabVIEW驱动
第2章原理简述
将四根排成一条直线的探针以一定的压力垂直地压在被测样品表面上，在1、4 探针间通以电流I(mA)，2、3 探针间就产生一定的电压V(mV)(如图1)。
测量此电压并根据测量方式和样品的尺寸不同，可分别按以下公式计算样品的电阻率、方块电阻、电阻：
1.薄膜(厚度≤4mm)电阻率：
其中：D—样品直径，单位：cm或mm，注意与探针间距S单位一致；
S—平均探针间距，单位：cm或mm，注意与样品直径D单位一致(四探针头合格证上的S值)；
W—样品厚度，单位：cm，在F(W/S)中注意与S单位一致；
Fsp—探针间距修正系数(四探针头合格证上的F值)；
F(D/S)—样品直径修正因子。
当D→∞时，F(D/S)=4.532，有限直径下的F(D/S)由附表1查出：
F(W/S)—样品厚度修正因子。
W/S<0.4时，F(W/S)=1；W/S>0.4时，F(W/S)值由附表2查出；
R—源表测量电阻值，单位Ω；
2.薄膜方块电阻
其中：D—样品直径，单位：cm或mm，注意与探针间距S单位一致；
S—平均探针间距，单位：cm或mm，注意与样品直径D单位一致(四探针头合格证上的S值)；
W—样品厚度，单位：cm，在F(W/S)中注意与S单位一致；
Fsp—探针间距修正系数(四探针头合格证上的F值)；
F(D/S)—样品直径修正因子。
当D→∞时，F(D/S)=4.532，有限直径下的F(D/S)由附表1
查出：
F(W/S)—样品厚度修正因子。
W/S<0.4时，F(W/S)=1；W/S>0.4时，F(W/S)值由附表2查出；
R—源表测量电阻值，单位Ω；
第3章操作方法
1.引言
电阻测量采用KEITHLEY 2400高压源表测量，参照4探针测试原理，源表设置应采用4线感应模式（4W AUTO）。
具体设置参看KEITHLEY 2400高压源表设置指南。
2.测试线连接方式
测试线采用4线连接方式。
Figure 3-1 测试线连接方式
3.KEITHLEY 2400高压源表设置指南
●连接设备数据线，电源，开关。
●设备显示如错误！未找到引用源。
所示。
Figure 3-2 按CONFIG 键
●按CONFIG 键，设备显示如Figure 3-3所示。
●按Ω键，设备显示如Figure 3-4所示。
●先按►键，选中SENSE-MODE 模式，按ENTER 键，设备显示如Figure 3-5所示。
Figure 3-3 按Ω键
Figure 3-4先按►键，选中SENSE-MODE 模式，按ENTER 键。
●先按►键，选中4-WIRE 模式，按ENTER 键，再按EXIT 键，退出到测量窗口。
●如Figure 3-6所示，可看见上方4W AUTO字样，设置完成。
Figure 3-5先按►键，选中4-WIRE 模式，按ENTER 键。
Figure 3-6 设备最后显示模式，可看见上方4W AUTO。
●如有问题可以查看KEITHLEY 2400高压源表使用说明书i。
4.探针接触方式
探针接触应保持一定的压力，但不同材料的性质不同，有些材料的电阻率会随外加压力变化而改变，因而测试前要依据具体的测试材料而适当的改变探针压力。
首先用粗调键旋转探针至样品表面，略有压力后停止。
再细调一定距离，保证测量时表面读数稳定后即可。
5.数据测试指南
待测试线连接无误，源表设置完成，探针加到样品表面后，可以开始测量电阻。
●首先调节电阻测量量程。
依据样品电阻率选择量程范围，如Table 1 源表电阻测量量程
选择所示。
ii
●按下源表右下方的ON/OFF 键，按键变蓝，测量开始。
记录测量电阻值。
i设备说明书下载。
ii孙以材，半导体测试技术，冶金工业出版社，1984。
●半导体材料电阻率会随电流改变而变化，因此要结合具体情况选择合适的量程。
●根据修正公式算出方块电阻和电阻率，测试完成。
将测试得到的电阻，膜厚代入以下公式即可算出电阻率和方块电阻。
各修正系数可从附表查出，Fsp=0.01.
实例1.
测量薄膜电阻为29.97Ω（1mA档），膜厚为187.165nm。
探针间距为1.0mm，样品直径为100mm（圆中心测量），Fsp为1.0。
D/S=100，
F(D/S)=4.528。
W/S=1.87⨯10-4，
F(W/S)=1;
所以ρ=2.54⨯10-3。
9
第4章注意事项
10
附表
与D/S值的关系
附表1直径修正系数F(D/S)
II。