版图设计与验证(参考题)
集成电路版图设计_实验四习题
集成电路版图设计_实验四习题
实验四：
1、新建版图文件后需要进行栅格设置，栅格设置的路径是: ；
2、调用库中的NMOS器件，设置Length= ；Total width= ；Gate
connection= ；bodytie Type= , 方向为；
3、调用库中的PMOS器件，设置Length= ；Total width= ；Gate
connection= ；bodytie Type= , 方向为；
4、采用金属层和工具绘制电源VDD线和地线GND；
5、采用金属层连接PMOS和NMOS的栅极；
6、拉伸线条的命令是，快捷键是；
7、移动元器件的命令是，快捷键是；
8、缩小视图的命令是，快捷键是；
9、添加标尺的命令是，快捷键是；
10、Creat label采用的图层名称是；
10、对版图做DRC检查，命令的路径是；
11、说明DRC检查需要做哪些设置？gpdk090DRC规则加载的路径是什么？
12、DRC通常会做哪些规则检查？
13、LVS如何设置？。
平面设计师认证试题(答案)
平面设计师认证试题（答案）一、不定项选择题（共25小题，每小题2分，共50分）1、下列哪种工具可以选择连续的相似颜色的区域：（C）正确答案：（）A、矩形选择工具B、椭圆选择工具C、魔术棒工具D、磁性套索工具2、在Color Range（色彩范围）对话框中为了调整颜色的范围，应当调整哪个数值：C正确答案：（）A、Invert（反相）B、Anti－aliased（消除锯齿）C、Fuzziness（颜色容差）D、Feather（羽化）3、当将CMKY模式的图象转换为多通道时，产生的通道名称是什么：（D）正确答案：（）A、青色、洋红和黄色B、四个名称都是Alpha通道C、四个名称为Black（黑色）的通道D、青色、洋红、黄色和黑色4、在优化压缩图象时：C正确答案：（）A、一幅原始图象只能以一种文件格式进行优化B、一幅原始图象可以通过切片功能以多种文件格式分别压缩C、一幅原始图象可以通过切片功能产生多幅独立图象文件，每个都可以以不同的文件格式进行优化D、以上都不对5、索引颜色模式的图象包含多少种颜色：B正确答案：（）A、2B、256C、约65，000D、1670万6、下列哪种色彩模式是不依赖于设备的：C正确答案：（）A、RGBB、CMYKC、LabD、索引颜色7、在Brushes Dynamics（画笔淡出设定）对话框中可以进行哪些设定：ABC?正确答案：（）A、Size（淡出画笔大小）B、Opacity（淡出不透明度）C、Color（颜色）D、Styles（样式）8、下面选项中对色阶描述正确的是：ABD正确答案：（）A、色阶对话框中的输入色阶用于显示当前的数值B、色阶对话框中的输出色阶用于显示将要输出的数值C、调整Gamma值可改变图象暗调的亮度值D、色阶对话框中共有5个三角形的滑钮9、在Adobe Illustrator中，当使用旋转工具（Rotate Tool）时，按住下列哪个键的同时单击鼠标，就可弹出其设定对话框：（C）正确答案：（）A、ShiftB、TabC、AltD、Esc10、在使用选区范围生成切片时：D?正确答案：（）A、由于切片为矩形，所以只能使用矩形选区生成切片B、如果图象上有多个互相分离的选区，则将根据每个选区范围分别生成多个切片C、由于经过羽化的选区没有明确的边界，所以无法通过它生成切片D、以上答案都不对11、扫描过程中最容易丢失层次的是：AC正确答案：（）A、亮调B、中间调C、暗调D、以上都不对12、下面对于高斯模糊叙述正确的是：（B）正确答案：（）A、可以对一幅图像进行比较精细的模糊。
模拟电路版图设计试题
模拟电路版图设计试题模拟电路设计是电子工程中非常重要的一个环节，通过合理的版图设计可以确保电路的稳定性与性能。
下面给出一个模拟电路版图设计的试题，以检验您的设计能力。
题目描述：设计一个差分放大器电路，输入端为正反馈结构，要求增益为100倍，输入阻抗大于10kΩ，输出阻抗小于100Ω，带宽在500kHz以上。
使用CMOS工艺，电源电压为3.3V。
设计要求：1. 设计电路的整体结构，包括差分输入端、放大器部分和输出端。
2. 根据要求计算电路的具体参数，如电阻、电容值等。
3. 画出电路的布局图和连线图，确保版图布局合理，连线短小。
4. 模拟电路的仿真验证，分析电路的性能，调整参数使得符合设计要求。
设计思路：1. 差分放大器电路的设计是差分放大器和共模反馈电路的结合，可以实现对输入信号的放大，同时抑制共模干扰。
2. 选择合适的晶体管作为放大器，保证增益和带宽的要求。
3. 输入端的正反馈结构可以提高输入阻抗，减小输入信号的失真。
4. 输出端加入缓冲电路，使得输出阻抗小于100Ω，能够驱动负载。
电路参数计算：1. 根据增益要求和电源电压确定放大器的工作点电压。
2. 计算输入端电阻的大小，保证输入阻抗大于10kΩ。
3. 根据放大器的带宽要求确定放大器的频率特性，选择合适的电容值。
布局设计和仿真验证：1. 将电路分块布局，实现电路模块化设计。
2. 优化布局，减小布线长度，降低互感和互容影响。
3. 打开仿真软件，验证电路的性能，调整参数使得输出符合设计要求。
4. 进行交叉仿真，保证电路的稳定性和可靠性。
通过以上步骤，可以完成差分放大器电路的设计与验证，达到题目所要求的性能指标。
设计模拟电路需要仔细思考每一个环节，严格按照设计要求进行实施，方可完成高质量的电路设计。
祝您顺利完成设计任务！。
集成电路版图设计习题答案第八章MOS场效应晶体管
集成电路版图设计习题答案第8章 MOS场效应晶体管【习题答案】1．请画出MOS晶体管的结构示意图。
答：2．请简述MOS晶体管各个版图层的作用。
●答：阱层（Well）：阱层定义在衬底上制备阱的区域。
NMOS管制备在P型衬底上，PMOS管制备在N型衬底上。
一块原始的半导体材料，掺入的杂质类型只能有一种，即该衬底不是N型就是P型。
如果不对衬底进行加工处理的话，该衬底只能制备一种MOS晶体管。
CMOS集成电路是把NMOS晶体管和PMOS晶体管制备在同一个硅片衬底上，为了能够制造CMOS集成电路，需要对衬底进行处理，利用掺杂工艺在衬底上形成一个区域，该区域的掺杂类型和衬底的掺杂类型相反，这个区域就称为阱。
●有源区层（Active）：有源区层的作用是在衬底上定义制作有源区的区域，该区域包括源区、漏区和沟道。
在衬底上淀积厚氧化层，利用光刻和刻蚀工艺在衬底上开窗口并把厚氧化层除去就可形成有源区，有源区之外的区域是场区。
显然，MOS管必须而且只能制备在有源区内。
●多晶硅层（Poly）：多晶硅层的作用是定义制作多晶硅材料的区域。
最早的MOS集成电路制造工艺只能制备一层多晶硅，而现在已经有能够制备两层多晶硅的工艺了。
对于双层多晶硅工艺，第一层多晶硅主要用来制作栅极、导线和多晶硅—多晶硅电容的下极板，第二层多晶硅主要用来制作多晶硅电阻和多晶硅－多晶硅电容的上极板。
双层多晶硅工艺具有多晶硅1和多晶硅2这两个版图层。
●P+注入层和N+注入层（P+implant和N+ implant）：P+注入层定义注入P+杂质离子的区域，而N+注入层定义注入N+杂质离子的区域。
由于NMOS晶体管和PMOS晶体管的结构相同，只是源漏区的掺杂类型相反。
同时，有源区层只是定义了源区、漏区和沟道的区域，却没有说明源区和漏区的掺杂类型。
P+注入层和N+注入层说明了注入杂质的类型，也就是说明了有源区的导电类型，实现了NMOS晶体管和PMOS晶体管的区分。
pcb绘图试题及答案
pcb绘图试题及答案一、单选题（每题2分，共10分）1. 在PCB设计中，通常使用什么软件进行绘制？A. PhotoshopB. AutoCADC. Altium DesignerD. SolidWorks答案：C2. PCB设计中的“走线”指的是什么？A. 电路板上的电源线B. 电路板上的数据线C. 电路板上的信号线D. 电路板上的地线答案：C3. 下列哪个不是PCB设计中的常见层？A. 信号层B. 电源层C. 地层D. 绝缘层答案：D4. 在PCB设计中，阻焊层的作用是什么？A. 保护电路B. 散热C. 防止焊锡桥接D. 提高电路板强度答案：C5. PCB设计中，元件布局的原则是什么？A. 随意布局B. 按照功能分区C. 按照元件大小D. 按照元件重量答案：B二、多选题（每题3分，共15分）1. PCB设计中，以下哪些因素会影响电路板的性能？A. 元件布局B. 走线方式C. 电路板材料D. 元件品牌答案：ABC2. 在PCB设计中，布线时需要考虑的因素包括哪些？A. 走线长度B. 走线宽度C. 走线间距D. 走线角度答案：ABC3. 下列哪些是PCB设计中常用的测试方法？A. 视觉检查B. 功能测试C. 热像测试D. 机械测试答案：ABC4. PCB设计中，元件封装的作用包括哪些？A. 确定元件位置B. 确定元件大小C. 确定元件形状D. 确定元件引脚数量答案：ABCD5. PCB设计中，哪些因素可能导致电路板的信号干扰？A. 走线过长B. 走线过窄C. 走线与走线间距过小D. 元件布局不合理答案：ACD三、判断题（每题2分，共10分）1. PCB设计中，所有的信号线都应该尽可能短。
（对）2. PCB设计中，电源层和地层可以相互重叠。
（错）3. PCB设计中，阻抗匹配是提高信号质量的关键。
（对）4. PCB设计中，元件布局时，热敏元件应远离热源。
（对）5. PCB设计中，所有的元件都应该放置在电路板的边缘。
IC版图设计试题A
系名____________班级____________姓名____________学号____________
密封线内不答题
成都信息工程学院考试试卷
2010 —— 2011 学年第 2 学期
课程名称：IC 版图设计 使用班级：微电2008级
设计项目：集成电路版图
基本目标：
设计一个基于COMS 工艺的放大器版图，器件参数如图所示，使用TSMC 18RF 工艺库。
系名____________班级____________姓名____________学号____________
密封线内不答题
设计要求：（共50分）
（1）画出满足题目要求的版图，重点考虑器件的匹配（25分）（2）满足设计规则要求，用Calibre完成DRC验证（10分）（3）满足原理版图一致性要求，用Calibre完成LVS验证（10分）（4）外加保护环(5分)
（5）要求上传版图电子文件
报告要求：（共50分）
第一部分：题目要求（5分）
第二部分：设计过程（25分）
（1）详细的建库和原理图设计过程（5分）
（2）版图设计过程（20分）
第三部分：验证过程（10分）
（1）DRC验证过程（5分）
（2）LVS验证过程（5分）
第四部分：结论（5分）
完成各项指标的设计指标、验证，给出设计结论。
第五部分：心得体会（5分）。
集成电路版图设计考试题目
集成电路版图设计考试题⽬1、集成电路版图设计师共设 4 个等级，分别是__版图设计员__、__助理版图设计师__、__版图设计师__、__⾼级版图设计师__。
2、元素周期表中⼀些元素（如硅锗）的电学特性介于⾦属与⾮⾦属之间，叫__半导体__。
3、标准双极⼯艺基区⽅块电阻的典型范围为__100 ~ 200 ?/□__。
4、发射区电阻必须置于适合的隔离岛中，通常的做法是发射区电阻制作在基区扩散内，基区扩散⼜制作在⼀个__N阱__内。
5、在零偏压下，这种电容能提供较⼤的单位⾯积电容（典型值为 0.8fF/um2）,但这种电容会随着反偏电压的增⼤⽽逐渐__减⼩__。
6、使⽤⾼介电常数的电介质，利⽤相对较⼩的区域制作__⼤电容器__。
7、结电容通常作在隔离岛内，隔离岛必须制作接触以确保集电结__反偏__，该接触也是的集电结和发射结并联，从⽽增⼤了总电容。
8、品质因数的⼀般性原则寄⽣效应越⼩，Q__越⼤__。
9、集电极开路时发射结击穿电压表⽰为 VEBO。
对于标准双极型⼯艺制造的 NPN晶体管，VEBO⼤约 __7V__左右。
10、当 NPN 晶体管的发射结和集电结都处于正偏时就会进⼊__饱和⼯作__状态。
11、发射结齐纳⼆极管的发射区通常为圆形或椭圆形。
采⽤圆形是为了防⽌发射区拐⾓处的__电场增强__。
12、使⽤N型外延层，必须加⼊深的轻掺杂P型扩散区⽤于制作 __NMOS___ 晶体管13、MOS晶体管是__4__端器件。
14、器件的⼏何图形加⼯精确的介质物理学对图像的⼤⼩和__层次__15、集成电路版图设计步骤：__线路图__、___版图__、__DRC__、__LVS__16、LayOut的含义是指：___版图__17、集成电阻通常由扩散或者沉淀层形成，通常可以⽤厚层⼀定的薄膜作为模型，因此习惯上把电阻率和厚度合成⼀个单位，称为__⽅块电阻__。
18、由于其较⼩的⽅块电阻，发射区是唯⼀适合于制作较⼩电阻（0.5 ~ 100?）的区域。
集成电路版图设计习题答案第二章集成电路制造工艺
集成电路版图设计习题答案第2章 集成电路制造工艺【习题答案】1．硅片制备主要包括（直拉法）、（磁控直拉法）和（悬浮区熔法）等三种方法。
2．简述外延工艺的用途。
答：外延工艺的应用很多。
外延硅片可以用来制作双极型晶体管，衬底为重掺杂的硅单晶（n +），在衬底上外延十几个微米的低掺杂的外延层（n ），双极型晶体管（NPN ）制作在外延层上，其中b 为基极，e 为发射极，c 为集电极。
在外延硅片上制作双极型晶体管具有高的集电结电压，低的集电极串联电阻，性能优良。
使用外延硅片可以解决增大功率和提高频率对集电区电阻要求上的矛盾。
图 外延硅片上的双极型晶体管集成电路制造中，各元件之间必须进行电学隔离。
利用外延技术的PN 结隔离是早期双极型集成电路常采用的电隔离方法。
利用外延硅片制备CMOS 集成电路芯片可以避免闩锁效应，避免硅表面氧化物的淀积，而且硅片表面更光滑，损伤小，芯片成品率高。
外延工艺已经成为超大规模CMOS 集成电路中的标准工艺。
3．简述二氧化硅薄膜在集成电路中的用途。
答：二氧化硅是集成电路工艺中使用最多的介质薄膜，其在集成电路中的应用也非常广泛。
二氧化硅薄膜的作用包括：器件的组成部分、离子注入掩蔽膜、金属互连层之间的绝缘介质、隔离工艺中的绝缘介质、钝化保护膜。
4．为什么氧化工艺通常采用干氧、湿氧相结合的方式？答：干氧氧化就是将干燥纯净的氧气直接通入到高温反应炉内，氧气与硅表面的原子反应生成二氧化硅。
其特点：二氧化硅结构致密、均匀性和重复性好、针孔密度小、掩蔽能力强、与光刻胶粘附良好不易脱胶；生长速率慢、易龟裂不宜生长厚的二氧化硅。
湿氧氧化就是使氧气先通过加热的高纯去离子水（95℃），氧气中携带一定量的水汽，使氧化气氛既含有氧，又含有水汽。
因此湿氧氧化兼有干氧氧化和en +SiO 2n -Si 外延层 n +Si 衬底水汽氧化的作用，氧化速率和二氧化硅质量介于二者之间。
实际热氧化工艺通常采用干、湿氧交替的方式进行。
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一、填空题(每空1分，共20分)
1、版图设计的依据有和。
2、根据设计流程不同，版图设计可以分为和
两种设计方法。
3、在CMOS逻辑电路中，PMOS管串联表示逻辑，并联表示逻辑。
4、如下图所示的MOS管，管子的长为，宽为。
5、集成电路制造的单道工艺可以分为以下三类、
和。
6、光刻工艺的主要步骤有：涂光刻胶、、曝光、和。
7、大宽长比的MOS管，通常采用方式设计。
8、在CMOS工艺中，保护环的主要作用是防止效应。
9、在标准单元设计方法中，标准单元库中应该包含逻辑符号库、
和三方面内容。
10、标准单元库中的各个单元具有的宽度，的长度。
二、名词解释(每题5分，共20分)
1、方块电阻
2、通孔（via）
3、接触孔（contact）
4、静电放电(ESD)
三、简答(每小题10分，共30分)
1、在版图设计中，为什么要采用虚设器件？请画图说明。
2、在掺杂工艺中，经常会用到离子注入和扩散两种工艺。
请说明这两种工艺
的原理，并比较。
3、什么是版图设计规则？解释 设计规则？采用这种设计规则的优点和缺点？
四、综合（30分）
1、画出CMOS反相器的版图（采用N阱工艺）（10分）
2、根据下面的设计规则示图，补充表格。
（20分）。