【US20190172974A1】纵向结构LEDS【专利】
一种垂直结构LED芯片及其制备方法[发明专利]
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专利名称：一种垂直结构LED芯片及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：李国强
申请号：CN202210015335.5
申请日：20220107
公开号：CN114447171A
公开日：
20220506
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种垂直结构LED芯片及其制备方法，该垂直结构LED芯片按照从下往上的连接顺序依次包括衬底层、粘结层、键合层、保护层、P‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、N‑GaN层、电流扩散层、钝化层和N电极；保护层内设有金属反射层，金属反射层与P‑GaN层接触；电流扩散层内设有电流阻挡层，电流阻挡层位于N电极下方，电流阻挡层与N‑GaN层接触。
该垂直结构LED芯片能克服现有大功率LED发光不均匀以及发光效率低的缺陷，P、N面的双面电流扩散提高了发光效率，从而提高了亮度，改善了传统芯片区域暗区等现象，更有利于产业链下游的光路设计。
申请人：广州市众拓光电科技有限公司
地址：510000 广东省广州市黄埔区开源大道136号B2栋1103室
国籍：CN
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一种垂直结构LED芯片及其制作方法[发明专利]
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专利名称：一种垂直结构LED芯片及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：林志伟,崔恒平,蔡玉梅,陈凯轩,蔡海防申请号：CN202111422016.8
申请日：20211126
公开号：CN114005920A
公开日：
20220201
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，通过在基板表面依次设置键合层、金属反射镜、介质层以及外延叠层，其中，所述介质层具有介质孔，且所述金属反射镜通过填充于所述介质孔内的欧姆接触结构与所述外延叠层形成连接；一方面，使欧姆接触结构通过所述介质孔与第二型半导体层电性连接，保证电流的注入和导通；同时，解决了外延叠层与介质层、金属反射镜之间结合力弱的问题，从而提高芯片的可靠性。
另一方面，使金属反射镜与介质层形成ODR反射结构，将外延叠层朝向基板一侧辐射的光线返回至外延叠层，并从出光侧辐射出去，提高出光效率。
申请人：厦门乾照光电股份有限公司
地址：361101 福建省厦门市厦门火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号
国籍：CN
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一种LED垂直芯片结构及制作方法[发明专利]
![一种LED垂直芯片结构及制作方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/837667b170fe910ef12d2af90242a8956becaa03.png)
(10)申请公布号 (43)申请公布日 2013.08.21C N 103258926 A (21)申请号 201310156642.6(22)申请日 2013.04.28H01L 33/02(2010.01)H01L 33/64(2010.01)(71)申请人西安交通大学地址710049 陕西省西安市咸宁西路28号(72)发明人张景文 布恩辉 孟鹂 安健李奉南 候洵(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司 61200代理人徐文权(54)发明名称一种LED 垂直芯片结构及制作方法(57)摘要本发明涉及公开了一种LED 垂直芯片结构及制作方法，所述LED 垂直芯片结构自下到上依次设有衬底、石墨烯层、ZnO 纳米墙/GaN 、n-GaN 层、InGaN/GaN 多量子阱及p-GaN 。
相比传统蓝宝石衬底LED 芯片，发光面积大，散热能力强，不存在电流拥堵效应。
同时，由于此LED 垂直芯片为直接外延生长，相较于剥离-键合工艺制备的垂直结构LED ，省去了剥离和键合工艺，使得工艺简化、成品率高。
(51)Int.Cl.权利要求书1页 说明书3页 附图1页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书3页 附图1页(10)申请公布号CN 103258926 A*CN103258926A*1/1页1.一种LED 垂直芯片结构，其特征在于，所述LED 垂直芯片结构自下到上依次设有衬底、石墨烯层、ZnO 纳米墙/GaN 、n-GaN 层、InGaN/GaN 多量子阱及p-GaN 。
2.根据权利要求1所述的LED 垂直芯片结构，其特征在于，所述衬底为Si 、SiC 、CuW 及Mo 中的一种。
3.根据权利要求1所述的LED 垂直芯片结构，其特征在于，所述衬底的厚度为20～500μm 。
4.根据权利要求1所述的LED 垂直芯片结构，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为1～10层的石墨烯。