模拟电子技术(14)--期末试卷及答案三
模拟电子技术试卷及答案
《模拟电子技术》试卷一.填空题(每空1分,共30分)1．P型半导体掺入三价元素，多子是自由电子，少子是空穴。
2．PN结主要特性是具有单向导电性，即正导通，反向截止。
3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。
4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的放大区；在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区，此时也称它工作在开关状态。
5．幅度失真和相位失真统称为频率失真，它属于线性失真。
6．功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率，乙类功率放大电路的效率最高。
7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入a（a.直流负反馈，b.交流负反馈）。
8．三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。
9．分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用，其原理是构成电压串联负反馈。
10．集成运算放大器是直接耦合放大电路。
集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端同相；后者的极性同输出端反相。
11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为PMOS和NMOS型。
二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V。
CA) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.22．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ）A) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；N沟道结型3．在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大I E，电压放大倍数将（A）A) 增加B)减小C) 不变D) 不能确定4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。
模拟电子技术基础试卷及答案(期末) 3
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三（本科）及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd =A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（ ）。
a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。
a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。
《模拟电子技术》期末试卷及答案
《模拟电子技术》期末试卷及答案（本题每空1分，共20分）一、填空题：1. 二极管的伏安特性上分有四个区，分别是区、区、区和。
2. 双极型三极管属于控制型器件，单极型三极管属于控制型器件。
3. 理想运放的电路模型中，开环电压放大倍数A O＝，差模输入电阻r i= ，输出电阻r O= ，共模抑制比K CMR= 。
4. 击穿属于碰撞式的击穿，击穿属于场效应式的击穿，这两种击穿均属于击穿，具有互逆性。
5. 共发射极组态、共集电极组态和共基组态这三种放大电路中，其中组态的放大电路放大能力最强，组态的放大电路只有电流放大能力而没有电压放大能力，组态的放大电路只有电压放大能力而没有电流放大能力。
6. 放大电路中的负反馈类型可分有负反馈、负反馈、负反馈和负反馈。
（本题每小题1分，共10分）二、判断下列说法的正确与错误：1. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会造成永久型损坏。
（）2. 无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。
（）3. 甲类、乙类和甲乙类功放均存在“交越失真”现象。
（）4. 射极输出器是典型的电流串联交流负反馈放大电路。
（）5. 共模信号和差模信号都是放大电路需要传输和放大的有用信号。
（）6. 所有放大电路的输入电压信号和输出电压信号都是反相的。
（）7.设置静态工作点的目的，就是让交流信号叠加在直流载波上全部通过放大器。
（）8.三极管工作中若耗散功率超过它的最大耗散功率P CM时，该管必须烧损。
（）9. 理想集成运放构成的线性应用电路中，电压增益与其内部参数无关。
（）10.即使是单门限电压比较器，其输出也必定是两种状态。
（）（本题每小题2分，共16分）三、单选题1. P型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。
A．三价 B. 四价 C. 五价 D. 六价2. 测得NPN三极管各电极对地电压分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，则该管必工作在（）。
模电期末考试试题及答案
模电期末考试试题及答案模拟电子技术期末考试试题一、选择题（每题2分，共20分）1. 在理想运算放大器中，输入电阻是：A. 无穷大B. 0欧姆C. 1欧姆D. 10欧姆2. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 离散变化C. 随时间变化D. 可表示声音3. 一个共射放大电路的静态工作点是：A. 0VB. 5VC. 12VD. 取决于电源电压4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 降低增益C. 增加失真D. 稳定工作点5. 以下哪个不是模拟电子电路中的滤波器？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器二、填空题（每空2分，共20分）6. 运算放大器的_________端是虚拟地，即电压为0V。
7. 电压跟随器的特点是_________，输出阻抗小。
8. 一个理想的电压源的内阻是_________。
9. 模拟乘法器常用于实现_________和_________。
10. 波形发生器电路可以产生_________、_________、_________等波形。
三、简答题（每题10分，共30分）11. 解释什么是差分放大器，并简述其主要优点。
12. 描述一个基本的RC低通滤波器的工作原理。
13. 什么是振荡器？请列举至少两种常见的振荡器类型。
四、计算题（每题15分，共30分）14. 给定一个共射放大电路，其静态工作点为VB=10V，VC=20V，VE=5V，β=100。
假设晶体管的饱和压降VBE=0.7V，计算该电路的静态工作电流IE。
15. 设计一个简单的RC低通滤波器，要求截止频率为1kHz，输入信号频率为10kHz，计算所需的电阻和电容值。
答案：一、选择题1. A2. B3. D4. B5. D二、填空题6. 反向输入7. 高输入阻抗，低输出阻抗8. 0欧姆9. 调幅、解调10. 正弦波、方波、三角波三、简答题11. 差分放大器是一种差动放大电路，它能够放大两个输入端之间的差值信号，而抑制共模信号。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案：C2. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案：B3. 理想运算放大器的输入阻抗是（）。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C4. 在多级放大电路中，级间耦合方式通常采用（）。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：B5. 负反馈可以（）放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案：B6. 场效应管的控制方式是（）。
A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案：A7. 模拟乘法器的主要功能是（）。
A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案：D8. 集成电路的电源电压通常为（）。
A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案：D9. 差分放大电路可以（）。
A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案：C10. 模拟电路中的“地”通常是指（）。
A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案：C二、填空题（每题2分，共20分）11. 放大器的增益通常用表示，单位是。
答案：增益；分贝（dB）12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。
答案：高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。
答案：电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。
答案：非线性15. 负反馈可以提高放大器的。
答案：稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。
答案：阻容；变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。
答案：对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。
答案：平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。
答案：参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。
模拟电子技术基础试卷及答案(期末) 3
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三（本科）及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd =A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（ ）。
a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。
a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。
模拟电子技术基础试卷14
一、填空题（每空1分，共20分）1、PN结加正向电压时，空间电荷区将_______；加反向电压时，空间电荷区将_______。
2、当发射结正偏且集电结反偏时，晶体管具有_________放大作用。
3、在晶体管单管放大电路的三种接法中，既能放大电流又能放大电压的是_________电路，只能放大电压不能放大电流的是__________电路。
4、直接耦合放大电路的零点漂移主要是由晶体管的___________造成的。
5、集成运放通常由输入级、___________、输出级和__________四部分组成。
6、在晶体管单管放大电路中，耦合电容所在的回路为________电路，使放大电路在低频段产生_________相移。
7、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入____________负反馈。
8、正弦波振荡的幅值平衡条件为__________，电路的起振条件为___________。
9、单相二极管半波整流电路中，若变压器副边电压有效值为U2=20V，则输出电压的平均值U O(A V)=_____ V；若负载电阻R L = 100Ω，二极管正向平均电流I D(AV)=_____A。
10、晶体管处于放大状态时，发射极电流是由__________运动形成的，集电极电流是由___________运动形成的。
11、对于放大电路的最基本要求一是____________，二是能够__________。
12、OCL功率放大电路在电路参数理想情况下的最大效率为___________。
二、单项选择题（每小题2分，共20分,将答案写在题后的括号内）1、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为12V，11.8 V，15 V，则这只三极管是_______。
( )A NPN 型硅管B NPN 型锗管C PNP 型硅管D PNP 型锗管2、某场效应管的转移特性如图所示，该管为_____。
( )A P沟道增强型MOS管B P沟道耗尽型MOS管C N沟道增强型MOS管D N沟道耗尽型MOS管3、为了使放大电路的输入电阻增大，输出电阻减小，应引入_____负反馈。
模拟电子技术试题3答案及评分标准
模拟电⼦技术试题3答案及评分标准模拟电⼦技术试卷3答案及评分标准⼀、判断（每题1分，共10分）1.在P型半导体中如果掺⼊⾜够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。
（对）2.PN结在⽆光照、加热或⽆外加电压等条件时，结电流为零。
（对）3.JFET⼯作在放⼤状态时，其栅源间PN结应为正偏。
（错）4.放⼤电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
（错）5.放⼤电路中由线性电抗元件所引起的失真称⾮线性失真。
（错）6.多级放⼤电路的频带宽度⽐其中任⼀单级电路的频带都宽。
（错）7.当放⼤电路的参数确定以后，其增益带宽积为⼀常数。
（对）8.⽯英晶体在电容三点式震荡电路中，起电感作⽤。
（对）9.只要电路引⼊了正反馈，就⼀定会产⽣正弦波振荡。
（错）⼆、填空（每空1分，共20分）1.P型半导体的多⼦是空⽳，N型半导体的多⼦是⾃由电⼦，⼆极管的最主要特性是单向导电性。
2.若放⼤电路的放⼤倍数为负，则引⼊的反馈⼀定是负反馈。
（错）3.多级放⼤器级间耦合⽅式⼀般有直接耦合，阻容耦合和变压器耦合三种，其中直接耦合多⽤于集成电路中。
4.射级输出器具有输⼊电阻⾼，输出电阻低和__增益近似为1_等特点。
5.三极管具有电流放⼤作⽤的外部条件是发射结正偏、集电结反偏。
6.已知⼀个放⼤器的中频增益为４０dB，f L＝100KHZ，则该电路在f L处的增益为 _37_dB，该电路的中频放⼤倍数为100倍。
7.差动放⼤电路在不带负载的情况下，其单⼊双出差模放⼤倍数是双⼊单出差模放⼤倍数的 0.5 倍。
8.在差分电路中，两输⼊端所获得对地⼤⼩相等，极性相反的信号电压称差模信号，⼤⼩相等极性相同的信号电压称共模信号。
9.已知某深度负反馈电路Aud=50，F U=0.1，则A Uf= 8.33 。
10.差分放⼤电路是为了抑制零点漂移⽽设置的，衡量其对共模信号抑制能⼒的参数是共模抑制⽐。
11.⼄类互补对称功率放⼤电路中存在的失真为交叉失真。
三、单项选择（每空1分，共20分）1.某放⼤电路在负载开路时的输出电压为4V，接⼊3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放⼤电路的输出电阻为 B 。
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模拟电子技术试题三
一、填空题（共 25分，每小题 1 分）
1、在杂质半导体中，当温度升高时，将使 (多子或少子)载流子浓度明显增加，当杂质浓度增加时，将使 (多子或少子)载流子浓度明显增加。
2、理想集成运算放大电路的放大倍数u A 等于 ，输入电阻i
R 等于 ，输出电阻o R 等于 。
3、当输入信号频率为L f 或H f 时，放大倍数的幅值下降为中频时的 ，或者是下降了dB。
此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为 。
4、负反馈放大电路的一般表达式为F A
A
A +=1f
，当11>+F A
时，表明放大电路引入了。
5、为了稳定放大电路的静态工作点，应引入 。
6、 比例运算电路的电压放大倍数是1f
R R ， 比例电路的电压放大倍数是1f 1R R +。
7、利用正反馈产生正弦波振荡电路，其电路主要由 ， ，
， 四部分组成。
8、常用小功率直流稳压电源系统由 、 、 和 四部分组成。
9、在一个交流放大电路中，测出某三极管三个管脚对地电位分别为：1端为1.7V；2端为6V；3端为1V。
则1端为 极；2端为 极；3端为 极；该管子为 型。
10、共射电路中，若输出波形是
则产生了 失真。
二、选择题（共 10分， 每空1分）
1、在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 ，而少子的浓度则受 的影响很大。
A．温度 B．掺杂浓度 C．掺杂工艺 D．晶体缺陷
2、稳压管的稳压区是其工作在 状态。
A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿
3、场效应管是通过改变 来改变漏极电流的。
A. 栅源电压
B. 漏源电压
C. 栅极电流 4、直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是 。
A．电阻阻值有误差 B．晶体管参数的分散性 C．晶体管参数受温度影响 D．电源电压不稳定5、差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ，共模信号是两个输入端信号的 。
A．差 B．和 C．平均值 D．无关
6、要提高放大器的输入电阻及减小输出电阻，应采用 负反馈． A. 电流串联 B. 电压串联 C. 电流并联 D. 电压并联
7、一阶低通或高通有源滤波电路，其截止频率与R、C 有关，其表达式为 A．
RC 1 B．RC
21 C．RC π21
8、功率放大电路的转换效率是指 。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B.最大输出功率与电源提供的直流功率之比
C.晶体管所消耗的功率与电源提供的直流功率之比三、用相位条件判断下图所示各正弦波振荡电路能否起振（共9 分）
四、计算题（共 56 分。
其中第1题15分，第2题10分，第3题10分，第4题12分，第5题9分）
1、（15分）多级放大电路的输入电阻为第一级放大电路的榆入电阻。
阻容耦合两级放大电路如下图所示，已知1β＝2β＝50，V 7.0BE =U ，
（1）指出每级各是什么组态的电路（2）计算第二级电路的静态工作点。
（3）计算电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
2、（10分）下图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为80，Ω='100b b r ，V 7.0BEQ
≈U ，W R 滑动端在中点。
试计算：（1）1VT 管和2VT 的发射极静态电流EQ I ；（2）差模电压放大
倍数d A 、差模输入电阻i R 、输出电阻o R 的值、共模电压放大倍数c
A 。
3、（10分）放大电路如下图所示，试解答：
(1) 为保证构成负反馈，请将运放的两个输入端的 +、－号添上；(2) 判断反馈的组态；
(3) 请按深度负反馈估算电压增益。
4、（12分）由三个理想运放组成的电路如下图所示。
输入信号
u i =5sinωt (V)，t=0时，积分电容上的电压为零。
1）A 1、A 2、A 3分别组成什么基本应用电路？2) 分别求u o1、u o2 、u o3；3) 画出u o1、u o2 、u o3的波形。
5、（10分）试求下图电压比较器的门限电压，画出电压传输曲线，并根据所给的ui 波形，画出uo 的波形。
模拟电子技术试题三答案
一、填空题（共 25分，每小题 1 分）
1、少子 多子
2、无穷大 无穷大 0
3、 0.707 3 90度
4、负反馈
5、直流负反馈
6、反向 同相
7、放大电路 正反馈网络 稳幅环节 选频网络8、变压器 整流电路 滤波电路 稳压电路 9、B C E NPN 10、截止
二、选择题（共 10分， 每空1分）
1、B A
2、C
3、A
4、C
5、A C
6、B
7、C
8、B
三、用相位条件判断下图所示各正弦波振荡电路能否起振（共9 分，各3分）
能起振 不能起振 能起振
四、计算题（共 56 分。
其中第1题15分，第2题10分，第3题10分，第4题12分，第5题9分）
1、（15分）（1）第一级为共集电路，第二级为共射放大电路。
（2分）（2） （8分）
（3）放大电路的输入电阻为第一级共集电路的输入电阻。
在求解i R 时，要注意考虑第二级输入电阻i2R 是第一级的负载电阻对它的影响。
Ω=k 07.21i R （5分）2、（10分）（1）mA 517.0EQ ≈I （2分）
（2）4.32d -≈A ，kΩ4.16i ≈R ，kΩ20o =R ，0c
=A （8分）3、（10分）（1）运放上端为反向输入端，下端为同相输入端。
（2分）（2）交直流的电压串联负反馈 （4分）（3）11 （4分）4、（12分）（1）A 1组成反相比例放大电路，A 2组成过零比较器，A 3组成积分电路。
（3分）(2) t u R
R
u i
o ωsin 101
21-=-
= （2分）
52±=u o （2分） 1.00-=t S 时，
10511
.00
3=-
=⎰dt RC u o 2.01.0-=t S 时，
051102
.01.03=--
-=⎰dt RC
u o （2分） （3）波形略。
（3分）
5、（10分）（1）门限电压为6V 和-6V （4分）
（2）
（3分）（3）
（3分）。