单晶电子衍射谱标定入门朱玉亮

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电子衍射谱的标定

电子衍射谱的标定

第二章 电子衍射谱的标定2. 1透射电镜中的电子衍射透射电镜中的电子衍射基本公式为:λL Rd =R 为透射斑到衍射斑的距离(或衍射环半径),d 为晶面间距,λ为电子波长,L 为有效相机长度。

p i M M f L 0=0f 为物镜的焦距,i M 中间镜放大倍数,p M 投影镜的放大倍数,在透射电镜 的工作中,有效的相机长度L ,一般在照相底板中直接标出,各种类型的透射电镜标注方法不同,λ为电子波长,由工作电压决定,工作电压一般可由底板标注确定,对没有标注的早期透射电镜在拍摄电子衍射花样时,记录工作时的加速电压,由电压与波长对应表中查出λ。

K L =λK 为有效机相常数,单位A mm ,如加速电压U =200仟伏,则A 21051.2-⨯=λ,若有效相机长度mm L 800=,则A mm K 08.201051.28002=⨯⨯=-透射电镜的电子衍射有效相机常数确定方法: 电子衍射有效相机常数确定方法,一般有三种方法 ①按照相底片直接标注计算:H -800透射电镜的电子衍射底片下方有一列数字,如: 0.80 91543 4A 90.5.21;0.80表示有效相机长度mm M L 8008.0==,91543为片号,4A 其A 表示工作电压200千伏查表知电子波长A 21051.2-⨯=λ则有效相机常数K 为:A mm L K 08.201051.28002=⨯⨯==-λH -800透射电镜中,电子衍射底片第一个数字为相机长度如:0.80,0.40,……第三个数字为工作电压U ,分别为4A ,4b ,4c ,4d ,相对应的工作电压分别为200,175,150,100千伏,对应的电子波长分别为:22221070.3,1095.2,1071.2,1051.2----⨯⨯⨯⨯埃。

由电镜有关参数确定的相机常数是不精确的,常因电镜中电气参数变化而改变,产生一些误差,电镜工作者常要根据经验作些修正。

②用金Au 多晶环状花样校正相机常数例如喷金Au 多晶样品在H -800透射电镜下拍摄多晶环状花样,如照片上标注为0.40 92298 4A 90.11.21知有效相机长度L =0.4M =400mm工作电压为200仟伏 电子波长为:A 21051.2-⨯=λ由仪器确定的相机常数A mm L K 04.10==λ 测量底片上4个以上环半径K d R i =计算出相应的i d查面心立方Au 的d 值表,找出与上述i d 相近的d 及其晶面指数d i 2.231 1.912 1.385 1.181 d hkl 2.335 2.039 1.442 1.230 hkl1110020221.13按公式R i d hkl =K i 求相应的K iR i 4.5 5.25 7.25 8.5 d hkl 2.335 2.039 1.442 1.230 hkl10.6010.7010.5010.50精确的相机常数K 为K i 的平均值44321k k k k K +++==450.1050.1070.1060.10+++=A mm 58.10③已知晶体标准电子衍射谱确定相机常数铝单晶典型电子衍射花样,铝为面心立方,与标准电子衍射谱比较,对电子衍射班点标定分别为: h i k i l i 111 111 220R i 即中心斑点到最邻近衍射斑点距离分别为: R i 9.6 9.6 9.6 16 利用A 1的d 值表查出d hkl hkl 111 111 220d hkl 2.338 2.338 1.432按公式hkl i i d R K =求K i R i (mm ) 9.6 9.6 16)(A d hkl 2.238 2.238 1.432K i 22.8 22.8 22.9求K i 平均值 3321k k k K ++=39.228.228.22++=K )(mm R i 4.55.25 7.25 8.5 )(A d i2.2311.9121.3851.181=A mm 8.222.2多晶环状花样电子衍射分析多晶电子衍射环状花样的R 2比值规律: 立方晶系:K Rd = ∴dKR =K 为相机常数,d 为晶面间距,R 为环半径。

单晶体电子衍射花样标定

单晶体电子衍射花样标定

指数计算值和测量值误差为1.06°,标定正确。如果这里的检验误差过大,表明标定错误,
应该从确定四边形开始,重新标定花样。
15
6. 求晶带轴指数 通过A和C(或B)点的指数求出晶带轴指数;按下列顺序写出A、
C指数
1) 膜面向上
011011
2) 逆时针:g1-g2
211211
0 2 -2 即: [uvw] = [ 01 1 ] ,
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电子衍射要点
1 反射球切倒易杆 2 花样标定
结构振幅(强度)加权、 偏离矢量 晶体厚度
基本步骤
1]特征四边形 2]d值测量计算 3]卡片-族指数 4]斑点A指数 5]B点指数 C点指数 7]校核 8]求晶带轴 9]标写
已知条件
1 Lλ = Rd 2 PDF 卡片 2 晶面夹角公式:7个晶系 3 材料和工艺: 可能相
(h2k2l2)
(h1k1l1)
在倒空间的一个平面上/组成 一个倒易平面
倒易平面的法线就是晶带轴
电子束入射方向//晶带轴 B=[UVW]
17
211 200
011 000
B = [011 ]
211 200
011 000
B = [011 ]
18
7.其它倒易点指数
000
倒易平面
1) 对称 2)矢量相加
14
5 对标定指数进行检验 C点的指数是由A点和B点指数得来的,如果标定正确,C点的指数同A(或B 点)的指数也应该符合晶面夹角公式。把C点和A点指数带入晶面夹角公式:
cos2
0 2 1111
3
02 12 12 22 12 12 3
2 54.74 °
夹角测量值:
2 = (R1∧R3)=55.8°

单晶电子衍射花样的标定PPT(32张)

单晶电子衍射花样的标定PPT(32张)
2.标定完以后,一定要验算它的相机 常数。
2.尝试-校核法标定斑点花样
➢确定斑点所属的晶面族指数{hkl}
h4k4l4
h2k2l2
R4 R3
h3k3l3
①矢径的长度 R1 , R2 ,
R3 …Rj
夹角 θ1, θ2,θ3…θj
R2
②矢径的长度 R1,R2,R3…Rj
O
R1 h1k1l1 晶面间距 d1,d2,d3…
会聚束花样:汇聚入射
束与单晶作用产生的盘、 线状花样。
二.单晶电子衍射花样 主要标定方法
1.标准衍射花样对照法 2.尝试-校核法
7
1.标准衍射花样对照法
(100)*晶带
常见晶体标准电子衍射花样
体心立方晶体的低指数晶带电子衍射图
(111)*晶带
体心立方晶体的低指数晶带电子衍射图
注意
1.这种方法只适用于简单立方、面心 立方、体心立方和密排六方的低指数 晶带轴。
只能用来分析方向问题,不能用来测量衍射强度
要求试样薄,试样制备工作复杂
在精度方面也远比X射线低
1.2 电子衍射花纹的特征
单晶体
斑点花样
多晶体
同心圆环
无定形试样(非晶)
弥散环
1.3 TEM衍射花样的分类
斑点花样:平行入射的
电子ห้องสมุดไป่ตู้经薄单晶弹性散射 形成。
菊池线花样:平行入射束
经单晶非弹性散射失去很 少能量,随之又被弹性散 射而产生的线状花样。
cos
h1h2 k1k2 l1l2
h12 k12 l12 h22 k22 l22
14
15
R12:R22:R32:….= 1/d12: 1/d22: 1/d32:… = N1:N2:N3 :… (N=H2+K2+L2)

电子衍射标定

电子衍射标定
Miller指数的符号应满足右手螺旋法则,该法则决定了两基本 矢量与晶带轴之间的关系 两个基本矢量的线性组合,一定能标出属于相同Laue 区的所 有衍射斑点的指数
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单晶体电子衍射花样
花样特征 规则排列的衍射斑点。它是过倒易点阵 原点的一个二维倒易面的放大像。 大量强度不等的衍射斑点。有些并不精 确落在Ewald球面上仍能发生衍射,只是 斑点强度较弱。倒易杆存在一个强度分布。
电子衍射标定
赵彪 2012,10,13
1
晶体结构与空间点阵
空间点阵+结构基元=晶体结构 晶面:(hkl),{hkl} 用面间距和晶面法向来 表示 晶向: [uvw], <uvw> 晶带:平行晶体空间同一晶向的所有晶面的 总称 ,[uvw]
2
q
q
A
反射面法线
q E B F
布拉格反射
2d sinq = n l, 2dHKL sinq =l , 选择反射,是产生衍射的必要条件,但不充分
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A C B D
低碳合金钢基体的电子衍射花样
31
图是由某低碳合金钢薄膜样品的区域记录的单晶 花样,以些说明分析方法: 选中心附近A、B、C、D四斑点, 测得RA=7.1mm,RB=10.0mm,RC= 12.3mm,RD=21.5mm,同时用量角器测 得R之间的夹角分别为(RA, RB)=900, (RA, RC)=550, (RA, RD)=710, 求得R2比值为2:4:6:18, RB/RA=1.408, RC/RA=1.732, RB/RA=3.028, 表明样品该区为体心立方点阵,A斑N为2, {110},假定A为(1-10)。B斑点N为4,表明 属于{200}晶面族,选(200),代入晶面夹 角公式得f=450,不符,发现(002)相符

单晶电子衍射花样的标定(PPT32张)【精品】

单晶电子衍射花样的标定(PPT32张)【精品】
会聚束花样:汇聚入射
束与单晶作用产生的盘、 线状花样。
二.单晶电子衍射花样 主要标定方法
1.标准衍射花样对照法 2.尝试-校核法
7
1.标准衍射花样对照法
(100)*晶带
常见晶体标准电子衍射花样
体心立方晶体的低指数晶带电子衍射图
(111)*晶带
体心立方晶体的低指数晶带电子衍射图
注意
1.这种方法只适用于简单立方、面心 立方、体心立方和密排六方的低指数 晶带轴。
• 消除办法 • 转动晶体法 • 借助复杂电子衍射花样分析
三、单晶电子衍射花样标定 实例
例1 低碳合金钢基体的电子衍射花样
➢确定斑点所属的晶面族指数{hkl}
选中心附近A、B、C、D四斑 点
A
C D 测得RA=7.1mm,RB=
B
10.0mm,
RC=12.3mm,RD= 21.5mm
求得R2比值为2:4:6:18, 表明样品该区为体心立方点阵
cos
h1h2 k1k2 l1l2
h12 k12 l12 h22 k22 l22
14
15
R12:R22:R32:….= 1/d12: 1/d22: 1/d32:… = N1:N2:N3 :… (N=H2+K2+L2)
No 简单立方
体心立方
面心立方
HKL N
HKL
N
HKL
N
1
100 1
(h2k2l2) 晶带轴指数 [uvw]
➢任取不在一条直线上的两斑点确定晶带轴指数 [uvw]
h4k4l4
R4
h2k2l2
R2
R3
O
R1
h3k3l3 h1k1l1
HH21uu

电子衍射5(单晶电子衍射花样标定)—雨课堂课件

电子衍射5(单晶电子衍射花样标定)—雨课堂课件

第三章 电子衍射
五、单晶电子衍射花样的标定
➢ 选取靠近中心斑的不在一条直 线上的几个斑点(应包括与中心斑组 成特征平行四边形的3个斑点) ➢ 测量各斑点R值及各R之夹角。 ➢ 按Rd=C,由各R求相应衍射晶 面间距d值。 ➢ 按晶面间距公式(立方系为d2= a2/N),由各d值及a值求相应各N值。
图6 某低碳钢基体电子衍射花样,由 底片正面描绘下来的图
第三章 电子衍射
五、单晶电子衍射花样的标定
➢ 由各N值确定各晶面族指数HKL。 ➢ 选定R最短(距中心斑最近)之斑点指数。 ➢ 按N尝试选取R次短之斑点指数并用(最短与次短的R之间的夹角)校核。 决定第二个斑点的指数。第二个斑点的指数不能任选,因为它和第一个斑点 间的夹角必须符合夹角公式。对立方晶系来说,两者的夹角
单选题 1分
下图为某单晶的电子衍射花样,RA 与RB 夹角为90°。若A点
为(1-10)面,那么衍射斑点B对应晶面为( )。
A (002) B (200) C (020) D (220)
提交
单选题 1分
下图为某单晶的电子衍射花样,A点为(1-10)面,B点为 (002)面,那么,C 点对应晶面为( )。
五、单晶电子衍射花样的标定
单晶电子衍射花样标定包括 确定各衍射斑点对应的晶面指数(hkl) 衍射花样所属晶带轴指数[uvw] 对于未知晶体结构的样品,还包括确定晶体点阵类型。
单晶电子衍射花样可视为某个 uvw 零层倒易平面的放大像 0 uvw平面法线方向[uvw]近似平行于入射束方向(但反向) 0
第三章 电子衍射
五、单晶电子衍射花样的标定
3、标准花样对照法
预先制作各种晶体点阵主要晶带的倒易平面(图),称为标准 花样。

032电子衍射花样的标定

032电子衍射花样的标定
如何标定?
9
1.晶体结构已知,相机常数K已知
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(1)选择靠近中心斑点且不在一条直线 上斑点A、B、C、D。
分别测量R值 RA,RB ,RC,RD;
(2)由 dhkl = Lλ/R 求
d1, d2 , d3 , d4 …
11
12
Hale Waihona Puke (3) 尝试斑点的指数,最短矢量的A斑点对应 的晶面族{110}共有12个晶面(包括正反符号):
A 110
55°
O
C 112 B 002
20
3.晶体结构未知,相机常数K已知 (1)测定低指数斑点的R值。 (2)根据R,计算出各个d值。
dhkl=Lλ/R =K/R
(3)查ASTM卡片和各d值都相符的物相 即为待测的晶体。
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4. 标准花样对照法
铝单晶
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多晶电子衍射花样及其标定
单晶
多晶
非晶
h1 : h1 h2 h2
k1 k2
15
16
2.晶体结构已知,相机常数 K 未知 dhkl=Lλ/R =K/R
已知:R1, R2 , R3 , R4 … 求 d1, d2 , d3 , d4 … ?
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dhkl
a h2 k2 l2
衍射:充分条件-- 消光定律
晶格类型 简单晶胞
体心 I 面心 F 底心 C
(110),(101),(011),(110) ,(101),(011) , (110) ,(101) ,(011),(110) ,(101),(011) 。
可以任选一指数,有12种选法。
(4)R矢量之间夹角的测量:
RA与RB约90º,
RA与RC约55º,

材料研究方法电子衍射花样与标定

材料研究方法电子衍射花样与标定

k2 1
l2 1
h2 2
k2 2
l2 2
算出任意两个衍射斑点的夹角。核对夹角,若符合则标定正确,否则重返设定新的晶面, 直至符合为止。
3)矢量法得其它各点。并由矢量叉乘得晶带轴指数,晶带轴与电子束的入射方向反向平行。
4)核查各过程,计算晶格常数。
四、单晶体电子衍射花样的标定
2. 未知晶体结构的花样标定
未知晶体结构时,可由N规律,初步确定其结构,再定其晶面指数。 举例2 已知相机常数K=1.700mm.nm,各直径见表,确定物相。
由N的规律确定为BCC结构,由d=Lλ/r得d,查ASTM卡片发现α-Fe最符,故为α-Fe相。
谢谢!再见!
五、多晶体的电子衍射花样
多晶体的电子衍射花样等同于多晶体的X射线衍射花样,为系列同心圆。 其花样标定相对简单,同样分以下两种情况: 1.已知晶体结构 具体步骤如下: 1)测定各同心圆直径Di,算得各半径Ri; 2)由Ri/K(K为相机常数)算得1/di; 3)对照已知晶体PDF卡片上的di值,直接确定各环的晶面指数{hkl}。 2.未知晶体结构
四、单晶体电子衍射花样的标定
6)由确定了的两个斑点指数(h1k1l1)和(h2k2l2),通过矢量合成其它点
7)定出晶带轴。
u k1l 2 k 2l1
v
l1h2
l 2h1
w h1k 2 h2k1
8)系统核查各过程,算出晶格常数。
举例1已知纯镍(fcc)简单电子 衍射花样(a=0.3523nm),花样 见图,定谱。
当晶体的点阵结构未知时,首先分析斑点的特点,确定其所属的点阵结构,然后再由前面所 介绍的8步骤标定其衍射花样。如何确定其点阵结构呢?主要从斑点的对称特点(见表6-1) 或1/d2值的递增规律(见表6-2)来确定。 花样标定的具体步骤: 1)判断是否简单电子衍射谱。如是则选择三个与中心斑点最近斑点:P1、 P2、P3,并与中心构成平行四边形,并测量三个斑点至中心的距离ri。 2)测量各衍射斑点间的夹角。 3)由rd=Lλ,将测的距离换算成面间距di。 4)由试样成分及处理工艺及其它分析手段,初步估计物相,并找出相应的卡片,与实验得到 的di对照,得出相应的{hkl}. 5)用试探法选择一套指数,使其满足矢量叠加原理。 6)由已标定好的指数,根据ASTM卡片所提供的晶系计算相应的夹角,检验计算的夹角是否 与实测的夹角相符。 7)若各斑点均已指数化,夹角关系也符合,则被鉴定的物相即为STAM卡片相,否则重新标 定指数。
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钢铁研究总院特殊钢研究所不锈钢研究室单晶电子衍射谱标定入门编写:朱玉亮前言作为材料分析的重要手段,透射电镜电子显微分析具有能够将材料的晶体结构分析与其微观形貌观察相结合的优点,因而在材料的研究中得到了广泛的应用。

但也正是因为涉及到材料结构问题,使得电子衍射分析不同于常规的扫描电镜等材料微观形貌分析手段,研究者必须具备一定的理论基础知识。

电子衍射分析涉及到的基础理论涵盖晶体学、衍射学等内容,其中包括倒易点阵、结构因子等诸多概念。

对于初次接触电子衍射的研究者而言,这些理论往往难以在短时间内掌握。

但运用电子衍射的目的主要是为了确定某些物相,而确定物相的过程主要是对单晶电子衍射谱进行标定,相对而言这是较为容易掌握的。

并且掌握这一技能也有助于进一步理解电子衍射的基本理论。

电子衍射标定物相的依据在于,对于某种物相,其特定指数晶面具有特定的晶面间距;而不同的物相其同一晶面指数的晶面间距是不同的。

在标定单晶电子衍射谱之前,需要明确两点:1、衍射谱中每一个衍射斑代表晶体中的一个衍射晶面,衍射谱的中央最亮斑点为透射斑,其余斑点为衍射斑;2、衍射谱中由透射斑指向任一衍射斑构成一个向量,该向量的方向与其所对应的一组平行晶面的方向相同,其长度与该晶面组中相邻晶面的间距成反比。

本文适于作为初学电子衍射标定的基础参考资料。

对于电子衍射具体理论的学习,有大量可供参考的文献专著,本文在最后也列出了部分可供参考的相关文献及著作。

由于编者知识水平有限,对于文中出现的错误,敬请谅解。

图2 扫描仪扫描出来的透射照片 a 原始扫描照片;b 反相处理后图1 电子衍射花样形成原理 1. 电子衍射基本公式电子衍射花样形成原理图如1所示,图中OO*为电子入射方向,O 点为透射试样所在位置。

球O 是半径为1/λ的反射球(也叫爱瓦尔德球,Ewald Sphere )。

O*G*为满足布拉格方程的衍射面所对应的倒易矢量。

O’为照相底片中的透射斑,G’为OG*衍射线投影在底片上的衍射斑。

由于在电子衍射中的衍射角2θ(∠O*OG*)非常小,所以可以近似认为O*G*∥O ’G ’。

从而根据三角形相似得到电子衍射的基本公式如下:Rd=λLR :底片中衍射斑点G ’到透射斑点O ’的距离;d :晶面间距;对于每种晶系,其(hkl)晶面间距与其点阵常数都有固定关系;如对于立方晶系有 。

λ:电子波长;由电镜的加速电压决定,如当加速电压为200V 时,电子波长为0.0251Å。

L :相机长度;可理解为试样距离底片的距离。

K=λL :称为相机常数。

在同一次实验中K 是固定的。

2. 透射照片通常,在透射电镜实验中,我们拿到的是冲洗出来的底片。

这种底片经扫描仪扫描后,就得到了电子照片,如图2所示。

图中央最亮的斑点为透射斑。

除去中央透射斑,图中还有两种亮度不同的斑点。

一般而言,在做析出相的选区电子衍射照片下,当析出像较小时(小于300nm ),选区衍射电子打出的斑点同时包括基体和析出相的两套斑点。

其中较亮的斑点为基体斑点;而较暗的斑点为析出相的斑点。

图2给出的是一种镍基合金中细小析出相的衍射斑点,于是我们可以推测其中较亮的斑点为基体的斑点,而较暗的斑点为析出相的斑点。

b图3 合金中析出相的形貌3. 简单电子衍射花样的标定在各种晶系中,以立方晶系的电子衍射谱标定最为简单。

本文就以一种镍基合金中的面心立方析出相衍射谱标定为例,说明电子衍射谱的标定全过程。

在进行TEM 分析之前,已通过文献资料,并结合物理化学相分析确定该合金中的析出相包括Ni 3Al,TiC 和NiSi 2。

Ni 3Al 和TiC 是镍基合金中比较常见的相,二者的形态分别为弥散圆形小颗粒状和矩形状(如图3a ,3b ),容易辨认。

而NiSi 2在该种合金中的析出未见有报导,所以我们希望在透射电镜中能观察到其形貌。

通过电镜下观察,可以发现在该合金中,除了Ni 3Al 和TiC 外,还有一种呈三角形状的析出相,如图3c 所示,结合之前分析结果,可以推测这种相有可能就是NiSi 2,但最终结论必须通过其衍射斑的标定才能确定。

于是我们通过选区电子衍射获得这种相的衍射斑点,如图2a所示。

以下使用CorelDraw 软件进行图形处理。

打开照片后,我们看到扫描后的照片是黑色的,不便于分析,所以对照片进行反相变换,变换前后的效果如图2所示。

1) 通过基体斑点确定相机常数K前面已提到,在电子衍射分析中,相机常数K=λL 。

相机长度L 和电子波长λ分别随着电镜中的电流和加速电压产生变化,因而对于每次电子衍射,其相机常数是不同的。

为了尽可能准确分析样品的电子衍射花样,对每次衍射都应该标定其相机常数。

由于基体结构已知,可以通过基体斑点来确定相机常数。

本例中基体相为Ni 基体,检索Ni 的PDF 卡片得到其结构为面心立方,点阵常数a=3.524Å。

根据电子衍射的基本公式,K=λL =Rd ,我们可以通过软件测量得到照片中衍射矢量的长度R ,那么只要我们知道与R对应的衍射晶面图4 基体衍射斑矢量长度、夹角测量的干涉面指数(hkl),则d 值可以通过晶面间距公式得到,从而也就能得到了K 值了。

第一步要做的是测量衍射矢量在照片上的长度。

在反相后的照片上选取基体衍射斑的基本三角形。

选取原则如下:以透射斑为顶点,分别连接该点与距其最近的两个点,使其构成夹角不大于90°两条边,再连接这两个点构成便构成基本三角形,如图4a 所示。

确定基本三角形后量取三边的长度,按边长递增顺序依次记为R 1,R 2,R 3,这里三边长度分别为 13.24,13.30,15.22mm ,如图4b 。

在选定的三角形中,中央透射斑的指数为(000)。

为了确定基本三角形另外两个顶点的晶面指数,我们要计算这个三角形两边的比值R 3:R 1=1.1495和R 2:R 1=1.0045,此外还要量取三边的夹角<R 1,R 2>=70°,<R 2,R 3>=55°,<R 3,R 1>=55°,如图4c 。

根据边比及夹角,查常见晶体标准电子衍射花样表(图5a ),可以标定R 1(-1-11),R 2(1-11),如图5b ;而R 3=R 1-R 2,所以R 3(-200)。

这样,根据晶面间距公式,我们可以计算从而K 1=R 1*d 1=13.24*2.035=26.9434mm* ÅK 2=R 2*d 2=13.30*2.035=27.0655 mm* ÅK 3=R 3*d 3=15.22*1.762=26.8176 mm* Å从而K 可以取上述三个值的平均值K=( K 1+ K 2+ K 3)/3=26.94 mm* Å ab c图5 基体衍射斑标定另一种标定方法(多晶电子衍射花样标定法):面心立方点阵的衍射消光规律如下:只有当衍射晶面指数同为奇或同为偶时才能产生衍射线。

对于面心立方点阵其可能的低指数干涉面为000,111,200,220,311,222,400,331,420等。

这样我们可以得到这此干涉指数的平方和h 2+k 2+l 2从小到大分别为0,3,4,8,11,12,16,19,20。

根据晶面间距公式我们可知道,对于两个晶面,其晶面间距的比值有如下关系:前面我们已计算出R 3:R 1=1.1495和R 2:R 1=1.0045,由于R 2:R 1接近于1,对于低晶面指数而言,应该认为这两个晶面属于同一晶面族。

现在考虑R 3:R 1=1.1495,我们将这个比值进行平方后得到(R 3:R 1)2=1.3214,我们从上述面心立方低指数晶面h 2+k 2+l 2的可能值中可以看到,4/3=1.3333刚好非常接近(R 3:R 1)2,所以我们可以认为R 3属于{200}晶面族,而R 1,R 2属于{111}晶面族。

这样,根据晶面间距公式,我们可以得到从而K 1=R 1*d 1=13.24*2.035=26.9434 mm* ÅK 2=R 2*d 2=13.30*2.035=27.0655 mm* ÅK 3=R 3*d 3=15.22*1.762=26.8176 mm* Åa b c图6 析出相衍射斑矢量长度、夹角测量从而K=( K 1+ K 2+ K 3)/3=26.94 mm* Å根据<R 3,R 1>=55°,我们可以标定出三个晶面的指数:h 1h 2+k 1k 2+l 1l 2=1.987由于h 1h 2+k 1k 2+l 1l 2必须为整数,所以h 1h 2+k 1k 2+l 1l 2=2第一个衍射斑我们可以任意选取,例如我们可选R 3为(200),那么为了满足上式,R 1可以取(111),(11-1),(1-11),(1-1-1);相应地R 2= R 1- R 3可取为(-1-1-1),(-11-1),(-1-11),(-1-1-1);根据标定好的R 1和R 2我们就可以得到晶带轴[uvw]= R 1×R 2。

例如,如果我们取R 1 (1-11), R 2 (-1-11),则晶带轴为[011]。

2) 根据相机常数标定析出相上节中我们已经求出相机常数K=26.94 mm* Å,根据K=Rd ,我们可以通过测量相片中析出相的R 长度来求得相应衍射晶面的干涉面指数。

同样地,第一步仍是选取析出相的基本三角形,如图6a ;然后量边长,如图6b ,按长度递增顺序排列8.79,14.19,16.82mm ,依次记为R 1,R 2,R 3。

根据d=K/R 得,d 1=26.94/8.790=3.065 Åd 2=26.94/14.19=1.899 Åd 3=26.94/16.82=1.602 Å现在我们假定析出相为NiSi 2相,检索其PDF 文件可a c b图7 析出相衍射斑标定以得到其结构为面心立方,且晶格常数a=5.380Å。

那么,根据晶面间距公式可得,这里我们主要看(h 1k 1l 1)和(h 2k 2l 2),由于h 2+k 2+l 2是必为整数的,所以我们有从而我们可以知道h 1k 1l 1属于{111}晶面族,而h 2k 2l 2属于{220}晶面族。

这样量取三边的夹角<R 1,R 2>=91°,<R 2,R 3>=31°,<R 3,R 1>=58°,如图6c ,我们就可以标定出基本三角形另外两个斑点的指数了。

对h 1k 1l 1我们可以任意选定为(111),由于<R 1,R 2>=91°,根据夹角公式有:因而h 2k 2l 2可选的组合有(2-20),(-220),(20-2),(-202),(02-2),(0-22);由于R 3= R 1- R 2,所以对应h 3k 3l 3的组合为(-131),(3-11),(-113),(31-1),(1-13),(13-1)。

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