固态电子论-第二章习题参考解答
固体物理答案-第二章

N0=6.0221023,与N0对应的质量应为
M=23+35.5=58.5(g)
Na原子量
Cl原子量
阿伏加德罗常数
面心立方,最近邻原子有12个, 由N个惰性气体原子构成的分子晶体,其总互作用势能可表示为
(2)计及最近邻和次近邻,次近邻有6个。
2.14 KCl晶体的体积弹性模量为 相邻离子间距缩小0.5%,需要施加多大的压力。 ,若要使晶体中 解:根据体积弹性模量K的定义, 得 ,因而 设R为相邻离子间的距离。KCL具有NaCL结构,平均每体 才有一个离子,若晶体中共含N个离子,则晶体体积 积
式中,V为晶体体积,N为晶体包含的原子数,v为每个原子平 均占据的体积。若以
表示晶体包含的晶胞数,
中每个晶胞的体积,n表示晶胞中所含的粒子数,则(1)式完全 等效于
解:题给
表示晶体
(1)
于是得
(2)
R为离子间的最短距离。题给的各种晶格均为立方格子,如令
证明:
选取负离子O为参考离子,相邻两离子间的距离用R表示。
第j个离子与参考离子的距离可表示为
对于参考
离子O,它与其它离子的互作用势能为
马德隆常数
2.3 设两原子间的互作用能可由 表述。 式中第一项为吸引能,第二项为排斥能; 均为正的常数。证明,要使这两原子系统处于平衡状态,必须n>m。 且 即当 时, 证明:相互作用着的两原子系统要处于稳定平衡状态,相应 于平衡距离 处的能量应为能量的极小值,
为常数,试求
(1)平衡时原子间的最短距离;
(2)平衡时晶体体积;
(3)平衡时体积弹性模量;
(4)抗张强度。
解:
(1)
由
得
01
固体物理习题解答

第十一章固体中的元激发什么是元激发,举出三种元激发,并加以简要说明,以及所满足的统计特性元激发:能量靠近基态的低激发态与其他激发态相比,情况比较简单,这种低激发态可以看出是独立的基本激发单元的集合,这些基本激发单元称为元激发(准离子)。
分为集体激发的准离子和单粒子激发的准粒子。
声子:晶体中原子振动的简正坐标是一系列格波,格波表示原子的一种集体运动,每个格波的能量取值是量子化的,体系的激发态可以看成是一些独立基本激发单元的集合,激发单元就是声子。
声子是玻色型准粒子。
磁振子:铁磁材料在T=0K时基态的原子磁矩完全平行排列,基态附近的低激发态相应于少数自旋取向的反转,由于原子之间的相互耦合,自选反转不会局限在个别原子上,而是在晶体内传播形成自选波,自选波表示自旋系统的集体激发,能量是量子化的,体系激发态可以表示成一些独立基本激发单元的集合,即磁振子。
遵循玻色统计。
金属中电子和空穴:系统激发态可以看成电子能量和空穴能量之和。
电子和空穴都是单粒子元激发。
金属中电子系统的激发态可以看成是电子、空穴准粒子的集合。
半导体中电子空穴对:半导体中电子从价带激发到导带形成电子空穴对。
费米型元激发。
激子:电子和空穴之间由于库伦作用形成激子。
玻色型元激发。
极化激元:离子晶体长光学波与光学波形成的耦合振动模,其元激发称为极化激元。
在相互作用电子系统中可能存在玻色元激发吗?举一例说明等离激元:电子气相对于正电背景的等离子体振荡,振荡的能量是量子化的,元激发即等离激元。
玻色型元激发。
第十二章晶体中的缺陷和扩散分析说明小角晶界的角度和位错间距关系,写出表达式。
相互有小角度倾斜的两部分晶体之间的小角晶界可以看成是一系列刃位错排列而成,D=b/θ,D是小角晶界位错相隔的距离,θ是两部分倾角,b是原子间距。
简述晶体中位错种类及位错方向和滑移方向的关系,哪种位错对体生长有重要影响。
刃位错:位错方向与晶体局部滑移方向垂直。
螺位错:位错方向与晶体局部位移方向平行。
固态电子器件答案

固态电子器件答案固态电子器件答案【篇一:微波固态电路复习题】1. 微波是指频率在(300mhz~300ghz)范围内的电磁波,对应的波长范围为(1mm~1m)。
2. ku波段是指频率在(12ghz~18ghz)范围内的电磁波,对应的波长范围为(2.5~1.67cm)。
vhf波段是指频率在(0.1ghz~0.3ghz)范围内的电磁波,对应的波长范围为(300~100cm) uhf波段是指频率在(0.3ghz~1ghz)范围内的电磁波,对应的波长范围为(100~30cm)s波段是指频率在(2ghz~4ghz)范围内的电磁波,对应的波长范围为(15~7.5cm)c波段是指频率在(4ghz~8ghz)范围内的电磁波,对应的波长范围为(7.5~3.75cm)3. 在大气中,影响微波/毫米波传播的主要是(氧分子)和(水分子),由于气体的(谐振)会对微波/毫米波产生(吸收)和(散射)。
4.毫米波的四个大气“窗口”是(35ghz)、(94ghz)(140ghz)(220ghz)。
简答题1. 简述微波电路的发展历程由最初的电子管向固态化发展,由大型元件向小型元件、集成电路、器件方向发展,同时开发新系统。
目前微波技术的发展趋势是朝小型化、高集成化、高可靠、低功耗、大批量应用方向发展。
2. 什么是mmic利用半导体批生产技术,将电路中所有的有源元件和无源元件都制作在一块砷化镓衬底上的电路称为微波单片集成电路。
第2章选择与填空题1. 列举几种常用的平面传输线(微带线、悬置式微带线、倒置式微带线、带线、槽线、共面波导、鳍线)2. 微带线主要传输的模式是(准tem),带线的传输主模是(tem)11. 槽线的传输模式是(te模)。
12. 共面波导的传输模式是(准tem模)。
8. 鳍线的传输模式是(te与tm模式组成的混合模)。
3. 微带线最高工作频率的影响因素有(寄生模的激励、较高的损耗、严格的制造公差、处理过程中的脆性、显著地不连续效应、不连续处的辐射引起低的q值)(列举四个即可)4. 定向耦合器常用表征参量有(耦合度、方向性、隔离度)7. 耦合器的耦合度的定义是(c= 10lgp1/p3 = 20lg|s31| db )。
固体物理第章固体电子论 参考答案

第四章 固体电子论 参考答案1. 导出二维自由电子气的能态密度。
解:二维情形,自由电子的能量是:2πL x x k n =,2πL y y k n =在/k =h 到d k k +区间: 那么:2d ()d Z Sg E E =其中:22()πm g E =h2. 若二维电子气的面密度为n s ,证明它的化学势为:解:由前一题已经求得能态密度:电子气体的化学势μ由下式决定: ()()222E-/E-/001d ()d πe 1e 1B B k T k T L m E N g E L E μμ∞∞==++⎰⎰h 令()/B E k T x μ-≡,并注意到:2s N n L=那么可以求出μ:证毕。
3. He 3是费米子,液体He 3在绝对零度附近的密度为0.081 g /cm 3。
计算它的费米能E F 和费米温度T F 。
解:He 3的数密度:其中m 是单个He 3粒子的质量。
可得:代入数据,可以算得: E F =6.8x 10-16 erg = 4.3x 10-4eV.则:F F E T k ==4.97 K.4.已知银的密度为310.5/g cm ,当温度从绝对零度升到室温(300K )时,银金属中电子的费米能变化多少?解:银的原子量为108,密度为310.5/g cm ,如果1个银原子贡献一个自由电子,1摩尔物质包含有6.022x 1023个原子,则单位体积内银的自由电子数为在T=0K 时,费米能量为代如相关数据得2/3272227302812(6.6310)()3 5.910()29.110()8 3.148.8710() 5.54()F erg s cm E g erg eV -----⎛⎫⨯⋅⨯⨯= ⎪⨯⨯⨯⎝⎭≈⨯≈ 在≠T 0K 时,费米能量所以,当温度从绝对零度升到室温(300K )时, 费米能变化为代如相关数据得可见,温度改变时,费米能量的改变是微不足道的。
5. 已知锂的密度为30.534/g cm ,德拜温度为370K ,试求(1)室温(300K )下电子的摩尔比热;(2)在什么温度下,锂的电子比热等于其晶格比热?解:(1)金属中每个电子在常温下贡献的比热 2'0()2B V B F k T C k E π= (1) 式中0FE 为绝对零度下的费米能: 202/33()28F h n E m π= (2)锂的密度30.534/g cm ,原子量6.94,每立方厘米锂包含的摩尔数为0.534/6.94,1摩尔物质中包含 6.022x 1023个原子,每个锂贡献一个电子,则每立方厘米中的电子数已知将数据代入(2)得在室温(300K )下,0.026B k T eV =,由(1)式可以求得电子的摩尔比热代入相关数据得(2)电子比热只在低温下才是重要的。
固体物理课后习题与答案

第一章 金属自由电子气体模型习题及答案1. 你是如何理解绝对零度时和常温下电子的平均动能十分相近这一点的?[解答] 自由电子论只考虑电子的动能。
在绝对零度时,金属中的自由(价)电子,分布在费米能级及其以下的能级上,即分布在一个费米球内。
在常温下,费米球内部离费米面远的状态全被电子占据,这些电子从格波获取的能量不足以使其跃迁到费米面附近或以外的空状态上,能够发生能态跃迁的仅是费米面附近的少数电子,而绝大多数电子的能态不会改变。
也就是说,常温下电子的平均动能与绝对零度时的平均动能十分相近。
2. 晶体膨胀时,费米能级如何变化?[解答] 费米能级3/222)3(2πn mE o F= , 其中n 单位体积内的价电子数目。
晶体膨胀时,体积变大,电子数目不变,n 变小,费密能级降低。
3. 为什么温度升高,费米能反而降低?[解答] 当K T 0≠时,有一半量子态被电子所占据的能级即是费米能级。
除了晶体膨胀引起费米能级降低外,温度升高,费米面附近的电子从格波获取的能量就越大,跃迁到费米面以外的电子就越多,原来有一半量子态被电子所占据的能级上的电子就少于一半,有一半量子态被电子所占据的能级必定降低,也就是说,温度生高,费米能反而降低。
4. 为什么价电子的浓度越大,价电子的平均动能就越大?[解答] 由于绝对零度时和常温下电子的平均动能十分相近,我们讨论绝对零度时电子的平均动能与电子的浓度的关系。
价电子的浓度越大,价电子的平均动能就越大,这是金属中的价电子遵从费米—狄拉克统计分布的必然结果。
在绝对零度时,电子不可能都处于最低能级上,而是在费米球中均匀分布。
由式3/120)3(πn k F =可知,价电子的浓度越大费米球的半径就越大,高能量的电子就越多,价电子的平均动能就越大。
这一点从3/2220)3(2πn m E F=和3/222)3(10353πn mE E oF ==式看得更清楚。
电子的平均动能E 正比于费米能o F E ,而费米能又正比于电子浓度32l n。
思考题与自测题(固体电子学)

思考题与自测题(固体电子学)第二章思考题与自测题1.在势场的作用和运动中,原子中的电子和晶体中的电子有什么区别?参与共有运动的原子的内部电子和外部电子之间有什么区别?答:能带理论就是认为晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子,并且共有化电子在晶体的周期性势场中运动;2、晶体体积的大小对能级和能带有什么影响?3.为什么引入“有效质量”的概念来描述电子在半导体中的运动?用电子的惯性质量M0来描述电子在能带中的运动有什么局限性?4、一般来说,对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此?为什么?5、有效质量对能带的宽度有什么影响?有人说:“有效质量愈大,能量密度也愈大,因而能带愈窄。
”是否如此?为什么?6、简述有效质量与能带结构的关系?7.对于自由电子,加速度的反方向与外力的反方向一致。
这个结论适用于布洛赫电子吗?8、从能带底到能带顶,晶体中电子的有效质量将如何变化?外场对电子的作用效果有什么不同?9.在周期性势场中运动的电子的一般性质是什么?10、以硅的本征激发为例,说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系?为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度?11.为什么半导体全带中的少量空态可以用带正电荷和一定质量的空穴来描述?12、有两块硅单晶,其中一块的重量是另一块重量的二倍。
这两块晶体价带中的能级数是否相等?彼此有何联系?13.解释布里渊区和k空间等能面之间的差异。
为什么等能面在极值附近是球形半导体,当存储反转改变时,只能观察到一个共振吸收峰?14、说明杂质能级以及电离能的物理意义。
为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下,而且电离能的数值较小?15.为什么在纯锗和硅中加入III族或V族元素后,半导体的电性能会发生很大变化?杂质半导体(p型或n型)被广泛使用,但为什么我们要强调半导体材料的提纯?16.解释了掺杂对半导体导电性的影响。
第三章思考题与自测题1.半导体在热平衡状态下可以称为什么状态?它的物理意义是什么。
固体物理金属电子论作业答案

E48 1040 F m 2 105V m 1 9.25 1017 m 1.6 1019 C
Cl+离子位移:
l
Eeff
q
3.29 1040 F m 2 105V m 1 2.06 1016 m 1.6 1019 C
2m 2 9.1110 kg
8.711019 J 5.44eV
EF 0 8.7110 19 J TF 63116 K 23 k B 1.38 10 J / K
2)费米波矢
k F 3 n
2
1/ 3
(3 3.142 5.86 1022 cm3 )1/ 3 1.20 108 cm1
•传统硅基集成电路的栅介电材料和互连介质材料均为SiO2,但随集成度的提高, 需要提高栅介电的介电常数,而互连介质的介电常数最好能降低。根据克劳修斯莫索提关系,请试给出你认为可行的技术措施。 答:根据克劳修斯-莫索提关系,介电常数与原子密度和原子极化率有关。 提高介电常数:掺N(致密度或极化率提高)或采用其它氧化物(ZrO2、HfO2等) 降低介电常数:掺F(利用F离子强束缚电子特性降低极化率)或制备多空SiO2或 采用有机材料。
3) 费米速度
0 2 EF k F 1.05 10 34 J s vF 1.20 1010 m 1 m m 9.1110 31 kg
1.38 106 m / s 1.38 108 cm / s
3.用a3代表每个原子占据的体积,若金属中的自由电子气体在温 度为0K时能级被填充到kF0=(62)1/3/a,试计算每个原子的价电子 数目?并导出电子气在温度0K时的费米能的表达式? 解:假设价电子数位Z,则电子浓度为: n
固体物理第二章习题及答案

第2章晶体的结合思考题1.是否有与库仑力无关的晶体结合类型?[解答]共价结合中, 电子虽然不能脱离电负性大的原子, 但靠近的两个电负性大的原子可以各出一个电子, 形成电子共享的形式, 即这一对电子的主要活动范围处于两个原子之间, 通过库仑力, 把两个原子连接起来. 离子晶体中, 正离子与负离子的吸引力就是库仑力. 金属结合中, 原子实依靠原子实与电子云间的库仑力紧紧地吸引着. 分子结合中, 是电偶极矩把原本分离的原子结合成了晶体. 电偶极矩的作用力实际就是库仑力. 氢键结合中, 氢先与电负性大的原子形成共价结合后, 氢核与负电中心不在重合, 迫使它通过库仑力再与另一个电负性大的原子结合. 可见, 所有晶体结合类型都与库仑力有关.2.如何理解库仑力是原子结合的动力?[解答]晶体结合中, 原子间的排斥力是短程力, 在原子吸引靠近的过程中, 把原本分离的原子拉近的动力只能是长程力, 这个长程吸引力就是库仑力. 所以, 库仑力是原子结合的动力.3.晶体的结合能, 晶体的内能, 原子间的相互作用势能有何区别?[解答]自由粒子结合成晶体过程中释放出的能量, 或者把晶体拆散成一个个自由粒子所需要的能量, 称为晶体的结合能.原子的动能与原子间的相互作用势能之和为晶体的内能.在0K时, 原子还存在零点振动能. 但零点振动能与原子间的相互作用势能的绝对值相比小得多. 所以, 在0K时原子间的相互作用势能的绝对值近似等于晶体的结合能.4.原子间的排斥作用取决于什么原因?[解答]相邻的原子靠得很近, 以至于它们内层闭合壳层的电子云发生重叠时, 相邻的原子间便产生巨大排斥力. 也就是说, 原子间的排斥作用来自相邻原子内层闭合壳层电子云的重叠.5.原子间的排斥作用和吸引作用有何关系? 起主导的范围是什么?[解答]在原子由分散无规的中性原子结合成规则排列的晶体过程中, 吸引力起到了主要作用. 在吸引力的作用下, 原子间的距离缩小到一定程度, 原子间才出现排斥力. 当排斥力与吸引力相等时, 晶体达到稳定结合状态. 可见, 晶体要达到稳定结合状态, 吸引力与排斥力缺一不可. 设此时相邻原子间的距离为0r, 当相邻原子间的距离r>0r时, 吸引力起主导作用; 当相邻原子间的距离r<0r时, 排斥力起主导作用.6.共价结合为什么有“饱和性”和“方向性”?[解答]设N为一个原子的价电子数目, 对于IV A、V A、VI A、VII A族元素,价电子壳层一共有8个量子态, 最多能接纳(8- N)个电子, 形成(8- N)个共价键. 这就是共价结合的“饱和性”.共价键的形成只在特定的方向上, 这些方向是配对电子波函数的对称轴方向, 在这个方向上交迭的电子云密度最大. 这就是共价结合的 “方向性”.7. 共价结合, 两原子电子云交迭产生吸引, 而原子靠近时, 电子云交迭会产生巨大的排斥力, 如何解释?[解答]共价结合, 形成共价键的配对电子, 它们的自旋方向相反, 这两个电子的电子云交迭使得体系的能量降低, 结构稳定. 但当原子靠得很近时, 原子内部满壳层电子的电子云交迭, 量子态相同的电子产生巨大的排斥力, 使得系统的能量急剧增大. 8.试解释一个中性原子吸收一个电子一定要放出能量的现象.[解答]当一个中性原子吸收一个电子变成负离子, 这个电子能稳定的进入原子的壳层中, 这个电子与原子核的库仑吸引能的绝对值一定大于它与其它电子的排斥能. 但这个电子与原子核的库仑吸引能是一负值. 也就是说, 当中性原子吸收一个电子变成负离子后, 这个离子的能量要低于中性原子原子的能量. 因此, 一个中性原子吸收一个电子一定要放出能量. 9.如何理解电负性可用电离能加亲和能来表征?[解答]使原子失去一个电子所需要的能量称为原子的电离能, 电离能的大小可用来度量原子对价电子的束缚强弱. 一个中性原子获得一个电子成为负离子所释放出来的能量称为电子亲和能. 放出来的能量越多, 这个负离子的能量越低, 说明中性原子与这个电子的结合越稳定. 也就是说, 亲和能的大小也可用来度量原子对电子的束缚强弱. 原子的电负性大小是原子吸引电子的能力大小的度量. 用电离能加亲和能来表征原子的电负性是符合电负性的定义的.10.为什么许多金属为密积结构?[解答]金属结合中, 受到最小能量原理的约束, 要求原子实与共有电子电子云间的库仑能要尽可能的低(绝对值尽可能的大). 原子实越紧凑, 原子实与共有电子电子云靠得就越紧密, 库仑能就越低. 所以, 许多金属的结构为密积结构. 11.何为杂化轨道?[解答]为了解释金刚石中碳原子具有4个等同的共价键, 1931年泡林(Pauling)和斯莱特(Slater)提出了杂化轨道理论. 碳原子有4个价电子, 它们分别对应s 2ϕ、xp 2ϕ、yp 2ϕ、zp 2ϕ量子态, 在构成共价键时, 它们组成了4个新的量子态).(21),(21),(21),(2122221222212222122221z y x z y x z y x z y x p p p s p p p s p p p s p p p s ϕϕϕϕψϕϕϕϕψϕϕϕϕψϕϕϕϕψ+−−=−+−=−−+=+++=,4个电子分别占据1ψ、2ψ、3ψ、4ψ新轨道, 在四面体顶角方向(参见图1.18)形成4个共价键.12.你认为固体的弹性强弱主要由排斥作用决定呢, 还是吸引作用决定?[解答]如上图所示, 0r 附近的力曲线越陡, 当施加一定外力, 固体的形变就越小. 0r 附近力曲线的斜率决定了固体的弹性性质. 而0r 附近力曲线的斜率主要取决于排斥力. 因此, 固体的弹性强弱主要由排斥作用决定. 13.固体呈现宏观弹性的微观本质是什么?[解答]固体受到外力作用时发生形变, 外力撤消后形变消失的性质称为固体的弹性. 设无外力时相邻原子间的距离为0r , 当相邻原子间的距离r >0r 时, 吸引力起主导作用; 当相邻原子间的距离r <0r 时, 排斥力起主导作用. 当固体受挤压时, r <0r , 原子间的排斥力抗击着这一形变. 当固体受拉伸时, r >0r , 原子间的吸引力抗击着这一形变. 因此, 固体呈现宏观弹性的微观本质是原子间存在着相互作用力, 这种作用力既包含着吸引力, 又包含着排斥力.14.你是如何理解弹性的, 当施加一定力, 形变大的弹性强呢, 还是形变小的强?[解答]对于弹性形变, 相邻原子间的距离在0r 附近变化. 令r r r ∆+=0, 则有).1(),1()1()(0000000r rnr r r rmr r rr r r r n n m m m m m ∆∆∆∆−≈−≈+=+=−−−−−−−因为0/r r ∆是相对形变, 弹性力学称为应变, 并计作S , 所以原子间的作用力.)(000000S r Bn r Am r BnS r AmS r B r A r B r A f n m n m n m n m −=−++−=+−=再令c r Bnr Am nm =−00, cS f =.可见, 当施加一定力, 形变S 大的固体c 小, 形变S 小的固体c 大. 固体的弹性是固体的属性, 它与外力和形变无关. 弹性常数c 是固体的属性, 它的大小可作为固体弹性强弱的度量. 因此, 当施加一定力, 形变大的弹性弱, 形变小的强. 从这种意义上说, 金刚石的弹性最强.15.拉伸一长棒, 任一横截面上的应力是什么方向? 压缩时, 又是什么方向?[解答]如上图所示, 在长棒中取一横截面, 长棒被拉伸时, 从截面的右边看, 应力向右, 但从截面的左边看, 应力向左. 压缩时, 如下图所示, 应力方向与拉伸时正相反. 可见, 应16.固体中某一面积元两边的应力有何关系?[解答以上题为例, 在长棒中平行于横截面取一很薄的体积元, 拉伸时体积元两边受的应力如图所示.压缩时体积元两边受的应力如下图所示.当体积元无限薄, 体积元将变成面积元. 从以上两图可以看出, 面积元两边的应力大小相等方向相反.17.沿某立方晶体一晶轴取一细长棒做拉伸实验, 忽略宽度和厚度的形变, 由此能否测出弹性劲度常数11c ?[解答]立方晶体c b a , ,轴是等价的, 设长棒方向为x (a , 或b , 或c )轴方向, 做拉伸实验时若忽略宽度和厚度的形变, 则只有应力1T 应变1S 不为0, 其它应力应变分量都为0. 由(2.55)可得 1111S c T =. 设长棒的横截面积为A , 长度为L , 拉伸力为F , 伸长量为L ∆, 则有: L L S A F T / ,/11∆==. 于是, L A FL c ∆/11=.18.若把上题等价成弹簧的形变, 弹簧受的力kx F −=, k 与11c 有何关系?[解答]上题中长棒受的力L c L AF ∆11=,长棒的伸长量L ∆即是弹簧的伸长量x . 因此,.11c L A k =可见, 弹簧的弹性系数k 与弹性劲度常数的量纲是不同的.19.固体中的应力与理想流体中的压强有何关系?[解答]固体受挤压时, 固体中的正应力321 , ,T T T 与理想流体中的压强是等价的, 但654 , ,T T T 不同于理想流体中的压强概念. 因为压强的作用力与所考虑截面垂直, 而654 , ,T T T 与所考虑截面平行. 也就是说, 理想流体中不存在与所考虑截面平行的作用力.这是因为理想流体分子间的距离比固体原子间距大得多, 流层与流层分子间不存在切向作用力.20.固体中的弹性波与理想流体中的传播的波有何差异? 为什么?[解答]理想流体中只能传播纵波. 固体中不仅能传播纵波, 还能传播切变波. 这是因为理想流体分子间距离大, 分子间不存在切向作用力, 只存在纵向作用力;而固体原子间距离小, 原子间不仅存在纵向作用力, 还存在切向作用力.。
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3、晶体中的空位数高低。空位越多,替代的概率越高。
第16题 硅晶体中的层错发生在[111]晶向,发生抽出型堆垛层错和插入型堆垛层错。
在该晶向上,硅原子密排面层的正常堆垛是„ABCABCABC„„。
晶体,正负离子的相对振动,在晶体中形成交替变化的电偶极子,等效为高频率电
磁波。
晶体振动声学波的特点: 是弹性波,振动频率较低,振动频率随波矢变化较大。
第10题 根据教材中给出的一维双原子晶格色散关系,
光学波
o max
2( 1 2 ) m o min
禁带
声学波
2 2 m
A max
3、4称为杂质点缺陷,是由于杂质存在形成的。
线缺陷的定义: 原子排斥偏离理想晶体周期性结构形成的一维缺陷称为线缺陷。 晶体中的线缺陷包括: 1、刃位错;2、螺位错;
第15题 影响晶体中杂质替位概率的主要因素: 1、替位杂质原子的大小与被替代的晶格原子的大小的接近程度。原子大 小越接近,替代的概率越高; 2、替位杂质原子的价电子壳层与被替代的晶格原子的价电子壳层结构相 似程度。电子壳层结构越相似,替代的概率越高。
第4题 提出杂化轨道概念的原因: 金刚石结构的基本结构单元是同种原子构成的正四面体,正四面体中心的原子 贡献1个电子与四个顶角原子各贡献一个电子形成等同的4个共价键。尽管原子具有4 个价电子,但其中的S态价电子和P态价电子是不同的,不能解释金刚石结构的4个共 价键等同这一现象。而泡林提出的杂化轨道概念可以很好解释金刚石结构成键。 杂化轨道概念对硅晶体结构特点的解释: 硅原子的价电子3s电子和3p电子能量相近。形成晶体时,一个3s电子被激发到 3p态,S态、P态波函数杂化,形成4个未配对电子,使得一个硅原子可与周围四个
第2题 原子负电性 =0.18(原子电离能+原子亲和能)
物理意义——原子负电性越小,易失电子;原子负电性越大,易得电子。
金刚石结构金刚石、硅半导体、鍺半导体的负电性 C 2.5 Si 1.8 Ge 1.8
金刚石的负电性大于硅、鍺半导体,所以金刚石晶体碳原子结合的共 价键更加稳定,结合更加牢固,晶体内能更大。
爱因斯坦统计分布。
第6题 简谐近似、最近邻近似、周期性边界条件近似。 简谐近似在温度较高时不成立,不能解释晶体膨胀、热阻等现象。 最近邻近似与实际晶体中的情形误差较大。 周期性边界条件近似在晶体尺度很小时不成立。
第7题 晶体周期性边界条件(波恩-卡门条件)揭示了晶格原子的振动是以行波的方式 在晶体中传播,波矢取值是量子化的,只有符合周期性边界条件的振动才是允许存 在。晶格振动的能量取值是不连续的。 由于实际晶体包含的原子数巨大,晶体边界及附近的原子比晶体内部原子少得 多,忽略边界原子的影响是可行的。
第8题
a/2
m
a
1 ,2 10
由一维双原子链色散关系式,
2
1 2
m
1 12 22 21 2 cos( qa ) m
11 1 11 2 2 2 cos( qa ) m m
2
禁止振动模式带 带宽度= o min Amax
原胞体积 晶体中空位数
n1 Ne
u1 / k BT
10 e
12
14.5
1012 5 5 10 1.97 106
第14题 点缺陷的定义: 在一个或几个原子尺度内偏离理想晶体周期性结构的缺陷称为点缺陷。 晶体中的点缺陷包括: 1、空位;2、本征间隙原子;3、杂质间隙原子;4、替位杂质原子; 其中1、2称为本征点缺陷,是由于一定温度下,热的统计涨落形成的。
21 2 22 o max m m 光学支 2 2 20 o min m m 21 2 A max 声学支 m m Amin 0 q 0 a a
第9题 晶格振动的光学波——原胞内各原子间相对振动形成的格波,称为光学波。 晶格振动的声学波——原胞质心的振动(原胞各原子同向振动),称为声学波。 晶格振动光学波的特点: 振动频率高,振动频率随波矢变化较小。尤其对于正、负离子相间构成的离子
4、晶格振动状态变化,等效为格波能量减少或增加一个声子;
在热平衡晶体中,由于晶体具有统一的温度,声子分布是均匀的,所以说声子 从一处到另一处是没有意义的。 第13题 由于晶体是简单立方晶体,原胞中包含一个格点原子。 晶体的体积 V 4 104
3
6.4 1011 cm3
6.4 1023 cm3 V 6.4 1011 12 10 晶体中的格点原子数 N 6.4 1023 晶体空位形成能 u1 1eV
固态电子学第二章习题解答参考
第1题 晶体的内能——绝对零度下,忽略粒子零点振动能,晶体粒子之间最小总相互作用势能。 晶体的结合能——构成晶体的原子结合为稳定晶体的过程中释放的总能量。 相互作用势能——晶体粒子之间的排斥势能(异性电荷之间库伦吸引势能(长程势能)) 和排斥势能(包括:1、两同性电荷库伦排斥势(长程势能)2、泡利 不相容短程势(短程势能)之和。 排斥势能和吸引势能的联系——吸引势能和排斥势能都是粒子间距的敏感函数。当 粒子间距小于平衡间距时,随间距减小,排斥势能迅速增加,超过吸 引势能增加,排斥力大于吸引力;当原子间距大于平衡间距时,随间 距增加,排斥势迅速下降,小于吸引势能的增加,排斥力小于吸引力。 排斥势能吸引势能的区别——排斥势能中的包括泡利不相容短程势和同性电荷排斥长程 势能,吸引势能中包含异性电荷吸引长程势。
第11题 GaAs是闪锌矿结构。包含N个原胞,每个原胞中包含鎵、砷两个不同原子,其 格波共6支格波,包括3支声学支格波、3支光学支格波。晶体的格波数为6N,晶 体的总自由度数为6N个。 Si晶体是金刚石结构。包含N个原胞,原胞中有两个不等价硅原子。构成共6N个 格波。6N个格波分6支, 3支光学波,3支声学波。晶体的格波数为6N,晶体的总 自由度数为6N个。 第12题 格波的能量子称为声子。
硅原子形成夹角109.5度四个共价键(正四面体结构),按立方密堆积形成硅晶体
结构。 杂化轨道概念对石墨晶体结构特点的解释: 石墨以六边形碳原子层平面堆叠而成,碳原子的3个价电子与同平面内的3个C原
子形成sp2共价键,1个价电子在层内自由运动,形成金属键。层与层之间以范得瓦
尔斯键结合,容易剥离。
第5题 经典牛顿力学从粒子之间的相互作用能和相互作用力出发,通过简谐振动近似、 最近邻近似、周期性边界条件近似,将晶格振动描述为3sN(s为原胞中的原子数、N 为原胞数)个独立的格波。 量子力学将晶格粒子振动看成是微观谐振子,通过求解薛定谔方程,得到微观 谐振子的能量本征值(声子),将晶格振动描述为3sN个独立的声子,并服从波色-
第3题 共价晶体是由负电性较大的原子结合形成的。 共价键的特点:1、饱和性;2、方向性;3、8-N定则(共价键数等于原子轨道中未 填满价电子数)
闪锌矿结构ZnS和GaAs晶体的结合类型是极性共价键(即含有离子键成分的共价键)。
闪锌矿结构ZnS和GaAs晶体结晶特点比较:
查表2-1,得到下列原子的负电性 Zn的负电性=1.6,S的负电性=2.5;Ga的负电性=1.6,As的负电性=2.0。 由于Zn和S之间的负电性差值远大于Ga和As的负电性差值,所以ZnS的结合力 中包含更强的离子键成分,极性比GaAs强。
Amin 0
21 m
a
a
q
禁带宽度 要加宽禁带宽度,必须增加弹性力 反之越小。
omin Amax
1、2
的差别, 差别越大,禁带宽度越大。
晶体中不允许存在“带隙”频率范围内的格波,所以对于处于“带隙”频率的电 磁波是透明的(不会发生“带隙”频率范围内的电磁波与声子的相互作用)。
声子的性质:
1、粒子性——声子是具有能量、准动量、零自旋的“准粒子”(玻色子),与 其它粒子作用时,声子数不守恒。 2、波动性——一个声子等效为一个格波。 3、统计性——一定温度下,晶体中的平均声子数由玻色-爱因斯坦统计给出。
声子对描述晶格振动的意义 1、声子是晶格原子集体振动能量的量子; 2、晶格振动等效为 3sN 个声子组成的声子气 ,服从玻色-爱因斯坦统计分布; 3、声子与其他粒子相互作用时,遵守能量守恒、动量守恒;