三星MCP手机内存芯片全攻略
三星手机内存不足怎么办
三星手机内存不足怎么办
在有些时候我们的三星手机内存不足了，这该怎么办呢?下面就由店铺来为你们简单的介绍三星手机内存不足的解决方法吧!希望你们喜欢!
三星手机内存不足的解决方法：
安装到内存卡
第一步，更改安装位置。
很多手机都已经有安装到内存卡的功能了，大部分2.2操作系统以上的都可以自己选择，如果不能选择的话，就用电脑直接安到内存卡中即可。
点击右上角的设置按钮。
第二步，更改安装目录，将程序安装到内存卡。
进入设置后，选择安装文件一栏，然后选择优先将程序安装到没存卡。
清除手机内多余的系统程序
获取root权限，获取权限的方法有很多，我们可以到各大论坛进行学习，里面教程有很多。
因为不同的手机有不同的方法，不能一概而论，所以这里就不在介绍root的方法了。
安装RE管理器。
RE管理器是一款非常有用的管理工具，可以很好的管理我们的手机系统程序，但是必须获取root权限。
进入系统删除无用的程序。
打开RE管理器——选择系统(system)——app，将上面的改为读写即可删除程序。
从闪存芯片编号识容量
从闪存芯片编号识容量根据芯片编号识容量三星的闪存芯片均以K9打头，与容量相关的字段是从第4位到第7位。
第4～5位表示闪存密度，12代表512M、16代表16M、28代表128M、32代表32M、40代表4M、56代表256M、64代表64M、80代表8M、1G代表1G 、2G代表2G、4G代表4G、8G代表8G、00代表没有。
第6～7位表示闪存结构，00代表没有、08代表×8.16代表×16. 32代表×32。
闪存芯片的容量=闪存密度×闪存结构÷8通过上述公式就可以计算出闪存芯片的真实容量了编号为K9K1G08U0M-YC80的SUMSUNG闪存芯片。
这块闪存芯片的规格为：128M×8bit、50ns 速度，单颗容量 128MB。
工作电压2.4～2.9V。
芯片编号K9F5608U0A，32M×8bit规格50ns速度，单颗容量32MB。
工作电压2.7～3.6V，内部分成块写区域大小（16K＋512）。
三星型号详解K9×××××：Nand FlashK8×××××：Nor FlashK7×××××：Sync SRAM(同步SRAM，带clock，速度快，网络产品，6个晶体管)K6×××××：Aync SRAM(异步SRAM，不带clock，速度快，手机产品，6个晶体管)K5×××××：MCP（相当于K1+K8+K9）K4×××××：DRAMK3×××××：Mask RomK2×××××：FRAMK1×××××：utRAM(使用SRAM技术，但只有2个晶体管跟1个电容，所以比SRAM功耗大，但成本低)samsung 编号：K9LAG08U0M，容量为2G，以K9L为开头的三星闪存一般都为MLC闪存，使用MLC闪存是大势所趋* K9K8G(1GB)、K9W8G(1GB)、K9WAG(2GB)* K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte)* K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)* K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)* K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte)* (1 Byte = 8 bits)SAMSUNG K9F2808U0B-YCB0 32MBK9F2808U0C-VCB0 32MBK9F5608U0B-YCB0 16MBK9F5608U0C-YCB0 16MBK9F1208U0M-YCB0 64MBK9F1208U0A-YCB0 64MBK9F1208U0A-YIB0 64MBK9F1208U0A-VCB0 64MBK9K1G08U0A-YCB0 128MBK9K1G08U0M-YCB0 128MBK9K1G08U0M-VIB0 128MBK9F1G08U0M-YCB0 128MBK9F1G08U0A-YCB0 128MBK9F1G08U0M-VCB0 128MBK9F1G08U0M-VIB0 128MBK9F1G08U0M-FIB0 128MBK9K2G08U0M-YCB0 256MBK9K2G08U0A-FIB0 (90nm) 256MBK9K2G08U0M-VCB0 256MBK9K2G08U0M-VIB0 256MBK9K2G08U0A-VIB0 (90nm) 256MBK9F2G08U0M-YCB0 (90nm) 256MBK9K4G08U0M-YCB0 (90nm) 512MBK9K4G08U0M-YCBO(90nm) 512MBK9K4G08U0M-PIB0(90nm) 512MBK9W8G08U1M-YCB0(90nm) 1GBK9W8G08U1M-YIB0(90nm) 1GBK9WAG08U1M 2GMNAND闪存芯片, 一般都是Samsung 或Hynix 芯片. SAMSUNG闪存的型号及对应容量:K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte) K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) (1 Byte = 8 bits)Hynix闪存的型号及对应容量:HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte) HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte) HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte) HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) (1 Byte = 8 bits)Part No Description MfgNANDFLASHHY27US08281A-T(P)CB 16Mx8 HYNIXHY27US08561A-T(P)CB 32Mx8 HYNIXHY27US08121A-T(P)CB 64Mx8 HYNIXHY27UF081G2M-T(P)CB 128Mx8 HYNIXHY27UF082G2M-T(P)CB 256Mx8 HYNIXHY27UF082G2A-TPCB 256Mx8 HYNIXHY27UG084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UF084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UT084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UH088G2M-TPCB 1Gx8 HYNIXHY27UU085G2M-TPCB 1Gx8 HYNIXHynix闪存的型号及对应容量:HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte); HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte); HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte); HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) ATJ2051/ATJ2085主控支持的闪存FLASH型号列表品牌型号内存ATJ2085(2051) samsung K9K4G08U0M 512M ysamsung K9W4G08U1M 512M ysamsung K9W8G08U1M 1GB ysamsung K9F4G08U0M 512M ysamsung K9F4G08U0A 512M ysamsung K9K8G08U0M 1G ysamsung K9K8G08U0A 1G nsamsung K9WAG08U1M 2G ysamsung K9G4G08U0M 512M nsamsung K9L8G08U0M 1G nsamsung K9HAG08U1M 2G nHynix HY27UG084G1M 512M yHynix HY27UG084G2M 512M yHynix HY27UH084G1M 512M nHynix HY27UH084G2M 512M yHynix HY27UG088G2M 1G y Hynix HY27UG088G5M 1G n Hynix HY27UG088GDM 1G n Hynix HY27UH088G2M 1G y Hynix HY27UH088GDM 1G n Hynix HY27UH08AG5M 2G n Hynix HY27UH08AGDM 2G n Hynix HY27UF084G2M 512M y Hynix HY27UG088G5M 1GB n Hynix HY27UU088G5M 1G n Hynix HY27UV08AG5M 2G n Hynix HY27UT084G2A, 512M n Hynix HY27UT084G2M 512M n Hynix HY27UU088G 1GB nHynix HY27UU8G5M(MLC) 1GB n Hynix HY27UT4G2M(MLC) 512M n Hynix HY27UVAG5M(MLC) 2GB n Hynix HY27US08561M VPCB 428A 32MB HY27US08561M TPIB 427A 32MBHY27US08121M TCB 64MBHY27US08121M TPIB 407T 64MBHY27US08121M TCB 416A 64MBHY27US08121M TCB 422A 64MB HY27US08121M TCB 426A 64MB HY27US08121M TPCB 427B 64MB HY27US08121M VPCB 429A 64MB HY27UA081G1M TCB 128MBHY27UA081G1M TPCB 128MBHY27UA081G1M TCB 423A 128MB HY27UG082G2M 256MBHY27UH084G2M 512MBHY27UG088G5M 1GBHY27UH088G2M 1GBHY27UH08AG5M 2GBTOSHIBA TC58128AFT 16MBTC58128AFTI 16MBTC58DVM72A1FT00/05 16MBTC58256AFT 32MBTC58NVM8S0AFTI0 32MBTC58DVM82A1FT00/05 32MBTC58DVM82A1FTI0 32MBTC58512FT 64MBTC58DVM92A1FT00/05 64MBTH58100FT 128MBTC58DVG02A1FT00/05 128MBTC58NVG0S3AFT00/05 128MBTC58NVG0S3AFTI5 128MBTH58NVG1S3AFT00/05 256MBTH58NVG1S3AFTI0 256MBTC58NVG1S3BFT00 256MBTC58005FT 64MBTC58DVM94B1FT00/05 64MBTC58010FT 128MBTC58DVG04B1FT00/05 128MBTC58DVG14B1FT00/05 256MBTC58DVG14B1FTI0 256MBTH58DVG24B1FT00/05 512MBTC58NVG1D4BFT00 256MBTC58NVG1D4BFT00 256MBTC58NVG2D4BFT00 512MBTH58NVG3D4BFT00 1GBTH58NVG3D4BFTI0 1GBTC58NVG3D4CTG10 1GBTH58NVG4D4BTG20 2GBSANDISK SDTNFAH-128, SDTNGAHE0-128 16M SDTNFAH-256, SDTNGAHE0-256 32MSDTNFAH-512, SDTNGAHE0-512 64M SDTNFCH-512, SDTNGCHE0-512 64M SDTNFBH-1024, SDTNGBHE0-1024 128M SDTNFCH-1024, SDTNGCHE0-1024 128M SDTNFDH-2048, SDTNGDHE0-2048 256M Micron MT29F2G08A 256MBMT29F4G08B 256MBMT29F4G08BAB 512MMT29F8G08FAB 1G。
怎样增大三星手机内存
怎样增大三星手机内存推荐文章怎样在内存卡下电视剧热度：怎样增大手机内存空间热度：怎样增大虚拟内存热度：三星手机怎么将APP移动到SD卡中热度：三星手机怎么卸载内存卡SD卡热度：现在很多人都喜欢拿手机玩游戏看电影，却发现手机内存空间根本就不够用，那么怎么办呢?跟着店铺一起学习一下增大三星手机内存空间的方法吧增大三星手机内存方法先讲点理论知识：其实三星的手机内存被分到了三个地方，其中system，data分别是手机自带的软件和下载到手机内存的软件，平时安装的所有软件，除了可以移到内存卡，其他的都安装在data/app目录，所以安装到system/app可以节约手机自带的存储。
而且，安装到system/app目录后，即使恢复出厂了，也不会消失。
特别说明一下system/app和data/app使用的是2个不同的手机内存，原厂自带的软件就是安装到system/app，而我们自己安装的软件是安装到data/app 平时手机运行使用的内存是data/app使用的这个内存，如果把data/app的软件安装到system/app，手机可以使用的内存将会更大化(小S的内存是512M，但是很多机油可以看见我们可使用的内存也就是100多M，这并不是三星欺骗我们，而是内存分区到了不同的地方)下面介绍方法：正常安装，然后用R.E.管理器到data/app目录找到安装包，把它剪切到system/app目录，对照其他的软件修改下权限(附权限修改∶第一竖行全打钩，第二竖行第一个打钩，其他都不打钩)，再用R.E.管理器进入安装包内，查看是否存在lib文件夹(按住APK文件不放，选打开方式，选APK处理器，选查看)，如果存在，就要把里面的以.so为后缀的文件通通解压出来，移动到system/lib，然后重启手机，成功。
说下我使用后的一些注意：要是有lib文件的软件就需要按上面的方法移动.so，要是没有lib就更好了，不用移动，重启后就可用，软件也可以正常更新，有个比较麻烦，就是更新后需要自己手动移到system/app里，但是.so的文件就不用移动了，还有一种情况是不能移动的，就是lib里有多个文件，一定只能有一个文件或者没有lib才能移动，如果你要删除软件，就比较麻烦了，需要自己动手去re删除软件和.so，不过一般我都是移动不更新和不删除的必备软件，有个好处就是你恢复出厂设置，这些软件也不会删除现在很多人做rom都是极致优化，一般system的内存会多出5.60M，我们利用起来，可以装十多个软件了，不要浪费了，但是也不要全用，最好留下15MAndroid将进程分为6个等级，为了决定在内存不足情况下结束哪个进程，Android会根据这些进程内运行的组件及这些组件的状态，把这些进程划分出一个“重要层次”。
安装SD存储卡到三星C5SM-C5000（6.0.1）手机上面
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导语：什么是SD存储卡?SD存储卡是一个完全开放的标准(系统)，多MP3、数码摄像用于机、数码相机、电子图书、AV器材等等，尤其是被广泛应用在超薄数码相机上。
安装SD存储卡到三星C5 SM-C5000(6.0.1)手机上面
1.要注意我们购买手机时会送一个“卡针”了，我们拿出准备好的.卡针然后对准手机侧的小孔弹出卡托。
(确保取卡针与小孔垂直。
否则，可能会损坏设备。
)
2.将卡托轻轻地从卡托插槽中拉出。
3.好了现在就把SD存储卡的金色触点朝下放入卡托2中。
4.将卡托重新插入卡托插槽。
注意事项：
1.可使用容量最高为 128 GB 的存储卡。
2.设备支持 FAT 和 exFAT 文件系统的存储卡。
3.将存储卡插入设备时，存储卡的文件目录将出现在我的文件→SD卡文件夹中。
你的手机里都藏着一个三星不信我拆给你看
你的手机里都藏着一个三星不信我拆给你看同配置为什么价格不一样？除了差异化的销售策略，手机不同的组件方案也是影响价格的重要因素。
说到三星，我们往往是从手机产品角度去了解它，见到的产品都是整体。
但同时作为一家半导体公司，三星为市面上许多手机都提供了解决方案。
而在这些解决方案中，我们比较熟悉的就是闪存、内存、处理器、图像传感器这几大方面，除此之外，三星的屏幕工艺、芯片封装工艺在手机市场上也占有了不小的份额。
今天我们就用拆解的形式来挖掘一下我们常见的手机内部都有哪些三星半导体的身影，相不相信，你现在手里的机器就有它！闪存除了三星的屏幕，三星的闪存与内存在手机上的应用也是相当广泛，分为eMMC和UFS两种规格方案可以选择。
eMMC全称为“embedded Multi Media Card”，即嵌入式的多媒体存储卡。
而eMMC 5.1的规格发展到现在已经到了eMMC 5.1，不过读写速度还是要比目前采用的UFS 2.0和2.1慢上不少。
UFS全称为“Universal Flash Storage”，即通用闪存存储。
目前分为UFS 2.0和UFS 2.1,其中UFS 2.1速度要快上许多，读取速度几乎是eMMC 5.1的三倍多。
此外UFS 3.0的标准今年也已经公布，理论速率可以达到2.9GBps，是USF2.1的两倍。
因此对于旗舰机型，UFS自然是香饽饽，而eMMC大多数被应用在千元机身上。
华为Mate 20 Pro-拆解点此进入例如今年华为年度重磅新机华为Mate 20 Pro，它就采用128GB UFS2.1的闪存芯片，芯片型号为KLUDG4U1EA-B0C1。
同样采用这一款闪存芯片的还有黑鲨游戏手机、黑鲨游戏手机Halo、荣耀V10、小米 MIX 2等一系列旗舰机型。
黑鲨游戏手机Halo随着用户需求的提升，现在的旗舰机型也都纷纷扩大闪存规格，128GB将会逐渐成为主流，其中也有不少厂商推出了256GB的闪存方案。
Samsung Galaxy core2如何安装电话卡及存储卡(G3559)
Last Update date : 2014.10.10
G3559的电话卡槽使用的是Micro电话卡，Micro 电话卡比标准电话卡小，如您的电话卡是标准卡，建议您先到营业厅剪卡。
注意：
1.nano 电话卡和 Micro 电话卡是两种不同类型的卡，请勿将iPhone5支持的nano 电话卡插入G3559的Micro 电话卡槽中，对此造成的问题属人为原因，按照包修条例，不予以包修。
2. 请勿将SD卡误插入电话卡卡槽。
否则，存储卡就会卡在电话卡插槽中，此属人为原因造成，按照包修条例，不予以包修。
若要安装电话卡和存储卡，请按照以下步骤操作：
1. 拆下手机后盖。
2. 取出电池。
3. 将micro 电话卡的金色触点朝下，缺口面向里，插入最下边的电话卡插槽中。
4. 将存储卡的金色触点朝下，插入到存储卡插槽中。
5. 插入电池。
6. 重新盖上手机后盖即可。
相关型号信息
SM-G3559ZKACTC
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samsung内存识别法
芯片上的代码就是型号内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看：samsung内存例：samsungk4h280838b-tcb0第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表dram。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10 为10ns(66mhz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
多芯片封装MCP
多芯片封装多芯片封装（Multi Chip Package；MCP）封装形式的概念所谓封装形式就是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。
它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接。
衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。
一般来说，出现一代新的CPU，就伴随着一种新的封装形式。
随各式便携式信息装置对内存特性需求日益多元化，可将数个芯片封装在一处的多芯片封装（Multi Chip Package；MCP）亦逐渐受到重视，全球包含三星电子、现代电子、英特尔等重量级IC厂商，近期纷纷看好此型内存市场前景，竞推出相关产品。
MCP的优点在于能将2至3种不同特性的芯片封装在一块，可因此减少占据的空间，当前主要为内存所采用。
而利用该封装做出的内存产品适于有复杂内存特性需求的信息装置使用。
目前内存厂商主要利用该技术将闪存（Flash）与SRAM做在一块。
-薄芯片处理是一种特殊的晶圆支持技术，能使芯片被琢磨到只有0.025毫米的厚度。
多重堆叠封装技术能利用无铅锡焊球把安装的芯片的板块堆叠起来。
这种封装在功能上相当于单一封装(single package)。
MCM(Multi Chip Model)多芯片组件-质量为了解决单一的芯片集成度和功能不够完善的问题，把多个高集成度、高性能、高可靠性的芯片，在高密度多层互联基板上用SMD技术组成多种多样电子组件系统，从而出现了MCM多芯片组件系统MCM具有以下特点：封装延迟时间缩小，易于实现组件高速化缩小整机/组件封装尺寸和重量。
系统可靠性大大提高。
总之，随着CPU和其他超大规模集成电路的进步，集成电路的封装形式也将得到相应的变化，而且封装形式的进步又将反过来促进芯片技术向前发展。
不久以前，高密度薄膜和多芯片封装(MCP)还被认为只是一种用于太空、军事、高端服务器以及大型主机等系统的新型技术,这种技术可以减小最终封装件及系统的尺寸和重量、减少故障提高可靠性、使用更短和负载更轻的信号线增加速度并使系统具有良好的热性能。
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文章的开头首先介绍一下什么是MCP，MCP=Multi-Chip Package 中文意思是多制层封装芯片，其主要应用领域为手机等手持智能终端设备。
其优点在于体积小，
能适应各种手持设备节省空间的原则。
成本方面较独立的芯片组和要有优势。
三星从2004年开始致力于手机内存芯片的推广，2005年在全球取得了不到10%市场份额，当时这方面的前两位分别是INTEL和SPANSION这两个厂商。
2006年是三星MCP内存芯片市场份额大幅提高的一年，在2006年下半年由于SPANSION的128+32和64+16/64+31NOR+SRAM的MCP大面积缺货给了三星一次很好的机会，三星在8月开始逐步进入手机MCP领域，其推出的128+32MCP芯片只要在软件方面作一些简单的调整就可以PIN TO PIN取代SPANSION的129系列产品，并且价格比当时的SPANSION 128+32
的同类产品要低0.5USD，这使得中国大陆这一B类手机制造基地的设计公司和厂家纷纷切入到三星的MCP中来。
在2007年年初，三星又推出了其最新128+32的产品2931和2731，这两款产品的推出，将冲击SPANSION很大的市场份额。
下面针对三星的MCP产品做个简单的介绍，介绍从MCP制成和具体型号以及配合手机的主方案进行：
MCP大致有三类:
一；替换目前市场主流的SPANSION的NOR+SRAM(PSRAM)系列
32+8型号为K5A3281CT(B)M--此款MCP主要可以应用于一些低端手机，包括英飞凌等低端方案，都可采用此款MCP。
64+16型号为K5J6316CT(B)M：三星已经在2007年将此款IC 停产，转移产能大量生产64+32制成的MCP
64+32型号为K5J6332T(B)M：这使三星2007年主要推广的MCP之一，目前已经有很多方案认可，包括MTK 6226/6219以及展讯的6600D等方案都广泛采用此款芯片。
128+32型号为 K5L2731CAM-D770：此款产品是三星2007年重点推广的128+32的MCP芯片，这款芯片可以做到和SPANSION 127芯片软件硬件完全match，并且能兼容三星2931和0607芯片。
在价格方面三星会坚持走低，此款芯片会成为2007年B类手机市场最普遍使用的MCP芯片。
K5L2931CAM-D770:此款芯片的推出主要是用来抢占SPANSION 129芯片市场的，目前已经有很多方案可以采用（TI/MTK/展讯等）
KADxx0700D-DLLL：此款芯片是三星2006年推出的一款128+32的MCP，此款芯片从2006.9月开始，已经被很多设计设计公司所认证，在2006年底由于众多手机厂商切换到此款IC，导致了1个多月的缺货，在2007年，三星队此款芯片的制造要降低，原因是2731和2931芯片的推出，他们会每个月逐步降低产能。
二；替换目前市场主流的TOSHIBA的NOR+NAND+SRAM(PSRAM)系
列:128+512+32/128+512+64/128+1Gb+64.
此种制成的MCP由于成本相对来说较高，所以目前就此种制成的MCP市场情况还不算明朗。
三；NAND+MOBILE DRAM/DDR/ONENAND+MobileDDR ：
256+256型号为K5D5657DCB-D090
512+256型号为K5D1257DCA-D090
1G+256型号为K5D1G571CM-D090
此种制成的MCP主要推广在展讯平台的6600M机型上，但展讯的产能一直不是很乐观，导致本制成MCP市场不是很明朗，目前竞争对手为HYNIX。
*关于三星NAND+M-SDR的MCP，ND方案涉及的问题,现在我作如下总结:
1. MTK 6228平台: 大部分客户选用的是NAND: X8,
2.65V+M-SDR: x16, 1.8V. 我们有以下规格是目前客户选用比较多的,建议新客户尽量往上靠,这样交货比较好支持:
2. SPREADTRUM（展讯）平台:
TD-SCDMA: 支持NAND: X8, 3V+M-SDR: X16, 3V. 建议MCP为:1G+256:
KAG00L008A-DGG5000
GSM/GPRS: 除了我们的64+16/32, 128+32外,关于NAND+DRAM MCP, 他们选用的和MTK6228是一样的.上面列的3个料号亦为SPREADTRUM客户的主要型号.
3. 3G之高通/BROADCOM等平台:
因为每个客户状况不一,在此仅列出512+512/1G+512供参考,其他组合单独再确认。