单片机实用电源电路24V转12V、24V转5V、5V转3.3V
PW2205低功耗规格书,24V转5V,3.3V降压芯片5安
5A ，4.5V-30V 输入，同步降压调节器一般说明PW2205开发了一种高效率的同步降压DC -DC 转换器5A 输出电流。
PW2205在4.5V 到30V 的宽输入电压范围内工作集成主开关和同步开关，具有非常低的RDS （ON ）以最小化传导 损失。
PW2205采用瞬时脉宽调制（PWM ）结构，实现高阶跃降的快速瞬态响应轻载时的应用和高效率。
此外，它的工作频率是伪恒定的在连续导通模式下为500kHz ，以使电感器和电容器的尺寸最小特征⚫ 内部整流MOS 的低RDS （on ）（顶部/底部）：70/40 m Ω ⚫ 4.5V -30V 输入电压范围⚫ 瞬时PWM 架构实现快速瞬态响应 ⚫ 外部软启动限制涌入电流 ⚫ 恒频：500kHz at 重载⚫ 5A 连续，6A 峰值负载电流能力 ⚫ 1.5%0.6V 参考电压 ⚫ 输出过电流限制⚫ 输出短路保护当前折回 ⚫ 热关机和自动恢复⚫ 符合RoHS 标准且无卤素 ⚫包装：SOP8-EP应用⚫ 液晶电视⚫ 大功率AP 路由器 ⚫ 网络 ⚫ 机顶盒 ⚫ 笔记本 ⚫ 保管部典型应用电路 芯片 135代2845理8039 Mr 。
郑，技术FAE 支援Tss(ms)=Css(nF)*0.6(V)/10(uA)Vout=0.6*(1+R1/R2)，如：R1=100K, R2=22.1K ，VOUT=3引脚分配/说明压：布局设计：PW2205调节器的布置设计为相对简单。
为了获得最佳的效率和最小噪声问题，我们应该把IC的以下成分：CIN，C3 L1，R1和R2。
1.希望PCB铜最大化连接到GND引脚以实现最佳的热性能和噪音性能。
如果板空间允许，地平面高度令人满意。
2.CIN必须接近VIN和GND引脚。
这个CIN和GND形成的环路面积必须最小化。
3.与SW引脚相关联的PCB铜区必须最小化以避免潜在的噪音问题。
4.成分R1和R2，以及轨迹连接到FB引脚不得在PCB布局上靠近SW网络避免噪音问题。
模拟电子技术基础-LM2576电源转换电路
课程综合设计课程名称：《模拟电子技术基础》实验名称：《LM2576电源转换电路》学院：应用科技学院专业：电子信息工程年级：2012级学号：姓名：一、设计意义及实现功能:LM2576系列是美国国家半导体公司生产的3A电流输出降压开关型集成稳压电路，它内含固定频率振荡器(52kHz)和基准稳压器(1.23V)，并具有完善的保护电路，包括电流限制及热关断电路等，利用该器件只需极少的外围器件便可构成高效稳压电路。
各系列产品均提供有3.3V(-3.3)、5V(-5.0)、12V(-12)、15V(-15)及可调(-ADJ)等多个电压档次产品。
二、LM2576的内部组成:LM2576的内部框图如图所示LM2576内部包含52kHz振荡器、1.23V基准稳压电路、热关断电路、电流限制电路、放大器、比较器及内部稳压电路等。
为了产生不同的输出电压，通常将比较器的负端接基准电压（1.23V），正端接分压电阻网络，这样可根据输出电压的不同选定不同的阻值，其中R1=1kΩ（可调-ADJ时开路），R2分别为1.7kΩ（3.3V）、3.1kΩ（5V）、8.84kΩ（12V）、11.3 kΩ（15V）和0（-ADJ），上述电阻依据型号不同已在芯片内部做了精确调整，因而无需使用者考虑。
将输出电压分压电阻网络的输出同内部基准稳压值1.23V进行比较，若电压有偏差，则可用放大器控制内部振荡器的输出占空比，从而使输出电压保持稳定。
管脚定义LM2576ADJ各脚功能如下：1）VIN—输入电压端，为减小输入瞬态电压和给调节器提供开关电流，此管脚应接旁路电容CIN；2）OUTPUT—稳压输出端，输出高电压为（VIN－VSAT），输出低电压为-0.5V。
3）GND—电路地；4）FEEDBACK—反馈端；5）ON/OFF—控制端，高电平有效，待机静态电流仅为75µA。
①脚为直流电压输入端，输入电压最高为45 V。
若由低压交流整流供电，为了避免空载时电压超出45 V，交流输入电压应不高于32 V。
单片机系统中5V转3_3V电源的设计技巧
电子报/2006年/12月/24日/第013版资料（开发）单片机系统中5V转3.3V电源的设计技巧（二）四川兰虎二、电压转换的数字电路设计在连接两个工作电压不同的器件时，必须要知道其各自的输出、输入阈值。
知道阈值之后，可根据应用的其他需求选择器件的连接方法。
常用心芯片的输出、输入阈值。
在设计连接时，请务必参考制造商的数据手册以获得实际的阈值电平。
1.3.3V至5V直接连接将3.3V输出连接到5V输入最简单、最理想的方法是直接连接。
直接连接需要满足以下两点要求：(1)3.3V输出的V OH应大于5V输入的V IH；(2)3.3V输出的V OL应小于5V输入的V IL；能够使用这种方法的例子之一是将3.3V LVCMOS输出连接到5V TTL输入。
给出的值可以清楚地看到上述要求均满足。
3.3V LVCMOS的V OH(3.0V)大于5V TL的V IH(2.0V)且3.3V LVCMOS的V OL(0.5V)小于5VTTL的V IL(0.8V)。
如果这两个要求得不到满足，连接两个部分时就需要额外的电路。
可能的解决方案请参阅下文。
2.3.3V至5V使用MOSFET转换器如果5V输入的V IH比3.3V CMOS器件的V OH要高，则驱动任何这样的5V输入就需要额外的电路。
双元件解决方案。
在选择R1的阻值时，需要考虑两个参数，即：输入的开关速度和R1上的电流消耗。
当把输入从0切换到1时，需要计入因R1形成的RC时间常数而导致的输入上升时间、5V输入的输入容抗以及电路板上任何的杂散电容。
输入开关速度可通过下式计算：T SW＝3×R1×(C IN+C S)由于输入容抗和电路板上的杂散电容是固定的，提高输入开关速度的唯一途径是降低R1的阻值。
而降低R1阻值以获取更短的开关时间，却是以增大5V输入为低电平时的电流消耗为代价的。
通常，切换到0要比切换到1的速度快得多，因为N沟道MOSEET的导通电阻要远小于R1。
12V转5V,12V转3.3V降压芯片规格书和选型表
2A输出，4.5V-16V输入，同步降压转换器一般说明PW2162是一个完全集成，高效率2A同步整流降压转换器。
PW2162在宽输出电流负载范围内以高效率运行。
此设备提供两种工作模式，PWM控制和PFM模式开关控制，实现高效率在更宽的负载范围内。
PW2162要求现有的最小数量标准外部组件，并在符合ROHS 标准的6针SOT23封装中提供。
特征⚫效率高达96%⚫600KHz频率操作⚫2A输出电流⚫不需要肖特基二极管⚫ 4.5V至16V输入电压范围⚫0.6V参考电压⚫斜坡补偿电流模式控制对于良好的线路和负载瞬态回应⚫综合内部补偿⚫稳定，低ESR陶瓷输出电容器⚫有故障模式的过电流保护⚫热关机⚫涌流限制和软启动⚫提供SOT23-6套装⚫ -40°C至+85°C温度范围应用⚫分布式电力系统⚫数字机顶盒⚫平板电视和显示器⚫无线和DSL调制解调器⚫笔记本电脑典型应用电路引脚分配/说明PCB布局建议PCB版图设计对于实现稳定运行非常重要。
强烈建议复制EVB最佳性能布局。
如果需要更改，请遵循以下指南并采取参考图。
（1）保持开关电流路径短，并使输入电容形成的回路面积最小，高边MOSFET和低边MOSFET。
（2）旁路陶瓷电容器建议靠近VIN引脚。
（3）确保所有反馈连接都是短而直接的。
放置反馈电阻和补偿元件尽可能靠近芯片。
（4）远离敏感模拟区域，如FB。
（5）将VIN、SW，尤其是GND分别连接到一个大的铜片区域以冷却芯片提高热性能和长期可靠性。
（6）图中显示了一个2层PCB布局示例，以供参考。
设置信息设置输出电压外部电阻分压器用于设置输出电压（参见第1页的典型应用）。
反馈电阻器R1还设置具有内部补偿的反馈环路带宽电容器。
选择R1约为100kΩ，以获得最佳瞬态响应。
R2由下式得出：感应器选择4.7µH至22µH电感器，其直流电流额定值至少比最大值高25%对于大多数应用，建议使用负载电流。
24V转5V降压芯片,24V转3.3V的稳压芯片,中文规格书
过电流保护和短路 当电感器电流峰值超过设置电流限制阈值。同时，输出电压开始下降，直到 FB 低于欠电压 （UV）阈值，通常低于参考值 25%。一旦一个紫外线被触发，就会进入打嗝模式以定期重 新启动部件。当输出为对地完全短路。平均短路电流大大降低，以减轻热并保护监管者。一 旦过电流情况出现，则退出 hiccup 模式远离的。
特征
⚫ 宽 4V 至 30V 工作输入范围 ⚫ 1.2A 连续输出电流 ⚫ 1.4MHz 开关频率 ⚫ 短路保护模式 ⚫ 内置过流限制 ⚫ 内置过电压保护 ⚫ 力模式 PWM ⚫ 内部软启动 ⚫ 200mΩ/150mΩ低 RDS（ON）内部功率金氧半电晶体 ⚫ 0.8V 输出可调 ⚫ 不需要肖特基二极管 ⚫ 综合内部补偿 ⚫ 热关机 ⚫ 提供 SOT23-6 套装 ⚫ -40°C 至+85°C 温度范围
绝对最大额定值（注 1/2）
VIN，EN，电压
-0.3Vto36V
VFB 电压
工作温度范围 铅温度（焊接，10s） ESD（人体制造）HMB VSW 电压 VBS 电压 储存温度范围 结温 ESD（机械制造）MM RθJA RθJC 注： （1） 超过这些额定值可能会损坏设备。 （2） 不能保证设备在其工作条件外正常工作。
误差放大器 误差放大器将 FB 引脚电压与内部 FB 基准（VFB）进行比较，并输出 a 电流与两者之差成正 比。该输出电流随后用于充电或放电内部补偿网络，这是用来控制功率 MOSFET 电流。优化 后的内部补偿网络使外部元件的数量和简化了控制回路设计。
内部软启动 软启动是为了防止变频器输出电压在启动。当芯片启动时，内部电路产生一个软启动电压 （SS）上升从 0V 到 0.807V。当低于内部参考（REF）时，SS 覆盖 REF，因此错误发生放大器 以 SS 为基准。当 SS 高于 REF 时，REF 恢复控制。时间就是时间内部最大为 1.2ms。
12V转5V降压芯片,12V转3.3V稳压芯片电路图
12V转5V应用中，大多要求会输出电流高的，稳压LDO就不能满足了，需要使用DC-DC降压芯片来持续稳压5V，输出电流1000MA，2000MA，3000MA，5000MA等。
不同的输出电流可以选择适合的降压芯片来使用。
12V转3.3V，稳压3.3V输出，一般用于给MCU单片机或者其他特殊重要模块供电等，要求也会比较多和不一样。
例如10MA，100MA，1000MA-5000MA不等。
时常小电流的较多，小电流使用LDO稳压芯片。
1，LDO稳压芯片40V高输入电压LDO线性稳压器, 高输入电压，低静态电流，高速，低压降线性稳压器具有高纹波抑制.PW6206，PW6513。
特点⚫输入电压：4.75V~40V⚫输出电压固定：3V，3.3V，5V⚫输出精度：<±2%⚫输出电流：150mA（典型值）⚫电源抑制比：60dB@100Hz⚫跌落电压：600mV@IOUT=100mA⚫静态电流：4.2μA@VIN=12V（典型值）⚫ESD HBM:8KV⚫推荐电容器：10uF2，DC-DC降压芯片2A-3APW2162是一个完全集成，高效率2A同步整流降压转换器。
PW2162在宽输出电流负载范围内以高效率运行。
此设备提供两种工作模式，PWM控制和PFM模式开关控制，实现高效率在更宽的负载范围内。
PW2162要求现有的最小数量标准外部组件，并在符合ROHS标准的6针SOT23封装中提供。
特征⚫效率高达96%⚫600KHz频率操作⚫2A输出电流⚫不需要肖特基二极管⚫ 4.5V至16V输入电压范围⚫0.6V参考电压⚫斜坡补偿电流模式控制对于良好的线路和负载瞬态回应PW2163是一种高效的500kHz同步降压DC-DC转换器，能够输送3A电流。
PW2163在4.5V到18V的宽输入电压范围内工作集成主开关和同步开关，具有非常低的RDS（ON）以最小化传导损失。
输出电压纹波低，外部电感器和电容器的尺寸为500kHz开关频率。
12V转5V降压芯片,12V转3.3V稳压芯片电路图
12V转5V应用中，大多要求会输出电流高的，稳压LDO就不能满足了，需要使用DC-DC降压芯片来持续稳压5V，输出电流1000MA，2000MA，3000MA，5000MA等。
不同的输出电流可以选择适合的降压芯片来使用。
12V转3.3V，稳压3.3V输出，一般用于给MCU单片机或者其他特殊重要模块供电等，要求也会比较多和不一样。
例如10MA，100MA，1000MA-5000MA不等。
时常小电流的较多，小电流使用LDO稳压芯片。
1，LDO稳压芯片40V高输入电压LDO线性稳压器, 高输入电压，低静态电流，高速，低压降线性稳压器具有高纹波抑制.PW6206，PW6513。
特点⚫输入电压：4.75V~40V⚫输出电压固定：3V，3.3V，5V⚫输出精度：<±2%⚫输出电流：150mA（典型值）⚫电源抑制比：60dB@100Hz⚫跌落电压：600mV@IOUT=100mA⚫静态电流：4.2μA@VIN=12V（典型值）⚫ESD HBM:8KV⚫推荐电容器：10uF2，DC-DC降压芯片2A-3APW2162是一个完全集成，高效率2A同步整流降压转换器。
PW2162在宽输出电流负载范围内以高效率运行。
此设备提供两种工作模式，PWM控制和PFM模式开关控制，实现高效率在更宽的负载范围内。
PW2162要求现有的最小数量标准外部组件，并在符合ROHS标准的6针SOT23封装中提供。
特征⚫效率高达96%⚫600KHz频率操作⚫2A输出电流⚫不需要肖特基二极管⚫ 4.5V至16V输入电压范围⚫0.6V参考电压⚫斜坡补偿电流模式控制对于良好的线路和负载瞬态回应PW2163是一种高效的500kHz同步降压DC-DC转换器，能够输送3A电流。
PW2163在4.5V到18V的宽输入电压范围内工作集成主开关和同步开关，具有非常低的RDS（ON）以最小化传导损失。
输出电压纹波低，外部电感器和电容器的尺寸为500kHz开关频率。
单片机5V转3.3V电平的19种方法
单片机5V转3.3V电平的19种方法技巧一：使用LDO稳压器，从5V电源向3.3V系统供电标准三端线性稳压器的压差通常是 2.0-3.0V。
要把 5V 可靠地转换为 3.3V，就不能使用它们。
压差为几百个毫伏的低压降 （Low Dropout， LDO）稳压器，是此类应用的理想选择。
图 1-1 是基本LDO 系统的框图，标注了相应的电流。
从图中可以看出， LDO 由四个主要部分组成：1. 导通晶体管2. 带隙参考源3. 运算放大器4. 反馈电阻分压器在选择 LDO 时，重要的是要知道如何区分各种LDO。
器件的静态电流、封装大小和型号是重要的器件参数。
根据具体应用来确定各种参数，将会得到最优的设计。
LDO的静态电流IQ是器件空载工作时器件的接地电流 IGND。
IGND 是 LDO 用来进行稳压的电流。
当IOUT>>IQ 时， LDO 的效率可用输出电压除以输入电压来近似地得到。
然而，轻载时，必须将 IQ 计入效率计算中。
具有较低 IQ 的 LDO 其轻载效率较高。
轻载效率的提高对于 LDO 性能有负面影响。
静态电流较高的 LDO 对于线路和负载的突然变化有更快的响应。
技巧二：采用齐纳二极管的低成本供电系统这里详细说明了一个采用齐纳二极管的低成本稳压器方案。
可以用齐纳二极管和电阻做成简单的低成本 3.3V稳压器，如图 2-1 所示。
在很多应用中，该电路可以替代 LDO 稳压器并具成本效益。
但是，这种稳压器对负载敏感的程度要高于 LDO 稳压器。
另外，它的能效较低，因为 R1 和 D1 始终有功耗。
R1 限制流入D1 和 PICmicro® MCU的电流，从而使VDD 保持在允许范围内。
由于流经齐纳二极管的电流变化时，二极管的反向电压也将发生改变，所以需要仔细考虑 R1 的值。
R1 的选择依据是：在最大负载时——通常是在PICmicro MCU 运行且驱动其输出为高电平时——R1上的电压降要足够低从而使PICmicro MCU有足以维持工作所需的电压。