Flicker 漂移

补充资料（均一性 RC Loading）
面板Vcom讯号会因RC Loading 影响而失真，造成面板左、中、右Vcom讯号的 差异，以下为T1 Flicker Vcom左、中、右的量測数据情況
0 -5
17"V9 Vcom distribution
Measurement point:
Vth ESD Bar Switch
为什么会有 Flicker 漂移
PI
工艺+材料
面板设计
Flicker漂移原因分析
为什么OTP后 调整Vcom还 有Flicker漂移 OTP前 Panel异常
真因
此次Flicker 漂移主要是 Panel ESD 影响。 a、OTP前静置或者烘烤数小时后， Flicker漂移不良减少； b、TFT特性异常或者材料异常，不会因 为烘烤或者静置不良减少。
1.8 flicker 漂移项目报告
2016/06/29 chunhuisu
1
目录 Contents
1
背景描述
2
Flicker 漂移影响因子
3
原因分析
4
CELL ESD排查验证
5
补充资料（TFT特性相关）
2
问题描述
事件 6月初越南客诉1.8’ “LCD display abnormal”即 Flicker 漂移
IC讯号输入方式
Cut Corner
TFT元件除本身漏电问题外，因实际工作時B/L所造成的光漏电对Flicker也有很大的影响。
1）以8SD为例，BL照度越大，Ioff变化较大； Ioff变大，device在holding状态下的压降越大，从而闪烁越严重。 2）通过量測不同BL强度下的Vth bias量可以初步评价Ioff对Flicker的影响。
-20
SD 沟道（A-Si，N+） 光照
漏电影响
dV-leak=0.3V dV-leak=0.1V no leakage current
-25
-30
Flicker (dB)
-45
Com
-50 2.7 2.8 2.9 3 Vcom (V) 3.1 3.2
Gate
3
补充资料（Ioff with B/L）
NG sample
OK sample
原因
OTP烧录过程中 Vcom非最佳值
措施
1. OTP夹具加锁，避免烧录信息受到环境因 素的影响 2.将Flicker 画面检视时间从0.3s增加到1s 3.收严标准 MOD通过调整OTP程序改善Flicker漂移，但 是仍然有10%不良，无法完全Cover。 OTP前静置或者烘烤后不良减少
6/20
6/21 6/22 6/24
OTP前静置12H
C4烘烤60℃/4H 半成品静置12H
随机抽取
随机抽取 随机抽取
300
300 300
0
0 0
0.33%
0 0.33%
0.33%
0 0
/
/ /
验证四
验证五 验证六
Flicker漂移原因分析
为什么ESD会导致Flicker漂移
真因
Why
OTP烧录时影响Vcom最佳值 静电残留于Panel内，带有电荷，影响 本体
Dc com
Vcom Clc Cst
显示电极 Vd1/Vd2
VGH VGL
Cgd
电荷守恒：Q = C x V (Vd1 - VGH) x Cgd + (Vd1 - Vcom) x (Clc + Cst) = (Vd2 - VGL) x Cgd + (Vd2 - Vcom) x (Clc + Cst)
Coupling 影响 Data Δ Vp
LC夹压A < B
Gate
LC夹压A Vcom LC夹压B
LC电压
Δ Vp Coupling 影响

补充资料（Vcom調整减少电容耦合电压效应影响）
因Δ Vp所造成Data正、负半周电压差异可藉由调整Vcom的方式使正、负半周液晶 压差相同。
Gate Delay影响
造成面板 左中右 Vcom不 一致
mV
250 13 Vcdc distribution
Vcom(mV)
200 150 100 50 0
Vcom面板分佈
Start
1 Start
middle
2 middle
End
3 End
Input Output
Time

Cgd Vp Vg Cgd Clc Cst
ΔVp=Vd1-Vd2；ΔVg=Vgh-Vgl
补充资料（Vcom調整减少电容耦合电压效应影响）
如下图所示，feed-through 电压(Δ Vp)对Data正、负半周电压之加乘效应不同， 在Vcom沒有调整的情況下，造成LC夹压A < B的狀況，因此产生正负半週亮度不 同而形成画面闪烁的现象。
实际方法
1.AS/SD 过曝；2、AS 加厚
1.Pass减薄；2.SD/ITO过曝 更换较大的ε液晶材料 1.AS膜质优化 1.Island in 1.Side Wall Count减少；2.Distance加大 1.Gate 弱曝；2.GE加厚 1.Metal 过曝；2.GI & Pass加厚
R RC Delay（RC Loading） C
静电残留于Panel内，OTP烧录时影响 Vcom最佳电压，OTP烧录后随着时间的 推移，静电释放，出现Flicker漂移
Why
3
CELL ESD 排查验证
设备
#4贴片机 #12贴片机 OTP前烘烤 65℃/8H OTP前不烘烤 手动贴片
0H
6 0 0 0 1 196 198 299 300 195 10 3
Why
Why
Panel TFT特性异常、ESD、材料影响
证据
型号 抽样 日期 6/12 6/17 1.813 程序 旧程序 样品类型 直接OTP 直接OTP OTP前烘烤 60℃/4H 新程序 抽样方式 30pcs/jig 10pcs/jig 随机抽取 数量 330 360 300 0H 不良率 15% 0.28% 0 24H 不良率 3% 0.83% 0 48H 不良率 3% 3% 0 120H 不良率 3% / / 编号 验证一 验证二 验证三
3
补充资料（Flicker 产生原因）
Flicker产生原因
Baseline
Vcom Uniformity
面板驱动方式
Pixel
電容
RC Loading
製程 變異
输入Pattern
信号
漏電
耦合
3
补充资料（Pixel 漏电）
在实际状况下，当Gate关闭时Pixel电压会受到漏电的影响而改变并不会保持在一 定电位，因此会造成Pixel电压不均匀的现象，如果漏电情况太严重，则会造成明显 的画面闪烁现象。 主要漏电途径包含 :
补充资料（制程差异）
因制程上的变异(ex: local distribution & etc.)造成面板上不同区域FeedThrough电压效应不一致。
因制程造成
Cst大小变异
Vp
Cgd Vg Cgd Clc Cst
因制程造成
Cgd大小变异
补充资料（驱动方式）
在有些输入画面Pattern驱动方式会恰巧与面板驱动方式相同而造成Flicker现象。
3
补充资料（电容耦合，Capacitance in Pixel）
Clc：画素电极与CF側 Com信号线形成的电容
Cst：由com信号线与画素电极 形成,充电完毕后来驱动液晶旋转
Cgd：由gate信号线与data信号形 成的耦合电容,Cgd小,Flicker越佳
补充资料（电容耦合形式比较）
在Panel正常操作下，Pixel上的电压(Vd)会因电容耦合效应(Coupling)的影响而改变， 此效应称feed-through Voltage(Δ Vp)，其因Pixel 目前Pixel采此设计 內电路设计不同而有主要以下两种形态： Type Cst on Gate Cst on Com
示 意 图
Vcom Clc Cs Cgd
Vcom Clc Cs
t
Cgd
优 点 缺 点
开口率大 Gate loading大， Gate讯号失真严重
Gate讯号稳定 开口率小
补充资料（电容耦合，Cst on Common公式推导）
在Panel正常操作下，Pixel上的电压(Vd)会因Cgd电容耦合效应(Coupling)的影响 而改变，其示意图与电压变化(feed-through Δ Vp)如下：
LC夹压A = B
Coupling 影响 Data Δ Vp Gate
LC夹压A
原始Vcom LC夾壓B
LC电压
Δ Vp
调整后Vcom

补充资料（均一性 Gate RC Loading）
Gate line RC delay 示意图：
Gate waveform
Pixel 充电示意图（左、中、右）：
Com L ΔVp (L) ΔVp’ (C) C R
[ TFT-LCD Module]
ΔVp’’ (R)
τ g of left τ g of center τ g of right
t=0
1）由于gate line 阻抗 & 耦合电容的存在，gate line 末端的信号会比起始端信号低 2）会造成讯号的衰减，造成 各个TFT 上的 Vgh/Vgl 不一样，Feed through电压也不 一样，造成Flicker 差异
24H