模拟电子技术期中试卷a2
模拟电子技术试卷三套(无答案)
《模拟电子技术》考试试卷1一、填空题（20分，每题2分）1、半导体三极管按极性可分为_____型和_____型二类。
2、半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压U RM=_______U2，负载电压U O=_________U2。
3、如果温度升高三极管的输出特性曲线将向________移动。
4、抑制零点飘移的电路称为___________________________.。
5、乙类互补对称功率放大电路将产生__________失真，而________互补对称功率放大电路，可以消除这种失真。
6、CＷ79XX系列三端稳压器各脚功能是：①脚________；②脚________；③脚________。
7、当信号发生器电压调在1V，现在用40dB衰减其输出电压为______mV。
8、当示波器幅度旋钮位置V/div在0.5V时读数为4格，其电压的有效值为______V。
9、当示波器频率旋钮位置T/div在0.5ms时读数为2格，其周期为______Hz。
10、要抑制50Hz的工频信号的影响，应选择________ 滤波电路。
二、判断题（20分，每题2分，对的打√错的打╳）1、稳压二极管必需工作在正向导通状态。
（）2、在集成电路中采用直接耦合。
（）3、石英晶体振荡电路的优点是其振荡频率的稳定性很高。
（）4、尽管开关稳压电源的体积小、稳压范围宽但它的功率消耗很大。
（）5、在正弦波振荡电路中只能引入正反馈，不允许出现负反馈。
（）6、射极跟随器的放大倍数为1因此在电路不起任何作用。
（）7、在多级放大电路中前级放大的工作点宜设置在较低位置。
（）8、硅稳压管稳压电路只适用于负载小的场合且输出电压不能调节。
（）9、跟据集成运算放大器电路虚断原则得到i+=i-。
（）10、判断正负反馈时，我们采用瞬时极性法，（）当使净输入信号增强时即为负反馈。
三、简答题（25分，每题5分）1、电路如下图所示，二极管是导通还是截止，R=10K，试求出AO两点间的电压U AO？（设二极管的正向压降是0.7V）DO2、 如下图所示，稳压管D 1、D 2的稳定电压分别为8V 、6V ，设稳压管的正向压降是0.7V ， 试求U O 。
模拟电子试卷A及答案参考
《模拟电子技术》考试试卷（A卷）试题总分： 100 分考试时限：120 分钟题号一二三四五六七八九十十一十二总得分一．填空题（共20分，每空1分）1．对数频率特性又称为。
多级放大电路总的对数增益（电压放大倍数）等于各级对数增益的，总的相位移等于各级相位移的。
2．在三极管共射基本放大电路中，影响其高频响应特性的主要是电容；影响其低频响应特性的主要是电容；3．产生正弦波振荡的条件是，其相应的幅值条件为，相位条件为。
而建立振荡时要求幅值条件满足。
4．使某一频率范围内的信号能通过，而此频率范围外的信号不能通过的滤波器被称为____________________，它可通过将低通滤波器和高通滤波器组合而成。
5．晶体三极管是依靠基极电流控制集电极电流的，而场效应晶体管则是以控制的，所以场效应晶体管的输入阻抗。
6．当推挽功率放大器两只晶体三极管的基极电流为零时，因晶体三极管的输入特性，故在两管交替工作时将产生。
7．稳压电路使直流输出电压在一定范围内不受、和温度的影响。
8．在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
（）(错/对)9.在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）(错/对)二．选择题（共20分，每空2分）1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷2．如图所示电路中，当电源V1=5V时，测得I=1mA 。
若把电源电压调整到V1=10V,则电流的大小将是（）；设电路中V1=5V保持不变，当温度为20℃时测得二极管的电压为VD=,当温度上升到40℃时，则VD大小为（）。
=2mA <2mA >2mA = >0.7 F.VD<3、不可以采用自给偏置方式的场效应管有（）。
A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管4、测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是（）。
期中考试-模拟电路试卷A及参考答案
《模拟和数字电路》模拟电路阶段测试试卷（A）1、（共10分，每空2分）分析可知：（1）三极管的基极，集电极、发射极分别是：①集电极②发射极③基极。
）管子类型为PNP。
（2）〃约为40。
（3分析可知：\JZ \)z \JZ \)z \JZ该电路的直流电源电压VCC=20V,静态电流lCQ=10mA t 管压降VCEQFOV, 集电极电阻RO1KQ, 负栽电阻RLFKQ, 电流放大系数/'=50, 电压放大倍数丸=75（取rbb' =200Q）最大不失点输出电压幅值V O<IF5V,坡大不失真基极电流交流分属幅值Ib（max）=O. 2mA,（10）最大不失真交流输入电压幅值Vi （max）=67mV.3、（共70分）如下图电路中（2）计算静态工作点（10分）（3）画出交流等效电路（10分）（4）计算电庶放大倍数（20分）（5）计算输入电阻和输出电阻（20分）根据直流等效电路进行静态分析： 虚线左边第1级放大电路,根据电路方程VCC=IBl*RBl+VBEl+IEl*REl=IBl*RBl+VBEl+(Hp)IBl*REl可得:IB1=(VCC-VBE1)/(RB1 + (1-3)ICl=p*IBl=50*0.0006=0. 03mAVCE1=VCC-IC1*RC1-IE1*RENVCC-IC1*(RCHRE1)=15-O. 03 (3. 9+470)刁 虚线左边第2级放大电路,根据电路方程VCC=IB2*RB2+VBE2+IE2*RE2二IB2*RB2+VBE2+(1邙)IB2哝E2 可得:I B2= (VCC-VBE2) / (RB2+ (1 邛)VCE2=VCCTE2*RE2=VCC-(1+B )即：笫1级和第2级放大电路的静态工作点分别为：01(0.0006, 0.03,14.2), Q2(0.055, 2.75, 0.98)交流等效电路如下列图所示：: 根据交流等效电路计算电压放大倍数：原线左边笫1级放大电路，根据电路方程vil=ibl*rbel ； vo1=-P ib1*RC1//RB2//(rbe2+(1+ 0)RE2)可得:AVl=vol/vil=(-p*RCl//RB2//(rbe2+(l+(3)RE2))/rbe 1⑴ B1U RBI. Y ，pib vcJD|3ib2 rbe1 RB2 El=-50*3. 9//3.虚线左边第2级放大电路，根据电路方程Vi2=ib2*(rbe2+(l+P)RE2)： vo2= (l+P)ib2*RE2 AV2=vo2/vi2= (1 +B )*RE2/(rbe2+(l+0)RE2)由此凹得：放大电路总的电压放大倍数：AV=AV1*AV2=-96*O. 996=76. 37(5) 根据交流等效电路计算输入电阻和输出电阻：Ri=RBl//rbel=470//1^0. 998KQRo=RE2〃 ((rbe2+RB2//RC 1) / (1 + B)) =5// ((1+3.9//3.9)/51) =0. 057K Q。
《模拟电子技术基础》A卷及答案[1]
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一、选择题1.为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；A、电流负反馈B、电压负反馈C、直流负反馈D、交流负反馈2.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为____ B _____失真，下半周失真时为____ A ____失真。
A、饱和B、截止C、交越D、频率3.三端集成稳压器CXX7805的输出电压是____ A _____A、5vB、9vC、12vD、8v4.两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。
A、βB、β2C、2βD、1+β5.直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是____C____。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、A、B、C均可6.集成运放的互补输出级采用 B 。
A、共基接法B、共集接法C、共射接法D、差分接法7. 稳压管的稳压区是其工作在 D 状态。
A、正向导通B、反向截止C、饱和D、反向击穿8.晶体管能够实现放大的外部条件是 B 。
A、放射结正偏，集电极正偏B、放射结正偏，集电极反偏C、放射结反偏，集电极正偏D、放射结反偏，集电极反偏9.测得晶体管三个电极的静态电流分别是0.06mA，3.66mA和3.6mA，则该管的β为 A 。
A、60B、61C、100D、5010.射极输出器的特点是 C 。
A、。
uA＜1，输入电阻小，输出电阻大B、。
uA＞1，输入电阻大，输出电阻小C、。
uA＜1且。
uA≈1，输入电阻大，输出电阻小D、。
uA＞1，输入电阻小，输出电阻大11.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 C 。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压稳定12.对于结型场效应管，当| u GS | ＞ | U GS （off ） | 时，管子一定工作在 C 。
A 、恒流区B 、可变电阻区C 、截止区D 、击穿区13.负反馈放大电路产生自激振荡条件是 B 。
A 、AF=1B 、1-=。
模拟电子技术试卷2附答案
考试科目 《模拟电子技术》 专业 （A 类B 卷）学号 姓名 考试日期： 年 月 日一、选择题(8小题,每空2分，共20分)1．电路如图所示，()V sin 05.0i t u ω=，当直流电源电压V 增大时，二极管V D 的动态电阻将__ __。
A ．增大，B ．减小，C ．保持不变2．已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的)GS(th U ＝4V 。
GS u =3V ，DS u =10V ，判断管子工作在 。
A ．恒流区，B ．可变电阻区 ，C ．截止区3. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 4V ；输入电压为 0.2V 时，输出电压为 8V （均指直流电压）。
则该放大电路的电压放大倍数为________________。
A ．80 ，B ．40，C ．－40，D ．20 4. 在某双极型晶体管放大电路中，测得)m V 20sin (680BE t u ω+=，A μ)10sin (20B t i ω+=，则该放大电路中晶体管的_ ___。
A ．2，B ．34，C ．0.4，D ．15. 差分放大电路如图所示。
设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。
若R e 增加，差模电压放大倍数d u A 。
A ．增大，B ．减小，C ．基本不变6. 为使其构成OCL 电路，V 2CES ≈U ，正常工作时，三极管可能承受的最大管压降≈CEmax U 。
A ．36VB ．34VC ．32VD ．18V(-18V)7. 已知图示放大电路中晶体管的＝50，＝1k 。
该放大电路的中频电压放大倍数约为___ _ _（A ．50， B ．100， C ．200）；下限截止频率约为___ __Hz（A ．16， B ．160， C ．1.6k ）；当输入信号频率f ＝时，输出电压与输入电压相位差约为 _ _（A ．45°， B ．－45°， C ．－135°， D ．－225°）。
《模拟电子技术》试卷(十套附答案)
《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级：姓名总分：一、填空（每空1分，共15分）1. 二极管最主要的特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）。
2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。
３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。
４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。
５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。
６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。
二、选择题（每空2分，共10分）1. 在图示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则（）。
A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（）。
Ａ. 减小温漂Ｂ.增大放大倍数Ｃ. 提高输入电路Ｄ. 减小噪声３. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）负反馈。
Ａ. 电压串联Ｂ. 电压并联Ｃ. 电流串联Ｄ. 电流并联４. 欲实现Au＝-100的放大电路，应选用（）电路。
2014模拟电子技术期中考试题(答案)
八、（10 分）(1)VB=0V，VE=-0.7V，VC=6V
(2)IB=200mV/R2=0.02(mA) Ic=(V1-VI(-))/R1=(12V-6V)/6K=1(mA) β =IC/IB=50
26m V IE
姓名：
rbe 200 (1 )
Ri Re //[rbe /(1 )]
Ro Rc
姓名
中国民航大学考试专用纸
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五、 （16 分）VCC=24V，RC=3.3KΩ，RE=1.5 KΩ,RB1=33 KΩ,RB2=10 KΩ,RL=5.1 K
VCE= Vcc Rc I c
2、 Au
R b2 Vcc Re ( Rb1 Rb 2 )
IB=IC/β
R b2 Vcc ( Rb1 Rb 2 ) Aus Au Ri Ri Rs
( RL // Rc ) ( RL // Rc ) rbe rbe
一、选择题。 （每题 2 分，共 14 分）
1、C；2、B；3、C；4、A；5、B；6、B；7、C
二、填空题（共 10 分）
1、0.1kΩ；2、电击穿、热击穿；3、导通、-6.7V；截止、-6V。
三、 （5 分）
准考证号： 任课教师 ―――――――――――――――――――装 订
四、 （15 分）1、IC=IE=
Ω,β=66。试求： 1、忽略 VBE 计算正确，不忽略 VBE 计算也正确。 R B2 Vcc IC=IE= IB=IC/β RE ( RB1 RB 2 )
VCE= Vcc Rc I c
2、 Au
R b2 Vcc ( Rb1 Rb 2 )
试卷模拟电子技术基础A
模拟电子技术基础A卷院系：_______________________________ 专业：_________________________________班级：_______________________________ 任课教师：_____________________________ 姓名：_______________________________ 学号：_________________________________考试说明1.2. 本试卷包含5个大题，29个小题。
全卷满分100分，考试用时120分钟。
一、选择题（选择正确答案填入空内，只需填入A、B、C、D。
本大题共20分，共计10小题，每小题2分）1. 分析图示电路，选择正确答案填空。
1．在级间反馈电路中________________。
A．只有直流反馈而无交流反馈，B．只有交流反馈而无直流反馈，C．既有直流反馈又有交流反馈，D．不存在实际的反馈作用。
2．这个反馈的组态与极性为________________。
A．电压并联负反馈，B．电压并联正反馈，C．电流并联负反馈，D．电流串联负反馈，E．电压串联负反馈，F．无组态与极性可言。
2. 正弦波振荡电路如图所示，集成运放A具有理想特性，电阻R2＝10kΩ，R1的阻值分别下列三种情况时，试选择正确答案填空：1．R1＝10kΩ＋4.7kΩ（可调）；（）2．R1＝18kΩ＋4.7kΩ（可调）；（）3．R1＝47kΩ＋4.7kΩ（可调）。
（）RA.能振荡，且u O波形较好B.能振荡，且u O波形不好C.不振3. 多级放大电路如图所示。
试选择正确的答案填空。
1．VT1构成放大电路组态；2．VT2构成放大电路组态；3．VT3构成放大电路组态。
A.共射B.共集C.共基4. 在图示方波发生器中，已知A为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为 12V。
现有下列不同情况：选择填空：将产生不同测试结果的原因填入空内：1．输出电压峰-峰值为12V；（）2．电路不产生振荡；（）3．输出电压峰-峰值比正常工作时增大。
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2018—2019电子技术基础期中试题
姓名总分
一、填空题（每空1分，共20分）
1．P型半导体又称为____________型半导体，它由本征半导体掺入____________价元素形成，其多数载流子是____________，少数载流子是____________。
2．在室温附近，温度升高，杂质半导体中__________的浓度将明显增加。
3．在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是____________作用下产生的，漂移运动是____________作用下产生的。
4．按照二极管的材料分，可分为_________二极管和锗二极管两种。
5．稳压二极管稳压工作时，是工作在其特性曲线的___________区。
6．三极管具有电流放大作用的外部条件是：发射结____________偏置，集电结____________偏置。
7．基本放大电路的非线性失真包括____________失真和____________失真。
8．图1所示电路，二极管VD1、VD2为理想元件，则U AB 为_______伏。
图1图2 9．电路图如图2，已知R B = 240kΩ，R C = 3kΩ，晶体管β= 20，V CC = 12V。
现在该电路中的晶体管损坏，换上一个β= 40的新管子，若要保持原来的静态电流I C不变，且忽略U BE，应把R B调整为____________kΩ。
10．在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图3所示。
已量出I1= -1.2mA，I2 = -0.03mA，I3 = 1.23mA。
由此可知：
(1) 电极①是__________极，电极②是__________极，电极③是
__________极。
(2) 此晶体管的电流放大系数β约为__________。
(3) 此晶体管的类型是__________型（PNP或NPN）。
I1
I2
I3
二、选择题（每小题2分，共20分）
11．PN结加正向电压时，其空间电荷区会( ) A．不变B．变窄
C．变宽D．不定
12．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于( ) A．本征半导体B．温度
①
②
③
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C．杂质浓度D．掺杂工艺
13．从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施( ) A．发射区掺杂浓度高，集电结面积小
B．发射区掺杂浓度高，集电结面积大
C．发射区掺杂浓度低，集电结面积小
D．发射区掺杂浓度低，集电结面积大
14．半导体三极管的特点是( ) A．输入电流控制输出电流B．输入电压控制输出电压
C．输入电流控制输出电压D．输入电压控制输出电流15．NPN型与PNP型三极管的区别是( ) A．由两种不同材料硅和锗制成B．掺入杂质元素不同
C．P区或N区的位置不同D．死区电压不同
16．某放大电路中的晶体三极管，测得其管脚电位为：①脚U1 = 0V，②脚U2 = -0.3V，③脚U3 = 8V，则可判定该管是( )
A．锗管①为e极B．锗管②为e极
C．硅管③为c极D．锗管③为e极
17．某电路中的三极管符号如图4所示，测得其管脚电位标在图上，则该管是( ) A．放大状态
B．截止状态
C．饱和状态
D．状态不能确定18．三种基本放大电路中电压放大倍数近似等于1的是( ) A．共基极放大电路B．共集电极放大电路
C．共发射极放大电路D．无法确定
19基本放大电路中Q点不稳的原因主要是( )
A．电阻阻值有误差B．三极管参数的分散性
C．三极管参数受温度影响D．电源电压不稳定
20．基本放大电路输出波形如下图，这是什么失真，怎么消除( )
A饱和失真增大Rb B饱和失真调小Rb
C截止失真增大Rb D截止失真调小Rb
三、分析题（共60分）
21．限幅电路如图5所示，u i= 2sinωt，V1、V2均为硅管，导通电压为0.7V。
试据输入电压波形画出输出电压波形（必须考虑二极管的导通电压）
图 5
u o / V
t / s
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22．对于图7所示放大电路：
(1) 画出放大电路的交.、直流通路电路。
23、（8分）一硅稳压管稳压电路如图8所示，其中硅稳压管的稳定电压
U Z= 8V，动态电阻r Z及未击穿的反向电流均可忽略，未经稳压的直流输入电压U I = 30V。
试求：
(1) U o、I o、I及I Z的值。
(2) 当U I降低为15V时的U o、I o、I及I Z的值。
图8 24（12分）电路如图10所示，三极管的U BE = 0.6V，β = 80。
试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时，三极管的工作状态，并求出相应的集电极电流I c的值。
S
A
B
C
12V
20KΩ
500KΩ40KΩ4KΩ
12V
T
图10
25、（16分）如图11(a)所示单管共发射极放大电路及特性曲线中，已知电路中的三极管β = 40，
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图11
(1) 简述共发射极放大电路的特点。
(2) 试估算静态工作点。
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